扫描驱动器和包括扫描驱动器的显示装置的制作方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年1月7日提交的第10-2020-0002219号韩国专利申请的优先权以及从其获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体地并入本文。
本发明的示例性实施方式涉及扫描驱动器和包括扫描驱动器的显示装置。
背景技术：
随着信息技术的发展，作为用户与信息之间的连接介质的显示装置的重要性增加了。因此，越来越多地使用着诸如液晶显示装置、有机发光显示装置和等离子显示装置的显示装置。
显示装置的多个像素中的每个发射具有与通过数据线供给的数据电压对应的亮度的光。显示装置通过从像素发射的光的组合来显示图像帧。
像素可连接到每个数据线。因此，期望的是提供扫描信号的扫描驱动器，而该扫描信号用于在多个像素之中选择待供给数据电压的像素。扫描驱动器以移位寄存器的形式来构造，以顺序地以扫描线为单元提供具有导通电平的扫描信号。
另外，当需要时，期望的是选择性地仅向期望的扫描线提供具有导通电平的扫描信号以便感测像素的驱动晶体管的迁移率信息或阈值电压信息的扫描驱动器。
技术实现要素：
本发明的示例性实施方式提供在感测时段期间不发生放电的扫描驱动器以及包括该扫描驱动器的显示装置。
本发明的示例性实施方式提供针对包括显示时段和感测时段的至少一个帧进行驱动的显示装置，该显示装置包括像素单元和扫描驱动器，其中，像素单元包括多个像素，并且扫描驱动器包括各自与多个像素中的每个、扫描线和感测线连接的多个级，其中，扫描驱动器包括第一级和第二级，其中，第一级包括连接到第一进位线的第一输出端子、连接到第一扫描线的第二输出端子以及连接到第一感测线的第三输出端子，并且第二级包括连接到第一进位线的第一输入端子、连接到第二扫描线的第四输出端子以及连接到第二感测线的第五输出端子，其中，在感测时段中，在从第四输出端子和第五输出端子分别输出具有导通电平的信号之前的预定延迟时段期间，从第一输出端子、第二输出端子和第三输出端子分别输出具有导通电平的信号。
在示例性实施方式中，显示时段可为用于通过将数据电压供给到多个像素中的每个来在屏幕上再现输入图像的时段，并且感测时段可为用于执行将黑色数据电压输入到多个像素中的每个、初始化多个像素、感测多个像素以及随后再次将黑色数据电压输入到多个像素的处理的时段。
在示例性实施方式中，预定延迟时段可为在再次输入黑色数据电压的处理之后、直到布置成彼此相邻的级的感测时段开始为止的时段，并且为六个水平时段或更多。一个水平时段可由至少一个帧中的一个帧限定。
在示例性实施方式中，在感测时段中，从第一输出端子、第二输出端子和第三输出端子分别输出具有导通电平的信号的时间可在从第四输出端子和第五输出端子分别输出具有导通电平的信号的时间的20微秒(μs)之前。
在示例性实施方式中，第二输出端子可响应于从与第一级的输入端子连接的第一扫描时钟线提供的信号而输出具有导通电平的信号，第三输出端子可响应于从与第一级的输入端子连接的第一感测时钟线提供的信号而输出具有导通电平的信号，第四输出端子可响应于从与第二级的输入端子连接的第二扫描时钟线提供的信号而输出具有导通电平的信号，并且第五输出端子可响应于从与第二级的输入端子连接的第二感测时钟线提供的信号而输出具有导通电平的信号。
在示例性实施方式中，在感测时段中，在从第四输出端子和第五输出端子分别输出具有导通电平的信号之前，第二输出端子可输出至少三次具有导通电平的信号。
在示例性实施方式中，在感测时段中，在从第二输出端子开始第一次提供具有导通电平的信号的时间至第二输出端子结束第二次提供具有导通电平的信号的时间的时段期间可保持来自第三输出端子的信号的导通电平。
在示例性实施方式中，在感测时段中，在从第四输出端子和第五输出端子分别输出具有导通电平的信号之前，来自第二输出端子的信号的导通电平可保持六个水平时段或更多时段或者20μs或更久。
在示例性实施方式中，在感测时段中，第一输出端子和第二输出端子可以相同的持续时间输出具有导通电平的信号。
在示例性实施方式中，显示装置还可包括传感器，其中，传感器通过接收线连接到多个像素中的每个，传感器根据接收到的电流或电压来测量多个像素的劣化信息。
在示例性实施方式中，劣化信息可包括驱动晶体管的迁移率信息、驱动晶体管的阈值电压信息和发光器件的劣化信息。
在示例性实施方式中，多个像素中的每个可包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和发光器件，其中，第一晶体管包括连接到第一节点的第一栅电极、连接到第一电源线的第一电极以及连接到第二节点的第二电极，第二晶体管包括连接到扫描线的第二栅电极、连接到数据线的第三电极以及连接到第一节点的第四电极，第三晶体管包括连接到感测线的第三栅电极、连接到接收线的第五电极以及连接到第二节点的第六电极，并且发光器件包括连接到第二节点的阳极以及连接到第二电源线的阴极。
在示例性实施方式中，像素单元可包括显示衬底、布置在显示衬底上的多个晶体管、布置在多个晶体管上的多个有机发光二极管、布置在多个有机发光二极管上的波长转换图案和布置在波长转换图案上的滤色片。
在示例性实施方式中，波长转换图案可包括量子点。
在示例性实施方式中，扫描驱动器可在像素单元的一个边侧处布置为氧化物半导体薄膜晶体管栅极(oxidesemiconductorthinfilmtransistorgate，osg)驱动器电路。
在示例性实施方式中，在感测时段中，分别从第四输出端子和第五输出端子输出的信号的关断电平改变为导通电平的时间与分别从第一输出端子、第二输出端子和第三输出端子输出的信号的导通电平改变为关断电平的时间一致。
在示例性实施方式中，第一级可布置在第n行上，并且第二级可布置在第n+2行上。
在示例性实施方式中，第一级和第二级中的每个可包括与第一电源线、第二电源线和第三电源线连接的输入端子。
在示例性实施方式中，第一级和第二级中的每个可包括p型晶体管。
本发明的示例性实施方式提供针对包括显示时段和感测时段的至少一个帧进行驱动的扫描驱动器，该扫描驱动器包括第一级和第二级，其中，第一级包括连接到第一进位线的第一输出端子、连接到第一扫描线的第二输出端子以及连接到第一感测线的第三输出端子，并且第二级包括连接到第一进位线的第一输入端子、连接到第二扫描线的第四输出端子以及连接到第二感测线的第五输出端子，其中，在感测时段中，在从第四输出端子和第五输出端子分别输出具有导通电平的信号之前的预定延迟时段之前，从第一输出端子、第二输出端子和第三输出端子分别输出具有导通电平的信号，其中，预定延迟时段等于或小于20μs。
附图说明
当前将在下文中参照附图对示例性实施方式进行更加全面的描述；然而，本发明可以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中所记载的示例性实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本发明将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员全面地传达示例性实施方式的范围。
图1是示出根据本发明的显示装置的示例性实施方式的示意性框图。
图2是示出根据本发明的扫描驱动器的示例性实施方式的图。
图3是示意性地示出连接到图2中所示的一个级的端子的图。
图4是示出根据本发明的级组的示例性实施方式的电路图。
图5和图6是示出在显示时段中扫描驱动器的示例性驱动方法的时序图。
图7是示出根据本发明的像素的示例性实施方式的等效电路图。
图8是示出在感测时段中扫描驱动器的示例性驱动方法的时序图。
图9是示出根据本发明的像素单元的示例性实施方式的示意性剖面图。
图10是示出根据本发明的在显示装置的感测时段中扫描驱动器的驱动方法的另一示例性实施方式的时序图。
图11是示意性地示出了根据本发明的连接到显示装置的一个级的端子的另一示例性实施方式的图。
具体实施方式
通过参照下面与附图一起详细描述的示例性实施方式，本发明的效果和特征以及实现该效果和特征的方法将是清楚的。然而，本发明不限于本文中所公开的示例性实施方式，而是可以不同的形式来实现。举例来说，仅提供示例性实施方式以使得本领域普通技术人员能完全理解本发明中的特征及其范围。
用于表示元件或层在另一元件或层上的术语“上”包括元件或层直接位于另一元件或层上的情况以及元件或层经由又一元件或层位于另一元件或层上的情况这两者。在本发明的整个描述中，横跨各种附图，相同的附图标记用于相同的元件。
尽管术语“第一”、“第二”和类似词用于描述各种部件，但是这些部件并不限于这些术语。这些术语仅用于将一个部件与其它部件区分开。因此，根据本发明的技术概念，第一部件可为第二部件，或者反之亦然。
在附图中，为了示出的清楚，尺寸可被夸大。将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，该元件可为两个元件之间的唯一元件，或者也可存在有一个或多个中间元件。在整个说明书中，相似的附图标记指示相似的元件。
考虑到有关测量和与特定数量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)，本文中所使用的“约”或者“大约”包括在针对如本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内的所陈述值和均值。例如，“约”能意味着在一个或者多个标准偏差内，或者在所陈述值的±30％、20％、10％、5％之内。
除非另有限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在本文中明确地如此限定，否则术语，诸如常用词典中限定的那些术语，应被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或者过于正式的含义来解释。
本文中参照作为理想化实施方式的示意性图示的剖面图示对示例性实施方式进行描述。就其本身而言，由例如制造技术和/或公差的结果所导致的图示的形状的变化将被预料。因此，本文中所描述的实施方式不应被解释为限于如本文中所示出的区的特定的形状，而是包括由例如通过制造而导致的形状上的偏差。在示例性实施方式中，示出或者描述为平坦的区通常可具有粗糙和/或者非线性特征。此外，示出的尖角可被圆化。因此，图中所示的区本质上是示意性的，并且它们的形状并不旨在示出区的精确形状，并不旨在限制权利要求书的范围。
在下文中，将参照附图对示例性实施方式进行描述。在整个附图中，相同的附图标记赋予到相同的元件。
图1是示出根据本发明的显示装置10的示例性实施方式的示意性框图。
参照图1，本发明的示例性实施方式中的显示装置10可包括时序控制器11、数据驱动器12、扫描驱动器13、传感器14和像素单元15。
时序控制器11可向数据驱动器12提供每帧的灰度值、控制信号和类似物。而且，时序控制器11可将时钟信号、控制信号和类似物提供给扫描驱动器13和传感器14中的每个。
数据驱动器12可通过从时序控制器11接收到的灰度值、控制信号和类似物来生成待提供给多个数据线d1、d2、d3、...和dq的数据电压。在示例性实施方式中，例如，数据驱动器12可通过时钟信号来对灰度值进行采样，并且以像素行(例如，连接到相同扫描线的像素)为单位将与灰度值对应的数据电压施加到多个数据线d1至dq。此处，q可为自然数。
扫描驱动器13可通过从时序控制器11接收时钟信号、控制信号和类似信号来生成待提供给多个扫描线sc1、sc2、...和scp的扫描信号。在示例性实施方式中，例如，扫描驱动器13可将具有导通电平的脉冲的扫描信号顺序地提供给多个扫描线sc1至scp。在示例性实施方式中，例如，扫描驱动器13可以响应于时钟信号顺序地将导通电平的脉冲传输到下一扫描级的方式来生成扫描信号。此处，p可为自然数。在示例性实施方式中，例如，扫描驱动器13可以移位寄存器的形式来构造。
而且，扫描驱动器13可生成待提供给多个感测线ss1、ss2、...和ssp的感测信号。在示例性实施方式中，例如，扫描驱动器13可将具有导通电平的脉冲的感测信号顺序地提供给多个感测线ss1至ssp。在示例性实施方式中，例如，扫描驱动器13可以响应于时钟信号顺序地将导通电平的脉冲传输到下一级的方式来生成感测信号。
然而，扫描驱动器13的操作与图5中所示的显示时段中的操作相关，并且图8中所示的感测时段中的操作将被单独描述。
在示例性实施方式中，例如，显示装置10可在各自包括显示时段和感测时段的多个帧期间被驱动。显示时段对应于用于通过将数据电压供给到每个像素pxij来在屏幕上再现输入图像的时段。感测时段对应于用于执行以下处理的时段：将黑色数据电压输入到每个像素pxij、初始化像素pxij、感测像素pxij以及随后再次将黑色数据电压输入到像素pxij。感测时段可为用于执行外部补偿的时段。
在示例性实施方式中，扫描驱动器13可通过薄膜工艺与像素pxij同步地被提供。扫描驱动器13可在像素单元15的一个边侧处布置(例如，安装)为氧化物半导体薄膜晶体管栅极(osg)驱动器电路。扫描驱动器13可包括驱动芯片(未示出)以及供驱动芯片布置(例如，安装)在其上的柔性电路板(未示出)。在另一示例性实施方式中，扫描驱动器13可以玻璃上芯片(chiponglass，cog)的方式布置在显示装置10的非显示区中。
传感器14可根据通过多个接收线r1、r2、r3、...和rq接收到的电流或电压来测量像素pxij的劣化信息。在示例性实施方式中，例如，像素pxij的劣化信息可为驱动晶体管的迁移率信息、驱动晶体管的阈值电压信息、发光器件的劣化信息等。另外，传感器14可根据通过多个接收线r1至rq接收到的电流或电压来测量依据环境而改变的像素pxij的特征信息。在示例性实施方式中，例如，传感器14可测量依据温度或湿度而改变的像素pxij的特征信息。
像素单元15包括多个像素pxij。每个像素pxij可连接到对应的数据线、对应的扫描线、对应的感测线和对应的接收线。此处，i可为等于或小于p的自然数，并且j可为等于或小于q的自然数。在示例性实施方式中，例如，像素pxij可意味着包括与第i扫描线和第j数据线连接的扫描晶体管的像素电路。每个像素pxij的驱动晶体管(参照图7中的m1)的阈值电压可通过使用外部补偿方法来补偿，并且驱动晶体管的迁移率偏差可通过使用内部补偿方法来补偿。
图2是示出根据本发明的扫描驱动器13的示例性实施方式的图。
参照图2，扫描驱动器13可包括多个级组stg(n-2)、stg(n-1)、stgn、stg(n+1)和stg(n+2)。在图2中仅示出了描述所必需的扫描驱动器13的一部分。
多个级组stg(n-2)、stg(n-1)、stgn、stg(n+1)和stg(n+2)中的每个可包括第一级和第二级。在示例性实施方式中，第一级可为奇数级，并且第二级可为偶数级。在另一示例性实施方式中，第一级可为偶数级，并且第二级可为奇数级。在示例性实施方式中，例如，级组stg(n-2)可包括第一级st(2n-5)和第二级st(2n-4)，级组stg(n-1)可包括第一级st(2n-3)和第二级st(2n-2)，级组stgn可包括第一级st(2n-1)和第二级st2n，级组stg(n+1)可包括第一级st(2n+1)和第二级st(2n+2)，并且级组stg(n+2)可包括第一级st(2n+3)和第二级st(2n+4)。此处，n可为大于2的自然数。
多个级st(2n-5)至st(2n+4)中的每个可连接到第一控制线cs1、第二控制线cs2、第三控制线cs3、第四控制线cs4、第五控制线cs5和第六控制线cs6。公共控制信号可通过第一控制线cs1、第二控制线cs2、第三控制线cs3、第四控制线cs4、第五控制线cs5和第六控制线cs6施加到多个级st(2n-5)至st(2n+4)。
多个级st(2n-5)至st(2n+4)中的每个可连接到多个扫描时钟线scck1、scck2、scck3、scck4、scck5和scck6、多个感测时钟线ssck1、ssck2、ssck3、ssck4、ssck5和ssck6以及多个进位时钟线crck1、crck2、crck3、crck4、crck5和crck6之中对应的时钟线。
在示例性实施方式中，第一级(下文中也称为“扫描级”)st(2n-5)可连接到扫描时钟线scck1、感测时钟线ssck1和进位时钟线crck1，并且第二级st(2n-4)可连接到扫描时钟线scck2、感测时钟线ssck2和进位时钟线crck2。例如，第一级st(2n-3)可连接到扫描时钟线scck3、感测时钟线ssck3和进位时钟线crck3，并且第二级st(2n-2)可连接到扫描时钟线scck4、感测时钟线ssck4和进位时钟线crck4。第一级st(2n-1)可连接到扫描时钟线scck5、感测时钟线ssck5和进位时钟线crck5，并且第二级st2n可连接到扫描时钟线scck6、感测时钟线ssck6和进位时钟线crck6。
另外，迭代地，第一级st(2n+1)可连接到扫描时钟线scck1、感测时钟线ssck1和进位时钟线crck1，并且第二级st(2n+2)可连接到扫描时钟线scck2、感测时钟线ssck2和进位时钟线crck2。第一级st(2n+3)可连接到扫描时钟线scck3、感测时钟线ssck3和进位时钟线crck3，并且第二级st(2n+4)可连接到扫描时钟线scck4、感测时钟线ssck4和进位时钟线crck4。
针对各自的扫描级st(2n-5)至st(2n+4)的输入信号被施加到第一控制线cs1至第六控制线cs6、多个扫描时钟线scck1至scck6、多个感测时钟线ssck1至ssck6以及多个进位时钟线crck1至crck6。
多个扫描级st(2n-5)至st(2n+4)中的每个可连接到多个扫描线sc(2n-5)至sc(2n+4)、多个感测线ss(2n-5)至ss(2n+4)以及多个进位线cr(2n-5)至cr(2n+4)之中对应的线。
在示例性实施方式中，例如，第一级st(2n-5)可连接到扫描线sc(2n-5)、感测线ss(2n-5)和进位线cr(2n-5)，并且第二级st(2n-4)可连接到扫描线sc(2n-4)、感测线ss(2n-4)和进位线cr(2n-4)。第一级st(2n-3)可连接到扫描线sc(2n-3)、感测线ss(2n-3)和进位线cr(2n-3)，并且第二级st(2n-2)可连接到扫描线sc(2n-2)、感测线ss(2n-2)和进位线cr(2n-2)。
由相应的多个扫描级st(2n-5)至st(2n+4)生成的输出信号被施加到多个扫描线sc(2n-5)至sc(2n+4)、多个感测线ss(2n-5)至ss(2n+4)以及多个进位线cr(2n-5)至cr(2n+4)。
图3是示意性地示出连接到图2中所示的一个级的端子的图。在图3中，为了描述的便利，示出了布置在第n行上的第n级st(n)。此处，n是大于2且小于或等于p的自然数。
参照图3，第n级st(n)可包括分别与进位线cr(n-2)、扫描时钟线scck(n)、感测时钟线ssck(n)和进位时钟线crck(n)连接的输入端子，包括分别与进位线cr(n)、扫描线sc(n)和感测线ss(n)连接的输出端子，并且还包括与电源线vss连接的输入端子。
在一些示例性实施方式中，与电源线vss连接的输入端子可包括分别与多个电源线连接的输入端子。在示例性实施方式中，例如，分别与多个电源线连接的输入端子可为与第一电源线vss1、第二电源线vss2(参照图4)和第三电源线vss3(参照图4)连接到的输入端子，而这些将在稍后进行描述。在下文中，以第n级st(n)包括与第一电源线vss1、第二电源线vss2和第三电源线vss3连接的输入端子的情况为例进行说明。
在示例性实施方式中，输出到与第n级st(n)的进位线cr(n)连接的输出端子的进位信号可被提供给第n+2级的输入端子。即，提供给与第n级st(n)的进位线cr(n-2)连接的输入端子的进位信号可为从第n-2级的输出端子提供的信号。然而，进位信号传输到的下一级的编号不受限制。
图4是示出根据本发明的级组stgn的示例性实施方式的电路图。图4中所示的每个级的电路图为图3中所示的附图可应用的示例性电路图，并且本领域中已知的另一级的电路图可应用的示例性电路图。
参照图4，示例性地示出了包括第一级st(2n-1)和第二级st2n的级组stgn。图2中所示的其它级组可构造为与图4中所示的级组stgn基本上相同，并且因此，将省略重复描述。
在图4的附图中，假设并描述了用n型晶体管(例如，n型金属氧化物半导体(n-typemetal-oxide-semiconductor，nmos)晶体管)实现晶体管的情况，但是本领域技术人员可通过用p型晶体管(例如，p型金属氧化物半导体(p-typemetal-oxide-semiconductor，pmos)晶体管)来代替多个晶体管中的一些或全部来实现该级组stgn。
第一晶体管t1的第一电极可连接到扫描线sc(2n-1)，第一晶体管t1的第二电极可连接到扫描时钟线scck5，并且第一晶体管t1的栅电极可连接到第三节点n3。
第二晶体管t2的第一电极可连接到感测线ss(2n-1)，第二晶体管t2的第二电极可连接到感测时钟线ssck5，并且第二晶体管t2的栅电极可连接到第三节点n3。
第三晶体管t3的第一电极可连接到感测线ss2n，第三晶体管t3的第二电极可连接到感测时钟线ssck6，并且第三晶体管t3的栅电极可连接到第四节点n4。
第四晶体管t4的第一电极可连接到扫描线sc2n，第四晶体管t4的第二电极可连接到扫描时钟线scck6，并且第四晶体管t4的栅电极可连接到第四节点n4。
第五晶体管t5的第一电极可连接到第一电源线vss1，第五晶体管t5的第二电极可连接到第一晶体管t1的第一电极，并且第五晶体管t5的栅电极可连接到第一节点n1。
第六晶体管t6的第一电极可连接到第一电源线vss1，第六晶体管t6的第二电极可连接到第三晶体管t3的第一电极，并且第六晶体管t6的栅电极可连接到第一节点n1。
第七晶体管t7的第一电极可连接到第一电源线vss1，第七晶体管t7的第二电极可连接到第一晶体管t1，并且第七晶体管t7的栅电极可连接到第二节点n2。
第八晶体管t8的第一电极可连接到第一电源线vss1，第八晶体管t8的第二电极可连接到第三晶体管t3的第一电极，并且第八晶体管t8的栅电极可连接到第二节点n2。
第九晶体管t9的第一电极可连接到第一电源线vss1，第九晶体管t9的第二电极可连接到第二晶体管t2的第一电极，并且第九晶体管t9的栅电极可连接到第一节点n1。
第十晶体管t10的第一电极可连接到第一电源线vss1，第十晶体管t10的第二电极可连接到第四晶体管t4的第一电极，并且第十晶体管t10的栅电极可连接到第一节点n1。
第十一晶体管t11的第一电极可连接到第一电源线vss1，第十一晶体管t11的第二电极可连接到第二晶体管t2的第一电极，并且第十一晶体管t11的栅电极可连接到第二节点n2。
第十二晶体管t12的第一电极可连接到第一电源线vss1，第十二晶体管t12的第二电极可连接到第四晶体管t4的第一电极，并且第十二晶体管t12的栅电极可连接到第二节点n2。
第十三晶体管t13的第一电极可连接到进位线cr(2n-1)，第十三晶体管t13的第二电极可连接到进位时钟线crck5，并且第十三晶体管t13的栅电极可连接到第三节点n3。
第十四晶体管t14的第一电极可连接到第二电源线vss2，第十四晶体管t14的第二电极可连接到第十三晶体管t13的第一电极，并且第十四晶体管t14的栅电极可连接到第一节点n1。
第十五晶体管t15的第一电极可连接到第二电源线vss2，第十五晶体管t15的第二电极可连接到第十三晶体管t13的第一电极，并且第十五晶体管t15的栅电极可连接到第二节点n2。
第十六晶体管t16的第一电极可连接到进位线cr2n，第十六晶体管t16的第二电极可连接到进位时钟线crck6，并且第十六晶体管t16的栅电极可连接到第四节点n4。
第十七晶体管t17的第一电极可连接到第二电源线vss2，第十七晶体管t17的第二电极可连接到第十六晶体管t16的第一电极，并且第十七晶体管t17的栅电极可连接到第一节点n1。
第十八晶体管t18的第一电极可连接到第二电源线vss2，第十八晶体管t18的第二电极可连接到第十六晶体管t16的第一电极，并且第十八晶体管t18的栅电极可连接到第二节点n2。
第十九晶体管的第一电极可连接到第二电源线vss2，第十九晶体管的第二电极可连接到第三节点n3，并且第十九晶体管的栅电极可连接到第一节点n1。在一些示例性实施方式中，第十九晶体管可包括串联连接的多个子晶体管t19a和t19b。适当的中间电压被施加到第五节点n5，以使得第十九晶体管可防止因漏电极与源电极之间的过大的电压差而导致的劣化。
第二十晶体管的第一电极可连接到第二电源线vss2，第二十晶体管的第二电极可连接到第四节点n4，并且第二十晶体管的栅电极可连接到第一节点n1。在一些示例性实施方式中，第二十晶体管可包括串联连接的多个子晶体管t20a和t20b。适当的中间电压被施加到第六节点n6，以使得第二十晶体管可防止因漏电极与源电极之间的过大的电压差而导致的劣化。
第二十一晶体管t21的第一电极可连接到第一节点n1，第二十一晶体管t21的第二电极可连接到第二电源线vss2，并且第二十一晶体管t21的栅电极可连接到进位线cr(2n-4)。在一些示例性实施方式中，第二十一晶体管t21的栅电极可连接到另一进位线。
第二十二晶体管t22的第一电极可连接到第二节点n2，第二十二晶体管t22的第二电极可连接到第二电源线vss2，并且第二十二晶体管t22的栅电极可连接到进位线cr(2n-3)。在一些示例性实施方式中，第二十二晶体管t22的栅电极可连接到另一进位线。
第二十三晶体管的第一电极可连接到第二电源线vss2，第二十三晶体管的第二电极可连接到第三节点n3，并且第二十三晶体管的栅电极可连接到第二节点n2。在一些示例性实施方式中，第二十三晶体管可包括串联连接的多个子晶体管t23a和t23b。适当的中间电压被施加到第五节点n5，以使得第二十三晶体管可防止因漏电极与源电极之间的过大的电压差而导致的劣化。
第二十四晶体管的第一电极可连接到第二电源线vss2，第二十四晶体管的第二电极可连接到第四节点n4，并且第二十四晶体管的栅电极可连接到第二节点n2。在一些示例性实施方式中，第二十四晶体管可包括串联连接的多个子晶体管t24a和t24b。适当的中间电压被施加到第六节点n6，以使得第二十四晶体管可防止因漏电极与源电极之间的过大的电压差而导致的劣化。
第二十五晶体管t25的第一电极可连接到第一节点n1，第二十五晶体管t25的第二电极可连接到第二电源线vss2，并且第二十五晶体管t25的栅电极可连接到第三节点n3。
第二十六晶体管t26的第一电极可连接到第二节点n2，第二十六晶体管t26的第二电极可连接到第二电源线vss2，并且第二十六晶体管t26的栅电极可连接到第四节点n4。
第二十七晶体管t27的第一电极可连接到第三电源线vss3，第二十七晶体管t27的第二电极可连接到第三十一晶体管t31的栅电极，并且第二十七晶体管t27的栅电极可连接到第四节点n4。
第二十八晶体管t28的第一电极可连接到第三电源线vss3，第二十八晶体管t28的第二电极可连接到第三十二晶体管t32的栅电极，并且第二十八晶体管t28的栅电极可连接到第四节点n4。
第二十九晶体管t29的第一电极可连接到第三电源线vss3，第二十九晶体管t29的第二电极可连接到第三十一晶体管t31的栅电极，并且第二十九晶体管t29的栅电极可连接到第三节点n3。
第三十晶体管t30的第一电极可连接到第三电源线vss3，第三十晶体管t30的第二电极可连接到第三十二晶体管t32的栅电极，并且第三十晶体管t30的栅电极可连接到第三节点n3。
第三十一晶体管t31的第一电极可连接到第一节点n1，第三十一晶体管t31的第二电极可连接到第五控制线cs5，并且第三十一晶体管t31可包括栅电极。
第三十二晶体管t32的第一电极可连接到第二节点n2，第三十二晶体管t32的第二电极可连接到第六控制线cs6，并且第三十二晶体管t32可包括栅电极。
第三十三晶体管的第一电极可连接到第二电源线vss2，第三十三晶体管的第二电极可连接到第三节点n3，并且第三十三晶体管的栅电极可连接到进位线cr(2n+3)。在一些示例性实施方式中，第三十三晶体管可包括串联连接的多个子晶体管t33a和t33b。适当的中间电压被施加到第五节点n5，以使得第三十三晶体管可防止因漏电极与源电极之间的过大的电压差而导致的劣化。在一些示例性实施方式中，第三十三晶体管的栅电极可连接到另一进位线。
第三十四晶体管的第一电极可连接到第二电源线vss2，第三十四晶体管的第二电极可连接到第四节点n4，并且第三十四晶体管的栅电极可连接到进位线cr(2n+3)。在一些示例性实施方式中，第三十四晶体管可包括串联连接的多个子晶体管t34a和t34b。适当的中间电压被施加到第六节点n6，以使得第三十四晶体管可防止因漏电极与源电极之间的过大的电压差而导致的劣化。在一些示例性实施方式中，第三十四晶体管的栅电极可连接到另一进位线。
第三十五晶体管的第一电极可连接到第二电源线vss2，第三十五晶体管的第二电极可连接到第三节点n3，并且第三十五晶体管的栅电极可连接到第四控制线cs4。在一些示例性实施方式中，第三十五晶体管可包括串联连接的多个子晶体管t35a和t35b。适当的中间电压被施加到第五节点n5，以使得第三十五晶体管可防止因漏电极与源电极之间的过大的电压差而导致的劣化。
第三十六晶体管的第一电极可连接到第二电源线vss2，第三十六晶体管的第二电极可连接到第四节点n4，并且第三十六晶体管的栅电极可连接到第四控制线cs4。在一些示例性实施方式中，第三十六晶体管可包括串联连接的多个子晶体管t36a和t36b。适当的中间电压被施加到第六节点n6，以使得第三十六晶体管可防止因漏电极与源电极之间的过大的电压差而导致的劣化。
第三十七晶体管t37的第一电极可连接到第三十一晶体管t31的栅电极，并且第三十七晶体管t37的第二电极和栅电极可连接到第五控制线cs5。
第三十八晶体管t38的第一电极可连接到第三十二晶体管t32的栅电极，并且第三十八电极t38的第二电极和栅电极可连接到第六控制线cs6。
第三十九晶体管的第一电极可连接到第三节点n3，并且第三十九晶体管的第二电极和栅电极可连接到进位线cr(2n-4)。在一些示例性实施方式中，第三十九晶体管可包括串联连接的多个子晶体管t39a和t39b。适当的中间电压被施加到第五节点n5，以使得第三十九晶体管可防止因漏电极与源电极之间的过大的电压差而导致的劣化。在一些示例性实施方式中，第三十九晶体管的栅电极可连接到另一进位线。
第四十晶体管的第一电极可连接到第四节点n4，并且第四十晶体管的第二电极和栅电极可连接到进位线cr(2n-3)。在一些示例性实施方式中，第四十晶体管可包括串联连接的多个子晶体管t40a和t40b。适当的中间电压被施加到第六节点n6，以使得第四十晶体管可防止因漏电极与源电极之间的过大的电压差而导致的劣化。在一些示例性实施方式中，第四十晶体管的栅电极可连接到另一进位线。
第四十一晶体管t41的第一电极可连接到第五节点n5，第四十一晶体管t41的第二电极可连接到第二控制线cs2，并且第四十一晶体管t41的栅电极可连接到第三节点n3。
第四十二晶体管t42的第一电极可连接到第六节点n6，第四十二晶体管t42的第二电极可连接到第二控制线cs2，并且第四十二晶体管t42的栅电极可连接到第四节点n4。
第四十三晶体管t43的第一电极可连接到第一节点n1，第四十三晶体管t43的第二电极可连接到第四十五晶体管t45的第一电极，并且第四十三晶体管t43的栅电极可连接到第三控制线cs3。
第四十四晶体管t44的第一电极可连接到第二节点n2，第四十四晶体管t44的第二电极可连接到第四十六晶体管t46的第一电极，并且第四十四晶体管t44的栅电极可连接到第三控制线cs3。
第四十五晶体管t45的第一电极可连接到第四十三晶体管t43的第二电极，第四十五晶体管t45的第二电极可连接到第二电源线vss2，并且第四十五晶体管t45的栅电极可连接到第五十一晶体管的第一电极。
第四十六晶体管t46的第一电极可连接到第四十四晶体管t44的第二电极，第四十六晶体管t46的第二电极可连接到第二电源线vss2，并且第四十六晶体管t46的栅电极可连接到第五十二晶体管的第一电极。
第四十七晶体管t47的第一电极可连接到第四十八晶体管t48的第二电极，第四十七晶体管t47的第二电极可连接到第二控制线cs2，并且第四十七晶体管t47的栅电极可连接到第五十一晶体管的第一电极。
第四十八晶体管t48的第一电极可连接到第三节点n3，第四十八晶体管t48的第二电极可连接到第四十七晶体管t47的第一电极，并且第四十八晶体管t48的栅电极可连接到第三控制线cs3。
第四十九晶体管t49的第一电极可连接到第四节点n4，第四十九晶体管t49的第二电极可连接到第五十晶体管t50的第一电极，并且第四十九晶体管t49的栅电极可连接到第三控制线cs3。
第五十晶体管t50的第一电极可连接到第四十九晶体管t49的第二电极，第五十晶体管t50的第二电极可连接到第二控制线cs2，并且第五十晶体管t50的栅电极可连接到第五十二晶体管的第一电极。
第五十一晶体管可包括第一电极，第五十一晶体管的第二电极可连接到进位线cr(2n-3)，并且第五十一晶体管的栅电极可连接到第一控制线cs1。第五十一晶体管可包括串联连接的多个子晶体管t51a和t51b。在一些示例性实施方式中，第五十一晶体管的栅电极可连接到另一进位线。
第五十二晶体管可包括第一电极，第五十二晶体管的第二电极可连接到进位线cr(2n-3)，并且第五十二晶体管的栅电极可连接到第一控制线cs1。第五十二晶体管可包括串联连接的多个子晶体管t52a和t52b。在一些示例性实施方式中，第五十二晶体管的栅电极可连接到另一进位线。
第五十三晶体管t53的第一电极可连接到第二控制线cs2，第五十三晶体管t53的第二电极可连接到子晶体管t51b的第二电极，并且第五十三晶体管t53的栅电极可连接到子晶体管t51b的第一电极。
第五十四晶体管t54的第一电极可连接到第二控制线cs2，第五十四晶体管t54的第二电极可连接到子晶体管t52b的第二电极，并且第五十四晶体管t54的栅电极可连接到子晶体管t52b的第一电极。
第一电容器c1的第一电极可连接到第一晶体管t1的第一电极，并且第一电容器c1的第二电极可连接到第一晶体管t1的栅电极。
第二电容器c2的第一电极可连接到第二晶体管t2的第一电极，并且第二电容器c2的第二电极可连接到第二晶体管t2的栅电极。
第三电容器c3的第一电极可连接到第三晶体管t3的第一电极，并且第三电容器c3的第二电极可连接到第三晶体管t3的栅电极。
第四电容器c4的第一电极可连接到第四晶体管t4的第一电极，并且第四电容器c4的第二电极可连接到第四晶体管t4的栅电极。
第五电容器c5的第一电极可连接到第四十七晶体管t47的栅电极，并且第五电容器c5的第二电极可连接到第四十七晶体管t47的第二电极。
第六电容器c6的第一电极可连接到第五十晶体管t50的栅电极，并且第六电容器c6的第二电极可连接到第五十晶体管t50的第二电极。
图5和图6是示出在显示时段中扫描驱动器13的示例性驱动方法的时序图。
参照图5，示出了施加到第一控制线cs1、第四控制线cs4、多个扫描时钟线scck1至scck6、多个感测时钟线ssck1至ssck6、多个进位时钟线crck1至crck6、第一扫描进位线cr(2n-4)、第一感测进位线cr(2n-3)、第一扫描线sc(2n-1)、第二扫描线sc2n、第一感测线ss(2n-1)、第二感测线ss2n、第一进位线cr(2n-1)和第二进位线cr2n的信号。
在显示时段中，分别施加到与相同的扫描级连接的扫描时钟线、感测时钟线和进位时钟线的扫描时钟信号、感测时钟信号和进位时钟信号可具有相同的相位。因此，在图5中，共同地示出了多个第一时钟线scck1、ssck1和crck1的信号，共同地示出了多个第二时钟线scck2、ssck2和crck2的信号，共同地示出了多个第三时钟线scck3、ssck3和crck3的信号，共同地示出了多个第四时钟线scck4、ssck4和crck4的信号，共同地示出了多个第五时钟线scck5、ssck5和crck5的信号，并且共同地示出了多个第六时钟线scck6、ssck6和crck6的信号。
然而，参照图6，分别施加到与相同的扫描级连接的扫描时钟线、感测时钟线和进位时钟线的扫描时钟信号、感测时钟信号和进位时钟信号可具有不同的大小。在示例性实施方式中，例如，扫描时钟信号和感测时钟信号的低电平可对应于施加到第一电源线vss1的电压的大小，并且扫描时钟信号和感测时钟信号的高电平可对应于栅极导通电压von的大小。另外，进位时钟信号的低电平可对应于施加到第二电源线vss2或第三电源线vss3的电压的大小，并且进位时钟信号的高电平可对应于栅极导通电压von的大小。在示例性实施方式中，例如，施加到第一电源线vss1的电压可高于施加到第二电源线vss2或第三电源线vss3的电压。
栅极导通电压von的大小可为足以导通晶体管的大小，并且施加到第一电源线vss1、第二电源线vss2和第三电源线vss3的多个电压中的每个的大小可具有足以关断晶体管的大小。在下文中，与栅极导通电压von的大小对应的电压电平(或者具有导通电平的电压)可表示为高电平，并且与施加到第一电源线vss1、第二电源线vss2和第三电源线vss3的多个电压中的每个的大小对应的电压电平(或者具有关断电平的电压)可表示为低电平。
再次参照图5，多个第二时钟线scck2、ssck2和crck2的高电平脉冲具有比多个第一时钟线scck1、ssck1和crck1的相位延迟的相位，并且多个第二时钟线scck2、ssck2和crck2的高电平脉冲和多个第一时钟线scck1、ssck1和crck1的高电平脉冲可在时间上彼此部分地重叠。在示例性实施方式中，例如，高电平脉冲可具有两个水平时段的长度，并且重叠长度可对应于一个水平时段。这里，水平时段可由显示装置10的驱动帧(帧率)限定。当显示装置10以120赫兹(hz)驱动时，水平时段可为约3.8微秒(μs)。在下文中，尽管通过使用例如以120hz驱动显示装置10的情况描述了时段的长度，但是显示装置10的驱动频率不限于此。
相似地，多个第三时钟线scck3、ssck3和crck3的高电平脉冲具有比多个第二时钟线scck2、ssck2和crck2的高电平脉冲的相位延迟的相位，并且多个第三时钟线scck3、ssck3和crck3的高电平脉冲和多个第二时钟线scck2、ssck2和crck2的高电平脉冲可在时间上彼此部分地重叠。多个第四时钟线scck4、ssck4和crck4的高电平脉冲具有比多个第三时钟线scck3、ssck3和crck3的高电平脉冲的相位延迟的相位，并且多个第四时钟线scck4、ssck4和crck4的高电平脉冲和多个第三时钟线scck3、ssck3和crck3的高电平脉冲可在时间上彼此部分地重叠。多个第五时钟线scck5、ssck5和crck5的高电平脉冲具有比多个第四时钟线scck4、ssck4和crck4的高电平脉冲的相位延迟的相位，并且多个第五时钟线scck5、ssck5和crck5的高电平脉冲和多个第四时钟线scck4、ssck4和crck4的高电平脉冲可在时间上彼此部分地重叠。多个第六时钟线scck6、ssck6和crck6的高电平脉冲具有比多个第五时钟线scck5、ssck5和crck5的相位延迟的相位，并且多个第六时钟线scck6、ssck6和crck6的高电平脉冲和多个第五时钟线scck5、ssck5和crck5的高电平脉冲可在时间上彼此部分地重叠。另外，迭代地，多个第一时钟线scck1、ssck1和crck1的高电平脉冲具有比多个第六时钟线scck6、ssck6和crck6的高电平脉冲的相位延迟的相位，并且多个第一时钟线scck1、ssck1和crck1的高电平脉冲和多个第六时钟线scck6、ssck6和crck6的高电平脉冲可在时间上彼此部分地重叠。
在下文中，将对在显示时段中第一级st(2n-1)的操作进行描述。其它级的操作与第一级st(2n-1)的操作相似，并且因此，将省略重复描述。
首先，可将高电平脉冲施加到第四控制线cs4。因此，第三十五晶体管可被导通，并且第三节点n3的电压可被放电到低电平。
在预定时间过去之后，在时间t1处，可在进位线cr(2n-4)中生成高电平脉冲。相应地，第三十九晶体管被导通，并且第三节点n3被充电到高电平。第四十一晶体管t41可被导通，并且第五节点n5可充电到施加到第二控制线cs2的高电平电压。
接着，在时间t2处，在第一控制线cs1中生成高电平脉冲，并且因此，第五十一晶体管可被导通。由于在进位线cr(2n-3)中生成高电平脉冲，因此，高电平电压可通过第五十一晶体管充电在第五电容器c5的第一电极中。
接着，在时间t3处，在多个第五时钟线scck5、ssck5和crck5中生成高电平脉冲。因此，第三节点n3的电压可通过多个电容器c1和c2升压到高于高电平，并且高电平脉冲可输出到扫描线sc(2n-1)、感测线ss(2n-2)和进位线cr(2n-1)。
尽管第三节点n3升压，但是由于高电平电压施加到第五节点n5，因此多个子晶体管t19a、t19b、t23a、t23b、t33a、t33b、t35a、t35b、t39a和t39b的漏电极和源电极之间的电压差相对不大。因此，可防止多个子晶体管t19a、t19b、t23a、t23b、t33a、t33b、t35a、t35b、t39a和t39b的劣化。
通过相似的方式，当在多个第六时钟线scck6、ssck6和crck6中生成高电平脉冲时，高电平脉冲可从第二级st2n的扫描线sc2n、感测线ss2n和进位线cr2n输出。
虽未在图中示出，但是当通过进位线cr(2n+3)施加高电平脉冲时，第三节点n3通过第三十三晶体管连接到第二电源线vss2，并且因此，第三节点n3的电压可被放电到低电平。
另外，虽未在图中示出，但是可以预定时段为单位将高电平控制信号交替地施加到第五控制线cs5和第六控制线cs6。该预定时段的单位可对应于例如多个帧。
在示例性实施方式中，例如，在第一时段期间，高电平控制信号可施加到第五控制线cs5，并且低电平控制信号可施加到第六控制线cs6。多个晶体管t31和t37可被导通以使得第一节点n1被充电到高电平。因此，第十九晶体管可被导通以将第三节点n3放电到低电平，第十四晶体管t14可被导通以将进位线cr(2n-1)放电到低电平，第九晶体管t9可被导通以将感测线ss(2n-1)放电到低电平，并且第五晶体管t5可被导通以将扫描线sc(2n-1)放电到低电平。
另外，在第一时段之后的第二时段期间，低电平控制信号可施加到第五控制线cs5，并且高电平控制信号可施加到第六控制线cs6。多个晶体管t32和t38可被导通以使得第二节点n2被充电到高电平。因此，第二十三晶体管可被导通以将第三节点n3放电到低电平，第十五晶体管t15可被导通以将进位线cr(2n-2)放电到低电平，第十一晶体管t11可被导通以将感测线ss(2n-1)放电到低电平，并且第七晶体管t7可被导通以将扫描线sc(2n-1)放电到低电平。
关于第一时段和第二时段，不同的晶体管可用于第三节点n3、进位线cr(2n-1)、感测线ss(2n-1)和扫描线sc(2n-1)的放电。相应地，导通偏置施加到对应的晶体管的时段被缩短，从而可防止对应的晶体管的劣化。
图7是示出根据本发明的像素pxij的示例性实施方式的等效电路图。
参照图7，本发明示例性实施方式中的像素pxij可包括多个晶体管m1、m2和m3、存储电容器cst和发光器件ld。多个晶体管m1、m2和m3被示出为n型晶体管。然而，在一些示例性实施方式中，多个晶体管m1、m2和m3中的至少一些可用p型晶体管来实现。
晶体管m1的栅电极可连接到节点na，晶体管m1的第一电极可连接到电源线elvdd，并且晶体管m1的第二电极可连接到节点nb。晶体管m1也可被称为驱动晶体管。
晶体管m2的栅电极可连接到扫描线sci，晶体管m2的第一电极可连接到数据线dj，并且晶体管m2的第二电极可连接到节点na。晶体管m2也可被称为开关晶体管、扫描晶体管或类似物。
晶体管m3的栅电极可连接到感测线ssi，晶体管m3的第一电极可连接到接收线rj，并且晶体管m3的第二电极可连接到节点nb。晶体管m3也可被称为初始化晶体管、感测晶体管或类似物。
存储电容器cst的第一电极可连接到节点na，并且存储电容器cst的第二电极可连接到节点nb。
发光器件ld的阳极可连接到节点nb，并且发光器件ld的阴极可连接到电源线elvss。发光器件ld可构造为有机发光二极管、无机发光二极管、量子点(quantumdot，qd)发光二极管或类似物。
参照图5中所示的描述，在一个帧的显示时段期间，高电平脉冲可至少一次施加到扫描线sci和感测线ssi。对应的数据电压可施加到数据线dj，并且第一基准电压可施加到接收线rj。因此，在多个晶体管m2和m3处于导通状态时，存储电容器cst可存储与数据电压和第一基准电压之间的差异对应的电压。随后，尽管多个晶体管m2和m3被关断，但是存储在存储电容器cst中的电压可被保持。流过晶体管m1的驱动电流的量根据存储在存储电容器cst中的电压来确定，并且发光器件ld发射具有与驱动电流的量对应的亮度的光。
图8是示出在感测时段中扫描驱动器13的示例性驱动方法的时序图。
参照图8，示出了施加到第三控制线cs3、扫描时钟线scck5、感测时钟线ssck5、其它的时钟线othercks、多个扫描线sc(2n-1)和sc(2n+1)、多个感测线ss(2n-1)和ss(2n+1)以及多个进位线cr(2n-1)和cr(2n+1)的信号。另外，图2中所示的第一级st(2n-1)对应于相对于第一级st(2n+1)的倒数第二个级。图3中所示的输入端子和输出端子可应用于多个级st(2n-1)和st(2n+1)中的每个的输入端子和输出端子。
在时间t4处，在第三控制线cs3中可生成高电平脉冲。相应地，第四十八晶体管t48可被导通。由于第五电容器c5在时间t2至时间t3的上述时段期间处于电压被充电在第五电容器c5中的状态，因此第四十七晶体管t47可处于导通状态。相应地，施加到第二控制线cs2的高电平电压可通过多个晶体管t47和t48施加到第三节点n3。
在除了第一级st(2n-1)以外的其它第一级中，第四十七晶体管t47处于关断状态，并且因此，第三节点n3可保持低电平。
接着，在时间t5处，高电平信号可施加到扫描时钟线scck5、感测时钟线ssck5和进位时钟线crck5。因此，第三节点n3的电压可通过多个电容器c1和c2而升压，并且高电平信号可输出到扫描线sc(2n-1)、感测线ss(2n-1)和进位线cr(2n-1)。
相应地，与扫描线sc(2n-1)和感测线ss(2n-1)连接的像素的多个晶体管m2和m3可被导通。第二基准电压可施加到数据线。传感器14可根据通过多个接收线r1、r2、r3、...、rj、...和rq接收到的电流值或电压值来测量像素的劣化信息或特征信息。
而且，在时间t5处，可保持施加到进位时钟线crck5的高电平信号，并且可保持高电平信号向进位线cr(2n-1)的输出。输出到进位线cr(2n-1)的高电平信号可主要对与下一级(例如，st(2n+1)或st(2n+2))的输入端子连接的第五十二晶体管进行充电。进位时钟线crck5可在时间t5至时间t8的时段期间保持在高电平。在时间t5至时间t8的时段期间，可保持输出到进位线cr(2n-1)的高电平信号。
在除了第一级st(2n-1)以外的其它第一级中，由于第三节点n3的电压具有低电平，因此尽管高电平脉冲施加到了扫描时钟线scck5和感测时钟线ssck5，但是低电平信号也可输出到对应的扫描线和对应的感测线。
由于第二级st2n的第五十二晶体管连接到与第一级st(2n-1)相同的进位线cr(2n-3)，因此第六电容器c6可处于与第五电容器c5相同的电压充电在第六电容器c6中的状态。然而，在感测时段期间，低电平电压保持在与第二级st2n连接的扫描时钟线scck6和感测时钟线ssck6中，以使得扫描线sc(2n+1)和感测线ss(2n+1)的电压可保持低电平。
在时间t6处，高电平信号可施加到扫描时钟线scck5和感测时钟线ssck5。恰好前一数据电压可再次施加到数据线。因此，与扫描线sc(2n-1)和感测线ss(2n-1)连接的像素可再次发射具有基于该恰好的前一数据电压的灰度的光。
根据本示例性实施方式，与扫描线sc(2n-1)和感测线ss(2n-1)连接的像素在时间t5至时间t6的时段期间不发射具有基于数据电压的灰度的光，而是可在时间t6之后再次发射具有基于数据电压的灰度的光。另外，与其它扫描线和其它感测线连接的像素在感测时段期间持续地发射具有基于数据电压的灰度的光，并且因此不存在当观看者识别出帧时的问题。
在时间t7处，低电平信号可施加到扫描时钟线scck5和感测时钟线ssck5。时间t7至时间t8的时段可为在时间t7之后、直到布置成彼此相邻的级的感测时段开始为止的延迟时段。即，感测时段可包括在时间t5至时间t7的时段期间执行将黑色数据电压输入到每个像素、初始化像素、感测像素以及随后再次将黑色数据电压输入到像素的处理之后、直到布置成彼此相邻的级的感测时段开始为止的延迟时段(例如，时间t7至时间t8的时段)。在示例性实施方式中，例如，级st(2n-1)和级st2n与布置成彼此相邻的级对应，并且级st2n和级st(2n+1)与布置成彼此相邻的级对应。
在示例性实施方式中，例如，时间t7至时间t8的时段为延迟时段，并且可具有六个水平时段或更长的长度。在示例性实施方式中，例如，时间t7至时间t8的时段可为约20μs或更久。
在示例性实施方式中，恰好在时间t7至时间t8的时段结束之前，高电平信号可施加到扫描时钟线scck5和感测时钟线ssck5。在示例性实施方式中，例如，恰好在时间t7至时间t8的时段结束之前，高电平信号施加到扫描时钟线scck5和感测时钟线ssck5的时段可为六个水平时段、或者等于或小于20μs或更小。
因此，高电平信号可输出到扫描线sc(2n-1)和感测线ss(2n-1)。例如，与高电平信号施加到扫描时钟线scck5和感测时钟线ssck5的时段对应地，高电平信号输出到扫描线sc(2n-1)和感测线ss(2n-1)的时段可等于或小于六个水平时段、或者等于或小于约20μs或更小。
由于保持了高电平信号向进位线cr(2n-1)的输出，因此输出到进位线cr(2n-1)的高电平信号可对与下一级(例如，st(2n+1)或st(2n+2))的输入端子连接的第五十二晶体管进行二次充电。
尽管扫描驱动器13被布置(例如，安装)为osg驱动器电路，但是在延迟时段期间高电平信号被输出到进位线cr(2n-1)至少一次的同时，高电平信号输出到扫描线sc(2n-1)和感测线ss(2n-1)。因此，下一级可被正常地驱动。相应地，感测可靠性可得到改善。
在示例性实施方式中，输出到扫描线sc(2n-1)和感测线ss(2n-1)的高电平信号被改变为低电平信号的时间t8可与输出到扫描线sc(2n+1)和感测线ss(2n+1)的低电平信号被改变为高电平信号的时间一致。
图9是示出根据本发明的像素单元15的示例性实施方式的示意性剖面图。在本示例性实施方式中，将以有机发光二极管应用于上述发光器件ld的像素单元15为实例进行描述。
参照图9，像素单元15可包括显示衬底101、布置在显示衬底101上的多个晶体管tr1、tr2和tr3、布置在多个晶体管tr1、tr2和tr3上的多个有机发光二极管310以及布置在多个有机发光二极管310上的第一封装层400。
显示衬底101可为刚性衬底或柔性衬底。当显示衬底101为刚性衬底时，显示衬底101可为玻璃衬底、石英衬底、玻璃陶瓷衬底和结晶玻璃衬底中的一种。当显示衬底101为柔性衬底时，显示衬底101可为包括聚合物有机材料的膜衬底和塑料衬底中的一种。而且，显示衬底101可包括玻璃纤维增强塑料(fiberglassreinforcedplastic，frp)。显示衬底101可为像素单元15的下衬底。在示例性实施方式中，显示衬底101可为不透明衬底。
显示衬底101上布置有第一缓冲层201。第一缓冲层201使显示衬底101的表面平坦化，并且防止湿气或外部空气的渗透。第一缓冲层201可为无机层。第一缓冲层201可为单层或多层。
多个晶体管tr1、tr2和tr3布置在第一缓冲层201上。多个晶体管tr1、tr2和tr3中的每个可为薄膜晶体管。图中所示的多个晶体管tr1、tr2和tr3中的每个可为多个薄膜晶体管之中的驱动晶体管(例如，图6中所示的m1)。
多个晶体管tr1、tr2和tr3可包括第一晶体管tr1、第二晶体管tr2和第三晶体管tr3。可针对每个像素提供多个晶体管tr1、tr2和tr3中的一个或多个。在示例性实施方式中，例如，第一晶体管tr1可设置在红色像素中，第二晶体管tr2可设置在绿色像素中，并且第三晶体管tr3可设置在蓝色像素中。
多个晶体管tr1、tr2和tr3可分别包括多个半导体层a1、a2和a3、多个栅电极g1、g2和g3、多个源电极s1、s2和s3以及多个漏电极d1、d2和d3。具体地，多个半导体层a1、a2和a3布置在第一缓冲层201上。多个半导体层a1、a2和a3可包括非晶硅、多晶硅、低温多晶硅和有机半导体。在另一示例性实施方式中，多个半导体层a1、a2和a3中的每个可为氧化物半导体。尽管在附图中未清楚地示出，但是多个半导体层a1、a2和a3中的每个可包括沟道区以及布置在沟道区的两侧处并且掺杂有杂质的源区和漏区。
多个半导体层a1、a2和a3上方布置有栅极绝缘层211。栅极绝缘层211可为无机层。栅极绝缘层211可为单层或多层。
多个栅电极g1、g2和g3布置在栅极绝缘层211上。多个栅电极g1、g2和g3可包括具有导电性的金属材料。在示例性实施方式中，例如，多个栅电极g1、g2和g3可包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和钛(ti)。多个栅电极g1、g2和g3中的每个可为单层或多层。
多个栅电极g1、g2和g3上方布置有中间绝缘层212。中间绝缘层212可为无机层。中间绝缘层212可为单层或多层。
多个源电极s1、s2和s3以及多个漏电极d1、d2和d3布置在中间绝缘层212上。多个源电极s1、s2和s3以及多个漏电极d1、d2和d3包括具有导电性的金属材料。在示例性实施方式中，例如，多个源电极s1、s2和s3以及多个漏电极d1、d2和d3可包括铝(al)、铜(cu)、钛(ti)和钼(mo)。
多个源电极s1、s2和s3以及多个漏电极d1、d2和d3可分别通过穿透中间绝缘层212和栅极绝缘层211的接触孔电连接到多个半导体层a1、a2和a3的源区和漏区。
尽管未在附图中单独示出，但是显示装置10还可包括位于显示衬底101上的存储电容器和开关晶体管。
多个源电极s1、s2和s3、多个漏电极d1、d2和d3以及中间绝缘层212上布置有保护层220。保护层220覆盖包括多个晶体管tr1、tr2和tr3的电路。保护层220可为钝化层或平坦化层。钝化层可包括sio2、sinx等，并且平坦化层可包括诸如丙烯酸或聚酰亚胺的材料。保护层220可包括钝化层和平坦化层这两者。钝化层可布置在多个源电极s1、s2和s3、多个漏电极d1、d2和d3以及中间绝缘层212上，并且平坦化层可布置在钝化层上。保护层220的上表面可被平坦化。
多个有机发光二极管310可布置在保护层220上。如上所述，有机发光二极管310可布置在相应的像素中。
保护层220上布置有多个第一像素电极311。第一像素电极311可为布置在相应的像素中的像素电极。而且，多个第一像素电极311中的每个可为有机发光二极管310的阳极。
多个第一像素电极311可分别通过穿透保护层220的通孔电连接到布置在显示衬底101上的多个漏电极d1、d2和d3(或多个源电极s1、s2和s3)。
多个第一像素电极311可包括具有高功函数的材料。多个第一像素电极311可包括氧化铟锡(indiumtinoxide，ito)、氧化铟锌(indiumzincoxide，izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)和类似物。
在示例性实施方式中，在每个像素中，在平面图中第一像素电极311占据的面积可相同，但是本发明不限于此。
多个第一像素电极311上布置有像素限定层330。像素限定层330中可限定有暴露多个第一像素电极311中的每个的至少一部分的开口。在示例性实施方式中，在每个像素中，开口可具有不同的宽度。在示例性实施方式中，例如，红色像素的开口、绿色像素的开口和蓝色像素的开口的宽度可顺序地变窄。
像素限定层330可包括有机材料或无机材料。在示例性实施方式中，像素限定层330可包括诸如光致抗蚀剂、聚酰亚胺类树脂、丙烯酸类树脂、硅化合物和聚丙烯酸类树脂的材料。
由像素限定层330暴露的多个第一像素电极311中的每个上可布置有有机发光层320。在示例性实施方式中，例如，有机发光层320可以使第一空穴传输层(未示出)、发光层(未示出)和第一电子传输层(未示出)被顺序地布置的形式提供。在示例性实施方式中，每个像素的有机发光层320均为蓝色的有机发光层320，但是本发明不限于此。
有机发光层320上布置有第二像素电极312。第二像素电极312可为布置在整个显示衬底101上而不区分像素的公共电极。而且，第二像素电极312可为有机发光二极管310的阴极。
第二像素电极312可包括具有低功函数的材料。在示例性实施方式中，例如，第二像素电极312可包括li、ca、lif/ca、lif/al、al、mg、ag、pt、pd、ni、au、nd、ir、cr、baf2、ba或其化合物或组合物(例如，ag和mg的组合物)。第二像素电极312还可包括辅助电极。在示例性实施方式中，辅助电极可包括通过沉积材料而提供的层以及位于该层上的透明金属氧化物，例如，ito、izo、氧化锌(zno)、氧化铟锡锌(indiumtinzincoxide，itzo)等。
在示例性实施方式中，当显示装置10为顶部发射型显示装置时，用作第二像素电极312的具有低功函数的导电层可提供为薄膜，并且透明导电层(例如，ito层、izo层、氧化锌(zno)层、氧化铟(in2o3)层或类似物)可堆叠在导电层的顶部上。
在每个像素中，上述的第一像素电极311、有机发光层320和第二像素电极312可构成一个有机发光二极管310。
有机发光二极管310的元件种类和堆叠顺序不限于图中所示。
第一封装层400包括无机层和/或有机层。第一封装层400可包括多个堆叠层。第一封装层400可设置为包括顺序地堆叠在第二像素电极312上的第一无机层410、有机层420和第二无机层430的多层。
在示例性实施方式中，例如，第一无机层410和第二无机层430可包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)和氮氧化硅(sionx)中的至少一个。
在示例性实施方式中，例如，有机层420可包括环氧树脂、丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯中的至少一种。
显示装置10可包括顺序地堆叠在第一封装层400上的第二缓冲层501、黑色矩阵521、第一颜色转换滤色器、第一覆盖层511、第二颜色转换滤色器、第二覆盖层512、上涂层513、钝化层514和覆盖层550。显示装置10可包括顺序地堆叠在第一封装层400上的第二缓冲层501、钝化层514、上涂层513、第二覆盖层512、第二颜色转换滤色器、第一覆盖层511、第一颜色转换滤色器和黑色矩阵521。
第二缓冲层501布置在第一封装层400上。第二缓冲层501使第一封装层400的表面平坦化，并且防止湿气或外部空气渗透到第一封装层400中。第二缓冲层501可为无机层。第二缓冲层501可为单层或多层。在另一示例性实施方式中，第二缓冲层501可被省略。
在另一示例性实施方式中，第一封装层400与第二缓冲层501之间可布置有单独的填充材料。在又一示例性实施方式中，稍后将描述的第一封装层400的上表面和第一颜色转换滤色器的下表面可彼此直接接触。
黑色矩阵521布置在上衬底560上。黑色矩阵521可沿着像素的边界布置，并且阻挡光的透射。黑色矩阵521可与像素限定层330重叠。每个像素可被限定的开口可限定在黑色矩阵521中。
黑色矩阵521的材料不受特别限制，只要该材料可阻挡光即可。在示例性实施方式中，黑色矩阵521可包括光敏组合物、有机材料、金属材料或类似物。在示例性的实施方案中，光敏组合物可包括粘合剂树脂、聚合物单体、聚合物低聚物、颜料、分散剂等。金属材料可包括铬等。
第一颜色转换滤色器布置在上衬底560和黑色矩阵521上。第一颜色转换滤色器可与黑色矩阵521的开口重叠。
在示例性实施方式中，第一颜色转换滤色器可为滤色器540。滤色器540允许特定颜色的光选择性地穿过其透射，并且可通过吸收光来阻挡另一颜色的光的行进。穿过滤色器540的光可显示红色、绿色和蓝色的原色中的一种。然而，由穿过滤色器540的光显示的颜色不限于原色，并且光可显示青色、品红色、黄色和白色中的任一种。
在本示例性实施方式中，将以第一颜色转换滤色器包括红色的第一滤色器541、绿色的第二滤色器542和蓝色的第三滤色器543的情况为例进行描述。
第一滤色器541可布置在红色像素中。第一滤色器541允许第一颜色的光穿过其透射，并且可吸收和阻挡第二颜色的光和第三颜色的光。第一颜色可为红色，第二颜色可为绿色，并且第三颜色可为蓝色。即，第一滤色器541可为红色滤色器，并且包括红色着色剂。红色滤色器允许红色光穿过其透射，并且可吸收和阻挡绿色光和蓝色光。
第二滤色器542可布置在绿色像素中。第二滤色器542允许第二颜色的光穿过其透射，并且可吸收和阻挡第一颜色的光和第三颜色的光。即，第二滤色器542可为绿色滤色器，并且包括绿色着色剂。绿色滤色器允许绿色光穿过其透射，并且可吸收和阻挡红色光和蓝色光。
第三滤色器543可布置在蓝色像素中。第三滤色器543允许第三颜色的光穿过其透射，并且可吸收和阻挡第一颜色的光和第二颜色的光。即，第三滤色器543可为蓝色滤色器，并且包括蓝色着色剂。蓝色滤色器允许蓝色光穿过其透射，并且可吸收和阻挡红色光和绿色光。
由于滤色器吸收相当大的程度的外部光，因此即使当附加地布置有偏振片或类似物时，滤色器也可减少外部光的反射。
在示例性实施方式中，非发射区中可布置有滤色器之间的边界部分。即，滤色器之间的边界部分可与黑色矩阵521重叠。
第一覆盖层511布置在第一颜色转换滤色器上方。第一覆盖层511防止第一颜色转换滤色器或类似物因来自的外部的湿气、空气或类似物的渗透而受损。而且，第一覆盖层511防止包括在每个滤色器中的着色剂扩散到另一组分中。
在一些示例性实施方式中，第一覆盖层511可包括无机材料。在示例性实施方式中，例如，第一覆盖层511可包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅和类似物中的至少一个。
第二颜色转换滤色器和透光图案533布置在第一覆盖层511上。在示例性实施方式中，例如，第二颜色转换滤色器和透光图案533的厚度在约2μs至约20μs的范围内。
第二颜色转换滤色器可为波长转换图案530。波长转换图案530可将具有峰值波长的入射光转换成具有特定峰值波长的光并且发射经转换的光。穿过波长转换图案530的光可显示诸如红色、绿色和蓝色的三种原色中的一种。然而，由穿过波长转换图案530的光显示的颜色不限于原色，并且穿过波长转换图案530的光可显示青色、品红色、黄色和白色系列色中的任一种。
在本示例性实施方式中，将以波长转换图案530包括彼此不同的第一波长转换图案531和第二波长转换图案532的情况为例进行说明。
第一波长转换图案531可布置在红色像素中。在示例性实施方式中，例如，第一波长转换图案531可将蓝色光转换为具有在约610纳米(nm)至约650nm的范围内的波长的红色光，并且发射红色光。第一波长转换图案531可不布置在绿色像素和蓝色像素中。
第一波长转换图案531可包括第一基础树脂5311和分散在第一基础树脂5311中的第一波长转换材料5313，并且还可包括分散在第一基础树脂5311中的第一散射材料5315。
第一基础树脂5311不受特别限制，只要其为具有高透光率并且相对于第一波长转换材料5313和第一散射材料5315具有优异的色散特性的材料即可。在示例性实施方式中，例如，第一基础树脂5311可包括有机材料，诸如环氧类树脂、丙烯醛基类树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。
第一波长转换材料5313可将具有峰值波长的入射光转换成具有特定峰值波长的光。第一波长转换材料5313的实例可为qd、量子棒、荧光物质和类似物。
qd可为半导体纳米晶体材料。qd依据它们的组成和大小而具有特定的带隙，并且在吸收光之后可发射具有固有频带的光。qd的半导体纳米晶体的实例可包括基于iv族的纳米晶体、基于ii-vi族的化合物纳米晶体、基于iii-v族的化合物纳米晶体、基于iv-vi族的纳米晶体或其组合物。
在示例性实施方式中，例如，基于iv族的纳米晶体可包括二元化合物，诸如硅(si)、锗(ge)、碳化硅(sic)和硅锗(sige)。然而，本发明不限于此。
此外，ii-vi族化合物纳米晶体可包括诸如cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs、其组合物和/或类似物的二元化合物、诸如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns、其组合物和/或类似物的三元化合物以及诸如hgzntes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste、其组合物和/或类似物的四元化合物。然而，本发明不限于此。
另外，iii-v族化合物纳米晶体可包括诸如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、其组合物和/或类似物的二元化合物、诸如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、其组合物和/或类似物的三元化合物以及诸如gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb、gaalnp、其组合物和/或类似物的四元化合物。然而，本发明不限于此。
iv-vi族纳米晶体可包括诸如sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、其组合物和/或类似物的二元化合物、诸如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、其组合物和/或类似物的三元化合物以及诸如snpbsse、snpbsete、snpbste、其组合物和/或类似物的四元化合物。然而，本发明不限于此。
qd可具有包括具有上述纳米晶体的核和围绕该核的壳的核-壳结构。qd的壳可用作用于防止或减少核的化学变性以保持半导体特性的保护层和/或用作用于向qd赋予电泳特性的充电层。壳可为单层或多层结构。作为实例，金属或非金属氧化物、半导体化合物、其组合物和/或类似物可被采用为qd的壳。
在示例性实施方式中，上述金属或非金属氧化物可为诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4、nio和/或类似物的二元化合物、或者诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4、comn2o4和/或类似物的三元化合物。然而，本发明不限于此。
此外，在示例性实施方式中，例如，上述半导体化合物可包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、insb、alas、alp、alsb和/或类似物。然而，本发明不限于此。
在示例性实施方式中，例如，由第一波长转换材料5313发射的光可具有约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小的发光波长光谱的半峰全宽(fullwidthofhalfmaximum，fwhm)，从而进一步改善色纯度和色再现性。此外，由第一波长转换材料5313发射的光可在各种方向上发射，而与入射光的入射角度无关。相应地，显示装置的侧面可视性可得到改善。
从有机发光二极管310发射的光l的一部分未被第一波长转换材料5313转换成红色光，而是可通过穿过第一波长转换图案531而被发射。未被第一波长转换图案531转换但入射到第一滤色器541中的分量可被第一滤色器541阻挡。由第一波长转换图案531转换的红色光可通过穿过第一滤色器541来发射到外部。相应地，在红色像素中发射到外部的第一发射光l1可为红色光。
第一散射材料5315可具有与第一基础树脂5311的折射率不同的折射率，并且可与第一基础树脂5311形成光学界面。在示例性实施方式中，例如，第一散射材料5315可为光散射颗粒。第一散射材料5315不受特别限制，因为其包括能够散射透射光中的至少一些的材料。在示例性实施方式中，例如，第一散射材料5315可包括金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物的实例可包括氧化钛(tio2)、氧化锆(zro2)、氧化铝(al2o3)、氧化铟(in2o3)、氧化锌(zno)、氧化锡(sno2)和类似物。有机材料的实例可包括丙烯醛基类树脂、聚氨酯类树脂和类似物。第一散射材料5315可与入射光的入射方向无关地在多个方向上散射光，而基本上不转换通过第一波长转换图案531透射的光的波长。相应地，可增加通过第一波长转换图案531透射的光的路径长度，并且可改善由第一波长转换材料5313而引起的颜色转换效率。
在一些示例性实施方式中，第一波长转换图案531可具有3微米(μm)至15μm的厚度。例如，包括在第一波长转换图案531中的第一波长转换材料5313可具有10百分比(％)至60％的含量。另外，包括在第一波长转换图案531中的第一散射材料5315可具有2％至15％的含量。
第二波长转换图案532可布置在绿色像素中。在示例性实施方式中，第二波长转换图案532可将蓝色光转换为具有在约510nm至约550nm范围内的波长的绿色光，并且发射绿色光。第二波长转换图案532可不布置在红色像素和绿色像素中。
第二波长转换图案532可包括第二基础树脂5321和分散在第二基础树脂5321中的第二波长转换材料5323，并且还可包括分散在第二基础树脂5321中的第二散射材料5325。
第二基础树脂5321不受特别限制，只要其为具有高透光率并且相对于第二波长转换材料5323和第二散射材料5325具有优异的色散特性的材料即可。在示例性实施方式中，第二基础树脂5321可包括有机材料，诸如环氧类树脂、丙烯醛基类树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。
第二波长转换材料5323的实例可为qd、量子棒、荧光物质和类似物。另外，第二波长转换材料5323的详细描述与第一波长转换材料5313的详细描述基本上相同或相似，并且因此，将省略重复描述。
第一波长转换材料5313和第二波长转换材料5323均可由qd构造。构成第一波长转换材料5313的qd的直径可大于构成第二波长转换材料5323的qd的直径。在示例性实施方式中，例如，第一波长转换材料5313的qd可具有约55埃
通过第一波长转换图案531和第二波长转换图案532透射的光可处于偏振被解决的非偏振状态。非偏振光意味着未仅由在特定方向上的偏振分量构成的光，即，未仅在特定方向上偏振的光，即，由随机偏振分量构成的光。非偏振光的实例可为自然光。
第二散射材料5325可具有与第二基础树脂5321的折射率不同的折射率，并且可与第二基础树脂5321形成光学界面。另外，第二散射材料5325的详细描述与第一散射材料5315的详细描述基本上相同或相似，因此，将省略重复描述。
包括在第二波长转换图案532中的第二波长转换材料5323可具有10％至60％的含量。另外，在示例性实施方式中，例如，包括在第二波长转换图案532中的第二散射材料5325可具有2％至15％的含量。
从有机发光二极管310发射的光l的一部分未被第二波长转换材料5323转换成绿色光，而是可通过穿过第二波长转换图案532而被发射。未被第二波长转换图案532转换但入射到第二滤色器542中的分量可被第二滤色器542阻挡。由第二波长转换图案532转换的绿色光可通过穿过第二滤色器542而发射到外部。相应地，在绿色像素中发射到外部的第二发射光l2可为绿色光。
透光图案533布置在蓝色像素中，并且可不布置在红色像素和绿色像素中。透光图案533可允许入射光大致穿过其透射。
透光图案533还可包括第三基础树脂5331和分散在第三基础树脂5331中的第三散射材料5335。
第三基础树脂5331可包括具有高透光率的有机材料。第三基础树脂5331可包括与第一基础树脂5311相同的材料，或者可包括举例为构成第一基础树脂5311的材料中的至少一种。
第三散射材料5335可具有与第三基础树脂5331的折射率不同的折射率，并且可与第三基础树脂5331形成光学界面。在示例性实施方式中，例如，第三散射材料5335可为光散射颗粒。第三散射材料5335不受特别限制，因为其包括能够散射透射光中的至少一些的材料。在示例性实施方式中，例如，第三散射材料5335可为金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物的实例可为氧化钛(tio2)、氧化锆(zro2)、氧化铝(al2o3)、氧化铟(in2o3)、氧化锌(zno)、氧化锡(sno2)和类似物。有机材料的实例可为丙烯醛基类树脂、聚氨酯类树脂和类似物。第三散射材料5335可与入射光的入射方向无关地在多个方向上散射光，而基本上不转换通过透光图案533透射的光的波长。相应地，通过透光图案533透射的光的横向可视性可得到改善。
从有机发光二极管310发射的光l通过穿过透光图案533和第三滤色器543而发射到外部。即，从蓝色像素发射的第三发射光l3可具有与从有机发光二极管310发射的蓝色光相同的波长。
在平面图中第一波长转换图案531、第二波长转换图案532和透光图案533可彼此间隔开。因此，分别包括在第一波长转换图案531、第二波长转换图案532和透光图案533中的材料可不混合在一起。彼此间隔开的第一波长转换图案531、第二波长转换图案532和透光图案533之间可限定有分隔空间。
第二覆盖层512可布置在第一波长转换图案531、第二波长转换图案532和透光图案533上方。第二覆盖层512可覆盖第一波长转换图案531、第二波长转换图案532和透光图案533。第二覆盖层512可布置在第一波长转换图案531、第二波长转换图案532和透光图案533之间的分隔空间中。在分隔空间中，第二覆盖层512可与第一覆盖层511直接接触。
第二覆盖层512与第一覆盖层511一起可密封第一波长转换图案531、第二波长转换图案532和透光图案533，并且相应地，可防止第一波长转换图案531、第二波长转换图案532和透光图案533因来自外部的诸如湿气或空气的杂质的渗透而导致受损或受污染。第二覆盖层512可对应于将在后面描述的顶层。
第二覆盖层512可包括无机材料。第二覆盖层512可包括与第一覆盖层511相同的材料，或者包括在第一覆盖层511的描述中提到的材料中的至少一种。
在示例性实施方式中，例如，第二覆盖层512可具有约
上涂层513布置在第二覆盖层512上。上涂层513可起到在使第二覆盖层512平坦化的同时保护多个波长转换图案和透光图案的作用。通常，丙烯酸类环氧材料用于上涂层513，但是本发明不限于此。
钝化层514布置在上涂层513上。发射区可被钝化层514覆盖。在示例性实施方式中，钝化层514可包括无机绝缘材料，例如，氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sionx)等。
在示例性实施方式中，钝化层514上可布置有上衬底560。上衬底560可包括具有透光性的材料。上衬底560可为刚性衬底或柔性衬底。在示例性实施方式中，上衬底560可为窗构件或封装衬底。
当上衬底560为刚性衬底时，上衬底560可为玻璃衬底、石英衬底、玻璃陶瓷衬底和结晶玻璃衬底中的一种。当上衬底560为柔性衬底时，上衬底560可为包括聚合物有机材料的膜衬底和塑料衬底中的一种。而且，上衬底560可包括frp。
接着，将对本发明的另一示例性实施方式中的显示装置进行描述。在下文中，与图1至图9中所示的部件相同的部件由相同的附图标记来指定，并且将省略它们的重复描述。
图10是示出本发明的另一示例性实施方式中的显示装置的感测时段中扫描驱动器的示例性驱动方法的时序图。
参照图10，在时间t6至时间t8的时段中，可在扫描时钟线scck5和感测时钟线ssck5中保持高电平信号。因此，在时间t6至时间t8的时段中，可保持高电平信号向扫描线sc(2n-1)和感测线ss(2n-1)的输出。例如，即，高电平信号保持在扫描时钟线scck5、感测时钟线ssck5、扫描线sc(2n-1)和感测线ss(2n-1)中的时段可等于或大于六个水平时段或者等于或大于约20μs。
在示例性实施方式中，保持高电平信号向进位线cr(2n-1)和感测线ss(2n-1)的输出的时段可不小于保持高电平信号向扫描线sc(2n-1)的输出的时段。在感测时段中进位线cr(2n-1)和感测线ss(2n-1)的输出信号从高电平改变为低电平的时间可是相同的。即，高电平信号可在感测时段中同样地输出到进位线cr(2n-1)和感测线ss(2n-1)。
由于保持了高电平信号向进位线cr(2n-1)的输出，因此输出到进位线cr(2n-1)的高电平信号可对与下一级(例如，st(2n+1)或st(2n+2))的输入端子连接的第五十二晶体管进行充电。
图11是示意性地示出了根据本发明的连接到显示装置的一个级的端子的另一示例性实施方式的图。
参照图11，根据本示例性实施方式的第n级st(n)与上述实施方式的不同之处在于第n级st(n)连接到第n-6级的进位线cr(n-6)。
在示例性实施方式中，第n-6级的进位信号可传输到作为下一级的第n级st(n)。
本示例性实施方式与图1至图9中所示的示例性实施方式的不同之处在于每个级的进位信号被传输的顺序，并且图5、图6和图8中所示的示例性实施方式可应用于针对每个级在感测时段和显示时段中的驱动方法。因此，将省略重复描述。
在根据本发明的扫描驱动器和包括扫描驱动器的显示装置中，在感测时段期间不会发生放电，因此可提高感测灵敏度。
本文中已公开了示例性实施方式，并且尽管采用了特定术语，但是它们仅以一般和描述性含义来使用和解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，如随着本申请的提交而将对本领域普通技术人员显而易见的那些那样，除非另有明确指示，否则结合特定实施方式而描述的特征、特性和/或元件可单独使用或者与结合其它示例性实施方式而描述的特征、特性和/或元件组合使用。相应地，本领域技术人员将理解的是，在不背离本发明的精神和范围的情况下，可进行形式和细节上的各种改变。
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