窗和提供窗的方法与流程

窗和提供窗的方法
1.本技术要求于2020年6月30日提交的第10
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2020
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0080247号韩国专利申请的优先权以及由此产生的所有益处，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
2.本公开涉及窗和提供窗的方法。更具体地，本公开涉及包括硬涂层的电子显示设备的窗和提供窗的方法。


背景技术：

3.提供图像的、诸如显示监视器、智能电话、平板计算机等的电子装置包括显示设备和窗。显示设备产生图像，以及窗将由显示设备产生的图像传输至电子装置的外部并保护显示设备。窗具有硬度水平以保护显示设备，并且为此，窗包括硬涂层。
4.随着显示设备的技术发展，正在开发包括边缘区域的弯曲显示设备。弯曲显示设备包括具有平坦形状的前表面和在边缘区域处具有弯曲形状的侧表面。包括弯曲的侧表面的显示设备的窗保护前表面和侧表面两者。


技术实现要素：

5.一个或多个实施方式提供了在弯曲的电子设备的侧表面上包括硬涂层的窗。
6.一个或多个实施方式提供了制造或提供窗的方法，该窗具有与窗的弯曲的侧表面相对应的硬涂层。
7.实施方式提供了提供窗的方法。提供窗的方法包括：提供包括第一上表面和与第一上表面相对的第一下表面的基底基板；提供包括第二上表面和与第二上表面相对的第二下表面的保护膜；将保护膜的第二上表面可移除地附接至基底基板的第一下表面；通过移除基底基板的一部分和保护膜的一部分来提供经处理的基底基板和经处理的保护膜，以提供经处理的保护膜的暴露的上表面，经处理的保护膜的暴露的上表面在第二下表面与第二上表面之间；在经处理的基底基板的第一上表面和经处理的保护膜的暴露的上表面两者上提供第一表面保护层；以及将经处理的保护膜与经处理的基底基板分离，以提供窗，该窗可附接至电子装置的显示设备，并且包括具有第一表面保护层的经处理的基底基板。
8.移除基底基板的所述一部分和保护膜的所述一部分可包括在经处理的基底基板内限定：第一上表面的宽度，第一上表面的宽度小于第一下表面的宽度，以及侧表面，将第一上表面和第一下表面彼此连接，并且在经处理的保护膜内限定：重叠部分，与经处理的基底基板的第一下表面的宽度相对应；非重叠部分，相比于经处理的基底基板的第一下表面的宽度，非重叠部分延伸得更远，并限定经处理的保护膜的暴露的上表面；以及暴露的侧表面，将暴露的上表面连接至第二上表面。
9.提供第一表面保护层可包括：在经处理的基底基板的第一上表面和侧表面上，以及在经处理的保护膜的非重叠部分和暴露的侧表面上，提供保护层材料，并固化保护层材料。
10.提供保护层材料可包括喷涂方法或狭缝涂布方法。
11.固化保护层材料可包括热固化方法或紫外线固化方法。
12.将经处理的保护膜与经处理的基底基板分离可包括：将非重叠部分和重叠部分两者与具有第一表面保护层的经处理的基底基板分离，该非重叠部分与固化在非重叠部分上和经处理的保护膜的暴露的侧表面上的保护层材料一起分离。
13.该方法还可包括在提供第一表面保护层之后，在第一表面保护层上提供第二表面保护层，其中，相比于第一表面保护层，第二表面保护层距经处理的基底基板的第一下表面更远。
14.该方法还可包括在将经处理的保护膜与经处理的基底基板分离之后，在经处理的基底基板的第一下表面上提供第三表面保护层。
15.实施方式提供了电子装置的窗，包括：基底基板，包括与电子装置的显示设备的透射区域相对应的上表面、面对上表面的下表面、以及与显示设备的边框区域相对应并将上表面和下表面彼此连接的侧表面；以及第一表面保护层，在基底基板的上表面和侧表面上。第一表面保护层包括：第一部分，在上表面上并具有第一厚度；以及第二部分，在侧表面上并具有与第一厚度不同的第二厚度。第一厚度和第二厚度分别是相对于上表面和侧表面在法线方向上的最小距离。
16.侧表面可包括弯曲表面。
17.上表面可具有比下表面的宽度小的宽度。
18.侧表面可具有从下表面朝向上表面减小的宽度。
19.基底基板可包括聚合物树脂。
20.第一部分可具有与铅笔硬度相对应的硬度，该硬度等于或大于约8h并等于或小于约9h。
21.第二厚度与第一厚度的比率可等于或大于约0.5并小于约1。
22.第一厚度可等于或大于约20微米并等于或小于约50微米，以及第二厚度可等于或大于约10微米并等于或小于约25微米。
23.第二部分可具有从上表面朝向下表面减小的厚度。
24.窗还可包括在第一部分上的第二表面保护层。
25.窗还可包括在下表面下方的第三表面保护层。
26.第三表面保护层可具有等于或大于约1微米并等于或小于约10微米的厚度。
27.根据提供窗的方法的一个或多个实施方式，保护膜包括暴露的上表面，该暴露的上表面具有相对于基底基板与保护膜之间的附接表面的高度差，并且因此，第一表面保护层稳定地在基底基板的侧表面上。
28.另外，根据窗的一个或多个实施方式，第一表面保护层在基底基板的上表面和侧表面处具有不同的厚度，并且因此，减少或有效地防止对第一表面保护层的损坏。
附图说明
29.通过参考以下结合附图考虑的详细描述，本发明的以上和其它优点将变得显而易见，其中：
30.图1是示出电子装置的实施方式的立体图；
31.图2是示出电子装置的实施方式的分解立体图；
32.图3a是示出窗的实施方式的平面图；
33.图3b是示出窗的实施方式的剖视图；
34.图4是示出提供窗的方法的实施方式的流程图；
35.图5是示出基底基板的实施方式的剖视图；
36.图6是示出保护膜可移除地可附接至其的基底基板的实施方式的剖视图；
37.图7a是示出处理保护膜和基底基板的实施方式的流程图；
38.图7b是示出经处理的基底基板和经处理的保护膜的实施方式的剖视图；
39.图8a是示出提供第一硬涂层的实施方式的流程图；
40.图8b是示出具有第一硬涂层的经处理的基底基板和经处理的保护膜的实施方式的剖视图；
41.图9a是示出将经处理的保护膜与经处理的基底基板移除的实施方式的流程图；
42.图9b是示出经处理的保护膜与其分离的经处理的基底基板的实施方式的剖视图；
43.图10a是示出提供包括第二硬涂层的窗的方法的实施方式的流程图；
44.图10b是示出具有第二硬涂层的经处理的基底基板的实施方式的剖视图；
45.图11a是示出提供包括第三硬涂层的窗的方法的实施方式的流程图；
46.图11b是示出具有第三硬涂层的经处理的基底基板的实施方式的剖视图；
47.图12是示出具有第一硬涂层的窗的实施方式的一部分的放大剖视图；
48.图13是示出具有第二硬涂层的窗的实施方式的一部分的放大剖视图；以及
49.图14是示出具有第三硬涂层的窗的实施方式的一部分的放大剖视图。
具体实施方式
50.在本公开中，将理解的是，当元件或层被称为与另一元件相关，诸如在另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，其可直接在所述另一元件或层上、直接连接或联接至所述另一元件或层，或者可存在中间元件或层。相反，当元件或层被称为与另一元件相关，诸如“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，不存在其它元件或层或者中间元件或层。
51.现在将在下文中参考附图更全面地描述本发明，在附图中示出了各种实施方式。然而，本发明可以以许多不同的形式实现，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。确切地说，提供这些实施方式使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域中的技术人员充分传达本发明的范围。全文中，相同的标记表示相同的元件。在附图中，为了有效地描述技术内容，夸大了组件的厚度、比率和尺寸。
52.将理解的是，尽管本文中可使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域，层或部分区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
53.本文中使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，并且不旨在进行限制。如本文中所使用的，“一(a)”、“一(an)”、“该”、和“至少一个”不表示数量的限制，并且旨在包括
单数和复数两者，除非上下文另外明确指示。如本文中所使用的，单数形式“一(a)”、“一(an)”、和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指示。“至少一个”不应被解释为限制“一(a)”或“一(an)”。“或”意指“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何组合和所有组合。
54.为了便于描述，在本文中可使用空间相对术语，诸如“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等，以描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。
55.如本文中所使用的，“约”或“近似”包括所述值和如由本领域中的普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
56.除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员通常所理解的相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用字典中限定的术语)应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非本文中明确如此限定，否则将不以理想化或过于正式地意义进行解释。
57.还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括(include)”和/或“包括(including)”时，指定所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。
58.在下文中，将参照附图详细地说明电子装置ea的窗wm和提供窗wm的方法。
59.图1是示出电子装置ea的实施方式的立体图。电子装置ea可以是响应于施加至其的电信号而被激活的装置。电子装置ea可包括各种实施方式。在实施方式中，例如，电子装置ea可包括平板计算机、笔记本计算机或智能电视。在以下描述中，将描述智能电话作为电子装置ea的代表性示例。
60.电子装置ea通过透射区域ta显示图像im。图像im包括静止图像和运动图像中的至少一个。图1示出了时钟小部件和应用图标作为图像im的代表性示例。
61.透射区域ta可在平面中具有四边形的平面形状，该平面基本上平行于由彼此交叉的第一方向轴dr1(例如，第一方向)和第二方向轴dr2(例如，第二方向)限定的平面，然而，不限于此。透射区域ta可包括各种平面形状，并且不应被特别地限制。
62.边框区域bza限定为邻近于透射区域ta。在实施方式中，边框区域bza围绕透射区域ta。透射区域ta和边框区域bza可一起限定电子装置ea的前表面fs(例如，显示表面)。电子装置ea的各个层或组件可包括与上述那些特征相对应的透射区域ta和边框区域bza。
63.前表面fs的法线方向与电子装置ea的厚度方向(在下文中，称为“第三方向轴dr3”)相对应。在本公开中，每个构件的前(或上)表面和后(或下)表面相对于其中图像im被显示的方向进行限定。前表面和后表面沿着第三方向轴dr3彼此相对。
64.在下文中，第一方向、第二方向和第三方向分别由第一方向轴dr1、第二方向轴dr2和第三方向轴dr3指示，并且分配有与第一方向轴dr1、第二方向轴dr2和第三方向轴dr3相同的附图标记。由第一方向轴dr1、第二方向轴dr2和第三方向轴dr3指示的方向是相对于彼此的，并且可改变为其它方向。
65.电子装置ea可具有由窗wm和外壳hu限定的外观。电子装置ea的前表面fs可在窗wm
中限定和/或由窗wm限定。
66.图2是示出图1中的电子装置ea的分解立体图。参照图2，电子装置ea包括显示设备dd和面对显示设备dd的窗wm。显示设备dd包括偏振模块pol(例如，偏振构件或偏振层)和面对偏振模块pol的显示模块dm。窗wm、偏振模块pol和显示模块dm各自设置在平面中，该平面基本上平行于由彼此交叉的第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定的平面。窗wm、偏振模块pol和显示模块dm彼此面对，并且在基本上平行于第三方向轴dr3的方向上堆叠。
67.显示模块dm可包括显示区域da，在该显示区域da处产生和/或显示图像im，在该显示区域da处产生和/或发射光等。透射区域ta可与显示区域da相对应。显示模块dm可包括邻近于显示区域da的非显示区域nda。边框区域bza可与非显示区域nda相对应。显示模块dm还可包括焊盘区域pd和非焊盘区域npd，焊盘区域pd包括一个或多个焊盘，在该一个或多个焊盘处显示模块dm连接至外部设备(例如，电路板、柔性膜等)，非焊盘区域npd邻近于焊盘区域pd。非焊盘区域npd可包括非显示区域nda的一部分和显示区域da。
68.图3a是示出窗wm的实施方式的平面图，以及图3b是示出沿着图3a的线i
‑
i
′
截取的窗wm的剖视图。
69.参照图3a，窗wm包括第一部分pa1和第二部分pa2。第二部分pa2是设置在第一部分pa1的外部的部分。稍后将详细描述第一部分pa1和第二部分pa2。窗wm的各个层或组件可包括与上述那些特征相对应的第一部分pa1和第二部分pa2。
70.参照图3b，窗wm包括基底基板sub和设置在基底基板sub上以面对基底基板sub的硬涂层hc(例如，表面保护层)。尽管未在附图中示出，但是除了硬涂层hc之外，窗wm在基底基板sub上还可包括至少一个功能层。在实施方式中，例如，窗wm还可包括防指纹层、保护层和/或防静电层，然而，不应限于此或受此限制。设置在基底基板sub上的功能层可以以具有多个功能的单层或具有彼此不同的功能的多层来实现。窗wm可包括硬涂层hc，其不仅设置在基底基板sub的、在第三方向轴dr3上最远的上表面上，而且设置在基底基板sub的、沿着第一方向轴dr1最远的侧表面上。稍后将详细描述窗wm。
71.图4是示出提供窗wm的方法的实施方式的流程图。提供窗wm的方法包括：提供基底基板sub(s100)；可移除地附接保护膜pf(s300)；处理基底基板sub和保护膜pf(s500)；提供第一硬涂层hc1(s700)；以及移除保护膜pf(s900)。在下文中，将参考图5至图12详细地描述提供窗wm的方法。
72.图5示出了提供基底基板sub(s100)的实施方式。未经处理的基底基板sub(例如，初步基底基板)包括第一上表面ua1(例如，上表面)和第一下表面ba1(例如，下表面)，第一下表面ba1面对第一上表面ua1以沿着第三方向轴dr3与其相对。第一上表面ua1和第一下表面ba1相对于第三方向轴dr3彼此区分开。第一上表面ua1被描述为限定为在其中第三方向轴dr3延伸的方向上暴露于基底基板sub的外部的表面，以及第一下表面ba1被描述为限定为在与其中第三方向轴dr3延伸的方向相反的方向上暴露于基底基板sub的外部的表面。
73.基底基板sub包括具有透光性的聚合物树脂。基底基板sub包括聚乙烯(“pet”)、聚丙烯(“pp”)、聚酰胺(“pam”)、聚缩醛(“pom”)、聚碳酸酯(“pc”)、聚甲基丙烯酸甲酯(“pmma”)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(“pbt”)、聚碳酸酯共混物系列、纤维素、防潮玻璃纸和低折射率树脂中的至少一种。然而，基底基板sub的材料不应限于此或受此限制。
74.图6示出了附接保护膜pf(s300)的实施方式。将未经处理的保护膜pf(例如，初步
保护膜)提供在基底基板sub的第一下表面ba1上，诸如可移除地附接至基底基板sub的第一下表面ba1。保护膜pf可附接至基底基板sub并可从基底基板sub移除。保护膜pf包括第二上表面ua2和面对第二上表面ua2的第二下表面ba2。保护膜pf设置成使得保护膜pf的第二上表面ua2与基底基板sub的第一下表面ba1接触。将基底基板sub的第一下表面ba1与保护膜pf的第二上表面ua2在其处接触的表面或界面称为附接表面ca。基底基板sub和保护膜pf可沿着与由第一方向轴dr1和第二方向轴dr2限定的平面平行的平面彼此接触，以限定接触区域或附接区域。
75.图7a是示出处理基底基板sub和保护膜pf(s500)的实施方式的流程图，以及图7b示出了包括根据图7a处理的基底基板sub(例如，经处理的基底基板)和根据图7a处理的保护膜pf(例如，经处理的保护膜)的结构的实施方式。图7b中包括基底基板sub和保护膜pf的结构，包括图6中已处理的结构。图6中的基底基板sub和保护膜pf的侧表面是基本上平坦的，并且可沿着第三方向轴dr3彼此对准(例如，彼此共面)。
76.参照图7a和图7b，处理基底基板sub和保护膜pf(s500)包括处理基底基板sub(s501)和处理保护膜pf(s502)。基底基板sub和保护膜pf可一起处理。处理基底基板sub(s501)包括形成设置在第一上表面ua1与第一下表面ba1之间的侧表面sa1。侧表面sa1将第一上表面ua1和第一下表面ba1彼此连接。侧表面sa1设置成多个，设置在第一上表面ua1的相对的端部处，并且第一上表面ua1插置在它们之间。第一上表面ua1包括平坦表面，以及侧表面sa1包括弯曲表面。已处理的基底基板sub的第一上表面ua1具有第一宽度w1，第一宽度w1小于基底基板sub的第一下表面ba1的第二宽度w2。在实施方式中，第一上表面ua1和侧表面sa1沿着第一方向彼此相邻，基底基板sub的第一上表面ua1和第一下表面ba1各自具有沿着第一方向的宽度，并且第一上表面ua1的宽度w1小于第一下表面ba1的宽度w2。
77.侧表面sa1可具有沿着第一方向轴dr1的第三宽度，该第三宽度取自第一上表面ua1的一端至第一下表面ba1的对应端。已处理的基底基板sub的侧表面sa1的宽度在从第一下表面ba1至第一上表面ua1的方向上逐渐减小。
78.处理保护膜pf(s502)包括提供或形成设置在附接表面ca与已处理的保护膜pf的暴露的上表面dca之间的暴露的侧表面sa2。暴露的侧表面sa2将附接表面ca连接至暴露的上表面dca。保护膜pf的暴露的上表面dca设置为比第二上表面ua2或在基底基板sub与保护膜pf之间限定的附接表面ca更靠近第二下表面ba2。保护膜pf在暴露的侧表面sa2处的宽度可随着距暴露的上表面dca的距离减小而增加，然而，不限于此。
79.已处理的保护膜pf包括与已处理的基底基板sub重叠或相对应的重叠部分spp和与已处理的基底基板sub不重叠或不相对应的非重叠部分nspp。相比于已处理的基底基板sub的端部，非重叠部分nspp延伸得更远，即，相比于第一下表面ba1，延伸得更远。在实施方式中，经处理的保护膜包括与经处理的基底基板的第一下表面ba1的宽度相对应的重叠部分spp、比经处理的基底基板的第一下表面ba1的宽度延伸得更远的非重叠部分nspp，并且该非重叠部分nspp限定经处理的保护膜的暴露的上表面dca、以及将暴露的上表面dca连接至第二上表面ua2的暴露的侧表面sa2。
80.非重叠部分nspp设置成多个，设置在已处理的保护膜pf的相对的侧部处，并且重叠部分spp插置在它们之间。通过处理基底基板sub和保护膜pf，非重叠部分nspp暴露于基底基板sub的外部。非重叠部分nspp是保护膜pf的、相对于附接表面ca在朝向保护膜pf的第
二下表面ba2的方向上凹入的一部分。暴露的上表面dca与非重叠部分nspp的上表面相对应。
81.图8a是示出提供第一硬涂层hc1(s700)的实施方式的流程图，以及图8b是示出根据图8a处理的并向其提供了第一硬涂层hc1作为第一表面保护层的基底基板sub和保护膜pf的实施方式的剖视图。
82.参照图8a，提供第一硬涂层hc1(s700)包括提供硬涂层溶液(s701)作为保护层材料和固化硬涂层溶液(s702)。提供硬涂层溶液(s701)包括诸如通过喷涂方法或狭缝涂布方法提供硬涂层溶液。固化硬涂层溶液(s702)包括热固化工艺或紫外线固化工艺。
83.参照图8b，第一硬涂层hc1设置为与基底基板sub的上表面ua1和侧表面sa1、保护膜pf的暴露的侧表面sa2和保护膜pf的暴露的上表面dca重叠。保护膜pf的暴露的上表面dca设置成比附接表面ca更靠近保护膜pf的第二下表面ba2，并且因此，第一硬涂层hc1覆盖侧表面sa1。即，第一硬涂层hc1可具有防止窗wm由于外部冲击而被损坏的厚度。第一硬涂层hc1的厚度可在垂直于基底基板sub的上表面ua1和侧表面sa1、保护膜pf的暴露的侧表面sa2和保护膜pf的暴露的上表面dca之中的相应表面的方向上取得。
84.在实施方式中，当基底基板sub被单独地处理或与保护膜pf分开处理时，或者当暴露的上表面dca设置在保护膜pf中而不参考附接表面ca时，硬涂层溶液不被固定在弯曲表面上，并且不可能提供具有足以保护侧表面sa1的厚度的硬涂层hc。
85.相比之下，根据提供窗wm的方法的一个或多个实施方式，硬涂层溶液涂覆成从基底基板sub延伸至保护膜pf的暴露的上表面dca，以在基底基板sub的全部侧表面sa1上稳定地提供硬涂层溶液。因此，作为固化的硬涂层溶液的第一硬涂层hc1设置在作为窗wm的弯曲表面的全部侧表面sa1上。
86.第一硬涂层hc1的第一部分pa1具有在垂直于已处理的基底基板sub的方向取得的均匀厚度。第一硬涂层hc1的第二部分pa2的厚度是不均匀的，在垂直于由第一硬涂层hc1覆盖的相应表面的方向上取得。然而，本发明不应限于此或受此限制。即，第一部分pa1的厚度可以是不均匀的，以及第二部分pa2的厚度可以是均匀的。在实施方式中，第一部分pa1的厚度和第二部分pa2的厚度两者可以是均匀的或可以是不均匀的。
87.图9a是示出将经处理的保护膜与经处理的基底基板分离的实施方式的流程图，以及图9b是示出已处理的并具有第一硬涂层hc1且已处理的保护膜pf与其分离的基底基板sub的实施方式的剖视图。
88.参照图9a和图9b，移除已处理的保护膜pf(s900)包括移除非重叠部分nspp(s901)和移除重叠部分spp(s902)。在实施方式中，非重叠部分nspp诸如通过在与第三方向轴dr3相对的方向上与保护膜pf的剩余部分进行分离来移除。移除重叠部分spp可通过将保护膜pf与基底基板sub剥离来执行。保护膜pf的非重叠部分nspp可与第一硬涂层hc1的、在保护膜pf的暴露的侧表面sa2处和暴露的上表面dca处的一部分一起被移除。然而，保护膜pf的非重叠部分nspp和重叠部分spp可基本上同时从基底基板sub移除。
89.当从基底基板sub移除保护膜pf时，可提供包括设置在基底基板sub的上表面ua1和侧表面sa1上的第一硬涂层hc1的窗wm。
90.在下文中，将参考图10a和图10b描述提供窗wm
‑
1的方法。在10a和图10b中，可省略与以上参考图1至图9b提及的相同的组件的详细描述，并且将主要描述不同的特征。
91.图10a是示出提供窗wm
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1的方法的实施方式的流程图。图10b示出了其中在提供窗wm
‑
1的方法的工艺中提供作为第二表面保护层的第二硬涂层hc2的结构。
92.参照图10a和图10b，提供窗wm
‑
1的方法除了先前描述的提供窗wm的方法中的工艺之外，还包括提供第二硬涂层hc2(s800)。
93.提供第二硬涂层hc2(s800)通过在第一硬涂层hc1上提供第二硬涂层hc2来执行。即，第二硬涂层hc2面对基底基板sub，并且第一硬涂层hc1在它们之间。第二硬涂层hc2提供在第一部分pa1上。在实施方式中，相比于第一表面保护层(例如，第一硬涂层hc1)，第二表面保护层(例如，第二硬涂层hc2)距基底基板sub的第一下表面ba1更远。第二硬涂层hc2可在第一部分pa1与第二部分pa2之间的边界处终止。窗wm
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1的第一部分pa1由第二硬涂层hc2限定，第二硬涂层hc2与基底基板sub的第一上表面ua1重叠或相对应。窗wm
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1的第二部分pa2由与基底基板sub的侧表面sa1重叠或相对应的第一硬涂层hc1限定。
94.在实施方式中，通过在第一上表面ua1上两次堆叠硬涂层hc来提供第二硬涂层hc2，以确保防止窗wm
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1被损坏的硬度。图10b中的结构示出了堆叠硬涂层hc中的两个的方法，然而，本发明不限于此。在实施方式中，硬涂层hc可包括彼此堆叠的多个子涂层，或者可以以单层结构提供。
95.在沿着基底基板sub的相应位置处，第二硬涂层hc2的厚度相对小于第一硬涂层hc1的厚度。第二硬涂层hc2沿着基底基板sub具有均匀的厚度，然而，不应限于此或受此限制。在实施方式中，第二硬涂层hc2的厚度可相对大于第一硬涂层hc1的厚度，和/或第二硬涂层hc2的厚度可以是不均匀的。
96.在下文中，将参考图11a和图11b描述提供窗wm
‑
2的方法。在图11a和图11b中，可省略与参考图1至图9b提及的相同的组件的详细描述，并且将主要描述不同的特征。
97.图11a是示出提供窗wm
‑
2的方法的实施方式的流程图。图11b示出了其中在提供窗wm
‑
2的方法的工艺中提供作为第三表面保护层的第三硬涂层hc3的结构。
98.参照图11a和图11b，提供窗wm
‑
2的方法除了先前描述的提供窗wm和/或窗wm
‑
1的方法中的工艺之外，还包括提供第三硬涂层hc3(s1000)。
99.提供第三硬涂层hc3通过在基底基板sub的第一下表面ba1上提供涂层来执行。当窗wm
‑
2与显示设备dd结合时，第三硬涂层hc3减少或有效地防止了刮擦的产生。
100.第三硬涂层hc3的厚度小于第一硬涂层hc1和/或第二硬涂层hc2的厚度。第三硬涂层hc3的厚度是均匀的，然而，不应限于此或受此限制。在实施方式中，第三硬涂层hc3的厚度可与第一硬涂层hc1和/或第二硬涂层hc2的厚度相同，或大于第一硬涂层hc1和/或第二硬涂层hc2的厚度，和/或第三硬涂层hc3的厚度可以是不均匀的。
101.在下文中，将参考图9b、图10b和图11b详细描述窗wm，并且可省略与先前提到的相同的组件的详细描述。图12是示出图9b的窗wm的部分ed的实施方式的放大剖视图。在下文中，将参考图9b和图12详细描述窗wm。
102.窗wm包括基底基板sub和设置在基底基板sub上的第一硬涂层hc1。窗wm可仅包括第一硬涂层hc1，但是不限于此。
103.第一硬涂层hc1设置成与基底基板sub的第一上表面ua1和侧表面sa1重叠或相对应。第一硬涂层hc1包括与第一上表面ua1重叠并具有第一厚度t1的第一部分pa1和与侧表面sa1重叠并具有第二厚度t2的第二部分pa2。第一厚度t1和第二厚度t2分别是相对于基底
基板sub的第一上表面ua1和侧表面sa1在法线方向上的最小距离。
104.第一厚度t1大于第二厚度t2。第二厚度t2与第一厚度t1的比率等于或大于约0.5并小于约1。第一厚度t1等于或大于约20微米并等于或小于约50微米。第二厚度t2等于或大于约10微米并等于或小于约25微米。
105.当第一厚度t1小于约20微米时，不能确保保护电子装置ea的前表面fs的硬度。当第一厚度t1大于约50微米时，表面硬度增加，然而，由于第一硬涂层hc1的硬化收缩，褶皱或卷曲增加，并且发生第一硬涂层hc1的开裂或剥离。
106.在从第一部分pa1与第二部分pa2之间的边界点到第二部分pa2的端点(例如，远端)的范围内，第一硬涂层hc1的厚度可以是不均匀的。详细地，第二部分pa2的第二厚度t2在从基底基板sub的第一上表面ua1至第一下表面ba1的方向上减小。
107.第一硬涂层hc1的第一部分pa1具有与铅笔硬度相对应的、等于或大于约8h并等于或小于约9h的硬度。铅笔硬度可以是铅笔的分级尺度，其是最硬的并且不会损坏表面，是当铅笔以约45度的角度并以一定的力移动时获得的。当第一硬涂层hc1的硬度小于约8h的铅笔硬度时，不能确保为窗wm提供保护的硬度，并且难以保护显示设备dd。当第一硬涂层hc1的硬度大于约9h的铅笔硬度时，由于第一硬涂层hc1的硬化收缩，产生褶皱或卷曲，并且发生第一硬涂层hc1的开裂或剥离。
108.图13是示出图10b的窗wm
‑
1的部分ed
‑
1的实施方式的放大剖视图。在下文中，将参考图10b和图13详细描述窗wm
‑
1。
109.参照图10b和图13，基底基板sub和第一硬涂层hc1的描述与参考图9a、图9b和图12描述的基底基板sub和第一硬涂层hc1相同，并且因此，将省略其细节。因此，将主要描述图10b和图13的第二硬涂层hc2。
110.参照图10b，窗wm
‑
1包括设置在第一硬涂层hc1的第一部分pa1上的第二硬涂层hc2。第一部分pa1与其中第一硬涂层hc1与第一上表面ua1接触的一部分相对应。由于接触，因此第一硬涂层hc1和第一上表面ua1在它们之间形成界面。
111.在第一硬涂层hc1上附加地堆叠第二硬涂层hc2可限定窗wm
‑
1的硬度。在图10b和图13中，示出了堆叠两个硬涂层hc的方法，然而，不应限于此。在实施方式中，硬涂层hc可共同地包括彼此堆叠的多个子涂层，或者可以以单层结构提供。
112.参照图13，第一硬涂层hc1的第一部分pa1具有第一厚度t1，以及第二硬涂层hc2具有第三厚度t3。在图10b和图13中，第一厚度t1被示出为大于第三厚度t3，然而，不应限于此或受此限制。在实施方式中，第一厚度t1可小于第三厚度t3，或者第一厚度t1和第三厚度t3可彼此基本上相同。
113.图14是示出图11b的窗wm
‑
2的部分ed
‑
2的实施方式的放大剖视图。在下文中，将参考图11b和图14详细描述窗wm
‑
2。
114.参照图11b和图14，基底基板sub和第一硬涂层hc1的描述与参考图9a、9b和图12中描述的基底基板sub和第一硬涂层hc1相同，并且因此，将省略其细节。因此，将主要描述图11b和图14的第三硬涂层hc3。
115.参照图11b，窗wm
‑
2还包括设置在基底基板sub的第一下表面ba1上的第三硬涂层hc3。当窗wm
‑
2与显示设备dd结合时，第三硬涂层hc3减少或有效地防止了刮擦的产生。
116.第三硬涂层hc3可以是与第一硬涂层hc1不连接的硬涂层hc。图14示出了仅在基底
基板sub的第一下表面ba1上并且从基底基板sub的侧表面sa1中排除的第三硬涂层hc3，然而，不应限于此。
117.在实施方式中，第三硬涂层hc3可在基本上平行于第一方向轴dr1的方向上延伸，并且比第一下表面ba1延伸得更远，以与第一硬涂层hc1的底端表面相对应，或者第一硬涂层hc1可在基本上平行于第三方向轴dr3的方向上延伸，并且比第一下表面ba1延伸得更远，以与第三硬涂层hc3的边缘表面相对应。因此，第一硬涂层hc1和第三硬涂层hc3可彼此接触(例如，在它们之间形成界面)，以形成硬涂层hc的一个连续层。
118.第三硬涂层hc3具有均匀的第四厚度t4。第三硬涂层hc3的第四厚度t4小于第一硬涂层hc1的第一厚度t1，然而，不应限于此或受此限制。第三硬涂层hc3的第四厚度t4可以是不均匀的，或者可与第一硬涂层hc1的第一厚度t1相同或大于第一硬涂层hc1的第一厚度t1。在实施方式中，第四厚度t4可等于或大于约1微米并等于或小于约10微米。
119.如上所述，暴露的上表面dca设置为比保护膜pf与基底基板sub之间的附接表面ca更靠近第二下表面ba2。因此，提供了提供窗wm的方法，在该窗wm中，硬涂层hc保护基底基板sub的侧表面sa1。
120.由于窗wm包括设置成与侧表面sa1的全部表面重叠的硬涂层hc，因此可保护显示设备dd的、弯曲的并由窗wm的弯曲部分覆盖的侧表面部分。
121.尽管已描述了实施方式，但是应理解的是，本公开不应限于这些实施方式，而是本领域中的普通技术人员可在如所要求保护的本公开的精神和范围内进行各种改变和修改。
122.因此，所公开的主题不应限于本文中描述的任何单个实施方式，并且本发明的范围应根据所附权利要求来确定。