本发明涉及平板显示eda设计技术领域,特别是涉及一种异形屏的像素栅源电容补偿方法。
背景技术:
异形刘海屏,如图2所示,具有时尚新颖的外观,超高的屏占比,自推出以来就迅速获得了广大消费者的喜爱。目前,各大主流手机厂商,比如apple、华为、oppo的最新款手机都搭载了异形刘海屏。
我们知道,屏幕是由基本的像素即发光点构成的,为了控制各个像素点的发光,每个像素点都有栅极(gate)控制信号,和源极(data)控制信号,如图3所示。在两种信号的交叠区域,就会有栅源电容产生,并且交叠的面积越大,电容也越大。
在异形刘海屏中,因为刘海区域比正常区域每列的像素单元少,如图3所示,所以刘海区域的栅源信号交叠面积小于正常像素区域,进而刘海区域的栅源电容小于正常的像素区域栅源电容,在实际生产中,如果不对刘海区域的栅源电容进行补偿的话,那么最后出来的屏幕的亮度会不均匀,俗称mura效应。
技术实现要素:
为了解决现有技术存在的不足,本发明的目的在于提供一种异形刘海屏的像素栅源电容补偿方法,可以快速实现异形面板刘海区域栅源电容补偿,达到每行、列电容相等,消除mura效应。
为实现上述目的,本发明提供的一种异形刘海屏的像素栅源电容补偿方法,包括以下步骤:
1)定位notch区像素的源极端口;
2)确定所述notch区射线的起始基准点坐标;
3)对所述源极端口从左到右进行排序,并均分为左右两部分;
4)对左、右两部分源极端口,分别从下往上、从中间向单侧进行补偿。
进一步地,所述步骤2)进一步包括,获取所述源极端口x方向的坐标范围[xmin,xmax],y方向的坐标范围[ymin,ymax],所述起始基准点坐标为[(xmin+xmax)/2,ymax]。
进一步地,所述步骤4)进一步包括,
对左、右两部分源极端口分别进行分组,将相同y坐标的源极端口分为一组;
为每一组内的各个源极端口分配射线角度,得到源极补偿线,对像素栅源电容进行补偿。
进一步地,所述为每一组内的各个源极端口分配射线角度的步骤,进一步包括:
从所述起始基准点作垂直向下的垂直射线,从所述起始基准点向i组第一源极端口作第一基准射线,计算所述第一基准射线与所述垂直射线形成的角度startangle1,计算第i+1组源极端口的角度startangle2,平均角度:avgangle=(startangle2–startangle1)/n,其中n为所述i组源极端口的数量,计算所述i组的第k个源极端口的角度为:startangle1+(k-1)*avgangle。
更进一步地,所述为每一组内的各个源极端口分配射线角度,得到源极补偿线,对像素栅源电容进行补偿的步骤,进一步包括,
从所述起始基准点向所述源极端口发出射线,同组相邻基准射线的角度差相等,向所述源极端口分配所述基准射线角度;
所述源极端口垂直向上发出射线,与所述基准射线相交构成中心线;
去掉所述中心线在notch区栅极布线外部的部分,得到源极补偿线。
为实现上述目的,本发明还提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机指令,所述计算机指令运行时执行如上文所述的异形刘海屏的像素栅源电容补偿方法的步骤。
为实现上述目的,本发明还提供一种电容补偿设备,包括存储器和处理器,所述存储器上储存有在所述处理器上运行的计算机指令,所述处理器运行所述计算机指令时执行如上文所述的异形刘海屏的像素栅源电容补偿方法的步骤。
本发明的异形刘海屏的像素栅源电容补偿方法,具有以下有益效果:
1)通过补偿notch区data线来补偿data信号、gate信号电容。
2)可以快速实现异形面板刘海区域栅源电容补偿,达到每行、列电容相等,消除mura效应。
3)方法简单易实现,效果显著,提高了面板工程师的设计效率。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,并与本发明的实施例一起,用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1为根据本发明的一种像素栅源电容补偿方法流程图;
图2为异形刘海屏结构示意图;
图3为像素栅极信号和源极信号产生交叠区域电容示意图;
图4为异形刘海屏区域栅源信号交叠示意图;
图5为根据本发明的源极端口位置示意图;
图6为根据本发明的基准点位置坐标示意图;
图7为根据本发明的源极端口分组示意图;
图8为根据本发明的基准射线角度示意图;
图9为根据本发明的源极信号补偿线示意图;
图10为根据本发明的像素栅源电容补偿结果示意图;
图11为根据本发明的参数设置示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明,并不用于限定本发明。
图1为根据本发明的异形刘海屏的像素栅源电容补偿方法流程图,下面将参考图1,对本发明的异形刘海屏的像素栅源电容补偿方法进行详细描述。
为了叙述方便,将刘海区简称为notch区,像素内的栅极信号简称为gate,像素内的源极信号简称为data。
首先,在步骤101,定位notch区像素的源极端口(以下称为data端口)。该步骤中,找到notch区所有像素(pixel)的data端口,如图5所示。
在步骤102,确定notch区射线起始基准点坐标。
优选地,获取所述data端口x方向的坐标范围[xmin,xmax],y方向的坐标范围[ymin,ymax],所述起始基准点(base)坐标为[(xmin+xmax)/2,ymax]。该步骤中,如图6所示,对步骤101的所有data端口,求出他们的x方向、y方向的坐标范围,取起始基准点base坐标为[(xmin+xmax)/2,ymax]。
在步骤103,对data端口从左到右进行排序,将相同y坐标的data端口分为一组。该步骤中,对data端口排序、分组,对步骤101的data端口从左往右进行排序,并将其均分为左右两部分,按照y坐标对每一部分的data端口进行分组,y坐标相同的端口分为一组,进而得到若干组(group)端口。
优选地,将notch区pixel的data端口划分成左右两部分,对每一部分data端口,从下往上,从中间向单侧进行补偿,补偿线左右对称。
在步骤104,为组内data端口分配射线角度。该步骤中,对每一侧端口,同一个group内,相邻两根补偿线的角度差相等。
优选地,从所述基准点作垂直向下的垂直射线,从所述基准点向i组第一data端口作第一基准射线,计算所述第一基准射线与所述垂直射线形成的角度startangle1;计算第i+1组data端口的角度startangle2;平均角度:avgangle=(startangle2–startangle1)/n,其中n为所述i组data端口的数量;计算所述i组的第k个data端口的角度为:startangle1+(k-1)*avgangle。该步骤中,对步骤103中各个group,先从base点作一条水平向下的射线verticalray,再从base点向该group的第一个端口作一条射线dataray,计算dataray与verticalray形成的角度,这个角度称为开始角度startangle1。使用相同的方法计算出第i+1个group的开始角度startangle2,那么有平均角度:avgangle=(startangle2–startangle1)/n,其中n为该group端口的数量。于是可以得到该group的第k个端口的角度为:startangle1+(k-1)*avgangle。
在步骤105,所述data端口垂直向上发出射线,与所述基准射线相交构成中心线。该步骤中,两条射线求交点,对group内的各个端口,根据base点和射线角度可以引出第一条射线ray1,即在notch区从一个基准点向各个端口发射线,每个端口引一条竖直向上的射线ray2,两条射线求出交点inter,进而可得得到一条中心线base->inter->data,即基准点、射线交点、data端口,构成了补偿线中心线点链两条射线求交点。
在步骤106,去掉所述中心线在notch区栅极布线外部的部分,得到源极补偿线。该步骤中,去掉该中心线在notchgate布线外部的部分,即可得到最后的data补偿线,如图9所示。
优选地,对每一侧data端口,从下往上,从中间向单侧进行补偿。
通过这种补偿方式,notch区的每条data和正常区域的data线,与gate线交叠的数量是相等的,进而达到栅源电容一致。
优选地,先对右半部分data端口进行补偿,然后对左半部分data端口,重复步骤104、105、106,得到最后补偿结果,如图10所示。
图9和图10为根据本发明的电容补偿结果示意图,如图9和图10所示,结合一个具体的实施例,对布线方法进行详细说明,步骤如下:
(1)启动notch电容补偿命令,并设置界面参数;
在aetherfpd工具中启动notchccompensation命令,设置页面参数如图11所示。
(2)data端口选择
点击界面的dataselect选择notch区的data端口;
(3)生成补偿图形
点击ok生成最终的电容补偿结果。
为实现上述目的,本发明还提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机指令,其特征在于,所述计算机指令运行时执行如上文所述的像素栅源电容补偿方法步骤。
为实现上述目的,本发明还提供一种设备,包括存储器和处理器,所述存储器上储存有在所述处理器上运行的计算机指令,所述处理器运行所述计算机指令时执行如上文所述的像素栅源电容补偿方法的步骤。
本领域普通技术人员可以理解:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。