显示装置、测试电路及其测试方法与流程

本申请要求享有于2017年12月21日递交的韩国专利申请no.10-2017-0177182以及2018年11月19日提交的韩国专利申请no.10-2018-0142990的优先权，为了所有目的通过引用将上述韩国专利申请并入本申请，如同在本申请中被完全描述。

本发明涉及显示装置、测试电路及其测试方法。

背景技术：

显示装置包括各种显示电路，比如布置有多个子像素的显示面板、以及用于驱动显示面板的源极驱动电路和栅极驱动电路。

在传统的显示装置中，晶体管、各种电极、各种信号线等被设置在玻璃基板上，可被实现为集成电路的驱动电路被安装在印刷电路上，显示面板通过印刷电路电连接至驱动电路。

这种现有结构适用于大显示装置，但不适用于小显示装置。

而且，出现了需要小显示装置的多种电子装置，比如虚拟现实装置、增强现实装置等。因此，已提出具有非常小尺寸的显示装置。这种装置可称为微显示装置。

由于微显示装置以硅基板(硅半导体基板)上的集成电路(ic)的形式形成为半导体芯片，因此视觉地辨别微显示装置的缺陷是非常困难的。在许多情形中，集成地实现各种驱动电路以及像素阵列。

因此，对以与传统显示装置不同的形式实现的微显示装置的测试方法存在需求。

由于微显示装置形成为硅基板上的半导体芯片，因此半导体芯片的尺寸随着微显示装置的尺寸的增大而增大，由此产率大大降低。

因此，对测试微显示装置的方法存在需求，其中微显示装置仅具有很小的由于包含在半导体芯片上的测试电路而导致的半导体芯片的尺寸增加。

技术实现要素：

在此背景下，本发明的一方面提供一种可实现高速精确测试的显示装置、测试电路及其测试方法。本显示装置也可称为微显示器。

本发明的另一方面提供一种可在仅具有很小的尺寸增大的同时能够进行测试的显示装置、测试电路及其测试方法。

本发明的又一方面提供一种可提高产率并降低成本的显示装置、测试电路及其测试方法。

本发明的又一方面提供一种可实现外部补偿的显示装置、测试电路及其测试方法。

根据本发明的一方面，提供一种显示装置，包括：硅基板，具有多条栅极线、多条数据线、多条感测线和像素阵列，在所述像素阵列上布置有多个子像素；测试电路，布置在所述硅基板上，所述测试电路被配置为选择所述多条数据线或所述多条感测线中的至少一条线，将通过选择的线传输的信号转换为数字信号，并输出测试数据；和测试焊盘单元，被配置为将所述测试数据输出到位于所述硅基板的外部的电路。

所述测试电路可包括：第一测试多路复用器，被配置为根据测试模式选择所述多条数据线或所述多条感测线中的一种；第二测试多路复用器，被配置为选择由所述第一测试多路复用器选择的多条数据线或多条感测线中的至少一条线；和测试转换器，被配置为将通过由所述第二测试多路复用器选择的线接收的信号转换为数字信号并输出具有预定位数的测试数据。

所述第二测试多路复用器可顺序地改变和选择由所述第一测试多路复用器选择的多条数据线或多条感测线中的至少一条线。

所述测试转换器还可包括：模拟-数字转换器；和信号转换器，布置在所述第二测试多路复用器与所述模拟-数字转换器之间，并且在从所述第二测试多路复用器输出的信号是电流信号时，所述信号转换器将所述电流信号转换为电压信号并将转换后的结果输出至所述模拟-数字转换器。

所述信号转换器可包括：电流-电压转换器，被配置为检测从所述第二测试多路复用器输出的信号的电流并将检测的电流转换为对应的电压信号；和第三测试多路复用器，被配置为在由测试模式信号指定的模式是感测测试模式时将所述电流-电压转换器的输出输出至所述模拟-数字转换器，以及在由所述测试模式信号指定的模式是数据测试模式时将所述第二测试多路复用器的输出输出至所述模拟-数字转换器。

所述测试焊盘单元可包括：与所述测试数据的位数相同数量的测试焊盘；和参考焊盘，从外部装置向所述参考焊盘施加所述模拟-数字转换器的数据参考电压。

所述微显示装置还可包括：布置在电路区上的驱动电路，其中所述驱动电路包括：至少一个栅极驱动电路，布置在所述像素阵列的多条栅极线延伸的第一方向中且驱动所述多条栅极线；至少一个源极驱动电路，布置在所述像素阵列的多条数据线延伸的第二方向中且驱动所述多条数据线；和控制器，被配置为控制所述至少一个栅极驱动电路、所述至少一个源极驱动电路和所述测试电路。

所述测试电路可被布置在所述像素阵列的周边的裕度区域中，在所述裕度区域中未布置所述至少一个栅极驱动电路和所述至少一个源极驱动电路。

所述微显示装置还可包括：输入/输出焊盘单元，被配置为从外部装置接收输入图像数据并将接收的输入图像数据传输至所述控制器。

所述测试焊盘单元可被布置为与所述输入/输出焊盘单元相邻。

所述第一测试多路复用器可布置在所述至少一个源极驱动电路的内部。

所述第二测试多路复用器和所述测试转换器可布置为与所述第一测试多路复用器相邻。

所述数据参考电压可以是通过单斜度发生器产生的逐步增大的电压。

所述单斜度发生器可布置在裕度区域中，在所述裕度区域中未布置所述显示装置中包括的驱动电路中的至少一个栅极驱动电路和至少一个源极驱动电路。

根据本发明的另一方面，提供一种微显示装置的测试电路，所述测试电路布置在硅基板上，其中所述测试电路选择布置在像素阵列上的多条数据线或多条感测线中的至少一条线、将通过选择的线传输的信号转换为数字信号以获取测试数据、以及通过布置在所述硅基板上的测试焊盘单元输出获取的测试数据。

所述测试电路还可包括：第一测试多路复用器，被配置为根据测试模式选择所述多条数据线或所述多条感测线中的一种；第二测试多路复用器，被配置为选择由所述第一测试多路复用器选择的多条数据线或多条感测线中的至少一条线；和测试转换器，被配置为将通过由所述第二测试多路复用器选择的线接收的信号转换为数字信号并输出具有预定位数的测试数据，其中所述第二测试多路复用器和所述测试转换器布置为与所述第一测试多路复用器相邻。

所述测试焊盘单元可包括：与所述测试数据的位数相同数量的测试焊盘；和参考焊盘，从单斜度发生器向所述参考焊盘施加数据参考电压，所述单斜度发生器可布置在裕度区域中。

根据本发明的又一方面，提供一种测试微显示装置的方法，所述微显示装置包括：硅基板，所述硅基板被配置为包括多条栅极线、多条数据线、多条感测线和上面布置有多个子像素的像素阵列；测试电路；和测试焊盘单元，所述方法包括：根据测试模式选择所述多条数据线或所述多条感测线中的一种；选择所选择的多条数据线或感测线中的至少一条线；及使用模拟-数字转换器对通过选择的线接收的信号进行转换以输出具有预定位数的测试数据。

如上所述，根据本发明的各种实施方式，可提供能够进行高速精确测试的显示装置、测试电路及其测试方法。

此外，根据本发明的各种实施方式，可提供能够在仅具有很小的尺寸增大的同时进行测试的显示装置、测试电路及其测试方法。

此外，根据本发明的各种实施方式，可提供可提高产率并降低成本的显示装置、测试电路及其测试方法。

此外，根据本发明的各种实施方式，可提供能够实现外部补偿的显示装置、测试电路及其测试方法。

附图说明

本发明的以上及其他方面、特征和优点将从以下结合附图进行的详细描述更加显而易见，在附图中：

图1示出根据本发明实施方式的使用微显示装置的电子装置的示例；

图2是根据本发明实施方式的微显示装置的示意系统配置图；

图3和4示出根据本发明实施方式的微显示装置的子像素结构的示例；

图5是示出根据本发明实施方式的微显示装置的像素结构的截面图；

图6和7是分别示出图2的微显示装置中用于测试的部件的图；

图8是根据本发明其他实施方式的微显示装置的示意系统配置图；

图9和10是分别示出图8的微显示装置中用于测试的部件的图；

图11示出根据本发明实施方式的测试微显示装置的方法；

图12是根据本发明其他实施方式的微显示装置的示意性系统配置图；

图13是分开地显示图12的微显示装置中用于测试的组件的视图；

图14是根据本发明其他实施方式的微显示装置的示意性系统配置图；

图15是分开地显示图14的微显示装置中用于测试的组件的视图。

具体实施方式

以下，将参照说明性的附图详细描述本发明的一些实施方式。在通过标号表示图中的元件时，尽管被示于不同图中，相同元件将由相同标号来表示。此外，在本发明的以下描述中，当对本文涉及的已知功能和配置的详细描述可能使本发明的主题比较不清楚时，将省去该详细描述。

另外，在描述本发明的部件时，可使用诸如第一、第二、a、b、(a)、(b)等之类的术语。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开，而对应部件的性质、等级、顺序等不受对应术语的限制。在描述某一结构元件与另一结构元件“连接”、“耦接”或“结合”的情形中，应被解释为除了某一结构元件与另一结构元件直接连接或直接接触外，第三结构元件可与这些结构元件“连接”、“耦接”或“结合”。

图1示出根据本发明实施方式的使用微显示装置的电子装置的示例。

参照图1，根据实施方式的电子装置100是hmd型装置，是一种用于显示增强现实或虚拟现实图像的可穿戴装置。

根据实施方式的电子装置100可包括：图像信号输入单元110，图像数据被输入到图像信号输入单元110；第一显示装置120l，在第一显示装置120l上显示基于图像信号的第一图像(例如左眼图像)；第二显示装置120r，在第二显示装置120r上显示基于图像信号的第二图像(例如右眼图像)；和壳体130，用于容纳图像信号输入单元110、第一显示装置120l和第二显示装置120r。

图像信号输入单元110可包括连接至用于输出图像数据的终端(例如智能手机等)的有线电缆或无线通信模块。

第一显示装置120l和第二显示装置120r是设置在对应于用户的左眼和右眼的位置处的显示部件。

第一显示装置120l和第二显示装置120r的每一个可包括微显示装置200的全部或部分部件。

虽然图1中图像信号输入单元110被图示为有线连接，但图像信号输入单元110可实现为无线接口。

在本发明中，假设第一显示装置120l和第二显示装置120r是实施为微显示型的有机发光显示装置。然而，本发明不限于此。

图2是根据本发明实施方式的微显示装置的示意系统配置图。

参照图2，根据本发明实施方式的微显示装置200可具有背板结构，其中像素阵列pxl和各种驱动电路设置在硅基板210上。

硅基板210可以是p型或n型的。在本说明书中，“p”意指空穴，“n”意指电子。

硅基板210可包括其中布置有像素阵列pxl的像素阵列区paz和其中布置有各种驱动电路的电路区cz。

硅基板210的电路区cz可位于硅基板210的像素阵列区paz周围。例如，电路区cz可设置在像素阵列区paz的一侧、两侧或三侧上，或者可围绕像素阵列区paz的周边设置。

在图2中，硅基板210的除像素阵列区paz以外的整个区被示为电路区cz。

在像素阵列pxl上，布置有多条数据线dl、多条栅极线gl以及由多条数据线dl和多条栅极线gl限定的多个子像素sp。

如图2所示，在像素阵列pxl上，栅极线gl可被布置为沿第一方向延伸，数据线dl可被布置在与第一方向不同的第二方向中。

此外，除了多条数据线dl和多条栅极线gl，用于向多个子像素sp提供各种信号和电压的信号布线可被布置在像素阵列pxl上。

例如，布置在像素阵列pxl上的信号布线可进一步包括用于传送驱动电压的驱动电压线。在一些情形中，信号布线可进一步包括用于向子像素sp传送参考电压或感测子像素sp的特性值的感测线。

布置在像素阵列pxl上的信号布线可与布置在硅基板210的电路区cz上的驱动电路电连接。

可根据电路元件的提供功能、设计方法等而不同地确定构成每个子像素sp的电路元件的类型和数量。

同时，布置在硅基板210的电路区cz上的驱动电路可包括用于驱动数据线的可布置在第二方向上的至少一个源极驱动电路sdc、用于驱动栅极线的可布置在第一方向上的至少一个栅极驱动电路gdc和用于控制至少一个源极驱动电路sdc和至少一个栅极驱动电路gdc的操作的控制器cont。

控制器cont将各种控制信号提供至源极驱动电路sdc和栅极驱动电路gdc以控制源极驱动电路sdc和栅极驱动电路gdc。

这种控制器cont根据每一帧中实施的时序开始扫描，根据源极驱动电路sdc中使用的数据信号类型转换从外部输入的输入图像数据以输出转换后的图像数据，以及根据扫描在适当时间控制数据驱动。

此外，控制器cont可确定是否执行测试以设定测试模式，并且可控制用于测试的测试电路。

控制器cont可向测试电路提供包括测试模式信号tds、像素选择信号ssp等的测试控制信号。

控制器cont可响应于从外部施加的命令而产生测试控制信号。

这里，测试模式信号tds是用于设定测试模式的信号。测试模式信号tds可分别指定测试模式当中的数据测试模式以测量经由数据线传输的数据电压，或感测测试模式以测量施加至每个子像素中的具体节点的电流或电压。

像素选择信号ssp是用于选择布置在像素阵列pxl上的多个子像素sp中的待测试子像素的信号。

这种控制器cont可以是典型显示技术中使用的时序控制器，或者是包括时序控制器以执行其他控制功能的控制装置。

源极驱动电路sdc通过从控制器cont接收图像数据并向多条数据线dl提供数据电压而驱动多条数据线dl。这里，源极驱动电路sdc也被称为数据驱动电路。

当具体栅极线被栅极驱动电路gdc开启时，源极驱动电路sdc将从控制器cont接收的图像数据转换为模拟数据电压以将模拟数据电压提供至多条数据线dl。

根据源极驱动电路sdc的驱动方法、设计方法等，源极驱动电路sdc可仅位于像素阵列pxl的一侧(例如上侧或下侧)上，或者可位于像素阵列pxl的两侧(例如上侧和下侧)上。

在图2中，例如，两个源极驱动电路sdc1和sdc被布置在像素阵列pxl的上侧和下侧上。

在此情形中，两个源极驱动电路sdc1和sdc可交替地驱动多条数据线dl。例如，第一源极驱动电路sdc1可驱动用于奇数像素(或子像素)的数据线dl，第二源极驱动电路sdc可驱动用于偶数像素(或子像素)的数据线dl。

这使得可以扩宽由各个源极驱动电路驱动的多条数据线dl之间的间距，以便有助于源极驱动电路的设计及稳定地驱动多条数据线dl。

当一个源极驱动电路sdc布置在微显示装置200中的像素阵列pxl的一侧(例如上侧)上时，控制器cont可布置在像素阵列pxl的另一侧(例如下侧)上。也就是说，控制器cont的位置可被变化地调整。

源极驱动电路sdc可包括移位寄存器、锁存电路、数字-模拟转换器dac、输出缓存器ob等。

这里，数字-模拟转换器dac是用于将从控制器cont接收的图像数据转换成待提供至数据线dl的数据电压的部件。

在一些情形中，源极驱动电路sdc可进一步包括模拟-数字转换器adc。

而且，如图7所示，当像素阵列pxl中包括红色(r)、绿色(g)和蓝色(b)的每个颜色的多个子像素rsp、gsp和bsp时(当r、g和b的三个子像素rsp、gsp和bsp形成一个像素px时)，源极驱动电路sdc可进一步包括数据多路复用器dmux，数据多路复用器dmux用于将从输出缓存器ob输出的信号分别输出至与每个颜色的子像素对应的数据线。

dmux可包括多个多路复用器mux以选择与包括在一个像素中的三个子像素rsp、gsp和bsp当中的一个子像素对应的数据线dl，由此提供从输出缓存器ob输出的信号。

因此，当源极驱动电路sdc包括dmux、移位寄存器的电路、锁存电路时，包括在源极驱动电路sdc中的诸如移位寄存器、锁存电路、数字-模拟转换器和输出缓存器ob的电路的数量可减少至需要被驱动的数据线dl的数量的1/3。

当一个像素由r、g、b和白色(w)的四个子像素rsp、gsp、bsp和wsp组成时，数据多路复用器dmux可被配置为选择与多个像素的每个像素对应的四条数据线dl中的一条。

此外，当每个颜色的多个子像素rsp、gsp和bsp被包括在像素阵列pxl中且与相应子像素rsp、gsp和bsp连接的多条感测线sl被布置在像素阵列pxl上时，源极驱动电路sdc可进一步包括感测多路复用器smux，感测多路复用器smux用于选择与每个颜色的子像素对应的感测线sl中的一条。

类似于数据多路复用器dmux，感测多路复用器smux可被配置为选择与多个像素px的每个像素对应的感测线sl中的一条。

这里，多条感测线sl和感测多路复用器smux可以是为了补偿多个子像素sp之间的特性值而被包括在微显示装置200中的电路。

类似于一般显示装置，对微显示装置200的高质量图像的需求也逐渐增大。为了在显示装置中提供高质量图像，必须不仅补偿在显示装置的制造期间产生的子像素sp之间的特性值偏差，而且还要补偿由于驱动时间的增加而导致的特性值变化。

因此，在微显示装置200中，多条感测线sl和感测多路复用器smux被布置在像素阵列pxl上，使得可容易地获得子像素sp的特性值。

这里，当微显示装置200是有机发光显示器时，通过感测线sl获得的子像素sp的特性值可以是驱动晶体管或有机发光二极管(oled)的劣化水平。可从施加至子像素sp的具体节点的电流或电压确定驱动晶体管或oled的劣化水平。

存在用于确定子像素sp的特性值的各种方法，这里将省略对这些方法的详细描述，因为它们是本领域公知的。

同时，栅极驱动电路gdc将扫描信号顺序地提供至多条栅极线gl以顺序地驱动多条栅极线gl。这里，栅极驱动电路gdc也被称为扫描驱动电路。

栅极驱动电路gdc在控制器cont的控制下将导通(on)电压或截止(off)电压的扫描信号顺序地提供至多条栅极线gl。

栅极驱动电路gdc可包括移位寄存器、电平移位器等。

栅极驱动电路gdc可仅位于像素阵列pxl的一侧(例如左侧或右侧)上。在一些情形中，根据栅极驱动电路gdc的驱动方法、设计方法等，栅极驱动电路gdc可位于像素阵列pxl的两侧(例如左侧和右侧)上。

在图2中，显示出硅晶片，通过标准半导体工艺在硅晶片上制造多个半导体芯片。在制造电路之后，晶片被切片以使得各半导体芯片彼此独立。每个半导体芯片具有基板210，栅极驱动电路gdc可仅位于像素阵列pxl的一侧上。在像素阵列pxl的另一侧上有裕度区域(marginarea)ma。设置这种裕度区域ma用于避免在从硅晶片切片半导体芯片(可能是通过用锯切割半导体晶片来实施)时可能发生的对像素阵列pxl的损坏。另外，裕度区域ma用于使均匀地布置在像素阵列区paz中的多条栅极线gl和多条数据线dl的特性均匀化。

然而，如图2所示，裕度区域ma也包括在电路区cz中，驱动电路可布置于其上。

布置在硅基板210的电路区cz上的驱动电路可进一步包括存储器mem。

存储器mem包括线存储器lm，线存储器lm用于临时地存储从控制器cont输出的图像数据，并以由控制器cont指定的时序将图像数据输出至源极驱动电路sdc。

存储器mem可布置在源极驱动电路sdc的内侧或外侧，并且当存储器mem布置在源极驱动电路sdc的外侧时，存储器mem可布置在控制器cont与源极驱动电路sdc之间。

此外，存储器mem可进一步包括缓冲存储器，用于存储从外部接收的输入图像数据并将存储的输入图像数据提供至控制器cont。

同时，布置在电路区cz上的驱动电路可进一步包括电源电路psc，用于提供布置在像素阵列pxl上的子像素sp的驱动所需的各种信号和电压至其他电路sdc1、sdc、gdc和cont，或将其提供至像素阵列pxl。

这里，电源电路psc可包括功率发生器，比如dc-dc转换器，且可由从外部提供的各种电源电压产生并输出像素阵列pxl所需的各种电压。

例如，电源电路psc可产生并输出用于驱动子像素sp的驱动电压evdd和基础电压evss。

此外，布置在硅基板210的电路区cz上的驱动电路可进一步包括接口inf，接口inf用于信号输入/输出或与其他外部电子装置或电子部件通信。

这种接口inf可包括例如低压差分信号(lvds)接口、移动行业处理器接口(mipi)和串行接口中的一种或多种。

此外，在硅基板210的电路区cz上，可布置输入/输出焊盘单元iopad，包括用于将硅基板210外部的电子部件电连接至驱动电路的多个焊盘。

输入/输出焊盘单元iopad的多个焊盘可用于信号输入/输出、电源供给或通信。

特别地，输入/输出焊盘单元iopad可接收要从外部装置传输到控制器cont的输入图像数据。

在图2中，虽然输入/输出焊盘单元iopad仅布置在硅基板210的一侧上，但输入/输出焊盘单元iopad的位置可被变化地调整，且输入/输出焊盘单元iopad可分布在多种位置中。然而，当输入/输出焊盘单元iopad布置在硅基板210的边缘侧时，可便于输入/输出焊盘单元iopad与其他电子部件的电连接以及驱动电路的布置。

此外，当输入/输出焊盘单元iopad布置在硅基板210的一侧上时，也就是说，当输入/输出焊盘单元iopad布置在布置有多个驱动电路(特别是接口inf)的位置处时，如图2所示，具有输入/输出焊盘单元iopad与驱动电路之间容易布线的优点。

而且，硅基板210的像素阵列区paz上的包括晶体管的像素阵列pxl和硅基板210的电路区cz上的包括晶体管的驱动电路可在同一工艺中制造。

如上所述，在微显示装置200中，诸如源极驱动电路sdc、栅极驱动电路gdc、控制器cont、电源电路psc等的驱动电路以及像素阵列pxl可全部形成在硅基板210上，从而使装置的尺寸小型化并容易地且快速地执行制造工艺。

以上描述的根据本发明实施方式的微显示装置200的全部或部分部件可在硅晶片制造工艺中制造。

鉴于此，根据本发明实施方式的微显示装置200的全部或部分部件可被视为半导体芯片，其是通过硅晶片制造工艺(半导体工艺)制造的一种集成电路。

因此，根据本发明实施方式的微显示装置200的全部或部分部件可被称为显示集成电路。

如上所述，根据本发明实施方式的微显示装置200可被精确地、容易地且方便地制造，因为微显示装置200的全部或部分部件通过硅晶片制造工艺制造。

然而，由于微显示装置200通过硅晶片制造工艺制造，因此需要适用于微显示装置200的测试方法。

因此，图2的微显示装置200可进一步包括测试电路。

再次参照图2，微显示装置200可进一步包括作为测试电路的第一测试多路复用器tmux1、第二测试多路复用器tmux2和测试焊盘单元tpad。

这里，第一测试多路复用器tmux1可被布置在源极驱动电路sdc内。

根据测试模式信号tds，第一测试多路复用器tmux1可在数据测试模式中将多条数据线dl连接至第二测试多路复用器tmux2，并且可在感测测试模式中将多条感测线sl连接至第二测试多路复用器tmux2。

这里，第一测试多路复用器tmux1选择多条数据线dl或多条感测线sl以将选择的线连接至第二测试多路复用器mux2的原因是分别确定在源极驱动电路sdc中输出数据电压的过程中驱动电路是否正常以及像素阵列pxl的每个子像素sp是否正常。

同时，当第一测试多路复用器tmux1不在测试模式中时，第一测试多路复用器tmux1切断多条数据线dl和多条感测线sl与第二测试多路复用器tmux2之间的连接。

也就是说，第一测试多路复用器tmux1在测试模式时间中区分数据测试模式和感测测试模式，选择多条数据线dl和多条感测线sl中的一种，并将选择的线电连接至第二测试多路复用器tmux2。

同时，第二测试多路复用器tmux2响应于像素选择信号ssp而选择通过第一测试多路复用器tmux1连接的多条数据线dl或多条感测线sl当中的预定数量的线，并将选择的线电连接至测试焊盘单元tpad。

这里，第二测试多路复用器tmux2可选择与包括在测试焊盘单元tpad中的测试焊盘的数量相同数量的线。

测试焊盘单元tpad包括多个测试焊盘，且在测试时电连接至外部测量装置以将自第二测试多路复用器tmux2传输的信号传输至外部测量装置。

在微显示装置200中，多个焊盘的每一个仅提供电连接功能，并占用相对大的面积，因为与微显示装置200的其他各个部件相比，每个焊盘应通过线接合方法等连接至外部装置。

然而，由于微显示装置200以硅基板上的集成电路(ic)的形式设置，因此微显示装置200的尺寸必须缩小，以提高生产率并降低制造成本。

因此，减少焊盘的数量以缩小尺寸是非常重要的。

由此，图2的微显示装置200提供第一测试多路复用器tmux1和第二测试多路复用器tmux2，使得从多条数据线dl或多条感测线sl选择预定数量的线并将预定数量的线连接至测试焊盘单元tpad，由此减少测试焊盘的数量以缩小微显示装置200的尺寸。

也就是说，可在抑制微显示装置200的尺寸增大的同时通过外部测量装置进行测量。

虽然为了方便起见将输入/输出焊盘单元iopad和测试焊盘单元tpad布置在电路区cz中，但可将输入/输出焊盘单元iopad和测试焊盘单元tpad布置在与硅基板210上的像素阵列区paz或电路区cz分开的单独焊盘区中，因为它们仅是用于与外部装置电连接的连接部件。

图3和4示出根据本发明实施方式的微显示装置的子像素结构的示例。

参照图3，在根据本发明实施方式的微显示装置200中，多个子像素sp的每一个可包括有机发光二极管oled、用于驱动oled的驱动晶体管drt、电连接至驱动晶体管drt的第一节点n1和数据线dl的第一晶体管t1、以及电连接至第一节点n1和驱动晶体管drt的第二节点n2的电容器cst，且可被实施。

oled可由第一电极(例如阳极电极或阴极电极)、有机发光层oel和第二电极(例如阴极电极或阳极电极)组成。

oled的第一电极可电连接至驱动晶体管drt的第二节点n2。基础电压evss可被施加至oled的第二电极。

这里，基础电压evss可以是施加至全部子像素sp的一种公共电压。

驱动晶体管drt通过提供驱动电流至oled而驱动oled。

驱动晶体管drt具有第一节点n1、第二节点n2和第三节点n3。

驱动晶体管drt的第一节点n1是与栅极节点对应的节点，且可电连接至第一晶体管t1的源极节点或漏极节点。

驱动晶体管drt的第二节点n2可电连接至oled的第一电极且可以是源极节点或漏极节点。

驱动晶体管drt的第三节点n3是被施加驱动电压evdd的节点且可电连接至用于提供驱动电压evdd的驱动电压线dvl，并且可以是漏极节点或源极节点。

这里，驱动电压evdd可以是被施加至全部子像素sp的一种公共电压。

第一晶体管t1可通过接收通过栅极线到达栅极节点的第一扫描信号scan而被控制为导通和截止。

第一晶体管t1通过第一扫描信号scan导通以将从数据线dl提供的数据电压vdata传输至驱动晶体管drt的第一节点n1。

第一晶体管t1也被称为开关晶体管。

电容器cst可电连接至驱动晶体管drt的第一节点n1和第二节点n2，且可在一个帧时间期间保持对应于图像信号电压的数据电压vdata或对应于图像信号电压的电压。

如上所述，为了驱动oled，图3所示的一个子像素sp可具有包括两个晶体管drt、t1和一个电容器cst的2晶体管(t)和1电容器(2t1c)结构，以驱动oled。

图3所示的子像素结构(2t1c结构)仅是为了便于描述的示例，一个子像素sp可根据功能、面板结构等而进一步包括一个或多个晶体管或一个或多个电容器。

参照图4，在根据本发明实施方式的微显示装置中，多个子像素sp的每一个可进一步包括电连接至驱动晶体管drt的第二节点n2和感测线sl的第二晶体管t2。

在第二晶体管t2中，栅极节点可电连接至栅极线gl，漏极节点或源极节点可电连接至感测线sl，源极节点或漏极节点可电连接至驱动晶体管drt的第二节点n2。

第二晶体管t2可通过施加至栅极节点的扫描信号scan而被控制为导通/关断。

在图4的子像素结构中，第一晶体管t1的栅极节点和第二晶体管t2的栅极节点可彼此电连接且共同连接至一条栅极线gl。

在此情形中，第一晶体管t1的栅极节点和第二晶体管t2的栅极节点可一起被施加扫描信号scan。

与此不同，第一晶体管t1的栅极节点和第二晶体管t2的栅极节点可分别连接至不同的栅极线gl。

在此情形中，第一晶体管t1的栅极节点和第二晶体管t2的栅极节点可各自地被施加扫描信号scan。

第二晶体管t2可被导通以施加参考电压vss至驱动晶体管drt的第二节点n2。

此外，第二晶体管t2可被截止以使驱动晶体管drt的第二节点n2电浮置。

如上所述，可根据驱动类型、驱动情况等通过第二晶体管t2和感测线sl控制驱动晶体管drt的第二节点n2的电压状态。

驱动晶体管drt、第一晶体管t1和第二晶体管t2的每一个可以是n型或p型晶体管。

存储电容器cst是有意设计在驱动晶体管drt外部的外部电容器，而不是寄生电容器(例如cgs或cgd)，寄生电容器是存在于驱动晶体管drt的第一节点n1与第二节点n2之间的内部电容器。

图5是示出根据本发明实施方式的微显示装置的像素结构的截面图。

图5示出r、g和b的子像素构成一个像素的像素结构的示例。

在图5中，硅基板210可以是p型基板或n型基板。这里，将在假设硅基板210是p型基板的情况下进行描述。

绝缘层iso布置在硅基板210上，栅极电极g、源极电极s和漏极电极d布置在绝缘层iso内。

此外，驱动晶体管drt也布置在硅基板210上。

驱动晶体管drt的源极和漏极可布置在硅基板210上与源极电极s和漏极电极d对应的位置处。

驱动晶体管drt的栅极布置在绝缘层iso内且布置在与栅极电极g对应的位置处。

驱动晶体管drt的栅极、源极和漏极可分别通过接触孔电连接至栅极电极g、源极电极s和漏极电极d。

而且，布置在绝缘层iso内的接触金属cm可通过绝缘层iso的接触孔而连接至源极电极s或漏极电极d。这里，接触金属cm可以是感测线sl。

而且，oled的第一电极e1可布置在绝缘层iso上。第一电极e1可通过绝缘层iso的接触孔而电连接至接触金属cm。这里，第一电极e1可以是oled的阳极电极。

发光层el可布置在第一电极e1上，第二电极e2可布置在发光层el上。这里，第二电极e2可以是oled的阴极电极。

如图5所示，第二电极e2可以是共同地形成在多个子像素上的公共电极。

oled由第一电极e1、发光层el和第二电极e2实现。

同时，保护层ics可布置在第二电极e2上，滤色器层cf可布置在保护层ics上。这里，滤色器层cf可包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器以实现r、g和b的子像素。

保护盖cov可布置在滤色器层cf上。此时，保护盖cov可通过粘合层adh来贴附。

在图5中，作为微显示装置的示例，发光层el被配置为发射单个颜色的光。滤色器层cf允许发光层el发射与每个子像素对应的r、g和b的光。此时，发光层el可发射白色光。

然而，作为另一示例，布置发射r、g和b的光的多个不同的发光层以分别对应于子像素，使得每个子像素可被配置为发射r、g和b的光。在此情形中，滤色器层cf可被省去。

此外，在图5中，对应于r、g和b的三个子像素sp构成一个像素。然而，四个子像素可构成一个像素。例如，四个子像素可以是发射r、g、b和w的光的子像素。

在这种微显示装置中，包括驱动晶体管drt的子像素的各种电路元件通常形成在硅基板210上，然后可通过沉积方法形成oled。

图6和7是分别示出图2的微显示装置中用于测试的部件的图。

在图6和7中，为了便于描述，仅示出图2的微显示装置200中的位于像素阵列pxl的一侧上的源极驱动电路sdc和连接至源极驱动电路sdc的测试部件。

此外，由于图7是示出用于测试的部件的图，因此源极驱动电路sdc中除了输出缓存器ob以外的配置仅被简单地示出。

例如，假设微显示装置200具有1944*1224的分辨率，即1944*1224个像素。

由于图2的微显示装置200包括两个源极驱动电路sdc，因此由一个源极驱动电路sdc驱动的像素的数量是1944/2＝972。

当r、g和b的三个子像素rsp、gsp和bsp构成一个像素px时，需要通过一个源极驱动电路sdc提供数据电压的子像素的数量是972*3＝2916。

也就是说，两个源极驱动电路sdc的每一个驱动2,916条线的数据线dl。

同时，如图4所示，当布置对应于数据线dl的感测线sl时，源极驱动电路sdc电连接至972*3条线的感测线sl。

然而，如图7所示，源极驱动电路sdc可包括数据多路复用器dmux和感测多路复用器smux，并且可以根据选择信号dsel按照3:1多路复用972*3条线的数据线dl以及根据选择信号ssel按照3:1多路复用972*3条线的感测线sl。

也就是说，数据多路复用器dmux可将从972个输出缓存器ob输出的数据电压选择性地提供至972*3条线的数据线dl，感测多路复用器smux可选择972*3条线的感测线sl当中的972条感测线sl。

在测试模式中，第一测试多路复用器tmux1根据测试模式信号tds选择972条数据线dl和972条感测线sl中的一种，并将选择的线电连接至第二测试多路复用器tmux2。

例如，当测试模式信号tds没有指定测试模式时，第一测试多路复用器tmux1使数据线dl和感测线sl两者都不连接至第二测试多路复用器tmux2。

然而，在测试模式是数据测试模式的情形中，972条数据线dl被连接至第二测试多路复用器tmux2。在感测测试模式的情形中，972条感测线sl被连接至第二测试多路复用器tmux2。

也就是说，第一测试多路复用器tmux1将972条线连接至第二测试多路复用器tmux2。

第二测试多路复用器tmux2根据像素选择信号ssp在由第一测试多路复用器tmux1选择的972条线当中选择指定数量的线。

这里，第二测试多路复用器tmux2执行3:1的多路复用以对应于包括在测试焊盘单元tpad中的测试焊盘的数量，从而选择324条线。

然后，传输至选择的324条线的信号通过测试焊盘单元tpad的测试焊盘而传输至外部测量装置msd。

然后，第二测试多路复用器tmux2可根据像素选择信号ssp改变选择的线，使得全部线被顺序地连接至测试焊盘单元tpad。

因此，传输至测试焊盘单元tpad的信号可根据测试模式而不同。

外部测量装置msd测量通过测试焊盘单元tpad的324个测试焊盘传输的信号。这里，传输的信号是模拟信号。

外部测量装置msd测量通过测试焊盘单元tpad传输的多个模拟信号的电压或电流。

同时，外部测量装置msd的输入寄生电容通常是80pf或更大。输入寄生电容相对于由低功率驱动的微显示装置200的驱动电路是非常高的电容，从而在从测试焊盘单元tpad输出的信号被传输至测量装置msd的过程中导致传输延迟。

由此，测量装置msd需要数百毫秒至数秒来测量传输至多条数据线dl和多条感测线sl的全部信号。

这对于测试而言是非常长的时间，这增大了测试成本并降低了产率。

此外，图6和7仅示出与图2的微显示装置200中的两个源极驱动电路sdc1和sdc的一个连接的测试电路。因此，包括在测试焊盘单元tpad中的测试焊盘的数量是324*2。

虽然与数据线dl和感测线sl的总数量相比，测试焊盘的数量是非常少的，但考虑到每个测试焊盘在微显示装置200中占用的面积，测试焊盘单元tpad的尺寸是降低微显示装置200的产率的因素。

当包括在测试焊盘单元tpad中的测试焊盘的数量减少以提高微显示装置200的产率时，测量装置msd进行测量的时间进一步延长，使得测试成本增大。

图8是根据本发明其他实施方式的微显示装置的示意系统配置图。

参照图8，基于图8的微显示装置800与图2的微显示装置200之间的比较，像素阵列pxl和驱动电路与图2的相同，且可布置在硅基板810的相同位置上。

也就是说，至少一个源极驱动电路sdc、至少一个栅极驱动电路gdc、控制器cont、存储器mem、电源电路psc、接口inf和输入/输出焊盘单元iopad可与图2的微显示装置200的这些部件执行相同的操作，且可布置在相同位置处。

类似于图2的测试电路，图8的微显示装置800的测试电路也包括第一测试多路复用器tmux1、第二测试多路复用器tmux2和测试焊盘单元tpad。

然而，在图8中，微显示装置800的测试电路进一步包括测试转换器tcov。

另外，第二测试多路复用器tmux2选择通过第一测试多路复用器tmux1连接的多条数据线dl或多条感测线sl中的一条或多条线，并将选择的一条或多条线连接至测试转换器tcov。

此时，第二测试多路复用器tmux2可顺序地改变及选择由第一测试多路复用器tmux1选择的多条数据线dl或多条感测线sl。

测试转换器tcov包括模拟-数字转换器adc，并将通过由第二测试多路复用器tmux2选择的线传输的模拟信号转换为数字信号，以将测试数据输出至测试焊盘单元tpad。

也就是说，与图2的微显示装置200的测试电路不同，图8的微显示装置800中的测试电路可将从选择的数据线dl或感测线sl传输的模拟信号转换为作为数字信号的测试数据，且可通过测试焊盘单元tpad将转换后的测试数据dout传输至外部测量装置msd。

因此，测试焊盘单元tpad仅包括与测试数据dout的位数相同数量的测试焊盘，以将测试数据dout输出至测量装置msd。

结果，测试焊盘的数量可被大大减少。而且，用于电连接测试转换器tcov和测试焊盘单元tpad的线的数量被大大减少。

在图2中，提供大量的测试焊盘单元tpad，使得硅基板210上可布置测试焊盘单元tpad的位置被限制在未放置输入/输出焊盘单元iopad的边缘侧。

此外，考虑到测试焊盘单元tpad的多个测试焊盘的布线，测试焊盘单元tpad仅可沿源极驱动电路sdc的布置方向布置在边缘侧上。

然而，在图8中，由于测试焊盘单元tpad包括与测试数据dout的位数相同数量的测试焊盘，因此测试焊盘的数量大大减少，使得测试焊盘单元tpad和测试电路可被自由地布置在硅基板810上的任意位置处。

特别地，测试焊盘单元tpad可被自由地布置在硅基板810上的任意位置处。

在图8中，例如，测试焊盘单元tpad被布置为与输入/输出焊盘单元iopad相邻。

当测试焊盘单元tpad被布置为与输入/输出焊盘单元iopad相邻时，测试焊盘单元tpad与第二测试多路复用器tmux之间的距离增大，但测试焊盘单元tpad可执行数个工艺，包括用于与输入/输出焊盘单元iopad一起连接微显示装置800至外部装置的接合工艺，由此降低了制造成本。

然而，由于需要连接至测试焊盘单元tpad和第二测试多路复用器tmux2的布线的数量不大，因此，由此导致的成本增加不大。

而且，在图8中，第二测试多路复用器tmux2和测试转换器tcov被布置为与源极驱动电路sdc相邻且布置在图2中未放置驱动电路的裕度区域ma中。

如上所述，裕度区域ma是用于避免损伤像素阵列pxl且使像素阵列pxl上的多条栅极线gl和多条数据线dl的特性(即子像素sp的特性)均匀化的空间。

因此，图8的微显示装置800(其中第二测试多路复用器tmux2和测试转换器tcov被布置在裕度区域ma中且测试焊盘单元tpad与输入/输出焊盘单元iopad相邻布置)可与图2的微显示装置200具有相同的横向长度。

由于图2中需要在第二测试多路复用器tmux2与测试焊盘单元tpad的多个测试焊盘之间布置多条线，因此这多条线被布置在源极驱动电路sdc与测试焊盘单元tpad之间。

然而，第二测试多路复用器tmux2具有能通过多个开关实现的多路复用器结构，实际电路尺寸不大。在图8中，由于测试焊盘的数量少，因此第二测试多路复用器tmux2可布置在源极驱动电路sdc的侧表面的裕度区域ma中，如图8所示。

在一些情形中，微显示装置800的横向长度可由于第二测试多路复用器tmux2和测试转换器tcov而部分增大，但由于增大的横向长度导致的尺寸变化不大。

相比之下，在图8的微显示装置800中，横向长度可比微显示装置200更加减小，因为测试焊盘单元tpad的数量和位置改变。

因此，与图2的微显示装置200的整体相比，图8的微显示装置800的尺寸可被减小，可通过增大产率而降低制造成本。

图9和10是分别示出图8的微显示装置中用于测试的部件的图。

在图9和10中，假设微显示装置800具有1944*1224的分辨率，即如图6和7中那样有1944*1224个像素。

仅示出两个源极驱动电路sdc中的一个和与其连接的测试电路。

第一测试多路复用器tmux1可布置在源极驱动电路sdc内。

第一测试多路复用器tmux1在测试模式中根据测试模式信号tds选择972条数据线dl和972条感测线sl中的一种，并将选择的线电连接至第二测试多路复用器tmux2。

然后，当第一测试多路复用器tmux1不在测试模式中时，第一测试多路复用器tmux1使数据线dl和感测线sl两者都不连接至第二测试多路复用器tmux2。

第二测试多路复用器tmux2根据像素选择信号ssp选择由第一测试多路复用器tmux1选择的972条线当中的指定数量的线。

在图6中，微显示装置200的输出模拟信号作为测试信号的第二测试多路复用器tmux2选择972条线当中的324条线。然而，在输出作为数字信号的测试数据的微显示装置800中，第二测试多路复用器tmux2可仅选择一条线。

这是因为包括在测试转换器tcov中的模拟-数字转换器adc能够以高速度对由第二测试多路复用器tmux2选择的线输出的信号采样并将采样的信号转换为测试数据。

同时，参照图9，测试转换器tcov包括模拟-数字转换器adc。测试转换器tcov可进一步包括电流-电压转换器i2v和第三测试多路复用器tmux3。

如上所述，模拟-数字转换器adc可将从第二测试多路复用器tmux2输出的信号转换为测试数据并输出转换后的结果。

此时，模拟-数字转换器adc可被施加数据参考电压vt和vb，使得测试数据可被高速度地传输到具有大输入寄生电容的外部测量装置msd。

这里，数据参考电压vt和vb是用于增大测试数据的摆动宽度的信号且是数字信号。数据参考电压vt和vb可在电源电路psc中产生。

然而，数据参考电压vt和vb是用于使外部测量装置msd高速度地接收测试数据的电压，并且可与典型电源电路psc产生的电压具有不同的电压电平。

因此，如图9所示，根据本发明实施方式的微显示装置800包括用于接收待提供至模拟-数字转换器adc的数据参考电压vt和vb的参考电压焊盘单元rpad。

在图9中，虽然为了简便而另外地示出参考电压焊盘单元rpad，但参考电压焊盘单元rpad可被包括在测试焊盘单元tpad中，因为测试焊盘单元tpad包括用于接收两个数据参考电压vt和vb的两个焊盘。

假设模拟-数字转换器adc输出10位的测试数据，则测试焊盘单元tpad可包括12个焊盘，这12个焊盘包括用于输出10位的测试数据的10个测试焊盘和用于接收两个数据参考电压vt和vb的2个焊盘。

因此，与图2的微显示装置200相比，测试焊盘单元tpad包括用以执行测试的显著小数量的焊盘。

在以上描述中，测试转换器tcov包括一个模拟-数字转换器adc。然而，测试转换器tcov可包括两个或更多个模拟-数字转换器adc。

在此情形中，测试焊盘的数量应当加倍。可共同地使用两个数据参考电压vt和vb。也就是说，不管模拟-数字转换器adc的数量是多少，参考电压焊盘单元rpad都可包括两个焊盘。

而且，如上所述，可在感测测试模式中执行电流感测。例如，可存在需要测量提供至oled的电流量的情形。

由此，在本发明中，测试转换器tcov可进一步包括信号转换器。

信号转换器包括电流-电压转换器i2v和第三测试多路复用器tmux3。

由于信号转换器包括电流-电压转换器i2v，因此从第二测试多路复用器tmux2输出的电流信号可被转换为电压信号并被提供至模拟-数字转换器adc。

第三测试多路复用器tmux3允许选择性地执行电压感测和电流感测。

从第二测试多路复用器tmux2输出的信号可通过电流-电压转换器i2v提供至第三测试多路复用器tmux3，如图9所示，或者可不经过电流-电压转换器i2v而直接提供至第三测试多路复用器tmux3。

第三测试多路复用器tmux3可根据感测测试模式是电压感测模式还是电流感测模式而选择第二测试多路复用器tmux2的输出或电流-电压转换器i2v的输出，由此将选择的输出提供至模拟-数字转换器adc。

此时，模拟-数字转换器adc的输入寄生电容cp是显著较小的预定pf或更小。因此，当第三测试多路复用器tmux3传输信号至模拟-数字转换器adc时出现极小的延迟。

此外，模拟-数字转换器adc可通过使用数据参考电压vt和vb来提高测试焊盘的驱动能力，使得测试数据可以高速度地传输至外部测量装置msd。

因此，即使当第二测试多路复用器tmux2顺序地选择972条线当中的一条线并将选择的一条线传输至测试转换器tcov时，也可减小传输延迟，使得可以比图2的微显示装置200高的速度执行测试。

也就是说，可降低测试成本。

此外，由于包括在测试焊盘单元tpad中的焊盘数量大大减小，因此相比于微显示装置200，微显示装置800的尺寸可减小。

因此，可增大产率且可降低制造成本。

图11示出根据本发明实施方式的测试微显示装置的方法。

参照图11，在根据本发明实施方式的测试微显示装置的方法中，在操作s1110中，当外部测量装置msd电连接至测试焊盘单元tpad的测试焊盘并提供数据参考电压vt和vb时，控制器cont输出用于设定测试模式的测试模式信号tds并开始测试。

此时，在操作s1120中，控制器cont可设定需要被测试的像素(或子像素)的地址。也就是说，可设定需要被测试的像素(或子像素)的位置。

这里，像素(或子像素)的地址指定相应栅极驱动电路gdc将被驱动的栅极线gl和相应源极驱动电路sdc将被驱动的数据线。

第二测试多路复用器tmux2可根据设定的测试地址选择由第一测试多路复用器tmux1选择的多条线当中的至少一条线。

然而，当对像素阵列pxl的全部子像素sp执行测试时，不单独设定测试地址，第二测试多路复用器tmux2可顺序地选择由第一测试多路复用器tmux1选择的多条线。

同时，在操作1130中，测试电路确定由测试模式信号tds设定的测试模式是否是数据测试模式。

在操作s1140中，当测试模式是感测测试模式而不是数据测试模式时，第一测试多路复用器tmux1选择多条数据线dl和多条感测线sl当中的多条感测线sl(即，选择感测线组)并将选择的线连接至第二测试多路复用器tmux2。

第二测试多路复用器tmux2根据测试地址选择多条感测线sl当中预定数量的感测线，并将选择的感测线连接至测试转换器tcov。

在操作s1160中，测试转换器tcov的电流-电压转换器i2v将通过第二测试多路复用器tmux2接收的信号转换成电压信号以输出转换后的结果，第三测试多路复用器tmux3选择第二测试多路复用器tmux2的输出或电流-电压转换器i2v的输出以将选择的输出传输至模拟-数字转换器adc。

第三测试多路复用器tmux3根据第三测试多路复用器tmux3是在电压感测模式中还是电流感测模式中来选择第二测试多路复用器tmux2的输出和电流-电压转换器i2v的输出中的一个。

同时，在操作s1150中，当测试模式是数据测试模式时，第一测试多路复用器tmux1选择多条数据线dl(即，选择数据线组)并将选择的数据线连接至第二测试多路复用器tmux2。

然后，第二测试多路复用器tmux2根据测试地址选择多条数据线dl当中预定数量的数据线，以将选择的数据线连接至测试转换器tcov，第三测试多路复用器tmux3选择第二测试多路复用器tmux2的输出以将选择的输出传输至模拟-数字转换器adc。

在操作s1170中，模拟-数字转换器adc将接收的信号转换成数字信号以获取测试数据。

然后，在操作s1180中，获取的测试数据通过测试焊盘单元tpad而被输出至外部测量装置msd。

结果，根据本发明实施方式的测试微显示装置的方法可将通过多条数据线dl或多条感测线sl传输的信号转换成测试数据以输出转换后的结果，由此外部测量装置可以高速度地测试微显示装置。

同时，在根据本发明实施方式的微显示装置中，从制造工艺的简化或者产率方面考虑，输入/输出焊盘单元iopad和测试焊盘单元tpad由于对应于用于电连接至外部装置的连接装置，因此通常布置在彼此相邻的区域中。尤其是，由于在将驱动电压施加至布置有像素阵列pxl的像素阵列区paz的同时，输入/输出焊盘单元iopad和测试焊盘单元tpad与多条信号线关联，所以可通常密集地布置在像素阵列pxl的一侧上，例如在其左侧上。

因此，当使用图8所示的结构配置微显示装置时，从布置在源极驱动电路sdc的第一测试多路复用器tmux1连接出来的数据线dl和感测线sl可从像素阵列pxl的左侧延伸至其上侧或下侧，然后可经由像素阵列pxl的右侧再次在像素阵列pxl的左侧上连接至测试焊盘单元，导致制造工艺变得复杂并且产率可能降低。

尤其是，当第二测试多路复用器tmux2被配置成从第一测试多路复用器tmux1连接出来的972条数据线dl或感测线sl选择一条线时，由于位于测试转换器tcov中的模拟-数字转换器adc的处理容量，测试时间可能过度增加。

考虑到这种效率，根据本发明的微显示装置的一个特征在于，第二测试多路复用器tmux2和测试转换器tcov布置成与第一测试多路复用器tmux1或者源极驱动电路sdc相邻，第二测试多路复用器tmux2的输出配置为多条线而不是一条线。

图12是根据本发明其他实施方式的微显示装置的示意性系统配置图。

参照图12，与图8的微显示装置800相比，在图12的微显示装置800中，像素阵列pxl和驱动电路可按照相同的方式配置，并且可在硅基板810上布置在相同的位置处。

也就是说，至少一个源极驱动电路sdc、至少一个栅极驱动电路gdc、转换器cont、存储器mes、电源电路psc、接口inf以及输入/输出焊盘单元iopad可分别执行与图8的微显示装置800中的那些相同的操作，并且可分别布置在与图8的微显示装置800中的那些相同的位置处。

以与图8的测试电路相同的方式，图12的微显示装置800的测试电路还包括第一测试多路复用器tmux1、第二测试多路复用器tmux2、测试焊盘单元tpad以及测试转换器tcov。

但是，与图8的情形不同，第二测试多路复用器tmux2和测试转换器tcov可布置成与源极驱动电路sdc相邻，第二测试多路复用器tmux2配置成产生多线输出(multi-lineoutput)。

此时，第二测试多路复用器tmux2和测试转换器tcov可布置成分离为上部和下部。具体地，上部第二测试多路复用器tmux2和上部测试转换器tcov可并排布置成与像素阵列pxl的上部源极驱动电路sdc相邻，下部第二测试多路复用器tmux2和下部测试转换器tcov可并排布置成与像素阵列pxl的下部源极驱动电路sdc相邻。尤其是，上部第二测试多路复用器tmux2和上部测试转换器tcov可布置在上部源极驱动电路sdc上方，并且可连接至偶数数据线dl和感测线sl。此外，下部第二测试多路复用器tmux2和下部测试转换器tcov可布置在下部源极驱动电路sdc下方，并且可连接至奇数数据线dl和感测线sl。

同时，第二测试多路复用器tmux2可配置成具有多个多线输出。例如，在图8的情形中，第二测试多路复用器tmux2配置成具有972：1的多路复用功能。但是，考虑到模拟-数字转换器adc的处理速度，第二测试多路复用器tmux2配置成具有6：1的多路复用功能，从而第二测试多路复用器tmux2的输出线可以是162条线。结果，模拟-数字转换器adc可将162线信号转换成例如8位或10位数字串行信号dout，并且可向测试焊盘单元tpad输出转换后的结果。

由此，测试焊盘单元tpad可使用与测试数据的位数相同数量的测试焊盘将测试数据dout输出至测试装置msd。

在图8中，由于第二测试多路复用器tmux2和测试转换器tcov布置在远离源极驱动电路sdc的像素阵列pxl的右侧上，因此数据线dl和感测线sl的连接路由变长，需要较长时间用于微显示装置的测试。

但是，在图12中，第二测试多路复用器tmux2和测试转换器tcov布置在与源极驱动电路sdc相邻的上部或下部中，由此减少了用于测试的数据线dl和感测线sl的长度并且改善了产率。第二测试多路复用器tmux2可配置成产生多线输出，模拟-数字转换器adc可通过串行器处理所产生的多线输出，由此显著减少测试时间。

此时，串行器可连接至模拟-数字转换器adc的输出端，并且可包括用于存储多个输入信号的锁存电路和用于依次输出多个输入信号的触发器(flip-flop)。

同时，第二测试多路复用器tmux2和测试转换器tcov可布置成与源极驱动电路sdc相邻，但是也可与源极驱动电路sdc内部的第一测试多路复用器tmux1一起布置成模块的形式。

图13是分开地显示图12的微显示装置中用于测试的组件的视图。

在图13中，以与图9相同的方式，将假设微显示装置800具有1944*1224的分辨率，即包括1944*1244个像素的情形来进行描述。

显示了两个源极驱动电路sdc中的仅一个源极驱动电路以及连接到这一个源极驱动电路的测试电路。这里，第一测试多路复用器tmux1可布置在源极驱动电路sdc的内部。第一测试多路复用器tmux1可根据测试模式信号tds在测试模式中选择972条数据线dl和972条感测线sl中之一，并且可将选择的线电连接至第二测试多路复用器tmux2。当对应的模式不是测试模式时，第一测试多路复用器tmux1可不将所有的数据线dl和感测线sl连接至第二测试多路复用器tmux2。

当第二测试多路复用器tmux2由6：1的多路复用器构成时，根据像素选择信号ssp，选择由第一测试多路复用器tmux1选择的972条线之中的162条指定的线。将选择的162条线应用至测试转换器tcov。

测试转换器tcov包括模拟-数字转换器adc。此外，测试转换器tcov可进一步包括电流-电压转换器i2v和第三测试多路复用器tmux3。

如上所述，模拟-数字转换器adc可将从第二测试多路复用器tmux2输出的信号转换成测试数据dout并且可输出转换后的结果。可向模拟-数字转换器adc施加数据参考电压vt或vb，从而使测试数据dout可以高速传输至具有大输入寄生电容的外部测试装置msd。

这里，数据参考电压vt或vb可以是用于增大测试数据的摆动宽度的信号，此信号是数字信号。数据参考电压vt或vb可由电源电路psc产生。但是，数据参考电压vt或vb是用于允许外部测试装置msd以高速接收测试数据dout的电压，并且由正常电源电路psc产生的电压和电压电平可不同。

由此，如图13所示，根据本发明实施方式的微显示装置800可进一步包括参考电压焊盘单元rpad，配置成接收数据参考电压vt或vb以提供至模拟-数字转换器adc。

尽管为了便于说明，图13中分开地显示了参考电压焊盘单元rpad，但是参考电压焊盘单元rpad包括用于接收两个数据参考电压vt和vb的两个焊盘，由此可包括在测试焊盘单元tpad中。

假设模拟-数字转换器adc输出10位测试数据dout，测试焊盘单元tpad包括总共12个焊盘，包括用于输出10位测试数据dout的10个测试焊盘以及用于接收两个数据参考电压vt和vb的2个焊盘。

在上述描述中，测试转换器tcov包括一个模拟-数字转换器adc，但是测试转换器tcov可包括两个或更多个模拟-数字转换器adc。

在这种情形中，测试焊盘的数量应当加倍，可共同使用两个数据参考电压vt和vb。也就是说，不考虑模拟-数字转换器adc的数量，参考电压焊盘单元rpad可包括两个焊盘。

同时，如上所述，可发生在感测测试模式中执行电流感测的情形。例如，可能需要测量提供至oled的电流量。

因此，在本发明中，测试转换器tcov可进一步包括信号转换器。信号转换器包括电流-电压转换器i2v和第三测试多路复用器tmux3。

信号转换器包括电流-电压转换器i2v，从而从第二测试多路复用器tmux2输出的电流信号可转换成电压信号，并且电压信号可提供至模拟-数字转换器adc。

第三测试多路复用器tmux3可实现电压感测和电流感测的选择性执行。

从第二测试多路复用器tmux2输出的信号可通过图13所示的电流-电压转换器i2v提供至第三测试多路复用器tmux3，或者可不经过电流-电压转换器i2v而直接提供至第三测试多路复用器tmux3。

因此，第三测试多路复用器tmux3根据感测测试模式是电压感测模式还是电流感测模式来选择162条线的第二测试多路复用器tmux2的输出，或者选择162条线的电流-电压转换器i2v的输出以将选择的输出提供至模拟-数字转换器adc。

此时，模拟-数字转换器adc的输入寄生电容cp非常小，其等于或小于几pf。因此，在将第三测试多路复用器tmux的输出传输至模拟-数字转换器adc的过程中，几乎没有延迟。

此外，模拟-数字转换器adc可通过使用数据参考电压vt和vb来提高测试焊盘的驱动能力，从而能够以高速将测试数据dout传输至外部测试装置msd。

此外，尽管图中未示出，但是模拟-数字转换器adc可通过串行器依次输出经由162条线施加的信号作为10位测试数据dout。串行器可包括锁存电路和触发器，并且可布置在模拟-数字转换器adc的输出端。

此外，可在模拟-数字转换器adc和串行器之间添加用于消除诸如毛刺之类的噪声的滤波器以及用于产生单时钟的单脉冲发生器。

因此，当由6：1的多路复用器构成的第二测试多路复用器tmux2从972条线依次选择162条线并且将选择的线传输至测试转换器tcov时，模拟-数字转换器adc可高速输出测试数据，由此在保持测试焊盘的数量并减少测试成本的同时减少测试时间。结果，可增大制造工艺的产率并减少制造成本。

同时，可使用两个数据参考电压vt和vb来驱动模拟-数字转换器adc，但是也可通过单斜度发生器(singleslopegenerator)来驱动模拟-数字转换器adc，其中单斜度发生器用于产生以逐步方式增大的数据参考电压。单斜度发生器以数据参考电压从零电平v0逐步地增大至最终电平的方式产生数据参考电压。例如，在256位数据参考电压产生电路中，脉冲信号以逐步方式从零电压v0增大到电压v255。因此，当数据参考电压在逐步增大的同时超出某一电平的输入电压时，在与超出输入电压的电平的数据参考电压对应的时间点，可产生输出信号或具体脉冲信号。这允许模拟-数字转换器adc在具体时间点执行操作。

以这种方式，当采用产生数据参考电压以使得数据参考电压逐步增大的单斜度发生器时，有利地，像素阵列pxl和布置在像素阵列pxl周围的各种驱动电路的区域不扩大地布置。

此时，本发明的微显示装置800可包括裕度区域ma，其防止对像素阵列pxl的损坏并且使像素阵列pxl上的多条栅极线gl和多条数据线dl的特性均匀化，即，使子像素sp的特性尽可能地一致。

由于如上所述，第二测试多路复用器tmux2和测试转换器tcov与源极驱动电路sdc相邻布置到相同的区域，所以可在像素阵列pxl的右侧上，即，在未布置多条信号线或驱动电路的区域中，形成单斜度发生器。

图14是根据本发明其他实施方式的微显示装置的示意性系统配置图；图15是分开地显示图14的微显示装置中用于测试的组件的视图。

参照图14和15，在微显示装置800中，与图12的微显示装置800相比，像素阵列pxl和驱动电路可按照相同的方式配置并且在硅基板810上布置在相同的位置处。

也就是说，至少一个源极驱动电路sdc、至少一个栅极驱动电路gdc、控制器cont、存储器mes、电源电路psc、接口inf以及输入/输出焊盘单元iopad可分别执行与图12的微显示装置800中的那些相同的操作，并且可分别布置在与图12的微显示装置800中的那些相同的位置处。

以与图12的测试电路相同的方式，图14的微显示装置800的测试电路还包括第一测试多路复用器tmux1、第二测试多路复用器tmux2、测试焊盘单元tpad以及测试转换器tcov，他们可分别布置在相同的位置处。尤其是，第二测试多路复用器tmux2和测试转换器tcov可以与图12相同的方式布置成与源极驱动电路sdc相邻，第二测试多路复用器tmux2可配置成产生多线输出。

然而，与图12的情形不同，在像素阵列pxl的裕度区域ma中布置用于产生逐步数据参考电压vref的单斜度发生器ssg830。因此，第二测试多路复用器tmux2和测试转换器tcov可与源极驱动电路sdc相邻布置到相同的区域，单斜度发生器830可布置在裕度区域ma中，由此微显示装置800可具有相同的横向宽度(transversewidth)。

因此，与图2的微显示装置200相比，图14的微显示装置800的尺寸在整体上可减少，以增大产率，由此减少制造成本。此外，即使采用产生逐步数据参考电压vref的单斜度发生器830，也可改善基于显示装置的制造工艺的产率，可减少制造成本、测试成本以及测试时间。

虽然为了说明的目的描述了本发明的优选实施方式，但所属领域技术人员将理解，在不脱离随附权利要求书中公开的本发明的范围和精神的条件下，可存在各种修改、添加和替代。因此，为了简洁和清楚起见描述了本发明的示例性实施方式。例如，针对微显示装置描述了一个实施方式，但是本文的教导和结构公开内容不应仅限于微显示装置，而是可应用于显示装置。应当基于随附权利要求书将本发明的范围解释为：包括在等同于权利要求书的范围内的全部技术构思都属于本发明。

上述各实施方式可进行结合以提供进一步的实施方式。根据需要，实施方式的多个方面可以修改以提供进一步的实施方式。

根据上述详细描述可对实施方式机械能这些和其他改变。一般而言，在所附的权利要求书中，采用的术语不应解释为将权利要求限于在说明书和权利要求书中公开的具体实施方式，而是应解释为包括所有可能的实施方式以及这些权利要求涵盖的所有等同范围。因此，权利要求书不受具体实施方式的限制。