显示设备的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年1月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0010053号的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用整体合并于此。

本发明涉及显示设备及其驱动方法。

背景技术：

显示设备是用于以视觉形式呈现信息的输出设备。通常，显示设备的示例包括液晶显示器(lcd)、有机发光显示器(oled)和等离子体显示面板(pdp)。具体地，oled是具有自发射特性的显示设备，并且与lcd相比，oled在视角、对比度、响应速度和功耗方面具有优异的特性。

oled包括多个像素，并且相应像素包括有机发光元件以及用于驱动有机发光元件的像素电路。在oled的基板上，像素被布置在显示区域中，并且用于驱动像素的驱动电路被布置在非显示区域中。

由于像素以高密度被布置在显示区域中，并且oled以高频率被驱动，因此当施加用于向相应像素表示相同灰度的电压时，由相应像素的有机发光元件显示的光的亮度可以彼此不同。

技术实现要素：

本发明的示例性实施例提供了一种显示设备，包括：用于将多个第一扫描信号传输到多条第一扫描线的第一扫描驱动器；用于将多个第二扫描信号传输到多条第二扫描线的第二扫描驱动器；用于将多个数据信号传输到多条数据线的数据驱动器；显示单元，包括连接到多条第一扫描线、多条第二扫描线和多条数据线的多个像素，其中多个像素根据多个数据信号发射光；以及控制器，用于控制第一扫描驱动器、第二扫描驱动器和数据驱动器，并且生成多个图像数据信号并将多个图像数据信号供给到数据驱动器，其中多个像素中的第一像素包括：有机发光元件，包括连接到第一节点的栅极的第一晶体管，其中第一晶体管连接在第二节点与第三节点之间，包括连接到多条第一扫描线中的对应的第一扫描线的栅极的第二晶体管，其中第二晶体管连接在多条数据线中的对应的数据线与第二节点之间，以及连接在第一节点与第一电力电压线之间的存储电容器；其中第一晶体管通过施加到多条第二扫描线中的对应的第二扫描线的第二扫描信号被反向偏置；并且其中施加到对应的第一扫描线的第一扫描信号与施加到对应的第二扫描线的第二扫描信号不同。

在施加到对应的第一扫描线的第一扫描信号具有使能电平之前，施加到对应的第二扫描线的第二扫描信号具有禁用电平。

第一像素进一步包括：包括连接到多条第一扫描线中的先前第一扫描线的栅极的第三晶体管，其中第三晶体管连接在第一节点与初始化电压线之间。

在施加到先前第一扫描线的第一扫描信号具有使能电平之前，施加到对应的第二扫描线的第二扫描信号具有禁用电平。

在施加到先前第一扫描线的第一扫描信号具有使能电平之前，施加到对应的第二扫描线的第二扫描信号从禁用电平变为使能电平。

显示设备进一步包括：用于将多个发射控制信号传输到多条发射控制线的发射驱动器，其中第一像素进一步包括：包括连接到多条发射控制线中的对应的发射控制线的栅极的第四晶体管，其中第四晶体管连接在第一电力电压线与第二节点之间，以及包括连接到对应的发射控制线的栅极的第五晶体管，其中第五晶体管连接在第三节点与有机发光元件的端子之间，并且在施加到对应的发射控制线的发射控制信号变为禁用电平之后，施加到对应的第二扫描线的第二扫描信号从禁用电平变为使能电平。

在施加到对应的发射控制线的发射控制信号变为禁用电平之后，施加到对应的第二扫描线的第二扫描信号变为使能电平，并且在施加到对应的第一扫描线的第一扫描信号具有使能电平之前，施加到对应的第二扫描线的第二扫描信号从使能电平变为禁用电平。

在施加到对应的第一扫描线的第一扫描信号具有使能电平之前，施加到对应的第二扫描线的第二扫描信号从禁用电平变为使能电平。

在施加到对应的发射控制线的发射控制信号变为禁用电平之后，施加到对应的第二扫描线的第二扫描信号从使能电平变为禁用电平，并且在施加到对应的第一扫描线的第一扫描信号具有使能电平之前，施加到对应的第二扫描线的第二扫描信号变为使能电平。

第一像素进一步包括：包括连接到对应的第一扫描线的栅极的第六晶体管，其中第六晶体管连接在第一节点与第三节点之间，以及包括连接到先前第一扫描线的栅极的第七晶体管，其中第七晶体管连接在有机发光元件的端子与初始化电压线之间。

本发明的示例性实施例提供了一种显示设备，包括：基板；提供在基板上的多个有机发光元件；多个像素电路，像素电路中的至少一个包括：包括连接到多个有机发光元件中的至少一个的第一有源图案以及布置在第一有源图案上的第一栅电极的第一晶体管，包括连接到第一有源图案的第二有源图案以及布置在第二有源图案上的第二栅电极的第二晶体管，以及包括连接第一有源图案和第一栅电极的第三有源图案的第三晶体管，第三有源图案包括第三沟道，其中第三晶体管包括布置在第三有源图案上的第三栅电极；布置在第二有源图案上、横穿多个像素电路并连接到第二栅电极和第三栅电极的第一扫描线；布置在第一扫描线上、横穿第一扫描线并连接到第二有源图案的数据线；以及横穿多个像素电路并连接到与第一有源图案重叠的第一电极的第二扫描线，其中第一晶体管通过施加到连接到第一电极的第二扫描线的第二扫描信号被反向偏置。

第一电极被布置在基板与第一有源图案之间。

第二扫描线被布置在基板与第一有源图案之间。

至少一个像素电路包括与第一栅电极重叠并且与第一栅电极形成电容器的电容器电极，并且第一电极与电容器电极重叠。

至少一个像素电路进一步包括连接到第二扫描线并且与第三有源图案的第三沟道重叠的第二电极。

至少一个像素电路进一步包括：包括连接到第一栅电极和第三有源图案的第四有源图案的第四晶体管，其中第四晶体管包括布置在第四有源图案上的第四栅电极，以及包括连接到第四有源图案的第七有源图案的第七晶体管，其中第七晶体管包括布置在第七有源图案上的第七栅电极，其中显示设备进一步包括：布置在第四有源图案和第七有源图案上、横穿第四有源图案和第七有源图案并连接到第四栅电极和第七栅电极的第三扫描线，布置在第一扫描线上、与数据线分离、横穿第一扫描线并连接到第一有源图案的电力电压线，以及布置在第二扫描线上并连接到第四有源图案和第七有源图案的初始化电压线。

至少一个像素电路进一步包括：包括连接第一有源图案和电力电压线的第五有源图案的第五晶体管，其中第五晶体管包括布置在第五有源图案上的第五栅电极，以及包括连接第一有源图案和有机发光元件的第六有源图案的第六晶体管，其中第六晶体管包括布置在第六有源图案上的第六栅电极，其中显示设备进一步包括：布置在第五有源图案和第六有源图案上、横穿第五有源图案和第六有源图案并连接到第五栅电极和第六栅电极的发射控制线。

本发明的示例性实施例提供了一种用于驱动包括多个像素的显示设备的方法，多个像素中的第一像素包括：包括连接到第一节点的栅电极和连接到对应的第二扫描线的偏置电极的第一晶体管，第一晶体管连接在第二节点与第三节点之间，包括连接到对应的第一扫描线的栅电极的第二晶体管，第二晶体管连接在对应的数据线与第二节点之间，包括连接到第三扫描线的栅电极的第三晶体管，第三晶体管连接在第一节点与初始化电压线之间，以及连接在第一节点与第一电力电压线之间的存储电容器，该方法包括：第一次将使能电平的第二扫描信号施加到第二扫描线；将禁用电平的第二扫描信号施加到第二扫描线；第二次将使能电平的第二扫描信号施加到第二扫描线；将使能电平的第三扫描信号施加到第三扫描线；以及将使能电平的第一扫描信号施加到第一扫描线。

第一像素进一步包括：包括连接到发射控制线的栅电极的第四晶体管，其中第四晶体管连接在第一电力电压线与第二节点之间，以及包括连接到发射控制线的栅电极的第五晶体管，其中第五晶体管连接在第三节点与有机发光二极管的阳极之间，并且该方法进一步包括：在将使能电平的第二扫描信号施加到第二扫描线之前，将施加到发射控制线的使能电平的发射控制信号改变为禁用电平。

该方法进一步包括：在将使能电平的第一扫描信号施加到第一扫描线之后，将使能电平的发射控制信号施加到发射控制线。

附图说明

图1示出了根据本发明的示例性实施例的显示设备的框图。

图2示出了图1的显示设备的部分的俯视平面图。

图3示出了图2的像素的电路图。

图4示出了根据本发明的示例性实施例的显示设备的一个像素的布局图。

图5示出了相对于图4的线ⅴ-ⅴ的截面图。

图6、图7和图8示出了根据本发明的示例性实施例的用于驱动显示设备的方法的时序图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图更充分地描述本发明的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，所描述的实施例可以以各种不同的方式来修改，并且因此，不应限于本文中阐述的实施例。

在整个说明书中，相同的附图标记可以指代相同的元件。

在附图中，为了清楚起见，层、膜、面板、区域等的厚度可被夸大。

将理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”时，其可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。

短语“在平面上”可意味着从顶部观察对象部分，并且短语“在截面上”可意味着从侧面观察通过垂直切开对象部分而形成的截面。

图1示出了根据本发明的示例性实施例的显示设备10的框图。

显示设备10包括显示单元100、第一扫描驱动器110、第二扫描驱动器120、数据驱动器130、发射驱动器140、电压供给器150和信号控制器160。应当理解，本说明书中描述的显示设备可以包括在数量上大于或小于上述构成元件的构成元件。

显示单元100包括连接到来自多条第一扫描线sl1至sln中的对应的第一扫描线sli-1和sli、来自多条第二扫描线bsl1至bsln中的对应的第二扫描线bsli、来自多条数据线dl1至dlm中的对应的数据线dlj、来自多条发射控制线em1至emn中的对应的发射控制线emi、初始化电压线vintl以及电力电压线elvddl和elvssl的像素px(i，j)。当多个像素px根据被传输到像素px的数据信号而发射光时，显示单元100可以显示图像。

多条第一扫描线sl1至sln基本在行方向上延伸，并且它们彼此基本平行。多条第二扫描线bsl1至bsln基本在行方向上延伸，并且它们彼此基本平行。多条发射控制线em1至emn基本在行方向上延伸，并且它们彼此基本平行。多条数据线dl1至dlm基本在列方向上延伸，并且它们彼此基本平行。

多个像素px接收来自电压供给器150的电力电压elvdd和elvss以及初始化电压vint。

第一扫描驱动器110通过多条第一扫描线sl1至sln连接到显示单元100。第一扫描驱动器110根据控制信号scs生成多个第一扫描信号，并将第一扫描信号传输到来自多条第一扫描线sl1至sln中的对应的第一扫描线。控制信号scs是由信号控制器160生成和传输的第一扫描驱动器110的操作控制信号。

第二扫描驱动器120通过多条第二扫描线bsl1至bsln连接到显示单元100。第二扫描驱动器120根据控制信号bcs生成多个第二扫描信号，并将第二扫描信号传输到来自多条第二扫描线bsl1至bsln中的对应的第二扫描线。控制信号bcs是由信号控制器160生成和传输的第二扫描驱动器120的操作控制信号。

数据驱动器130通过多条数据线dl1至dlm连接到显示单元100的相应像素px。数据驱动器130接收图像数据信号data，并根据控制信号dcs将对应的数据信号传输到来自多条数据线dl1至dlm中的对应的数据线。控制信号dcs是由信号控制器160生成和传输的数据驱动器130的操作控制信号。

数据驱动器130根据图像数据信号data选择灰度电压，并将灰度电压传输到多条数据线作为数据信号。例如，数据驱动器130根据控制信号dcs采样并保持输入的图像数据信号data，并且将多个数据信号传输到多条数据线dl1至dlm。数据驱动器130可以在低电平的第一扫描信号被施加的同时将具有预定电压范围的数据信号施加到多条数据线dl1至dlm。

发射驱动器140根据控制信号ecs生成多个发射控制信号。控制信号ecs可以包括发射启动信号、以不同时序切换到低电平的发射时钟信号、以及保持控制信号。发射启动信号是用于为了显示一个帧的图像而生成第一发射控制信号的信号。包含在控制信号ecs中的发射时钟信号是用于将发射控制信号施加到多条发射控制线em1至emn的同步信号。保持控制信号是用于控制发射驱动器140使得发射驱动器140可以在低频驱动的情况下连续输出发射信号的信号。

信号控制器160接收从外部输入的图像信号is以及用于控制图像信号is的显示的输入控制信号。图像信号is可以包括由显示单元100的相应像素px的灰度区分的亮度信息。

传输到信号控制器160的输入控制信号包括数据垂直同步信号vsync、水平同步信号hsync、主时钟信号mclk和数据使能信号de。

信号控制器160根据图像信号is、水平同步信号hsync、垂直同步信号vsync、主时钟信号mclk以及数据使能信号de生成控制信号scs、bcs、dcs、ecs和pcs以及图像数据信号data。

信号控制器160基于输入的图像信号is和输入控制信号根据显示单元100和数据驱动器130的操作条件对图像信号is进行图像处理。例如，信号控制器160可以通过对图像信号is执行诸如伽马校正或亮度补偿的图像处理来生成图像数据信号data。

例如，信号控制器160生成用于控制数据驱动器130的操作的控制信号dcs，并将控制信号dcs和经过图像处理的图像数据信号data传输到数据驱动器130。信号控制器160将用于控制第一扫描驱动器110的操作的控制信号scs传输到第一扫描驱动器110，并将用于控制第二扫描驱动器120的操作的控制信号bcs传输到第二扫描驱动器120。信号控制器160可以将发射控制信号ecs传输到发射驱动器140，以驱动发射驱动器140。

信号控制器160可以控制电压供给器150的驱动。电压供给器150可以供给初始化电压vint以及用于驱动像素px的电力电压elvdd和elvss。例如，信号控制器160可以将控制信号pcs传输到电压供给器150，以驱动电压供给器150。电压供给器150可以连接到形成在显示单元100上的电压供给线。

现在将参考图2描述显示设备的平面图。

图2示出了图1的显示设备的部分的俯视平面图。

如图2中所示，显示设备包括基板sub、多个像素px、多条栅布线gw、栅驱动器gd、多条数据布线dw和数据驱动器dd。

基板sub包括用于显示图像的显示区域da以及提供在显示区域da旁边的非显示区域nda。非显示区域nda可以围绕显示区域da的边缘，但不限于此。基板sub是包括玻璃、聚合物或不锈钢的绝缘基板。基板sub可以是柔性的、可伸缩的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。由于基板sub是柔性的、可伸缩的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的，因此显示设备可以是柔性的、可伸缩的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。

多个像素px对应于基板sub的显示区域da被提供在基板sub上。多个像素px分别连接到多条栅布线gw和多条数据布线dw。多个像素px中的每个像素发射具有与驱动电流对应的亮度的光，驱动电流与由每个像素的对应的数据布线dw供给的信号相对应。多个像素px分别包括像素电路和有机发光元件，并且像素电路包括用于控制流向有机发光元件的驱动电流的多个晶体管以及至少一个电容器。

多条栅布线gw连接到栅驱动器gd，并且连接到多个像素px。多条栅布线gw可以包括第一扫描线(图1的sl1至sln)、第二扫描线(图1的bsl1至bsln)、初始化电压线(图1的vintl)和发射控制线(图1的em1至emn)。

包括第一扫描线(图1的sl1至sln)、第二扫描线(图1的bsl1至bsln)、初始化电压线(图1的vintl)和发射控制线(图1的em1至emn)的栅布线gw可以不连接到栅驱动器gd，但可以通过基板sub中的焊盘连接到除栅驱动器gd之外的驱动器。

栅驱动器gd被提供在基板sub的非显示区域nda中，并且连接到多条栅布线gw。

多条数据布线dw连接到数据驱动器dd，并且连接到多个像素px。多条数据布线dw可以包括数据线(图1的dl1至dlm)和电力电压线(图1的elvddl和elvssl)。

包括数据线(图1的dl1至dlm)和电力电压线(图1的elvddl和elvssl)的数据布线dw可以不连接到数据驱动器dd，但可以通过基板sub上的焊盘连接到除数据驱动器dd之外的驱动器。

数据驱动器dd被提供在基板sub的非显示区域nda中，并且连接到多条数据布线dw。

现在将参考图3描述根据本发明的示例性实施例的显示设备的一个像素px的电路。

图3示出了图2的像素的电路图。

像素px包括像素电路pc以及连接到像素电路pc的有机发光元件oled，像素电路pc包括选择性地连接到第一扫描线sli-1和sli、第二扫描线bsli、发射控制线emi、初始化电压线vintl、数据线dlj以及电力电压线elvddl和elvssl的多个晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7以及电容器cst。

这里，第一扫描线sli-1和sli、第二扫描线bsli、发射控制线emi和初始化电压线vintl可以包含在上述栅布线(图2的gw)中，并且数据线dlj和电力电压线elvddl和elvssl可以包含在数据布线(图2的dw)中。第一扫描线sli-1和sli、第二扫描线bsli、发射控制线emi、初始化电压线vintl、数据线dlj以及电力电压线elvddl和elvssl可以包括彼此相同或彼此不同的材料。另外，第一扫描线sli-1和sli、第二扫描线bsli、发射控制线emi、初始化电压线vintl、数据线dlj以及电力电压线elvddl和elvssl可以被提供在基板sub上的同一层或不同层上。

在第一节点n1处，第一晶体管t1的第一栅电极g1连接到第三晶体管t3的第三漏电极d3、第四晶体管t4的第四漏电极d4以及电容器cst的第一电极。在第二节点n2处，第一晶体管t1的第一源电极s1连接到第二晶体管t2的第二漏电极d2和第五晶体管t5的第五漏电极d5。在第三节点n3处，第一晶体管t1的第一漏电极d1连接到第三晶体管t3的第三源电极s3和第六晶体管t6的第六源电极s6。第一晶体管t1包括与第一晶体管t1的有源部分重叠的偏置电极b1。偏置电极b1连接到第二扫描线bsli。

第二晶体管t2的第二栅电极g2连接至第一扫描线sli，第二晶体管t2的第二源电极s2连接到数据线dlj，并且第二晶体管t2的第二漏电极d2在第二节点n2处连接到第一晶体管t1的第一源电极s1。

第三晶体管t3的第三栅电极g3连接到第一扫描线sli，第三晶体管t3的第三源电极s3在第三节点n3处连接到第一晶体管t1的第一漏电极d1，并且第三晶体管t3的第三漏电极d3可以在第一节点n1处连接到第一晶体管t1的第一栅电极g1。

第四晶体管t4的第四栅电极g4连接到第一扫描线sli-1，第四晶体管t4的第四源电极s4连接到初始化电压线vintl，并且第四晶体管t4的第四漏电极d4在第一节点n1处连接到第一晶体管t1的第一栅电极g1。

第五晶体管t5的第五栅电极g5连接到发射控制线emi，第五晶体管t5的第五源电极s5连接到电力电压线elvddl，并且第五晶体管t5的第五漏电极d5在第二节点n2处连接到第一晶体管t1的第一源电极s1。

第六晶体管t6的第六栅电极g6连接到发射控制线emi，第六晶体管t6的第六源电极s6在第三节点n3处连接到第一晶体管t1的第一漏电极d1，并且第六晶体管t6的第六漏电极d6连接到有机发光元件oled的第一电极。第一晶体管t1通过第六晶体管t6连接到有机发光元件oled。

第七晶体管t7的第七栅电极g7连接到第一扫描线sli-1，第七晶体管t7的第七源电极s7连接到有机发光元件oled的第一电极，并且第七晶体管t7的第七漏电极d7连接到第四晶体管t4的第四源电极s4和初始化电压线vintl。

电容器cst包括在第一节点n1处连接到第一晶体管t1的第一栅电极g1和第三晶体管t3的第三漏电极d3的第一电极、以及连接到电力电压线elvddl的第二电极。

有机发光元件oled包括第一电极、提供在第一电极上的第二电极以及提供在第一电极与第二电极之间的有机发射层。有机发光元件oled包括连接到第七晶体管t7的第七源电极s7和第六晶体管t6的第六漏电极d6的第一电极、以及连接到电力电压线elvssl的第二电极。

现在将参考图4和图5描述根据本发明的示例性实施例的显示设备的一个像素的布置。

绝缘层被提供在元件之间，这些元件被提供在下文中要描述的不同层上，并且绝缘层可以是有机绝缘层或诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘层。此外，绝缘层可以被形成为单层或多层。

图4示出了根据本发明的示例性实施例的显示设备的一个像素的布局图，并且图5示出了相对于图4的线ⅴ-ⅴ的截面图。

如图4和图5中所示，一个像素包括像素电路以及连接到像素电路的有机发光元件oled，像素电路包括选择性地连接到第一扫描线sli、第一扫描线sli-1、第二扫描线bsli、发射控制线emi、数据线dlj、电力电压线elvddl以及初始化电压线vintl的第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6、第七晶体管t7、电容器cst和栅桥gb。第二扫描线bsli横穿像素电路，并且与第一晶体管t1的第一有源图案a1和第三晶体管t3的第三有源图案a3重叠。

第一晶体管t1被提供在基板sub上，并且包括第一有源图案a1和第一栅电极g1。

第一有源图案a1包括第一源电极s1、第一沟道c1和第一漏电极d1。第一源电极s1连接到第二晶体管t2的第二漏电极d2和第五晶体管t5的第五漏电极d5，并且第一漏电极d1连接到第三晶体管t3的第三源电极s3和第六晶体管t6的第六源电极s6。

第一有源图案a1可以由多晶硅或氧化物半导体制成。氧化物半导体可以包括具有作为基底的钛(ti)、铪(hf)、锆(zr)、铝(al)、钽(ta)、锗(ge)、锌(zn)、镓(ga)、锡(sn)或铟(in)的氧化物及其复合氧化物中的一种，诸如氧化锌(zno)、氧化铟镓锌(in-ga-zn-o)、氧化锌铟(zn-in-o)、氧化锌锡(zn-sn-o)、氧化铟镓(in-ga-o)、氧化铟锡(in-sn-o)、氧化铟锆(in-zr-o)、氧化铟锆锌(in-zr-zn-o)、氧化铟锆锡(in-zr-sn-o)、氧化铟锆镓(in-zr-ga-o)、氧化铟铝(in-al-o)、氧化铟锌铝(in-zn-al-o)、氧化铟锡铝(in-sn-al-o)、氧化铟铝镓(in-al-ga-o)、氧化铟钽(in-ta-o)、氧化铟钽锌(in-ta-zn-o)、氧化铟钽锡(in-ta-sn-o)、氧化铟钽镓(in-ta-ga-o)、氧化铟锗(in-ge-o)、氧化铟锗锌(in-ge-zn-o)、氧化铟锗锡(in-ge-sn-o)、氧化铟锗镓(in-ge-ga-o)、氧化钛铟锌(ti-in-zn-o)或氧化铪铟锌(hf-in-zn-o)。当第一有源图案a1由氧化物半导体制成时，可以添加附加的钝化层以保护在诸如高温的外部环境中薄弱的氧化物半导体。

第一有源图案a1的第一沟道c1可以被沟道掺杂有n型杂质或p型杂质，而第一源电极s1和第一漏电极d1可以利用其间的第一沟道c1彼此分离。第一源电极s1和第一漏电极d1可以被掺杂有与掺杂到第一沟道c1的掺杂杂质相反类型的掺杂杂质。

第一栅电极g1被提供在第一有源图案a1的第一沟道c1上，并且具有岛形状。第一栅电极g1通过穿过接触孔的栅桥gb连接到第四晶体管t4的第四漏电极d4和第三晶体管t3的第三漏电极d3。第一栅电极g1与电容器电极ce重叠，并且第一栅电极g1可以同时用作第一晶体管t1的栅电极以及电容器cst的第一电极。换句话说，第一栅电极g1与电容器电极ce一起形成电容器cst。

偏置电极b1被提供在第一有源图案a1与基板sub之间。第一有源图案a1的第一沟道c1与偏置电极b1重叠。偏置电极b1从第二扫描线bsli延伸。

诸如电子或空穴的电荷根据供给到第二扫描线bsli的第二扫描信号的各种电平而被存储在第一有源图案a1的第一沟道c1中，使得第一晶体管t1的阈值电压被控制。

换句话说，可以通过使用偏置电极b1来增大或减小第一晶体管t1的阈值电压，并且可以通过控制第一晶体管t1的阈值电压来改善可由第一晶体管t1产生的滞后。

第二晶体管t2被提供在基板sub上，并且包括第二有源图案a2和第二栅电极g2。第二有源图案a2包括第二源电极s2、第二沟道c2和第二漏电极d2。第二源电极s2通过接触孔连接到数据线dlj，并且第二漏电极d2连接到第一晶体管t1的第一源电极s1。作为与第二栅电极g2重叠的第二有源图案a2的沟道区的第二沟道c2被提供在第二源电极s2与第二漏电极d2之间。换句话说，第二有源图案a2连接到第一有源图案a1。

第二有源图案a2的第二沟道c2可以被沟道掺杂有n型杂质或p型杂质，而第二源电极s2和第二漏电极d2可以利用其间的第二沟道c2彼此分离。第二源电极s2和第二漏电极d2可以被掺杂有与掺杂到第二沟道c2的掺杂杂质相反类型的掺杂杂质。第二有源图案a2与第一有源图案a1被提供在相同的层上，与第一有源图案a1由相同的材料形成，并且与第一有源图案a1一体地形成。

第二栅电极g2被提供在第二有源图案a2的第二沟道c2上，并且与第一扫描线sli一体地形成。

第三晶体管t3被提供在基板sub上，并且包括第三有源图案a3和第三栅电极g3。

第三有源图案a3包括第三源电极s3、第三沟道c3和第三漏电极d3。第三源电极s3连接到第一漏电极d1，并且第三漏电极d3通过穿过接触孔的栅桥gb连接到第一晶体管t1的第一栅电极g1。作为与第三栅电极g3重叠的第三有源图案a3的沟道区的第三沟道c3被提供在第三源电极s3与第三漏电极d3之间。换句话说，第三有源图案a3连接第一有源图案a1和第一栅电极g1。

第三有源图案a3的第三沟道c3可以被沟道掺杂有n型杂质或p型杂质，而第三源电极s3和第三漏电极d3可以利用其间的第三沟道c3彼此分离。另外，第三源电极s3和第三漏电极d3可以被掺杂有与掺杂到第三沟道c3的掺杂杂质相反类型的掺杂杂质。第三有源图案a3与第一有源图案a1和第二有源图案a2被提供在相同的层上，与第一有源图案a1和第二有源图案a2由相同的材料形成，并且与第一有源图案a1和第二有源图案a2一体地形成。

第三栅电极g3被提供在第三有源图案a3的第三沟道c3上，并且与第一扫描线sli一体地形成。第三栅电极g3为双栅电极。

第四晶体管t4被提供在基板sub上，并且包括第四有源图案a4和第四栅电极g4。

第四有源图案a4包括第四源电极s4、第四沟道c4和第四漏电极d4。第四源电极s4通过接触孔连接到初始化电压线vintl，并且第四漏电极d4通过穿过接触孔的栅桥gb连接到第一晶体管t1的第一栅电极g1。作为与第四栅电极g4重叠的第四有源图案a4的沟道区的第四沟道c4被提供在第四源电极s4与第四漏电极d4之间。换句话说，第四有源图案a4连接在初始化电压线vintl与第一栅电极g1之间，并且连接到第三有源图案a3和第一栅电极g1。

第四有源图案a4的第四沟道c4可以被沟道掺杂有n型杂质或p型杂质，而第四源电极s4和第四漏电极d4可以利用其间的第四沟道c4彼此分离。另外，第四源电极s4和第四漏电极d4可以被掺杂有与掺杂到第四沟道c4的掺杂杂质相反类型的掺杂杂质。第四有源图案a4与第一有源图案a1、第二有源图案a2和第三有源图案a3在相同的层上，它与第一有源图案a1、第二有源图案a2和第三有源图案a3由相同的材料形成，并且它与第一有源图案a1、第二有源图案a2和第三有源图案a3一体地形成。

第四栅电极g4被提供在第四有源图案a4的第四沟道c4上，并且与第一扫描线sli-1一体地形成。第四栅电极g4为双栅电极。

第五晶体管t5被提供在基板sub上，并且包括第五有源图案a5和第五栅电极g5。

第五有源图案a5包括第五源电极s5、第五沟道c5和第五漏电极d5。第五源电极s5通过接触孔连接到电力电压线elvddl，并且第五漏电极d5连接到第一晶体管t1的第一源电极s1。作为与第五栅电极g5重叠的第五有源图案a5的沟道区的第五沟道c5被提供在第五源电极s5与第五漏电极d5之间。换句话说，第五有源图案a5连接在电力电压线elvddl与第一有源图案a1之间。

第五有源图案a5的第五沟道c5可以被沟道掺杂有n型杂质或p型杂质，而第五源电极s5和第五漏电极d5可以利用其间的第五沟道c5彼此分离。另外，第五源电极s5和第五漏电极d5可以被掺杂有与掺杂到第五沟道c5的掺杂杂质相反类型的掺杂杂质。第五有源图案a5与第一有源图案a1、第二有源图案a2、第三有源图案a3和第四有源图案a4被提供在相同的层上，它与第一有源图案a1、第二有源图案a2、第三有源图案a3和第四有源图案a4由相同的材料形成，并且它与第一有源图案a1、第二有源图案a2、第三有源图案a3和第四有源图案a4一体地形成。

第五栅电极g5被提供在第五有源图案a5的第五沟道c5上，并且与发射控制线emi一体地形成。

第六晶体管t6被提供在基板sub上，并且包括第六有源图案a6和第六栅电极g6。

第六有源图案a6包括第六源电极s6、第六沟道c6和第六漏电极d6。第六源电极s6连接到第一晶体管t1的第一漏电极d1，并且第六漏电极d6通过接触孔连接到有机发光元件oled的第一电极e1。作为与第六栅电极g6重叠的第六有源图案a6的沟道区的第六沟道c6被提供在第六源电极s6与第六漏电极d6之间。换句话说，第六有源图案a6连接在第一有源图案a1与有机发光元件oled的第一电极e1之间。

第六有源图案a6的第六沟道c6可以被沟道掺杂有n型杂质或p型杂质，而第六源电极s6和第六漏电极d6可以利用其间的第六沟道c6彼此分离。另外，第六源电极s6和第六漏电极d6可以被掺杂有与掺杂到第六沟道c6的掺杂杂质相反类型的掺杂杂质。第六有源图案a6与第一有源图案a1、第二有源图案a2、第三有源图案a3、第四有源图案a4和第五有源图案a5被提供在相同的层上，它与第一有源图案a1、第二有源图案a2、第三有源图案a3、第四有源图案a4和第五有源图案a5由相同的材料形成，并且它与第一有源图案a1、第二有源图案a2、第三有源图案a3、第四有源图案a4和第五有源图案a5一体地形成。

第六栅电极g6被提供在第六有源图案a6的第六沟道c6上，并且与发射控制线emi一体地形成。

第七晶体管t7被提供在基板sub上，并且包括第七有源图案a7和第七栅电极g7。

第七有源图案a7包括第七源电极s7、第七沟道c7和第七漏电极d7。第七源电极s7连接到另一像素(例如，提供在图4中所示的像素的底部处的另一像素)的有机发光元件的第一电极，并且第七漏电极d7连接到第四晶体管t4的第四源电极s4。作为与第七栅电极g7重叠的第七有源图案a7的沟道区的第七沟道c7被提供在第七源电极s7与第七漏电极d7之间。换句话说，第七有源图案a7连接在另一像素的有机发光元件的第一电极与第四有源图案a4之间。

第七有源图案a7的第七沟道c7可以被沟道掺杂有n型杂质或p型杂质，而第七源电极s7和第七漏电极d7可以利用其间的第七沟道c7彼此分离。另外，第七源电极s7和第七漏电极d7可以被掺杂有与掺杂到第七沟道c7的掺杂杂质相反类型的掺杂杂质。第七有源图案a7与第一有源图案a1、第二有源图案a2、第三有源图案a3、第四有源图案a4、第五有源图案a5和第六有源图案a6在相同的层上，它与第一有源图案a1、第二有源图案a2、第三有源图案a3、第四有源图案a4、第五有源图案a5和第六有源图案a6由相同的材料形成，并且它与第一有源图案a1、第二有源图案a2、第三有源图案a3、第四有源图案a4、第五有源图案a5和第六有源图案a6一体地形成。

第七栅电极g7被提供在第七有源图案a7的第七沟道c7上，并且与第一扫描线sli-1一体地形成。

第一扫描线sli被提供在第二有源图案a2和第三有源图案a3上，并且在横穿第二有源图案a2和第三有源图案a3的方向上延伸。第一扫描线sli与第二栅电极g2和第三栅电极g3一体地形成，并且连接到第二栅电极g2和第三栅电极g3。

第一扫描线sli-1与第一扫描线sli分离，并且被提供在第四有源图案a4和第七有源图案a7上。第一扫描线sli-1在横穿第四有源图案a4和第七有源图案a7的方向上延伸，与第四栅电极g4和第七栅电极g7一体地形成，并且连接到第四栅电极g4和第七栅电极g7。

发射控制线emi与第一扫描线sli分离，并且被提供在第五有源图案a5和第六有源图案a6上。发射控制线emi在横穿第五有源图案a5和第六有源图案a6的方向上延伸，与第五栅电极g5和第六栅电极g6一体地形成，并且连接到第五栅电极g5和第六栅电极g6。

上述发射控制线emi、第一扫描线sli、第一扫描线sli-1、第一栅电极g1、第二栅电极g2、第三栅电极g3、第四栅电极g4、第五栅电极g5、第六栅电极g6和第七栅电极g7被提供在相同的层上，并且由相同的材料形成。在本发明的另一示例性实施例中，发射控制线emi、第一扫描线sli、第一扫描线sli-1、第一栅电极g1、第二栅电极g2、第三栅电极g3、第四栅电极g4、第五栅电极g5、第六栅电极g6和第七栅电极g7可以被选择性地提供在不同的层上，并且可以由不同的材料形成。

电容器cst包括彼此面对的第一电极和第二电极，绝缘层在第一电极与第二电极之间。上述第二电极可以是电容器电极ce，并且第一电极可以是第一栅电极g1。电容器电极ce被提供在第一栅电极g1上，并通过接触孔连接到电力电压线elvddl。

电容器电极ce与第一栅电极g1一起形成电容器cst，并且第一栅电极g1和电容器电极ce由相同或不同的金属形成在不同的层上。

电容器电极ce包括与第一栅电极g1的部分重叠的开口oa，并且栅桥gb通过开口oa连接到第一栅电极g1。电容器电极ce与第二扫描线bsli重叠。

数据线dlj被提供在第一扫描线sli上，在横穿第一扫描线sli的方向上延伸，并通过接触孔连接到第二有源图案a2的第二源电极s2。数据线dlj延伸以横穿第一扫描线sli、第一扫描线sli-1和发射控制线emi。

电力电压线elvddl与数据线dlj分离，被提供在第一扫描线sli上，在横穿第一扫描线sli的另一方向上延伸，并且通过接触孔连接到第五有源图案a5的第五源电极s5，第五有源图案a5的第五源电极s5连接到电容器电极ce和第一有源图案a1。电力电压线elvddl延伸以横穿第一扫描线sli、第一扫描线sli-1和发射控制线emi。

栅桥gb被提供在第一扫描线sli上，与电力电压线elvddl分离，通过接触孔连接到第三有源图案a3的第三漏电极d3和第四有源图案a4的第四漏电极d4，并且通过接触孔连接到由电容器电极ce的开口oa暴露的第一栅电极g1。

上述数据线dlj、电力电压线elvddl和栅桥gb被提供在相同的层上，并且由相同的材料形成。在本发明的另一示例性实施例中，数据线dlj、电力电压线elvddl和栅桥gb可以被选择性地提供在不同的层上，并且可以利用不同的材料形成。

初始化电压线vintl通过接触孔连接到第四有源图案a4的第四源电极s4和第七有源图案a7的第七漏电极d7。初始化电压线vintl与有机发光元件oled的第一电极e1被提供在相同的层上，并且由相同的材料形成。在本发明的另一示例性实施例中，初始化电压线vintl可以与第一电极e1被提供在不同的层上，并且可以由不同的材料形成。

有机发光元件oled包括第一电极e1、有机发射层ol和第二电极e2。第一电极e1通过接触孔连接到第六晶体管t6的第六漏电极d6。有机发射层ol被提供在第一电极e1与第二电极e2之间。第二电极e2被提供在有机发射层ol上。第一电极e1和第二电极e2中的至少一个可以是光透射电极、光反射电极和光半透射电极中的至少一种。由有机发射层ol发射的光可以在第一电极e1和第二电极e2的至少一个方向上离开。

用于覆盖有机发光元件oled的封盖层可以被提供在有机发光元件oled上，并且薄膜封装层或封装基板可以被提供在有机发光元件oled上，封盖层在薄膜封装层或封装基板与有机发光元件oled之间。

偏置电极b1被提供在第一晶体管t1的第一有源图案a1与基板sub之间。例如，偏置电极b1比第一有源图案a1更靠近基板sub。偏置电极b1与第一有源图案a1的第一沟道c1重叠。偏置电极b1也可以与第一源电极s1的一部分和第一漏电极d1的一部分重叠。第二扫描信号被供给到连接到偏置电极b1的第二扫描线bsli。

偏置电极b1和第二扫描线bsli包括金属，但不限于此。例如，偏置电极b1和第二扫描线bsli可以包括通过其供给电力的其他材料，诸如导电聚合物。

如所述，被供给第二扫描信号的偏置电极b1与第一晶体管t1的第一有源图案a1重叠，使得根据本发明的示例性实施例的显示设备可以控制第一晶体管t1的阈值电压。因此，改善了第一晶体管t1的晶体管特性。因此，提高了连接到第一晶体管t1的有机发光元件oled的发射效率。

例如，第一晶体管t1是连接到有机发光元件oled的驱动晶体管。因此，第一晶体管t1实质上影响供给到有机发光元件oled的电流。第一晶体管t1的第一有源图案a1的第一沟道c1与偏置电极b1重叠，并且根据供给到连接到偏置电极b1的第二扫描线bsli的第二扫描信号，诸如电子或空穴的电荷在第一有源图案a1的第一沟道c1中被捕获。因此，可以控制第一晶体管t1的阈值电压。

换句话说，可以通过使用第二扫描线bsli来增大或减小第一晶体管t1的阈值电压，并且可以通过控制第一晶体管t1的阈值电压来改善可能对第一晶体管t1产生的滞后。结果，提高了连接到第一晶体管t1的有机发光元件oled的发射效率。

总之，通过使用第二扫描线bsli改善作为驱动晶体管的第一晶体管t1的晶体管特性，从而向显示设备提供有机发光元件oled的提高的发射效率。

连接到第二扫描线bsli的偏置电极b1在图4和图5中被示出为与第一有源图案a1重叠。然而，连接到第二扫描线bsli的附加偏置电极可以与第三有源图案a3重叠，并且可以与偏置电极b1被提供在相同的层上。在此情况下，可以控制第三晶体管t3的阈值电压，使得可以提高有机发光元件oled的发射效率并且可以减少余像。

现在将参考图6至图8描述用于驱动显示设备的方法。

图6至图8示出了根据本发明的示例性实施例的用于驱动显示设备的方法的时序图。高电平h是用于禁用像素px中的晶体管t1至t7的电平，并且中间电平m和低电平l是用于使能像素px中的晶体管t1至t7的电平。

首先，如图6中所示，当供给到发射控制线emi的发射控制信号em[i]在t10处变为高电平h时，连接到发射控制线emi的像素px的发射完成。换句话说，连接到发射控制线emi的像素px停止发射光。

在从t10至t11的时段中，施加到第二扫描线bsli的第二扫描信号bs[i]具有低电平l。这里，第二扫描信号bs[i]的低电平l可以具有等于或小于第一扫描信号s[i]的低电平l的电压。在像素px的发射完成之后，诸如电子或空穴的电荷通过低电平l的第二扫描信号bs[i]在第一晶体管t1的有源图案a1的沟道c1的界面上或在接触与连接到第二扫描线bsli的偏置电极b1重叠的有源图案a1的另一层的界面上被捕获。在t14处对数据信号进行编程的操作之前，可以减少连接到第一扫描线sli的像素的第一晶体管t1中的滞后偏差。

在从t11至t12的时段中，施加到第二扫描线bsli的第二扫描信号bs[i]具有高电平h。在第一晶体管t1的有源图案a1的沟道c1的界面上或在接触与连接到第二扫描线bsli的偏置电极b1重叠的有源图案a1的另一层的界面上捕获的诸如电子或空穴的电荷，通过高电平h的第二扫描信号bs[i]被去除。因此，穿过有源图案的电流可以快速地穿过有源图案，而不受被捕获的空穴的干扰，从而减少余像和闪烁。

在从t12至t13的时段中，施加到第二扫描线bsli的第二扫描信号bs[i]具有低电平l。

第一晶体管t1的栅电极g1与源电极s1之间的栅-源电压(vgs)的驱动范围可以通过低电平l的第二扫描信号bs[i]增大。栅-源电压(vgs)的驱动范围宽，使得可以通过改变栅-源电压(vgs)的大小更精确地控制由有机发光元件oled发射的光的灰度。结果，可以增大显示设备的分辨率，并且可以提高显示设备的显示质量。

在从t12至t13的时段中施加的第二扫描信号bs[i]的低电平l被图示为等于在从t10至t11的时段中施加的第二扫描信号bs[i]的低电平l，但在从t12至t13的时段中施加的第二扫描信号bs[i]的低电平l可以大于在从t10至t11的时段中施加的第二扫描信号bs[i]的低电平l。

在从t13至t14的时段中，施加到第一扫描线sli-1的第一扫描信号s[i-1]具有低电平l。例如，施加到第一扫描线sli-1的第一扫描信号s[i-1]可以在从t13至t14的时段期间从高电平h转变为低电平l。第四晶体管t4和第七晶体管t7通过低电平l的第一扫描信号s[i-1]被导通。可以通过导通的第四晶体管t4用初始化电压vint初始化第一节点n1。可以通过导通的第七晶体管t7用初始化电压vint初始化有机发光元件oled的阳极。

在从t14至t15的时段中，施加到第一扫描线sli的第一扫描信号s[i]具有低电平l。例如，施加到第一扫描线sli的第一扫描信号s[i]可以在从t14至t15的时段期间从高电平h转变为低电平l。第二晶体管t2和第三晶体管t3通过低电平l的第一扫描信号s[i]被导通。在此情况下，通过数据线dlj施加对应的数据信号d[j]。通过将数据电压d[i][j]减小第一晶体管t1的阈值电压而生成的补偿电压通过导通的第二晶体管t2和导通的第三晶体管t3被传输到第一节点n1。与施加到电容器cst的相应端的补偿电压与电力电压elvdd之间的电压差对应的电荷可以存储在电容器cst中。在从t13至t14的时段中，先前数据电压由d[i-1][j]表示。

在t15之后的时段中，施加到发射控制线emi的发射控制信号em[i]具有低电平l。第五晶体管t5和第六晶体管t6通过低电平l的发射控制信号em[i]被导通。由第一晶体管t1的栅电极g1处的栅电压(vg)与驱动电压elvdd之间的电压差引起的驱动电流被生成，并且驱动电流可以通过第六晶体管t6被供给到有机发光元件oled。

当第一晶体管t1被导通时，电荷移动通过第一晶体管t1的有源图案a1。在此过程中，一些空穴由第一晶体管t1的栅电极g1的电位引导并在有源图案a1的界面上被捕获。由于第一晶体管t1的导通时段增加并且电流的强度增大，因此可以捕获更多的空穴。被捕获的空穴可能不允许电荷的流畅流动，使得由显示设备表达的亮度可能无法适当地被实现。因此，可能针对每个帧时段产生图像失真，并且可能因此产生诸如余像的图像缺陷。

本发明的示例性实施例在发射完成之后施加低电平l的第二扫描信号bs[i]，从而在像素px的第一晶体管t1的有源图案a1的沟道c1的界面上或接触有源图案a1的另一层的界面上捕获电荷。换句话说，施加第二扫描信号bs[i]，使得连接到第二扫描线bsli的所有像素px的第一晶体管t1可以存储电荷。这样，可以减小连接到第二扫描线bsli的像素px的第一晶体管t1中的滞后偏差。通过施加高电平h的第二扫描信号bs[i]，在连接到第二扫描线bsli的像素px的第一晶体管t1的有源图案a1的沟道c1的界面上或接触有源图案a1的另一层的界面上捕获的诸如电子或空穴的电荷被去除。换句话说，电荷被释放。因此，穿过有源图案的电流可以快速地穿过有源图案，而没有被捕获的空穴的干扰，从而减少余像和闪烁。低电平l的第二扫描信号bs[i]再次被施加，并且在连接到第二扫描线bsli的像素px的第一晶体管t1的栅电极g1与源电极s1之间的栅-源电压(vgs)的驱动范围可以增大。栅-源电压(vgs)的驱动范围宽，使得可以通过改变栅-源电压(vgs)的大小更精确地控制由有机发光元件oled发射的光的灰度。结果，可以增大显示设备的分辨率，并且可以提高显示设备的显示质量。

如图7中所示，当供给到发射控制线emi的发射控制信号em[i]在t20处变为高电平h时，连接到发射控制线emi的像素px的发射完成。

在从t20至t21的时段中，施加到第二扫描线bsli的第二扫描信号bs[i]具有低电平l。这里，第二扫描信号bs[i]的低电平l可以具有等于或小于第一扫描信号s[i]的低电平l的电压。在发射完成之后，诸如电子或空穴的电荷通过低电平l的第二扫描信号bs[i]在第一晶体管t1的有源图案a1的沟道c1的界面上或在接触与连接到第二扫描线bsli的偏置电极b1重叠的有源图案a1的另一层的界面上被捕获。在t24处对数据信号进行编程的操作之前，可以减少连接到第一扫描线sli的像素px的第一晶体管t1中的滞后偏差。

在从t21至t22的时段中，施加到第二扫描线bsli的第二扫描信号bs[i]具有高电平h。在此时段中，第二扫描信号bs[i]从中间电平m转变为高电平h。在第一晶体管t1的有源图案a1的沟道c1的界面上或在接触与连接到第二扫描线bsli的偏置电极b1重叠的有源图案a1的另一层的界面上捕获的诸如电子或空穴的电荷，通过高电平h的第二扫描信号bs[i]被去除。因此，穿过有源图案的电流可以快速地穿过有源图案，而不受被捕获的空穴的干扰，从而减少余像和闪烁。

在从t22至t23的时段中，施加到第二扫描线bsli的第二扫描信号bs[i]具有中间电平m。例如，第二扫描信号bs[i]可以以阶梯方式从t22之前的高电平h减小到t22之后的中间电平m。

第一晶体管t1的栅电极g1与源电极s1之间的栅-源电压(vgs)的驱动范围可以通过中间电平m的第二扫描信号bs[i]增大。栅-源电压(vgs)的驱动范围宽，因此可以通过改变栅-源电压(vgs)的大小更精确地控制由有机发光元件oled发射的光的灰度。结果，可以增大显示设备的分辨率，并且可以提高显示设备的显示质量。

在从t23至t24的时段中，施加到第一扫描线sli-1的第一扫描信号s[i-1]具有低电平l。第四晶体管t4和第七晶体管t7通过低电平l的第一扫描信号s[i-1]被导通。可以通过导通的第四晶体管t4用初始化电压vint初始化第一节点n1。可以通过导通的第七晶体管t7用初始化电压vint初始化有机发光元件oled的阳极。

在从t24至t25的时段中，施加到第一扫描线sli的第一扫描信号s[i]具有低电平l。第二晶体管t2和第三晶体管t3通过低电平l的第一扫描信号s[i]被导通。在此情况下，通过数据线dlj施加对应的数据信号d[j]。通过将数据电压d[i][j]减小第一晶体管t1的阈值电压而生成的补偿电压通过导通的第二晶体管t2和导通的第三晶体管t3被传输到第一节点n1。与施加到电容器cst的相应端的补偿电压与电力电压elvdd之间的电压差对应的电荷可以存储在电容器cst中。

在t25之后的时段中，施加到发射控制线emi的发射控制信号em[i]具有低电平l。第五晶体管t5和第六晶体管t6通过低电平l的发射控制信号em[i]被导通。由第一晶体管t1的栅电极g1处的栅电压(vg)与驱动电压elvdd之间的电压差引起的驱动电流可以被生成，并且驱动电流可以通过第六晶体管t6被供给到有机发光元件oled。在从t25至t26的时段中，下一个数据电压由d[i+1][j]表示。

当第一晶体管t1被导通时，电荷移动通过第一晶体管t1的有源图案a1。在此过程中，一些空穴由第一晶体管t1的栅电极g1的电位引导并在有源图案a1的界面上被捕获。由于第一晶体管t1的导通时段增加并且电流的强度增大，因此可以捕获更多的空穴。被捕获的空穴可能不允许电荷的流畅流动，使得由显示设备表达的亮度可能无法适当地被实现。因此，可能针对每个帧时段产生图像失真，并且可能产生诸如余像的图像缺陷。

本发明的示例性实施例在发射完成之后施加低电平l的第二扫描信号bs[i]，从而在像素px的第一晶体管t1的有源图案a1的沟道c1的界面上或接触有源图案a1的另一层的界面上捕获电荷。换句话说，施加第二扫描信号bs[i]，使得连接到第二扫描线bsli的所有像素px的第一晶体管t1可以存储电荷。这样，可以减小连接到第二扫描线bsli的像素px的第一晶体管t1中的滞后偏差。通过施加高电平h的第二扫描信号bs[i]，在连接到第二扫描线bsli的像素px的第一晶体管t1的有源图案a1的沟道c1的界面上或接触有源图案a1的另一层的界面上捕获的诸如电子或空穴的电荷被去除。因此，穿过有源图案的电流可以快速地穿过有源图案，而没有被捕获的空穴的干扰，从而减少余像和闪烁。中间电平m的第二扫描信号bs[i]再次被施加，并且在连接到第二扫描线bsli的像素px的第一晶体管t1的栅电极g1与源电极s1之间的栅-源电压(vgs)的驱动范围可以增大。栅-源电压(vgs)的驱动范围宽，因此可以通过改变栅-源电压(vgs)的大小更精确地控制由有机发光元件oled发射的光的灰度。结果，可以增大显示设备的分辨率，并且可以提高显示设备的显示质量。

如图8中所示，当供给到发射控制线emi的发射控制信号em[i]在t30处变为高电平h时，连接到发射控制线emi的像素px完成发射光。

在从t30至t31的时段中，施加到第二扫描线bsli的第二扫描信号bs[i]具有高电平h。在第一晶体管t1的有源图案a1的沟道c1的界面上或在接触与连接到第二扫描线bsli的偏置电极b1重叠的有源图案a1的另一层的界面上捕获的诸如电子或空穴的电荷，通过高电平h的第二扫描信号bs[i]被去除。因此，穿过有源图案的电流可以快速地穿过有源图案，而不受被捕获的空穴的干扰，从而减少余像和闪烁。

在从t31至t32的时段中，施加到第二扫描线bsli的第二扫描信号bs[i]具有低电平l。这里，第二扫描信号bs[i]的低电平l可以具有等于或小于第一扫描信号s[i]的低电平l的电压。在发射完成之后，诸如电子或空穴的电荷通过低电平l的第二扫描信号bs[i]在第一晶体管t1的有源图案a1的沟道c1的界面上或在接触与连接到第二扫描线bsli的偏置电极b1重叠的有源图案a1的另一层的界面上被捕获。在t34处对数据信号进行编程的操作之前，可以减少连接到第一扫描线sli的像素px的第一晶体管t1中的滞后偏差。

在从t32至t33的时段中，施加到第二扫描线bsli的第二扫描信号bs[i]具有中间电平m。

第一晶体管t1的栅电极g1与源电极s1之间的栅-源电压(vgs)的驱动范围可以通过中间电平m的第二扫描信号bs[i]增大。栅-源电压(vgs)的驱动范围宽，使得可以通过改变栅-源电压(vgs)的大小更精确地控制由有机发光元件oled发射的光的灰度。结果，可以增大显示设备的分辨率，并且可以提高显示设备的显示质量。

在本发明的另一示例性实施例中，在从t32至t33的时段中，施加到第二扫描线bsli的第二扫描信号bs[i]可以保持在低电平l。在此情况下，第一晶体管t1的栅电极g1与源电极s1之间的栅-源电压(vgs)的驱动范围可以通过低电平l的第二扫描信号bs[i]增大。

在从t33至t34的时段中，施加到第一扫描线sli-1的第一扫描信号s[i-1]具有低电平l。第四晶体管t4和第七晶体管t7通过低电平l的第一扫描信号s[i-1]被导通。可以通过导通的第四晶体管t4用初始化电压vint初始化第一节点n1。另外，可以通过导通的第七晶体管t7用初始化电压vint初始化有机发光元件oled的阳极。

在从t34至t35的时段中，施加到第一扫描线sli的第一扫描信号s[i]具有低电平l。第二晶体管t2和第三晶体管t3通过低电平l的第一扫描信号s[i]被导通。在此情况下，通过数据线dlj施加对应的数据信号d[j]。通过将数据电压d[i][j]减小第一晶体管t1的阈值电压而生成的补偿电压通过导通的第二晶体管t2和导通的第三晶体管t3被传输到第一节点n1。与施加到电容器cst的相应端的补偿电压与电力电压elvdd之间的电压差对应的电荷可以存储在电容器cst中。

在t35之后的时段中，施加到发射控制线emi的发射控制信号em[i]具有低电平l。第五晶体管t5和第六晶体管t6通过低电平l的发射控制信号em[i]被导通。由第一晶体管t1的栅电极g1处的栅电压(vg)与驱动电压elvdd之间的电压差引起的驱动电流被生成，并且驱动电流可以通过第六晶体管t6被供给到有机发光元件oled。

当第一晶体管t1被导通时，电荷移动通过第一晶体管t1的有源图案a1。在此过程中，一些空穴由第一晶体管t1的栅电极g1的电位引导并在有源图案a1的界面上被捕获。由于第一晶体管t1的导通时段增加并且电流的强度增大，因此可能捕获更多的空穴。被捕获的空穴可能不允许电荷的流畅流动，因此由显示设备表达的亮度可能无法适当地被实现。因此，可能针对每个帧时段产生图像失真，并且可能产生诸如余像的图像缺陷。

本发明的示例性实施例在发射完成之后施加低电平l的第二扫描信号bs[i]，从而在像素px的第一晶体管t1的有源图案a1的沟道c1的界面上或接触有源图案a1的另一层的界面上捕获电荷。换句话说，施加第二扫描信号bs[i]，使得连接到第二扫描线bsli的所有像素px的第一晶体管t1可以存储电荷。这样，可以减小连接到第二扫描线bsli的像素的第一晶体管t1中的滞后偏差。通过施加高电平h的第二扫描信号bs[i]，在连接到第二扫描线bsli的像素px的第一晶体管t1的有源图案a1的沟道c1的界面上或接触有源图案a1的另一层的界面上捕获的诸如电子或空穴的电荷被去除。因此，穿过有源图案的电流可以快速地穿过有源图案，而没有被捕获的空穴的干扰，从而减少余像和闪烁。中间电平m的第二扫描信号bs[i]再次被施加，并且在连接到第二扫描线bsli的像素px的第一晶体管t1的栅电极g1与源电极s1之间的栅-源电压(vgs)的驱动范围可以增大。栅-源电压(vgs)的驱动范围宽，使得可以通过改变栅-源电压(vgs)的大小更精确地控制由有机发光元件oled发射的光的灰度。结果，可以增大显示设备的分辨率，并且可以提高显示设备的显示质量。

本发明的示例性实施例可以减小像素中的晶体管的滞后。另外，本发明的示例性实施例可以根据像素中的晶体管的有源层与栅绝缘层或有源层与缓冲层的界面的劣化来刷新被捕获的电荷。此外，本发明的示例性实施例可以减小像素的晶体管中的特性差异。

例如，根据本发明的示例性实施例的显示设备和驱动方法减少了可能由显示相同灰度的像素的不同亮度产生的瞬间余像效果。另外，根据本发明的示例性实施例的显示设备和驱动方法改善了由滞后现象引起的响应速度劣化效果。此外，根据本发明的示例性实施例的显示设备和驱动方法，减少了由晶体管中的特性差异引起的污点显示。

虽然已经参考本发明的示例性实施例具体示出和描述了本发明，但是本领域技术人员应该理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行各种修改。