一种改善共同阻抗影响的MicroLED驱动装置的制作方法

本实用新型属于led的技术领域，具体涉及一种改善共同阻抗影响的microled驱动装置。

背景技术：

如今，可自行发光的发光二极管或有机发光二极管目前广泛应用在多种产品上，以耐久性和发光效率优秀的led为例，小型化相关技术正在迅速发展，预计今后在许多应用领域将取代现有的显示屏。

不过与现有的液晶显示屏不同，用led体现像素的led显示屏，用电流驱动每个发光元件，在消耗高电流的图像中受到电压下降的影响，导致发光元件的热化等质量达不到的现象。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于：针对现有技术的不足，提供一种改善共同阻抗影响的microled驱动装置，能够改善共同阻抗，减少对受电压下降影响，还能减少金属层的面积，降低生产工艺的难度，有助于降低生产成本。

为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种改善共同阻抗影响的microled驱动装置，包括像素电路及与所述像素

电路连接的驱动电路，所述像素电路包括像素线路、与所述像素线路连接的发光二极管、第一像素场效应晶体管、第二像素场效应晶体管及第三像素场效应晶体管，所述像素线路连接有像素正电源和像素负电源，所述第一像素场效应晶体管由所述驱动电路输出电压开启，所述第二像素场效应晶体管连接于所述第一像素场效应晶体管，所述第三像素场效应晶体管由pwm信号开启，所述驱动电路包括驱动线路、与所述驱动线路连接的电流源、第一驱动场效应晶体管及

第二驱动场效应晶体管，所述电流源用于提供标准电流，所述第一驱动场效应

晶体管与所述第一像素场效应晶体管栅端子连接，所述第二驱动场效应晶体管分别与所述第二像素场效应晶体管栅端子和第一驱动场效应晶体管源头端连接。

作为本实用新型所述的一种改善共同阻抗影响的microled驱动装置的一种改进，所述第一像素场效应晶体管与所述发光二极管的阴极连接，所述第二像素场效应晶体管连接在所述第一像素场效应晶体管和所述像素负电源之间。

作为本实用新型所述的一种改善共同阻抗影响的microled驱动装置的一种改进，所述第一驱动场效应晶体管与所述电流源的负极连接，所述第二驱动场效应晶体管连接在所述第一驱动场效应晶体管和驱动负电源之间。

作为本实用新型所述的一种改善共同阻抗影响的microled驱动装置的一种改进，所述第一像素场效应晶体管与所述发光二极管的正极连接，所述第二像素场效应晶体管连接在所述第一像素场效应晶体管和所述像素正电源之间。

作为本实用新型所述的一种改善共同阻抗影响的microled驱动装置的一种改进，所述第一驱动场效应晶体管与所述电流源的正极连接，所述第二驱动场效应晶体管是连接在所述第一驱动场效应晶体管和驱动正电源之间。

作为本实用新型所述的一种改善共同阻抗影响的microled驱动装置的一种改进，所述第一像素场效应晶体管和所述第一驱动场效应晶体管均为p类型，所述第二像素场效应晶体管和所述第二驱动场效应晶体管均为n类型，所述第一驱动场效应晶体管栅端子和所述第一驱动场效应晶体管流出端子短路。

作为本实用新型所述的一种改善共同阻抗影响的microled驱动装置的一种改进，所述第二驱动场效应晶体管栅端子和所述第二驱动场效应晶体管流出端子短路。

作为本实用新型所述的一种改善共同阻抗影响的microled驱动装置的一种改进，所述第二像素场效应晶体管栅端子和所述第二驱动场效应晶体管栅端子

连接到偏压电压源。

本实用新型的有益效果在于，本实用新型包括像素电路及与所述像素电路连接的驱动电路，所述像素电路包括像素线路、与所述像素线路连接的发光二极管、第一像素场效应晶体管、第二像素场效应晶体管及第三像素场效应晶体管，所述像素线路连接有像素正电源和像素负电源，所述第一像素场效应晶体管由所述驱动电路输出电压开启，所述第二像素场效应晶体管连接于所述第一像素场效应晶体管，所述第三像素场效应晶体管由pwm信号开启，所述驱动电路包括驱动线路、与所述驱动线路连接的电流源、第一驱动场效应晶体管及第二驱动场效应晶体管，所述电流源用于提供标准电流，所述第一驱动场效应晶体管与所述第一像素场效应晶体管栅端子连接，所述第二驱动场效应晶体管分别与所述第二像素场效应晶体管栅端子和第一驱动场效应晶体管源头端连接。本实用新型能够改善共同阻抗，减少对受电压下降影响，还能减少金属层的面积，降低生产工艺的难度，有助于降低生产成本。

附图说明

图1为本实用新型在pwm驱动方式下的第一实施例的电路图；图2为本实用新型在pwm驱动方式下的第二实施例的电路图；图3为本实用新型在pwm驱动方式下的第三实施例的电路图；图4为本实用新型在pwm驱动方式下的第四实施例的电路图；图5为本实用新型在电压强降下场效应晶体管输出特性曲线；

其中：110-像素电路；111-第一像素场效应晶体管；112-第二像素场效应晶体管；113-第三像素场效应晶体管；120-驱动电路；121-第一驱动场效应晶体管；122-第二驱动场效应晶体管。

具体实施方式

如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及

权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差

异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接受的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决技术问题，基本达到技术效果。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

以下结合附图1~5对本实用新型作进一步详细说明，但不作为对本实用新型的限定。

一种改善共同阻抗影响的microled驱动装置，包括像素电路110及与像素电路110连接的驱动电路120，像素电路110包括像素线路、与像素线路连接的发光二极管、第一像素场效应晶体管111、第二像素场效应晶体管112及第三像素场效应晶体管113，像素线路连接有像素正电源和像素负电源，第一像素场效应晶体管111由驱动电路120输出电压开启，第二像素场效应晶体管112连接于第一像素场效应晶体管111，第三像素场效应晶体管113由pwm信号开启，驱动电路120包括驱动线路、与驱动线路连接的电流源、第一驱动场效应晶体管121及第二驱

动场效应晶体管122，电流源用于提供标准电流，第一驱动场效应晶体管121与

第一像素场效应晶体管111栅端子连接，第二驱动场效应晶体管122分别与第二像素场效应晶体管112栅端子和第一驱动场效应晶体管121源头端连接。

优选的，第一像素场效应晶体管111与发光二极管的阴极连接，第二像素场效应晶体管112连接在第一像素场效应晶体管111和像素负电源之间。

优选的，第一驱动场效应晶体管121与电流源的负极连接，第二驱动场效应晶体管122连接在第一驱动场效应晶体管121和驱动负电源之间。

优选的，第一像素场效应晶体管111与发光二极管的正极连接，第二像素场效应晶体管112连接在第一像素场效应晶体管111和像素正电源之间。

优选的，第一驱动场效应晶体管121与电流源的正极连接，第二驱动场效应晶体管122是连接在第一驱动场效应晶体管121和驱动正电源之间。

优选的，第一像素场效应晶体管111和第一驱动场效应晶体管121均为p类型，第二像素场效应晶体管112和第二驱动场效应晶体管122均为n类型，第一驱动场效应晶体管121栅端子和第一驱动场效应晶体管121流出端子短路。

优选的，第二驱动场效应晶体管122栅端子和第二驱动场效应晶体管122流出端子短路。

优选的，第二像素场效应晶体管112栅端子和第二驱动场效应晶体管122栅端子连接到偏压电压源。

优选的，led驱动装置还包括缓冲通道，缓冲通道连接到第二像素场效应晶体管112栅端子和第二驱动场效应晶体管122栅端子之间。

led驱动装置可分为pwm驱动方式和电压驱动方式。图1至图4是pwm驱动方式实施例，这种方式的特点是，在电路的构成上，为了避免让正电源或负电源与场效应晶体管的源头端连接，由n或p组合组成。通过这个方法，可以在正电源或负电源中去除共同阻抗影响。

参见图1至图4，led驱动装置，包括电气式连接到多数像素电路110部分

及多数像素电路110部分的驱动电路120部分。多数像素电路110部分可以并

联到共同的电源供给源。

像素电路110部分可含有发光二极管，第一像素场效应晶体管111，第二像素场效应晶体管112及第三像素场效应晶体管113。本实用新型将连接像素正电源vcc_p及像素负电源gnd_p之间的电气连接命名为"像素线路"。

发光二极管可直联到像素线路。在图纸上，作为发光二极管的一个例子，一般来说，宽1至100微米的led被称为微型led。因此，这个名称虽然与宽度在100微米的普通led相区别，但本实用新型并不限制发光二极管为微型led。发光二极管可由普通led，微型led及oled代替。

第一像素场效应晶体管111直联到像素线路上，可由驱动电路120部分上输出的电压，实现"开"。在本实用新型中，场效应晶体管直联，意味着场效应晶体管源头端子和场效应晶体管的输出端子连接到线路上。

第二像素场效应晶体管112直联到像素线路上，可连接到第一像素场效应

晶体管111源头端。

第三像素场效应晶体管113直联到像素线路上，可由pwm信号pwm-ctrl开启。

驱动电路120部分可包括电流源iref，第一驱动场效应晶体管121及第二驱动场效应晶体管122。在本实用新型中，将连接驱动正电源vcc_d及驱动负电源gnd_d之间的电气连接命名为"驱动线路"。

电流源iref直联到驱动线路上，可供应标准电流。标准电流可设定为使发光二极管充足发光的电流。

第一驱动场效应晶体管121直联到驱动线路上，并可与第一像素场效应晶

体管111栅端子连接。

第二驱动场效应晶体管122直联到驱动线路上，与第二像素场效应晶体管

112栅端子连接，并可与第一驱动场效应晶体管121源头端。

根据本实用新型的一个实施例子，第一像素场效应晶体管111与发光二极

管微型led负极连接，第二像素场效应晶体管112可连接到第一像素场效应晶体管111和像素负电源gnd_p之间。

这时，第一驱动场效应晶体管121连接到电流源iref的负极，第二驱动场效应晶体管122可连接到第一驱动场效应晶体管121和驱动负电源gnd_d之间。

根据本实用新型另外的实施例子，第一像素场效应晶体管111连接到发光二极管微型led的正极，第二像素场效应晶体管112可连接到第一像素场效应晶体管111和像素正电源vcc_p之间，同时，第一驱动场效应晶体管121连接到电流源iref的正极，第二驱动场效应晶体管122可连接到第一驱动场效应晶体管121和驱动正电源vcc_d之间。

此外，如图1至图4的实施例，第一像素场效应晶体管111和第一驱动场

效应晶体管121是p-类型，第二像素场效应晶体管112和第二驱动场效应晶体

管122为n-类型。这时，第一驱动场效应晶体管121栅端子和第一驱动场效应

晶体管121流出端子可能短路。

根据本实用新型的一个实施例子，第二驱动场效应晶体管122栅端子和第

二驱动场效应晶体管122流出端子可能短路。

根据本实用新型另外的实施例子，第二像素场效应晶体管112栅端子和第

二驱动场效应晶体管122栅端子可连接到偏压源。

此外，根据本实用新型的led驱动装置可包括第一像素场效应晶体管111栅端子和第一驱动场效应晶体管121栅端子间连接的缓冲通道。

根据原有技术的led像素回路，负电源gnd_p产生的共同阻抗上流电流时产生电压下降。因此，与发光元件连接的场效应晶体管减少有效电压。

参照图5，随着vgs有效电压减少，饱和状态下，输出电流同时减少。相反，根据本实用新型的led驱动装置，即使负电源gnd_p发生电压下降，

只影响第二像素场效应晶体管112输出端的电压，不影响第一像素场效应晶体

管111的vgs，可以使流通在像素线路的输出电流的影响最小化。

一种改善共同阻抗影响的显示装置，包括上述的led驱动装置。根据上述说明书的揭示和教导，本实用新型所属领域的技术人员还能够对

上述实施方式进行变更和修改。因此，本实用新型并不局限于上述的具体实施方式，凡是本领域技术人员在本实用新型的基础上所作出的任何显而易见的改进、替换或变型均属于本实用新型的保护范围。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本实用新型构成任何限制。