工艺波动测试方法及装置与流程

本发明涉及显示面板制作领域，具体而言，涉及一种工艺波动测试方法及装置。

背景技术：

tft(thinfilmtransistor)器件的等效模型是制程与面板设计工程师的桥梁。通过统计制作的显示面板的电流数据，将电流数据进行统计显示可以了解制作显示面板过程中的工艺的波动，但是现有技术中的数据量大，对比参数太多，可能导致计算量很大，导致工艺波动测试的效率比较低。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明实施例的目的在于提供一种工艺波动测试方法及装置。

本发明实施例提供的一种工艺波动测试方法，包括：

获得待测试显示基板的测试数据；

从所述测试数据中获取目标参数组；

计算得到所述目标参数组中的每项参数组的平均值及离散程度数；

根据每项参数组的平均值及离散程度数计算得到多个波动参数点；

将所述多个波动参数点与根据标准参数组计算得到的多个标准参数点进行对比，获得工艺波动测试结果。

本发明实施例还提供一种工艺波动测试方法，包括：

获得待测试显示基板的测试数据；

从预设的多个参数中选择两个参数作为参数组合；

从所述测试数据中选择所述两个参数的所有值，形成目标参数组；

计算得到所述目标参数组中的每项参数组的平均值及标准差；

根据每项参数组的平均值及标准差计算得到多个波动参数点；

将所述多个波动参数点与根据标准参数组计算得到的多个标准参数点进行对比，获得工艺波动测试结果；

将所述工艺波动测试结果输出显示。

本发明实施例还提供一种工艺波动测试装置，包括：

获得模块，用于获得待测试显示基板的测试数据；

选取模块，用于从所述测试数据中选取目标参数组；

第一计算模块，用于计算得到所述目标参数组中的每项参数组的平均值及离散程度数；

第二计算模块，用于根据每项参数组的平均值及离散程度数计算得到多个波动参数点；

对比模块，用于将所述多个波动参数点与根据标准参数组计算得到的多个标准参数点进行对比，获得工艺波动测试结果。

与现有技术相比，本发明实施例的工艺波动测试方法及装置，通过计算选取的目标参数组的所述平均值及离散程度数，然后再进一步地根据所述平均值及离散程度数计算得到波动参数点，可以减少对比数据的量；而且通过计算所述离散程度点也能够很好地表示所述目标参数组的离散程度，也能够很好地实现工艺波动的测试。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例提供的电子终端的方框示意图。

图2为本发明实施例提供的工艺波动测试方法的流程图。

图3为本发明实施例提供的工艺波动测试方法的步骤s102的详细流程图。

图4为本发明实施例提供的工艺波动测试方法的步骤s104的详细流程图。

图5为本发明另一实施例提供的工艺波动测试方法的步骤s104的详细流程图。

图6为本发明另一实施例提供的工艺波动测试方法的部分流程图。

图7为本发明另一实施例提供的工艺波动模型的数据分布示意图。

图8为本发明另一实施例提供的工艺波动测试方法的流程图。

图9为本发明实施例提供的工艺波动测试装置的功能模块示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

如图1所示，是所述电子终端100的方框示意图。所述电子终端100包括工艺波动测试装置110、存储器111、存储控制器112、处理器113、外设接口114、输入输出单元115、显示单元116。本领域普通技术人员可以理解，图1所示的结构仅为示意，其并不对电子终端100的结构造成限定。例如，电子终端100还可包括比图1中所示更多或者更少的组件，或者具有与图1所示不同的配置。

所述存储器111、存储控制器112、处理器113、外设接口114、输入输出单元115及显示单元116各元件相互之间直接或间接地电性连接，以实现数据的传输或交互。例如，这些元件相互之间可通过一条或多条通讯总线或信号线实现电性连接。所述工艺波动测试装置110包括至少一个可以软件或固件(firmware)的形式存储于所述存储器111中或固化在所述电子终端100的操作系统(operatingsystem，os)中的软件功能模块。所述处理器113用于执行存储器中存储的可执行模块，例如所述工艺波动测试装置110包括的软件功能模块或计算机程序。

其中，所述存储器111可以是，但不限于，随机存取存储器(randomaccessmemory，ram)，只读存储器(readonlymemory，rom)，可编程只读存储器(programmableread-onlymemory，prom)，可擦除只读存储器(erasableprogrammableread-onlymemory，eprom)，电可擦除只读存储器(electricerasableprogrammableread-onlymemory，eeprom)等。其中，存储器111用于存储程序，所述处理器113在接收到执行指令后，执行所述程序，本发明实施例任一实施例揭示的过程定义的电子终端100所执行的方法可以应用于处理器113中，或者由处理器113实现。

本实施例中，所述电子终端100中安装安卓(android)操作系统。所述android操作系统存储在所述存储器111中。其中操作系统可包括各种用于管理系统任务(例如内存管理、存储设备控制、电源管理等)的软件组件和/或驱动。

所述处理器113可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。上述的处理器113可以是通用处理器，包括中央处理器(centralprocessingunit，简称cpu)、网络处理器(networkprocessor，简称np)等；还可以是数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本发明实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。

所述外设接口114将各种输入/输入装置耦合至处理器113以及存储器111。在一些实施例中，外设接口114，处理器113以及存储控制器112可以在单个芯片中实现。在其他一些实例中，他们可以分别由独立的芯片实现。

所述输入输出单元115用于提供给用户输入数据。所述输入输出单元115可以是，但不限于，鼠标和键盘等。

所述显示单元116在所述电子终端100与用户之间提供一个交互界面(例如用户操作界面)或用于显示图像数据给用户参考。在本实施例中，所述显示单元可以是液晶显示器或触控显示器。若为触控显示器，其可为支持单点和多点触控操作的电容式触控屏或电阻式触控屏等。支持单点和多点触控操作是指触控显示器能感应到来自该触控显示器上一个或多个位置处同时产生的触控操作，并将该感应到的触控操作交由处理器进行计算和处理。

在实际的tft器件制造过程中，工艺上会存在一定的波动，使得同一块玻璃基板上，处于不同位置的，具有同样尺寸的tft的性能之间存在差异。例如，有些位置的tft的栅绝缘层厚度比工艺设定的值变小。这样会使得tft栅极的容性调控能力增强，tft的响应速度变快。反之，有些部位的tft的栅绝缘层的厚度变厚，使得栅极的调控能力变弱，tft的性能相对工艺设定值变差等。这种由于生产工艺的波动，引起的tft性能的变话，也应该在仿真的时候体现出来。因此，本申请通过以下几个实施例可以有效地对生产工艺的波动进行测试，以了解生产工艺过程中的波动，以使相关人员能够及时采取相关措施。

请参阅图2，是本发明实施例提供的应用于图1所示的电子终端的工艺波动测试方法的流程图。下面将对图2所示的具体流程进行详细阐述。

步骤s101，获得待测试显示基板的测试数据。

在一种实施方式中，所述测试数据是对所述待测试显示基板进行启动后测试得到的各个时间节点时所述显示基板上的各个tft的电流数据和电压数据。所述电流数据可以包括启动时的电流、最大的充电电流、漏电流等。所述电压数据可以包括启动时的电压、跨导电压等。

进一步地，所述测试数据还可以包括对不同时间段制作的玻璃基板进行测试得到的测试数据。

步骤s102，从所述测试数据中获取目标参数组。

在一种实施方式中，可以从所述测试数据中任意选择两类数据作为所述目标参数组；当然，也可以选择任意三类数据作为所述目标参数组。在一个实例中，所述目标参数组可以包括启动电流数据组和漏电流数据组。

本实施例中，如图3所示，所述步骤s102包括：步骤s1021和步骤s1022。

步骤s1021，从预设的多个参数中选择两个参数作为参数组合。

本实施例中，所述预设的多个参数可以是一些特殊数据点(target)，可包括开启电压、开启电流、最大充电电流、漏电流、最大电流及跨导电压中的至少两个参数。

本实施例中，根据上述的多个参数任意两个组合可以形成多个参数组合，例如，(开启电压，开启电流)，(开启电流，最大充电电流)，(漏电流、最大电流)等，在此不进行穷举。

在其它实施例中，也可以任意三个参数进行组合形成有三个元素的参数组合，例如(开启电压，开启电流，最大充电电流)可以形成一个参数组合，在此也不对包括三个元素的参数组合进行穷举。

本实施例中，所述预设的多个参数可以选择具测试tft器件时电流曲线或电压曲线中相对重要的点。

步骤s1022，从所述测试数据中选择所述两个参数的所有值，形成两组数据，所述两组数据即为目标参数组。

通过选择重要的点进行计算波动参数点，再将波动参数点与标准参数点进行对比，可以得到测试结果，可以在减少计算量的同时还能够准确地表示面板设计工艺中的波动。

步骤s103，计算得到所述目标参数组中的每项参数组的平均值及离散程度数。

本实施例中，所述离散程度数可以是参数组的方差、均方差等。

下面以所述目标参数中包括两组数据为例进行描述，例如，两组数据分别包括kop1和kop2，其中kop1可以表示启动电流数据组和kop2可以表示漏电流数据组。在一个实例中，所述kop1可包括一百个tft器件的启动电流，kop2可包括一百个tft器件的漏电流。则可以计算启动电流数据组的平均值和漏电流数据组平均值。在一个实例中，可以通过以下公式计算平均值：

其中，mean1表示参数组kop1的平均值；mean2表示参数组kop1的平均值；kop1i表示参数组kop1中第i个数值，kop1i表示参数组kop2中第i个数值，n表示参数组kop1中的数值个数，m表示参数组kop2中的数值个数。本实例中，m与n可以相等。

在一个实例中，可以通过以下公式计算离散程度数：

其中，δ1表示参数组kop1的离散程度数；δ2表示参数组kop1的离散程度数。

在另一个实例中，还可以通过以下公式计算所述离散程度数：

步骤s104，根据每项参数组的平均值及离散程度数计算得到多个波动参数点。

本实施例中，可以将所述平均值与所述离散程度数做数学运算，然后将运算结果进行组合形成所述多个波动参数点。

步骤s105，将所述多个波动参数点与根据标准参数组计算得到的多个标准参数点进行对比，获得工艺波动测试结果。

本实施例中，所述标准参数组可以是采集的能够代表标准工艺的与所述目标参数组对应类型的数据。例如，所述目标参数组可以选择了启动电流数据组和漏电流数据组，则所述标准参数组可以是采集得到的多个标准tft器件的启动电流数据和漏电流数据。本实施例中，所述标准参数点的计算方式与所述波动参数点的计算采用相同的计算方式。

进一步地，所述电子终端可以将所述工艺波动测试结果进行显示，也可以将所述工艺波动测试结果发送给其它终端进行显示，以供相关作业人员查看。

在一种实施方式中，如图4所示，所述步骤s104包括：步骤s1041至步骤s1045。

步骤s1041，计算每项参数组的平均值与第一指定倍数的离散程度数之和，得到每项参数组对应的第一波动参数。

本实施例中，所述第一指定倍数可以按照需求进行设置。例如，所述指定倍数可以是1倍、2倍、3倍、5倍等。

在一个实例中，所述第一指定倍数可以3倍，则可以以以下公式计算得到所述第一波动参数：

f1＝mean1+3δ1；f2＝mean2+3δ2。

在另一个实例中，所第一述指定倍数可以5倍，则可以以以下公式计算得到所述第一波动参数：

f1＝mean1+5δ1；f2＝mean2+5δ2。

其中，所述f1表示参数组kop1的第一波动参数，所述f2表示参数组kop2的第一波动参数。

步骤s1042，计算每项参数组的平均值与第二指定倍数的离散程度数之差，得到每项参数组对应的第二波动参数。

本实施例中，所述第二指定倍数可以按照需求进行设置。例如，所述第二指定倍数可以是1倍、2倍、3倍、5倍等。进一步地，所述第一指定倍数可以与所述第二指定倍数相同。

在一个实例中，所述第二指定倍数可以3倍，则可以以以下公式计算得到所述第二波动参数：

s1＝mean1-3δ1；s2＝mean2-3δ2。

在另一个实例中，所述第二指定倍数可以5倍，则可以以以下公式计算得到所述第二波动参数：

s1＝mean1-5δ1；s2＝mean2-5δ2。

其中，所述s1表示参数组kop1的第二波动参数，所述s2表示参数组kop2的第二波动参数。

步骤s1043，组合每项参数组对应的第一波动参数，形成第一参数点。

本实施例中，所述目标参数组包括两个元素时，所述第一参数点为二维坐标系下的点。

本实施例中，所述目标参数组包括三个元素时，所述第一参数点为三维坐标系下的点。

本实施例中，所述第一参数点则可以是由参数组kop1的第一波动参数与参数组kop2的第一波动参数形成的点，可以表示为ff＝(f1，f2)。

在其它实施例中，所述目标参数组包括三个元素时，所述第一参数点可以表示为fff＝(f1，f2，f3)，其中，f3表示参数组kop3的第一波动参数形成的点。

步骤s1044，组合每项参数组对应的第二波动参数，形成第二参数点。

本实施例中，所述第二参数点则可以是由参数组kop1的第二波动参数与参数组kop2的第二波动参数形成的点，可以表示为ss＝(s1，s2)。

在其它实施例中，所述目标参数组包括三个元素时，所述第二参数点可以表示为sss＝(s1，s2，s3)，其中，s3表示参数组kop3的第二波动参数形成的点。

步骤s1045，组合每项参数组的平均值，形成第三参数点，进而获得包含所述第一参数点、所述第二参数点及所述第三参数点的多个波动参数点。

本实施例中，所述第三参数点可表示为tt＝(mean1,mean2)。

通过上述步骤通过数学运算计算得到不同特性的点，可以从多个角度反映出制作工艺过程中的工艺波动，透过统计的方法，可以把制程差异转化成模型参数的一部分，并进行仿真，以实现更好地检测工艺效果。

本实施例中，如图5所示，本实施方式中的步骤s104的实施方式与前一实施方式类似，其不同之处在于，本实施方式中的多了步骤s1046。所述步骤s104包括：步骤s1041至步骤s1046。

步骤s1041，计算每项参数组的平均值与第一指定倍数的离散程度数之和，得到每项参数组对应的第一波动参数。

步骤s1042，计算每项参数组的平均值与第二指定倍数的离散程度数之差得到每项参数组对应的第二波动参数。

步骤s1043，组合每项参数组对应的第一波动参数，形成第一参数点。

步骤s1044，组合每项参数组对应的第二波动参数，形成第二参数点。

步骤s1045，组合每项参数组的平均值，形成第三参数点。

关于步骤s1041-s1045可以参考前一实施方式中的描述，在此不再赘述。

步骤s1046，交叉组合每项参数组对应的第一波动参数与每项参数组对应的第二波动参数组，形成其它参数点，进而获得包含所述第一参数点、所述第二参数点、所述第三参数点及所述其它参数点的多个波动参数点。

本实施例中，所述其它参数点可以是由参数组kop1的第一波动参数与参数组kop2的第二波动参数形成的点，可以表示为fs＝(f1，s2)；也可以是由参数组kop1的第二波动参数与参数组kop2的第一波动参数形成的点，可以表示为sf＝(s1，f2)。

在其它实施例中，波动参数点可以是由三个波动参数形成的三维坐标点，此时，所述目标参数组可以包括三个元素。进一步地，所述其它参数点可以表示为ffs＝(f1，f2，s3)，其中，s3表示参数组kop3的第二波动参数形成的点。所述其它参数点还可以表示为fsf＝(f1，s2，f3)，其中，s3表示参数组kop3的第二波动参数形成的点。

本实施例中的测试方法通过对tft器件的测试得到的电流数据或电压数据进行统计，可以把制程差异转化成模型参数的一部分，并进行仿真，确保电路工作无虞。透过统计数据得到测试结果，可确实的分析电路的运作极限为何，在还没出光罩前确保电路的运作无虞。

在其它实施例中，在步骤s105之前，如图6所示，所述方法还包括以下步骤。

步骤s106，接收在目标时间节点测试得到的多组数据。

本实施例中，所述多组数据可以是从所述测试数据中选择的部分具有代表性的数据。

步骤s107，从所述多组数据中确定出所述标准参数组。

本实施例中，所述标准参数组的所包含的类型与所述目标参数组中的类型相同。例如，所述目标参数组选择了启动电流数据组和漏电流数据组，则所述标准参数组可以是部分具有代表性的启动电流数据和漏电流数据。

步骤s108，计算得到所述标准参数组中的每项标准参数组的标准平均值及标准离散程度数，再根据每项标准参数组的标准平均值及标准离散程度数计算得到所述多个标准参数点。

本实施例中，计算所述标准参数点的计算方式与计算所述多个波动参数点的计算方式相同，在此不再赘述。

通过测试一块玻璃基板上不同部位的tft器件特性曲线以及特性曲线上表征tft特性的一些特殊数据点(target)。从中得到能够代表面板真实情况的区域中的tft器件的测试数据用于建模，也就是用于计算得到所述标准参数点。通过计算可以得到统计得到的特殊数据点(target)在整个玻璃基板上的分布情况，以及确定由于工艺波动，造成这些target相对于统计平均值波动的百分比。这就是建立包含器件工艺波动的tft的corner模型。

在一种实施方式中，使用能够表征tft特性面板的目标区域的多个特殊数据点建模的过程可以通以下方式实现。

步骤a，测试能够表征tft特性的所述目标区域的多个特殊数据点。具体地，可以向所述目标区域输入电流，测试所述目标区域在各个节点处的多个特殊数据点。

本实施例中，所述特殊数据点可包括开启电压、开启电流、最大充电电流、漏电流、最大电流及跨导电压。

步骤b，从所述多个特殊数据点确定模型参数组合。

例如，可以在所述特殊数据点选定的模型参数组合(kop1和kop2)，对所有tft电流量测数据进行统计分析。其中，模型参数组合kop1和kop2为开启电压、开启电流、最大充电电流、漏电流、最大电流及跨导电压中的任意至少两个数据形成的参数组合。在一个实例中，利用峰值(meanvalue)来决定tt电流数据组，而用指定数量个标准差(x-sigma)来决定ss，ff，sf，和fs四个电流数据组。

进一步地，可以使用预先设定的模型参数组合，也可以是建模时由用户输入的选择的模型参数组合。

步骤c，可以使用计算所述多个波动参数点的计算方式计算所述特殊数据点的波动性质参数。

计算所述目标区域中的每个tt参数。再根据tt参数计算得到ss，ff，sf，和fs四个电流数据组。

如图7所示，图7示出了一实施例提供的工艺波动模型的数据分布示意图。其中，本实施例中，工艺波动模型示出了采用三种计算方式得到的不同的限定区域。其中，内圈为使用一个标准差(1-σ)来决定ss，ff，sf，和fs四个电流数据组，得到的模型；中间圈定区域为使用两个标准差(2-σ)来决定ss，ff，sf，和fs四个电流数据组，得到的模型；外圈定区域为使用三个标准差(3-σ)来决定ss，ff，sf，和fs四个电流数据组，得到的模型。

步骤d，将计算得到所述波动性质参数输入统计模型中，得到目标模型的图示。

如图7所示，图7中示出了所述模型图示的示意图。三个圈分别表示在三种计算方式得到的标准曲线。

本实施例中，通过将工艺制作的tft的电流数据组与所述目标模型进行比对可以得到工艺的波动。

本实施例中，在制作统计模型时，并不需要全部的数据都有完整的id-vg与id-vd数据。只要透过量测机台量测特殊数据点target(比如vth，ion，isat，ioff等物理量)值即可，大大减少了计算量，提高测试效率。

本发明实施例的工艺波动测试方法，通过计算所述平均值及离散程度数，然后再进一步地根据所述平均值及离散程度数计算得到波动参数点，可以减少对比数据的量；而且通过计算所述离散程度点也能够很好地表示所述目标参数组的离散程度，也能够很好地实现工艺波动的测试。

本发明实施例还提供另一种工艺波动测试方法，如图8所示，本实施例中的方法包括以下步骤。

步骤s201，获得待测试显示基板的测试数据。

步骤s202，从预设的多个参数中选择两个参数作为参数组合。

本实施例中，所述预设的多个参数可以是一些特殊数据点(target)，可包括开启电压、开启电流、最大充电电流、漏电流、最大电流及跨导电压中的至少两个参数。

本实施例中，根据上述的多个参数任意两个组合可以形成多个参数组合，例如，(开启电压，开启电流)，(开启电流，最大充电电流)，(漏电流、最大电流)等，在此不进行穷举。

在其它实施例中，也可以任意三个参数进行组合形成有三个元素的参数组合，例如(开启电压，开启电流，最大充电电流)可以形成一个参数组合，在此也不对包括三个元素的参数组合进行穷举。

本实施例中，所述预设的多个参数可以选择具测试tft器件时电流曲线或电压曲线中相对重要的点。

步骤s203，从所述测试数据中选择所述两个参数的所有值，形成目标参数组。

关于步骤s203和步骤s204的其它细节可以进一步地参考前一方法实施例中的步骤s1021和步骤s1022。

步骤s204，计算得到所述目标参数组中的每项参数组的平均值及标准差。

步骤s205，根据每项参数组的平均值及标准差计算得到多个波动参数点。

步骤s206，将所述多个波动参数点与根据标准参数组计算得到的多个标准参数点进行对比，获得工艺波动测试结果。

步骤s207，将所述工艺波动测试结果输出显示。

本实施例中，还可以将所述标准参数点与所述多个波动参数点进行区别标注，可以使用相关人员能够了解测试的效果。

关于本实施例中的其它细节可以进一步地参考前一方法实施例中的描述，在此不再赘述。

本发明实施例的工艺波动测试方法，通过计算所述平均值及离散程度数，然后再进一步地根据所述平均值及离散程度数计算得到波动参数点，可以减少对比数据的量；而且通过计算所述离散程度点也能够很好地表示所述目标参数组的离散程度，也能够很好地实现工艺波动的测试。

请参阅图9，是本发明实施例提供的图1所示的工艺波动测试装置110的功能模块示意图。本实施例中的工艺波动测试装置110可用于执行上述方法实施例中的各个步骤。所述工艺波动测试装置110包括：获得模块1101、选取模块1102、第一计算模块1103、第二计算模块1104及对比模块1105。

所述获得模块1101，用于获得待测试显示基板的测试数据。

所述选取模块1102，用于从所述测试数据中选取目标参数组。

所述第一计算模块1103，用于计算得到所述目标参数组中的每项参数组的平均值及离散程度数。

所述第二计算模块1104，用于根据每项参数组的平均值及离散程度数计算得到多个波动参数点。

所述对比模块1105，用于将所述多个波动参数点与根据标准参数组计算得到的多个标准参数点进行对比，获得工艺波动测试结果。

本实施例中，所述选取模块可以包括：第一选择单元和第二选择单元。

所述第一选择单元，用于从预设的多个参数中选择两个参数作为参数组合。

所述第二选择单元，用于从所述测试数据中选择所述两个参数的所有值，形成两组数据，所述两组数据即为目标参数组。

本实施例中，所述预设的多个参数包括开启电压、开启电流、最大充电电流、漏电流、最大电流及跨导电压中的至少两个参数。

在一种实施方式中，所述第二计算模块可以包括：第一计算单元、第二计算单元、第一组合单元、第二组合单元及第三组合单元。

所述第一计算单元，用于计算每项参数组的平均值与第一指定倍数的离散程度数之和，得到每项参数组对应的第一波动参数。

所述第二计算单元，用于计算每项参数组的平均值与第二指定倍数的离散程度数之差，得到每项参数组对应的第二波动参数。

所述第一组合单元，用于组合每项参数组对应的第一波动参数，形成第一参数点。

所述第二组合单元，用于组合每项参数组对应的第二波动参数，形成第二参数点。

所述第三组合单元，用于组合每项参数组的平均值，形成第三参数点，进而获得包含所述第一参数点、所述第二参数点及所述第三参数点的多个波动参数点。

在另一种实施方式中，所述第二计算模块可以包括：第一计算单元、第二计算单元、第一组合单元、第二组合单元、第三组合单元及第四组合单元。

所述第一计算单元，用于计算每项参数组的平均值与第一指定倍数的离散程度数之和，得到每项参数组对应的第一波动参数。

所述第二计算单元，用于计算每项参数组的平均值与第二指定倍数的离散程度数之差得到每项参数组对应的第二波动参数。

所述第一组合单元，用于组合每项参数组对应的第一波动参数，形成第一参数点。

所述第二组合单元，用于组合每项参数组对应的第二波动参数，形成第二参数点。

所述第三组合单元，用于组合每项参数组的平均值，形成第三参数点。

所述第四组合单元，用于交叉组合每项参数组对应的第一波动参数与每项参数组对应的第二波动参数组，形成其它参数点，进而获得包含所述第一参数点、所述第二参数点、所述第三参数点及所述其它参数点的多个波动参数点。

本实施例中，所述装置还可以包括：接收模块、确定模块及第三计算模块。

所述接收模块，用于接收在目标时间节点测试得到的多组数据。

所述确定模块，用于从所述多组数据中确定出所述标准参数组。

所述第三计算模块，用于计算得到所述标准参数组中的每项标准参数组的标准平均值及标准离散程度数，再根据每项标准参数组的标准平均值及标准离散程度数计算得到所述多个标准参数点。

关于本实施例的其它细节还可以进一步地参考上述方法实施例中的描述，在此不再赘述。

本发明实施例的工艺波动测试装置，通过计算所述平均值及离散程度数，然后再进一步地根据所述平均值及离散程度数计算得到波动参数点，可以减少对比数据的量；而且通过计算所述离散程度点也能够很好地表示所述目标参数组的离散程度，也能够很好地实现工艺波动的测试。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本发明的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

另外，在本发明各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-onlymemory)、随机存取存储器(ram，randomaccessmemory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。