显示装置和提供其的方法与流程

1.实施方式涉及显示装置。更特别地，实施方式涉及包括弯曲区域的显示装置以及提供该显示装置的方法。


背景技术：

2.有机发光显示装置在没有独立光源的情况下自发光。有机发光显示装置具有减少的重量和厚度，并且具有适合于显示装置的特性。
3.有机发光显示装置的显示面板可包括包含聚合物材料或由聚合物材料形成的柔性基底基板。


技术实现要素：

4.实施方式提供了用于提供或制造显示装置的方法，该方法减少了蚀刻掩模的数量。
5.实施方式提供了包括弯曲区域的显示装置。
6.根据实施方式，提供了用于提供或制造显示装置的方法。根据该方法，在包括像素区域和弯曲区域的基底基板上提供第一无机层。在第一无机层上提供第二无机层。在像素区域中、第二无机层上提供有源图案。提供第三无机层以覆盖有源图案。在第三无机层上提供包括栅电极的第一栅金属图案。栅电极与有源图案重叠。提供第四无机层以覆盖第一栅金属图案。在像素区域中、第四无机层上提供第二栅金属图案。提供第五无机层以覆盖第二栅金属图案。在第五无机层上提供第一光致抗蚀剂图案。在弯曲区域中、第一光致抗蚀剂图案的第一开口下方蚀刻无机层中的至少一个。第一光致抗蚀剂图案被部分地去除，以形成剩余的光致抗蚀剂图案，该剩余的光致抗蚀剂图案包括对应于与弯曲区域重叠的第一开口的第一剩余开口和与有源图案的一部分重叠的第二开口。在剩余的光致抗蚀剂图案的第一剩余开口和第二开口下方蚀刻无机层中的至少一个，以形成暴露有源图案的第一接触孔，并暴露弯曲区域中的基底基板的至少一部分。
7.在实施方式中，第一无机层至第五无机层可各自包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。
8.在实施方式中，在第一光致抗蚀剂图案的第一开口下方蚀刻无机层可去除至少第五无机层、第四无机层和第三无机层。
9.在实施方式中，在第一光致抗蚀剂图案的第一开口下方蚀刻无机层可去除至少第二无机层的一部分、第五无机层、第四无机层和第三无机层。
10.在实施方式中，在第一光致抗蚀剂图案的第一开口下方蚀刻的无机层的厚度的总和可大于在剩余的光致抗蚀剂图案的第一剩余开口下方蚀刻的无机层的厚度的总和。
11.在实施方式中，在第五无机层上可提供第一源金属图案。第一源金属图案可包括源图案和传输布线。源图案可通过第一接触孔与有源图案电接触。传输布线可在弯曲区域中。
12.在实施方式中，有源图案可包括多晶硅。
13.根据实施方式，提供了用于提供或制造显示装置的方法。根据该方法，在包括像素区域和弯曲区域的基底基板上提供第一无机层。在第一无机层上提供第二无机层。在像素区域中、第二无机层上提供第一有源图案。提供第三无机层以覆盖第一有源图案。在第三无机层上提供包括栅电极的第一栅金属图案。栅电极与第一有源图案重叠。提供第四无机层以覆盖第一栅金属图案。在像素区域中、第四无机层上提供第二栅金属图案。提供第五无机层以覆盖第二栅金属图案。在像素区域中、第五无机层上提供第二有源图案。提供第六无机层以覆盖第二有源图案。在第六无机层上提供包括第二栅电极的第三栅金属图案。第二栅电极与第二有源图案重叠。提供第七无机层以覆盖第三栅金属图案。在第七无机层上提供第一光致抗蚀剂图案。在第一光致抗蚀剂图案的第一开口和第二开口下方蚀刻无机层中的至少一个。第一光致抗蚀剂图案被部分地去除以形成剩余的光致抗蚀剂图案，该剩余的光致抗蚀剂图案包括与弯曲区域重叠的第一剩余开口，与第一有源图案的一部分重叠的第二剩余开口，和与第二有源图案的一部分重叠的第三开口。在剩余的光致抗蚀剂图案的第一剩余开口、第二剩余开口和第三开口下方蚀刻无机层中的至少一个，以形成暴露有源图案的第一接触孔和暴露第二有源图案的第二接触孔。
14.根据实施方式，显示装置包括：包括像素区域和弯曲区域的基底基板，在基底基板上的隔离层，在像素区域中、隔离层上的有源图案，覆盖有源图案的第一绝缘层，在第一绝缘层上且包括与有源图案重叠的栅电极的第一栅金属图案，覆盖第一栅金属图案的第二绝缘层，在像素区域中、第二绝缘层上的第二栅金属图案，覆盖第二栅金属图案的第三绝缘层，在第三绝缘层上的源金属图案，在源金属图案上的通孔绝缘层，以及在通孔绝缘层上的有机发光二极管。弯曲区域中排除无机层。垂直堆叠的无机层的侧表面在弯曲区域的边界处彼此连接，从而提供笔直延伸的侧表面。
15.根据实施方式，可通过相同的光刻工艺去除像素区域中和弯曲区域中的无机层。因此，可去除用于单独蚀刻弯曲区域中的无机层的附加光刻工艺。
16.此外，因为无机层的堆叠结构可在弯曲区域和与弯曲区域相邻的区域之间的边界处具有笔直延伸的侧表面，而没有在横向方向上突出的突起，所以外周区域(例如，非显示区域)的尺寸可显著减少。
附图说明
17.从以下结合附图的详细描述中，将更清楚地理解实施方式。
18.图1为图示显示装置的实施方式的截面图。
19.图2为图示显示装置的实施方式的平面图。
20.图3a、图3b、图4、图5a、图5b、图6a、图6b、图7a、图7b、图8a、图8b和图8c为图示用于提供或制造显示装置的方法的实施方式的截面图。
21.图9a、图9b、图10a、图10b、图11a、图11b、图12a、图12b、图13a、图13b、图14a、图14b、图14c、图15a和15b为图示用于提供或制造显示装置的方法的实施方式的截面图。
具体实施方式
22.现将在下文参考其中示出各种实施方式的附图更充分地描述本发明。然而，本发
明可具体化为许多不同的形式，并且不应解释为限于本文阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使本公开将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。相同的附图标记通篇指相同的元件。
23.将理解，当元件被称为与另一个元件相关，例如在另一元件“上”时，它可直接在另一个元件上，或者在它们之间可以存在中间元件。相反，当元件被称为与另一个元件相关，例如“直接”在另一个元件“上”时，则不存在中间元件。
24.将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、组件、区、层和/或部分，但这些元件、组件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区、层或部分与另一个元件、组件、区、层或部分。因此，在不背离本文教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区”、“第一层”或“第一部分”可被称为第二元件、第二组件、第二区、第二层或第二部分。
25.本文使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的并且不旨在是限制性的。如本文使用的，“一个(a)”、“一种(an)”、“该(the)”和“至少一个”不表示对数量的限制，并且旨在包括单数和复数，除非上下文另外清楚地指出。例如，“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义，除非上下文另外清楚地指出。“至少一个”不应理解为限制“一个”或“一种”。“或”意指“和/或”。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任何和所有组合。将进一步理解，术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”或“包含(includes)”和/或“包含(including)”在本说明书中使用时，表明所陈述的特征、区、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其他特征、区、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
26.此外，相对术语，比如“下”或“底”和“上”或“顶”，在本文中可以用来描述如图中所图示的一个元件与另一个元件的关系。将理解，相对术语旨在涵盖除了图中描述的定向之外的装置的不同定向。例如，如果其中一幅图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧上的元件将随之被定向在其他元件的“上”侧上。因此，术语“下”可以涵盖“下”和“上”两种定向，这取决于图的特定定向。类似地，如果其中一幅图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件“下面”或“之下”的元件将随之被定向在其他元件“上面”。因此，术语“下面”或“之下”可以涵盖上面和下面的两种定向。
27.如本文使用的“约”或“近似”包括陈述值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即测量系统的限制)而确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或者在陈述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
28.除非另有限定，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。将进一步理解，术语，例如常用词典中限定的那些，应被解释为具有与它们在相关领域和本公开的语境中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文明确如此限定。
29.本文参考截面图示描述实施方式，这些截面图示是理想化的实施方式的示意图示。这样，应预料到由于例如制造技术和/或公差的造成的与图示的形状的不同。因此，本文描述的实施方式不应被解释为限于如本文图示的区的特定形状，而是要包括例如由制造造成的形状的偏差。例如，图示或描述为平坦的区通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外，
图示的锐角可以是圆形的。因此，图中图示的区本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在图示区的精确形状，并且不旨在限制本发明的范围。
30.显示装置100可被设计成包括弯曲区域ba，在该弯曲区域ba处显示装置100是可弯曲的。可以在弯曲区域ba中省略无机层，以减少或有效防止无机层由于施加到弯曲区域ba的弯曲应力而破裂。
31.下文将参考附图描述显示装置100和提供或制造显示装置100的方法。
32.图1为图示显示装置100的实施方式的截面图。图1可图示包括弯曲区域ba和连接区域ca并且折叠或弯曲的显示装置100。图2为图示显示装置100的实施方式的平面图。图2可图示在平面图中包括弯曲区域ba和连接区域ca并且展开的显示装置100。
33.参考图1和图2，显示装置100包括显示区域da和与显示区域da相邻的外周区域pa。显示区域da可包括提供为多个的像素或像素区域px(包括多个像素区域px)。在实施方式中，发光元件和电连接到发光元件的驱动元件可设置在多个像素区域px中的每一个中。在平面图中，外周区域pa可围绕显示区域da的至少一部分。
34.显示装置100可进一步包括弯曲区域ba和连接区域ca。弯曲区域ba可从外周区域pa的一侧延伸。弯曲区域ba可为显示装置100的平面区域，在该平面区域处，显示装置100及其各个层是可弯曲的。参考图1，弯曲的显示装置100可沿着显示装置100的厚度方向使弯曲区域ba向下弯曲。连接区域ca可从弯曲区域ba延伸，并且在远离显示区域da的方向上延伸。外周区域pa(例如，非显示区域)可包括连接区域ca和弯曲区域ba，但不限于此。在显示装置100的最终形式中或在用于提供显示装置100的中间结构中的各个层和元件可包括对应于上面针对显示装置100描述的那些的显示区域da、外周区域pa、弯曲区域ba和/或连接区域ca。
35.参考图1，在弯曲区域ba处弯曲的显示装置100使连接区域ca设置在显示区域da和/或外周区域pa下方。参考图2，展开的显示装置100使弯曲区域ba设置在显示区域da和连接区域ca之间。弯曲区域ba可将连接区域ca连接至外周区域pa和/或显示区域da。
36.显示装置100可在连接区域ca处电连接到驱动装置。连接焊盘pd可在连接区域ca中提供为多个，包括多个连接焊盘pd。连接焊盘pd可从显示装置100外侧接收驱动信号或电源电压。连接焊盘pd可从显示装置100外侧的驱动装置接收驱动信号或电源电压。
37.显示装置100可包括提供为多个的传输布线tl(包括多个传输布线tl)。传输布线tl可在弯曲区域ba中，并且可从弯曲区域ba延伸至连接区域ca、外周区域pa和/或显示区域da。连接焊盘pd可电连接到设置在弯曲区域ba和外周区域pa中的传输布线tl。传输布线tl可将驱动信号或电源电压传输到显示区域da中的像素区域px。在实施方式中，该方法可包括提供传输布线tl，电信号通过传输布线tl从弯曲区域ba外侧提供至像素区域px。此外，传输布线tl可将驱动信号传输到设置在外周区域pa中的驱动电路。在实施方式中，例如，传输布线tl可在弯曲区域ba中沿着第一方向dr1延伸。传输布线tl可沿着与第一方向dr1交叉的第二方向dr2布置。厚度方向可沿着与第一方向dr1和第二方向dr2中的每一个交叉的第三方向来限定。
38.图3a、图3b、图4、图5a、图5b、图6a、图6b、图7a、图7b、图8a、图8b和图8c为图示用于提供或制造显示装置100的方法的实施方式的截面图。图3a、图5a、图6a、图7a和图8a可图示显示装置100的像素区域px的实施方式的放大截面图。图3b、图4、图5b、图6b、图7b、图8b和
图8c可图示显示装置100的弯曲区域ba的实施方式的放大截面图。
39.参考图3a和图3b，隔离层112和缓冲层114提供或形成在基底基板110上。
40.基底基板110可包括至少一个聚合物膜。聚合物膜可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚酮、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚砜、聚酰亚胺或其组合。在实施方式中，例如，基底基板110可包括至少两个聚合物膜和设置在其间的无机隔离层。
41.隔离层112和缓冲层114可包括无机材料(例如，无机隔离层和无机缓冲层)。在实施方式中，例如，隔离层112和缓冲层114可各自包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合，并且可具有单层结构或多层结构。在实施方式中，隔离层112可包括氧化硅，并且缓冲层114可具有包括包含氮化硅的下层和包含氧化硅的上层的堆叠结构。
42.在缓冲层114上提供或形成有源图案ap和覆盖有源图案ap的第一绝缘层120。在第一绝缘层120上提供或形成包括第一栅电极ge1和第二栅电极ge2的第一栅金属图案。第一栅电极ge1和第二栅电极ge2可以在基底基板110上的层之中的相同的层中。由于在相同的层中，元件或特征可以是相同材料层的相应图案。关于第一栅金属图案，例如，第一栅电极ge1和第二栅电极ge2可以是相同第一栅金属层的相应部分。
43.在实施方式中，例如，有源图案ap可包括多晶体硅(多晶硅)。在实施方式中，例如，非晶硅层可提供或形成在缓冲层114上，然后结晶以提供或形成多晶硅层。
44.在实施方式中，例如，非晶硅层可通过溅射、低压化学气相沉积(“lpcvd”)或等离子体增强化学气相沉积(“pecvd”)等提供或形成。非晶硅层可通过激态复合物激光器退火(“ela”)或连续横向固化(“sls”)等来结晶。
45.多晶硅层可通过光刻等图案化，以提供或形成半导体图案。
46.半导体图案的至少一部分可掺杂有杂质。在实施方式中，半导体图案可掺杂有p型杂质，比如硼等。然而，实施方式不限于此。在实施方式中，例如，半导体图案可掺杂有n型杂质，比如磷或砷等。在实施方式中，例如，半导体图案可在不同部分中具有不同浓度的n型杂质。
47.在实施方式中，例如，在第一绝缘层120上提供或形成第一栅金属图案之后，可通过使用第一栅金属图案或在第一栅金属图案上的光致抗蚀剂图案作为掩模来掺杂半导体图案。
48.结果，半导体图案的不与第一栅金属图案重叠的一部分可掺杂有杂质以形成掺杂区。在实施方式中，例如，作为掺杂半导体图案的有源图案ap可包括与第一栅电极ge1重叠或对应的第一沟道区c1以及与第二栅电极ge2重叠或对应的第二沟道区c2。有源图案ap的掺杂部分可限定源区和漏区。在实施方式中，例如，有源图案ap可包括第一源区s1、第一漏区d1、第二源区s2和第二漏区d2，它们与第一沟道区c1和第二沟道区c2相邻。然而，实施方式不限于此。在实施方式中，例如，取决于像素区域px的像素电路的配置，有源图案ap可包括至少三个沟道区、至少三个源区和至少三个漏区。像素电路可包括栅电极、源电极和漏电极以及有源图案ap，但不限于此。在实施方式中，像素电路可从基底基板110依次包括有源图案ap、对应于有源图案ap的第一栅金属图案、以及第二栅金属图案。
49.第一绝缘层120可包括无机材料(例如，第一无机绝缘层)，并且可具有单层结构或多层结构。在实施方式中，例如，第一绝缘层120可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合。此外，第一绝缘层120可包括绝缘金属氧化物，比如氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛
或其组合。在实施方式中，第一绝缘层120可包括氧化硅。第一绝缘层120可称为第一栅绝缘层。
50.在实施方式中，例如，第一栅金属层提供或形成在第一绝缘层120上，然后被图案化以提供或形成包括第一栅电极ge1和第二栅电极ge2的第一栅金属图案。在第一栅金属图案上提供或形成第二绝缘层130。第二栅金属层提供或形成在第二绝缘层130上，然后被图案化以形成包括电容器图案cp(例如，电容器电极)的第二栅金属图案。在第二栅金属图案上提供或形成第三绝缘层140。
51.第一栅金属层和第二栅金属层可各自包括金属、金属合金、金属氮化物或导电金属氧化物等。在实施方式中，例如，第一栅金属层和第二栅金属层可各自包括金(au)、银(ag)、铝(al)、铜(cu)、镍(ni)、铂(pt)、镁(mg)、铬(cr)、钨(w)、钼(mo)、钛(ti)、钽(ta)或其合金，并且可具有单层结构或包括不同金属层的多层结构。
52.在实施方式中，例如，电容器图案cp的至少一部分可限定存储电容器的电容器电极。第二栅金属图案可进一步包括信号布线，通过该信号布线传输电信号，比如初始化信号或屏蔽图案等。
53.第二绝缘层130和第三绝缘层140可各自包括无机材料(例如，第二无机绝缘层和第三无机绝缘层)，并且可具有单层结构或多层结构。在实施方式中，例如，第二绝缘层130和第三绝缘层140可各自包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合。此外，第二绝缘层130和第三绝缘层140可各自包括绝缘金属氧化物，比如氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛或其组合。在实施方式中，第二绝缘层130可包括氮化硅，并且第三绝缘层140可包括包含氧化硅的下层和包含氮化硅的上层，上层比下层离基底基板110更远。第二绝缘层130可称为第二栅绝缘层，并且第三绝缘层140可称为第一夹层绝缘层。
54.在第三绝缘层140上提供或形成第一光致抗蚀剂图案pr1。参考图3a，第一光致抗蚀剂图案pr1可包括第一部分a1和第二部分a2，它们具有彼此不同的厚度，并且都设置在像素区域px中。在实施方式中，例如，第二部分a2可与有源图案ap的一部分重叠或对应。第一光致抗蚀剂图案pr1在第二部分a2处的第二厚度可小于在第一部分a1处的第一厚度。第一光致抗蚀剂图案pr1可包括第一部分a1和第二部分a2中的上表面，该上表面离基底基板110最远。第一光致抗蚀剂图案pr1在第二部分a2处的上表面可比在第一部分a1处的上表面更靠近基底基板110。
55.一个或多个上面提及的层可从像素区域px延伸到外周区域pa、弯曲区域ba和连接区域ca。参考图3b，结合图3a，隔离层112、缓冲层114、第一绝缘层120、第二绝缘层130和第三绝缘层140可设置在弯曲区域ba中。
56.第一光致抗蚀剂图案pr1的实心部分可以不设置在弯曲区域ba中(例如，可从弯曲区域ba中排除)。在实施方式中，例如，第一光致抗蚀剂图案pr1可包括或限定与弯曲区域ba重叠或对应的第一开口op1。因此，第三绝缘层140的上表面可在弯曲区域ba处暴露于第一光致抗蚀剂图案pr1外侧。
57.可通过使用半色调曝光提供或形成具有不同厚度的第一光致抗蚀剂图案pr1。
58.在实施方式中，隔离层112、缓冲层114、第一绝缘层120、第二绝缘层130和第三绝缘层140可分别称为第一无机层、第二无机层、第三无机层、第四无机层和第五无机层，或统称为无机层。
59.参考图4，在第一蚀刻工艺(例如，第一无机层蚀刻工艺)中，通过使用第一光致抗蚀剂图案pr1在弯曲区域ba中蚀刻无机层。在实施方式中，例如，无机层可通过干法蚀刻工艺蚀刻。可在相同时间(例如，同时)蚀刻一个或多个无机层，但不限于此。在实施方式中，该方法可包括：在第一开口op1处，通过使用第一光致抗蚀剂图案pr1作为第一掩模的第一无机层蚀刻工艺，提供弯曲区域ba中被蚀刻的无机层中的至少一个。
60.可根据需要调整蚀刻深度。在实施方式中，第三绝缘层140、第二绝缘层130和第一绝缘层120可在弯曲区域ba中被去除。然而，实施方式不限于此。去除的无机层可取决于无机层的原始厚度和蚀刻深度而变化。如与图4相关，例如，第一绝缘层120的厚度部分可通过蚀刻保留在弯曲区域ba中，或缓冲层114的厚度部分可在弯曲区域ba中被进一步去除。在实施方式中，例如，弯曲区域ba中去除的无机层的厚度的总和可为约5,000埃至约去除的厚度的总和可限定蚀刻深度。蚀刻深度可取决于随后的第二蚀刻工艺的蚀刻深度来调整。
61.参考图5a和图5b，第一光致抗蚀剂图案pr1可被部分地去除以形成剩余的光致抗蚀剂图案pr1’，如实线和虚线所示。在实施方式中，例如，第一光致抗蚀剂图案pr1的厚度部分可通过灰化工艺等完全减少。结果，可完全去除第二部分a2处的第一光致抗蚀剂图案pr1，从而提供或形成与有源图案ap的一部分重叠或对应的第二开口op2(例如，第二剩余开口)，并且将第三绝缘层140暴露于第一光致抗蚀剂图案pr1外侧。此外，剩余的光致抗蚀剂图案pr1’包括与第一光致抗蚀剂图案pr1的第一开口op1’具有基本相同的平面形状的第一开口op1’(例如，第一剩余开口)。
62.参考图6a和图6b，在第二蚀刻工艺(例如，第二无机层蚀刻工艺)中，通过使用剩余的光致抗蚀剂图案pr1’作为剩余掩模，在弯曲区域ba和像素区域px中进一步蚀刻首先蚀刻的无机层。在实施方式中，例如，无机层可通过干法蚀刻工艺来蚀刻。
63.在实施方式中，例如，可在弯曲区域ba中的第一开口op1’处去除缓冲层114和隔离层112，以使基底基板110的上表面可暴露在剩余的光致抗蚀剂图案pr1’、第三绝缘层140、第二绝缘层130、第一绝缘层120、缓冲层114和隔离层112外侧。此外，第三绝缘层140、第二绝缘层130和第一绝缘层120可在像素区域px中、第二开口op2处被去除，从而形成将有源图案ap的一部分暴露于第三绝缘层140、第二绝缘层130和第一绝缘层120外侧的第一接触孔ct1。在实施方式中，该方法可包括通过使用剩余的光致抗蚀剂图案pr1’作为剩余掩模的第二无机层蚀刻工艺，提供对应于第二开口op2并将有源图案ap的这一部分暴露于剩余的光致抗蚀剂图案pr1’外侧的接触孔，以及对应于第一剩余开口并暴露于剩余的光致抗蚀剂图案pr1’外侧的弯曲区域ba中的基底基板110的一部分。
64.在实施方式中，在第二蚀刻工艺中在弯曲区域ba中去除的无机层的厚度的总和可小于第一蚀刻工艺中在弯曲区域ba中去除的无机层的厚度的总和。在实施方式中，例如，在第二蚀刻工艺中在弯曲区域ba中去除的无机层的厚度的总和可为约至约在实施方式中，使用剩余的光致抗蚀剂图案pr1’作为剩余掩模的第二无机层蚀刻工艺包括去除第一剩余开口处的无机层厚度的总和，并且使用第一光致抗蚀剂图案pr1作为第一掩模的第一无机层蚀刻工艺包括去除大于在第一剩余开口处的无机层厚度的总和的在第一开口op1’处的无机层厚度的总和。
65.在实施方式中，可通过使用基本相同的掩模(例如，光致抗蚀剂图案的形式)在弯曲区域ba中去除无机层。因此，无机层的侧表面可在弯曲区域ba和与弯曲区域ba相邻的区域(例如，外周区域pa和连接区域ca)之间的边界处基本连续地彼此连接。因此，无机层的堆叠结构可在边界处形成笔直延伸的侧表面，而没有在横向方向上突出的突起。弯曲区域ba处的无机层的侧表面可彼此共面。弯曲区域ba处的无机层的侧表面可相对于基底基板110形成内角(例如，锥角)。在实施方式中，例如，包括无机层的共面侧表面的堆叠结构的锥角可为约70度(
°
)至约90
°
或约80
°
至约90
°
。在实施方式中，无机隔离层、第一无机绝缘层、第二无机绝缘层和第三无机绝缘层中的每一个从像素区域px延伸，以在外周区域pa中限定无机层。在弯曲区域ba中排除外周区域pa中的无机层的一部分，以限定外周区域pa中的无机层的剩余部分。外周区域pa中的无机层的剩余部分限定了无机层的侧表面，这些侧表面在与外周区域pa的剩余部形成的弯曲区域ba的边界处彼此共面并且连接。无机层的侧表面与基底基板110形成锥角。
66.参考图7a和图7b，在去除剩余的光致抗蚀剂图案pr1’后，在第三绝缘层140上提供或形成源金属图案。源金属图案可包括源图案sp(例如，源电极)和传输布线tl。源图案sp和传输布线tl可在彼此相同的层中。源图案sp可通过像素区域px中的第一接触孔ct1与有源图案ap电接触。传输布线tl可设置在弯曲区域ba中。源金属图案可进一步包括与有源图案ap的漏区电接触的漏图案，以将电信号(比如驱动电压)传输到像素区域px中的作为发光元件的发光二极管。
67.在实施方式中，源图案sp可以是传输作为电信号的电源电压的电源布线。然而，实施方式不限于此。在实施方式中，例如，源图案sp可以是传输作为电信号的数据信号的数据线，或者是传输作为电信号的源信号或源电压的连接图案。
68.在实施方式中，例如，源金属层提供或形成在第三绝缘层140上，然后被图案化以形成源金属图案。在实施方式中，例如，源金属图案可包括金属、金属合金、金属氮化物或导电金属氧化物等。在实施方式中，例如，源金属层可包括金(au)、银(ag)、铝(al)、铜(cu)、镍(ni)、铂(pt)、镁(mg)、铬(cr)、钨(w)、钼(mo)、钛(ti)、钽(ta)或其合金，并且可具有单层结构或包括不同金属层的多层结构。
69.参考图8a，提供或形成第四绝缘层150以覆盖源金属图案。在实施方式中，例如，第四绝缘层150可包括有机绝缘材料，比如酚醛树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、硅氧烷树脂或环氧树脂等。第四绝缘层150可称为通孔绝缘层或有机绝缘层。
70.在第四绝缘层150上可提供或形成有机发光二极管200的第一电极el1和像素限定层pxl。
71.第一电极el1可用作有机发光二极管200的阳极。在实施方式中，例如，第一电极el1可根据显示装置100的发射类型而提供或形成为透射电极或反射电极。当第一电极el1为透射电极时，第一电极el1可包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化铟、氧化锌或氧化锡等。当第一电极el1为反射电极时，第一电极el1可包括金(au)、银(ag)、铝(al)、铜(cu)、镍(ni)、铂(pt)、镁(mg)、铬(cr)、钨(w)、钼(mo)、钛(ti)或其组合，并且可具有堆叠结构，该堆叠结构进一步包括可用于透射电极的材料。
72.像素限定层pxl可包括或限定将第一电极el1的至少一部分暴露于像素限定层pxl的外侧的开口。在实施方式中，例如，像素限定层pxl可包括有机绝缘材料。
73.在第一电极el1上提供或形成有机发光二极管200的有机发光层ol。有机发光层ol可至少包括发射层，并且可进一步包括空穴注入层(“hil”)、空穴传输层(“htl”)、电子传输层(“etl”)和电子注入层(“eil”)中的至少一个。
74.在实施方式中，有机发光层ol可发射红光、绿光或蓝光。在实施方式中，有机发光层ol可发射白光。发射白光的有机发光层ol可具有包括红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层的多层结构，或包括红色发射材料、绿色发射材料和蓝色发射材料的组合的单层结构。
75.在实施方式中，例如，有机发光层ol可通过丝网印刷法、喷墨印刷法或真空沉积法等来提供或形成。
76.在有机发光层ol上提供或形成有机发光二极管200的第二电极el2。在实施方式中，第二电极el2可用作有机发光二极管200的阴极。在实施方式中，例如，第二电极el2可根据显示装置100的发射类型而提供或形成为透射电极或反射电极。在实施方式中，例如，当第二电极el2为反射电极时，第二电极el2可包括金属、金属合金、金属氮化物、金属氟化物、导电金属氧化物或其组合。
77.在实施方式中，例如，第二电极el2可连续延伸横跨显示区域da中的多个像素区域px。在实施方式中，在第二电极el2上可提供或形成封盖层和/或阻挡层。
78.此后，在有机发光二极管200上可提供或形成封装层210。封装层210可具有无机薄膜212和216以及有机薄膜214的堆叠结构。
79.在实施方式中，例如，有机薄膜214可包括固化的聚合物树脂，比如聚(甲基)丙烯酸酯或环氧树脂等。
80.在实施方式中，例如，无机薄膜212和216可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛或其组合。
81.参考图8b，可提供或形成填充构件fl以覆盖弯曲区域ba中的传输布线tl，并填充去除了无机层的平面区域。在实施方式中，例如，可在提供或形成第四绝缘层150的工艺中提供或形成填充构件fl，以使填充构件fl可与第四绝缘层150包括相同的材料。第四绝缘层150和填充构件fl可在彼此相同的层中。在实施方式中，可在提供或形成像素限定层pxl的工艺中提供或形成填充构件fl的至少一部分，以使填充构件fl的至少一部分可与像素限定层pxl包括相同的材料。即，填充构件fl可与像素限定层pxl在相同的层中。
82.在实施方式中，如图8c中图示，包括有机材料的填充构件fl可设置在传输布线tl下方以填充弯曲区域ba中的开口。可进一步提供或形成保护层pl以覆盖传输布线tl。在实施方式中，例如，可在单独的工艺中提供或形成填充构件fl，该单独的工艺不同于提供或形成第四绝缘层150和像素限定层pxl的工艺中的每一个。可在提供或形成第四绝缘层150或像素限定层pxl的工艺中提供或形成保护层pl。
83.在实施方式中，设置在像素区域px中和弯曲区域ba中的无机层的厚度部分可被同时去除，比如通过相同的光刻工艺。因此，可省略用于单独蚀刻弯曲区域ba中的无机层的附加光刻工艺。
84.此外，因为无机层的堆叠结构可在弯曲区域ba和与弯曲区域ba相邻的区域之间的边界处限定共面的侧表面，而没有在横向方向上突出的突起，所以外周区域pa(例如，非显示区域)的尺寸可显著减少。
85.图9a、图9b、图10a、图10b、图11a、图11b、图12a、图12b、图13a、图13b、图14a、图
14b、图14c、图15a和图15b为图示用于提供或制造显示装置100的方法的实施方式的截面图。图9a、图10a、图11a、图12a、图13a、图14a和图15a可示出显示区域da的像素区域px的放大截面图，并且图9b、图10b、图11b、图12b、图13b、图14b、图14c和图15b可示出弯曲区域ba和与其相邻的区域的放大截面图。
86.参考图9a和图9b，在基底基板110上提供或形成隔离层112和缓冲层114。
87.第一有源图案ap1和覆盖第一有源图案ap1的第一绝缘层120提供或形成在缓冲层114上。在第一绝缘层120上提供或形成包括第一栅电极ge1的第一栅金属图案。在实施方式中，第一有源图案ap1可包括多晶体硅(多晶硅)。
88.在实施方式中，例如，第一有源图案ap1可包括与第一栅电极ge1重叠的第一沟道区c1，第一源区s1和第一漏区d1。第一源区s1和第一漏区d1分别在第一沟道区c1的相对侧处与其相邻。
89.在实施方式中，第一栅金属层提供或形成在第一绝缘层120上，然后被图案化以形成包括第一栅电极ge1的第一栅金属图案。第二绝缘层132在第一栅金属图案上提供或形成。第二栅金属层提供或形成在第二绝缘层132上，然后被图案化以形成包括电容器图案cp的第二栅金属图案。
90.第二栅金属图案可进一步包括底栅图案bp。电容器图案cp和底栅图案bp可在相同的层中。底栅图案bp可与设置在底栅图案bp上的第二有源图案ap2的第二沟道区c2重叠。底栅图案bp可阻挡从第二沟道区c2的下表面进入的光，以减少或有效防止包括第二沟道区c2的驱动元件的特性的劣化。在实施方式中，例如，与施加到第二栅电极ge2的栅信号相同的电信号可施加到底栅图案bp。
91.在第二栅金属图案上提供或形成第三绝缘层134。在第三绝缘层134上提供或形成第二有源图案ap2。提供或形成第四绝缘层136以覆盖第二有源图案ap2。在第四绝缘层136上提供或形成第三栅金属图案。提供或形成第五绝缘层142以覆盖第三栅金属图案。
92.第二有源图案ap2包括金属氧化物半导体。在实施方式中，例如，第二有源图案ap2可包括两组分化合物(ab
x
)、三元化合物(ab
x
c
y
)或四组分化合物(ab
x
c
y
d
z
)，其含有铟(in)、锌(zn)、镓(ga)、锡(sn)、钛(ti)、铝(al)、铪(hf)、锆(zr)和/或镁(mg)。例如，第二有源图案ap2可包括氧化锌(zno
x
)、氧化镓(gao
x
)、氧化钛(tio
x
)、氧化锡(sno
x
)、氧化铟(ino
x
)、氧化铟镓(igo)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡(ito)、氧化镓锌(gzo)、氧化锌镁(zmo)、氧化锌锡(zto)、氧化锌锆(znzr
x
o
y
)、氧化铟镓锌(igzo)、氧化铟锌锡(izto)、氧化铟镓铪(igho)、氧化锡铝锌(tazo)或氧化铟镓锡(igto)等。
93.第三栅金属图案可包括与第二有源图案ap2的第二沟道区c2重叠或对应的第二栅电极ge2。第三栅金属图案可与第一栅金属图案或第二栅金属图案包括基本相同的材料。
94.在实施方式中，例如，在第三绝缘层134上可提供或形成氧化物半导体图案。可提供或形成第四绝缘层136以覆盖氧化物半导体图案。在第四绝缘层136上可提供或形成包括与氧化物半导体图案部分地重叠的第二栅电极ge2的第三栅金属图案。氧化物半导体图案可通过使用第二栅电极ge2或第二栅电极ge2上的光致抗蚀剂图案作为掩模来部分地掺杂，从而提供或形成第二源区s2和第二漏区d2。
95.第一绝缘层120、第二绝缘层132、第三绝缘层134、第四绝缘层136和第五绝缘层142可各自包括无机材料，并且可具有单层结构或多层结构。在实施方式中，例如，第一绝缘
层120、第二绝缘层132、第三绝缘层134、第四绝缘层136和第五绝缘层142可各自包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合。此外，第一绝缘层120、第二绝缘层132、第三绝缘层134、第四绝缘层136和第五绝缘层142可各自包括绝缘金属氧化物，比如氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛或其组合。
96.在实施方式中，第一绝缘层120可包括氧化硅。第二绝缘层132可包括氮化硅，并且第三绝缘层134可包括包含氮化硅的下层和包含氧化硅的上层。第四绝缘层136可包括氧化硅，并且第五绝缘层142可包括包含氧化硅的下层和包含氮化硅的上层。
97.在第五绝缘层142上提供或形成第一光致抗蚀剂图案pr1。参考图9a，第一光致抗蚀剂图案pr1可包括第一部分a1和第二部分a2，第一部分a1和第二部分a2具有不同的厚度并且设置在像素区域px中。在实施方式中，例如，第二部分a2可与第二有源图案ap2的一部分重叠或对应，并且第一光致抗蚀剂图案pr1在第二部分a2处的上表面距基准(比如基底基板110的上表面)的高度可小于第一光致抗蚀剂图案pr1在第一部分a1处的上表面距基准的高度。此外，第一光致抗蚀剂图案pr1可包括或限定第二开口op2，该第二开口op2与像素区域px中的第一有源图案ap1的一部分重叠或对应。
98.参考图9b，隔离层112、缓冲层114、第一绝缘层120、第二绝缘层132、第三绝缘层134、第四绝缘层136和第五绝缘层142可各自从像素区域px延伸以限定设置在弯曲区域ba中的相应延伸部分。
99.第一光致抗蚀剂图案pr1的实心部分可不设置在弯曲区域ba中。在实施方式中，例如，第一光致抗蚀剂图案pr1可包括或限定与弯曲区域ba重叠的第一开口op1。因此，第五绝缘层142的上表面可在弯曲区域ba处暴露于第一光致抗蚀剂图案pr1外侧。
100.可通过使用半色调曝光来提供或形成具有不同厚度的第一光致抗蚀剂图案pr1。
101.在实施方式中，隔离层112、缓冲层114、第一绝缘层120、第二绝缘层132、第三绝缘层134、第四绝缘层136和第五绝缘层142可分别称为第一无机层、第二无机层、第三无机层、第四无机层、第五无机层、第六无机层和第七无机层，或统称为无机层。
102.参考图10a和图10b，在第一蚀刻工艺中，通过使用第一光致抗蚀剂图案pr1作为第一掩模，在第一开口op1处的弯曲区域ba中以及在第二开口op2处的像素区域px中蚀刻无机层。在实施方式中，例如，无机层可通过干法蚀刻工艺来蚀刻。
103.可根据需要来调整蚀刻深度。在实施方式中，第五绝缘层142和第四绝缘层136的厚度部分可在第一开口op1处的弯曲区域ba中以及在第二开口op2处的像素区域px中被去除。在实施方式中，使用第一光致抗蚀剂图案pr1作为第一掩模的第一无机层蚀刻工艺可进一步提供以下两者：在第一开口op1处排除第七无机层和第六无机层的弯曲区域ba，以及在第二开口op2处被排除的第七无机层和第六无机层。然而，实施方式不限于此。
104.无机层的去除厚度部分可取决于无机层的原始厚度和/或蚀刻深度而变化。如与图10a和图10b相关，例如，第四绝缘层136的厚度部分可保留在弯曲区域ba中和像素区域px中，而不是被完全去除，或第三绝缘层134的厚度部分可在弯曲区域ba中和像素区域px中被进一步去除。在实施方式中，例如，上述第一蚀刻工艺中的无机层的去除部分的厚度的总和可为约至约蚀刻深度可取决于随后的第二蚀刻工艺的蚀刻深度来调整。
105.参考图11a和图11b，第一光致抗蚀剂图案pr1可被部分地去除以形成剩余的光致
抗蚀剂图案pr1’。在实施方式中，例如，第一光致抗蚀剂图案pr1的厚度部分可通过灰化工艺等完全减少。结果，第二部分a2处的第一光致抗蚀剂图案pr1可被完全去除，从而提供或形成第三开口op3，第三开口op3与第二有源图案ap2的一部分重叠，并且将第五绝缘层142暴露于剩余的光致抗蚀剂图案pr1’外侧。剩余的光致抗蚀剂图案pr1’可包括或限定第一开口op1’和第二开口op2’，该第一开口op1和第二开口op2与第一光致抗蚀剂图案pr1的第一开口op1和第二开口op2具有基本相同的平面形状。在实施方式中，剩余的光致抗蚀剂图案pr1’可限定对应于弯曲区域ba中的第一开口op1的第一剩余开口，对应于像素区域px中的第二开口op2的第二剩余开口，以及对应于像素区域px中的第二有源图案ap2的一部分并延伸至像素区域px中的无机层的第三开口op3’。
106.参考图12a和图12b，在第二蚀刻工艺中，通过使用剩余的光致抗蚀剂图案pr1’作为剩余掩模，在弯曲区域ba中和像素区域px中的第一开口op1’、第二开口op2’和第三开口op3’处进一步蚀刻首先被蚀刻的无机层。在实施方式中，例如，无机层可通过干法蚀刻工艺来蚀刻。
107.在实施方式中，例如，第三绝缘层134、第二绝缘层132和第一绝缘层120可在第一开口op1’处的弯曲区域ba中被完全去除，并且缓冲层114的至少一部分可被进一步去除。然而，实施方式不限于此。在实施方式中，例如，可增加蚀刻深度以进一步去除隔离层112的至少一部分。
108.此外，第三绝缘层134、第二绝缘层132和第一绝缘层120可在第二开口op2’处的像素区域px中被去除，以形成第一接触孔ct1，该第一接触孔ct1将第一有源图案ap1的一部分暴露于剩余的光致抗蚀剂图案pr1’、第五绝缘层142、第四绝缘层136、第三绝缘层134、第二绝缘层132和第一绝缘层120外侧。
109.此外，第五绝缘层142和第四绝缘层136可在第三开口op3’处的像素区域px中被去除，以形成第二接触孔ct2，该第二接触孔ct2将第二有源图案ap2的一部分暴露于剩余的光致抗蚀剂图案pr1’、第五绝缘层142和第四绝缘层136外侧。在实施方式中，该方法可进一步包括通过使用剩余的光致抗蚀剂图案pr1’作为剩余掩模的第二无机层蚀刻工艺来提供下述中的每一个：在第一剩余开口处的无机层中的至少一个，该无机层中的至少一个被蚀刻以限定弯曲区域ba中的剩余无机层；第一接触孔ct1，该第一接触孔ct1对应于第二开口op2’并将第一有源图案ap1暴露于剩余的光致抗蚀剂图案pr1’外侧；和第二接触孔ct2，该第二接触孔ct2对应于第三开口op3’并将第二有源图案ap2暴露于剩余的光致抗蚀剂图案pr1’外侧。
110.参考图13a和图13b，在去除剩余的光致抗蚀剂图案pr1’之后，在第五绝缘层142上提供或形成第一源金属图案。
111.第一源金属图案可包括第一漏图案dp1(例如，第一漏电极)、源图案sp和第二漏图案dp2(例如，第二漏电极)。第一漏图案dp1可在像素区域px中的第一接触孔ct1处或通过该第一接触孔ct1与第一有源图案ap1电接触。源图案sp和第二漏图案dp2可在像素区域px中的第二接触孔ct2处或通过第二接触孔ct2与第二有源图案ap2电接触。
112.在实施方式中，例如，第一漏图案dp1可与第一有源图案ap1的第一漏区d1电接触，以将驱动电压传输到发光二极管。在实施方式中，例如，源图案sp可传输作为电信号的源信号(比如初始化电压)。在实施方式中，例如，第二漏图案dp2可电连接到第二栅电极ge2或第
二漏区d2。
113.第一源金属图案可进一步包括第一传输图案tp1和第二传输图案tp2。第一传输图案tp1可设置在连接区域ca中。第二传输图案tp2可设置在外周区域pa中。连接区域ca中的第一传输图案tp1可将驱动信号或电源电压作为电信号传输到提供或形成在弯曲区域ba中的传输布线tl。外周区域pa中的第二传输图案tp2可将驱动信号或电源电压作为电信号从弯曲区域ba中的传输布线tl传输到显示区域da中的像素区域px。
114.在实施方式中，例如，在第五绝缘层142上提供或形成第一源金属层。在第一源金属层上提供或形成第二光致抗蚀剂图案pr2。第二光致抗蚀剂图案pr2可具有与第一源金属图案对应的平面形状。因此，第二光致抗蚀剂图案pr2可不设置在弯曲区域ba中(例如，从弯曲区域ba中排除)。
115.通过使用第二光致抗蚀剂图案pr2作为第二掩模来蚀刻第一源金属层，以提供或形成第一源金属图案。在实施方式中，第一源金属层可通过干法蚀刻工艺来蚀刻。第一漏图案dp1、源图案sp、第二漏图案dp2、第一传输图案tp1和第二传输图案tp2可在彼此相同的层中。
116.参考图13b，当蚀刻第一源金属层时，可进一步蚀刻弯曲区域ba中剩余的无机层。在实施方式中，例如，在弯曲区域ba中去除第一源金属层之后，可通过过蚀刻去除隔离层112的厚度的至少一部分。可增加过蚀刻(时间)以完全去除弯曲区域ba中的隔离层112。然而，进行过蚀刻使得防止或最小化像素区域px中的第五绝缘层142的损坏。在实施方式中，例如，通过过蚀刻的无机层的蚀刻深度可为约至约
117.参考图14a和图14b，去除第二光致抗蚀剂图案pr2，并且提供或形成第六绝缘层152以覆盖第一源金属图案。第六绝缘层152可包括有机绝缘材料，比如酚醛树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、硅氧烷树脂或环氧树脂等。第六绝缘层152可称为第一通孔绝缘层或第一有机绝缘层。
118.可在弯曲区域ba中提供或形成填充构件fl，以填充去除了无机层的区域。在实施方式中，第一有机绝缘层可限定填充构件fl，该填充构件fl填充弯曲区域ba中的全部区域，该全部区域中去除了剩余无机层的一部分。填充构件fl可包括有机材料。在实施方式中，例如，可在提供或形成第六绝缘层152的工艺中提供或形成填充构件fl，以使填充构件fl可与第六绝缘层152包括相同的材料。第六绝缘层152和填充构件fl可在彼此相同的层中。
119.在第六绝缘层152上提供或形成第二源金属图案。在实施方式中，例如，第二源金属图案可包括在第六绝缘层152中的接触孔处与第一漏图案dp1电接触的连接电极ce。此外，第二源金属图案可进一步包括电源布线pl，电源布线pl传输作为电信号的电源电压。在实施方式中，例如，第二源金属图案可与第一源金属图案包括相同的材料。
120.参考图14b，第二源金属图案可进一步包括设置在弯曲区域ba中的传输布线tl。传输布线tl可设置在填充构件fl上，并且可电连接到分别设置在连接区域ca和外周区域pa中的传输图案tp1和tp2。
121.参考图14b，隔离层112的一部分可保留在弯曲区域ba中。然而，实施方式不限于此。参考图14c，例如，弯曲区域ba可排除弯曲区域ba中的全部剩余无机层(例如，隔离层112)。当在提供或形成第一源金属图案的工艺中通过过蚀刻在弯曲区域ba中完全去除隔离层112时，填充构件fl可接触基底基板110。当接触时，元件可在其间形成界面。
122.参考图15a，提供或形成第七绝缘层162以覆盖第二源金属图案。第七绝缘层162包括有机绝缘材料。第七绝缘层162可称为第二通孔绝缘层或第二有机绝缘层。
123.在第七绝缘层162上提供或形成有机发光二极管200的第一电极el1和像素限定层pxl。在第一电极el1上提供或形成有机发光二极管200的有机发光层ol。在有机发光层ol上提供或形成有机发光二极管200的第二电极el2。
124.在有机发光二极管200上可形成封装层210。在实施方式中，例如，封装层210可具有包括无机薄膜212和216以及有机薄膜214的堆叠结构。在实施方式中，像素电路可从基底基板110依次包括第一有源图案ap1、对应于第一有源图案ap1的第一栅金属图案、第二栅金属图案、对应于第二栅金属图案的第二有源图案ap2、和第三栅金属图案。
125.参考图15b，可提供或形成保护层pl以覆盖弯曲区域ba中的传输布线tl。保护层pl可包括有机材料。在实施方式中，例如，在形成第七绝缘层162的工艺中可提供或形成保护层pl，以使保护层pl可与第七绝缘层162包括相同的材料，并且可与第七绝缘层162在相同的层中。在实施方式中，在提供或形成像素限定层pxl的工艺中可提供或形成保护层pl的至少一部分，以使保护层pl可与像素限定层pxl包括相同的材料，并且可与像素限定层pxl在相同的层中。
126.根据实施方式，设置在像素区域px中和弯曲区域ba中的无机层的厚度部分可通过相同的光刻工艺来排除或去除。无机层的剩余厚度部分可在随后的蚀刻工艺中通过过蚀刻来去除。因此，可去除用于单独蚀刻弯曲区域ba中的无机层的附加光刻工艺。
127.实施方式可应用于各种显示装置。一个或多个实施方式可应用于车辆显示装置、船舶显示装置、航空器显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息传输的显示装置、医学显示装置等。
128.前述是对实施方式的说明，并且不应理解为对其的限制。尽管已经描述了实施方式，但是本领域技术人员将容易理解，在不会实质上脱离本发明的新颖性教导和特征的情况下，在实施方式中许多修改是可能的。因此，所有这些修改都旨在包括在本发明的范围内。因此，应理解的是，前述是对各种实施方式的说明，并且不应被解释为限于所公开的具体实施方式，并且对所公开的实施方式的修改以及其他实施方式旨在包括在本发明的范围内，如所附权利要求及其等同物中所阐述的。