一种阵列基板及显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示装置。


背景技术：

2.在诸如液晶显示器(liquid crystal display，lcd)和有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)显示器中，一般包括多个像素单元。每个像素单元可以包括：多个不同颜色的子像素。通过控制每个子像素对应的亮度，从而混合出所需显示的色彩来显示彩色图像。


技术实现要素：

3.本公开实施例提供的阵列基板，包括：
4.衬底基板；
5.多条栅信号走线，位于所述衬底基板上；其中，所述栅信号传输线具有相互耦接的传输部和转接部；
6.信号传输线，位于所述衬底基板上；其中，所述栅信号走线在所述衬底基板的正投影与所述信号传输线的传输部在所述衬底基板的正投影具有第一交叠区域；
7.导电隔离部，位于所述衬底基板上；其中，所述栅信号走线对应的第一交叠区域和转接部在所述衬底基板的正投影之间设置有所述导电隔离部在所述衬底基板的正投影，且所述栅信号走线对应的传输部在所述衬底基板的正投影与所述导电隔离部在所述衬底基板的正投影具有第二交叠区域。
8.在一些示例中，所述阵列基板还包括多条栅线；所述多条栅信号走线中的至少一条栅信号走线的转接部与所述多条栅线中的至少一条栅线耦接；
9.所述信号传输线和所述栅线以及所述导电隔离部同层设置。
10.在一些示例中，所述信号传输线在所述衬底基板的正投影位于所述多条栅线的同一端在所述衬底基板的正投影的一侧；
11.所述导电隔离部在所述衬底基板的正投影条形设置于所述信号传输线在所述衬底基板的正投影与所述多条栅线在所述衬底基板的正投影之间。
12.在一些示例中，所述信号传输线在所述衬底基板的正投影环绕所述多条栅线在所述衬底基板的正投影设置；
13.所述导电隔离部在所述衬底基板的正投影环形设置于所述信号传输线在所述衬底基板的正投影与所述多条栅线在所述衬底基板的正投影之间。
14.在一些示例中，所述导电隔离部包括相互间隔设置的多个子隔离部；
15.所述多条栅信号走线中的至少一条栅信号走线对应所述多个子隔离部中的至少一个子隔离部；
16.所述栅信号走线对应的第一交叠区域和转接部在所述衬底基板的正投影之间设置有对应的子隔离部在所述衬底基板的正投影，且所述栅信号走线对应的传输部在所述衬
底基板的正投影与对应的子隔离部在所述衬底基板的正投影具有所述第二交叠区域。
17.在一些示例中，所述信号传输线具有多个凹陷结构；其中，一个所述子隔离部设置于一个所述凹陷结构内，且所述子隔离部与所述信号传输线之间具有间隙。
18.在一些示例中，所述信号传输线靠近所述栅线一侧的边界与位于所述凹陷结构内的子隔离部靠近所述栅线一侧的边界对齐。
19.在一些示例中，所述转接部在所述衬底基板的正投影为条状；并且，所述转接部在所述衬底基板的正投影的延伸方向与所述栅线的延伸方向交叉。
20.在一些示例中，所述阵列基板还包括栅极驱动电路；
21.同一所述栅信号走线中，所述传输部的第一端与所述栅极驱动电路耦接，所述传输部的第二端与所述转接部的第一端耦接，所述转接部的第二端与对应的栅线耦接。
22.在一些示例中，所述阵列基板还包括多条数据线；
23.所述栅信号走线与所述数据线同层设置。
24.在一些示例中，所述阵列基板还包括位于所述栅线所在层和所述数据线所在层之间的栅绝缘层，以及位于所述栅绝缘层和所述数据线所在层之间的辅助半导体材料层；
25.所述栅信号走线在所述衬底基板的正投影覆盖所述辅助半导体材料层在所述衬底基板的正投影。
26.在一些示例中，所述导电隔离部浮接设置。
27.本公开实施例提供的显示装置，包括上述的阵列基板。
附图说明
28.图1为本公开实施例中的显示装置的一些结构示意图；
29.图2为图1中的显示装置在cc区域中一些具有结构示意图；
30.图3为图2中的显示装置的沿aa’方向上的一些剖视结构示意图；
31.图4为现有技术中的显示装置在cc区域中一些具有结构示意图；
32.图5为图2中的显示装置的沿aa’方向上的另一些剖视结构示意图；
33.图6为本公开实施例中的显示装置的另一些结构示意图；
34.图7为本公开实施例中的显示装置的又一些结构示意图；
35.图8为图7中的显示装置在cc区域中一些具有结构示意图；
36.图9为图7中的显示装置在cc区域中另一些具有结构示意图；
37.图10为图7中的显示装置在cc区域中又一些具有结构示意图。
具体实施方式
38.为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
39.除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并
不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“耦接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的耦接，而是可以包括电性的耦接，不管是直接的还是间接的。
40.需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
41.通常，在阵列基板的制备过程和使用过程中，会产生静电，造成器件静电击伤，进而造成显示异常，大量影响产品良率。为了防护静电对阵列基板的影响，本公开实施例提供了一种阵列基板，如图1所示，可以包括衬底基板100。位于衬底基板100上的多条栅信号走线120、信号传输线130、以及导电隔离部140。其中，栅信号传输线130具有相互耦接的传输部121和转接部122，栅信号走线120在衬底基板100的正投影与信号传输线130的传输部121在衬底基板100的正投影具有第一交叠区域bg1。以及，栅信号走线120对应的第一交叠区域bg1和转接部122在衬底基板100的正投影之间设置有导电隔离部140在衬底基板100的正投影，且栅信号走线120对应的传输部121在衬底基板100的正投影与导电隔离部140在衬底基板100的正投影具有第二交叠区域bg2。
42.本公开实施例提供的阵列基板，通过设置导电隔离部，并在栅信号走线对应的第一交叠区域和转接部在衬底基板的正投影之间设置有导电隔离部在衬底基板的正投影，从而将导电隔离部设置在第一交叠区域和转接部之间，以通过导电隔离部将转接部和信号传输线间隔开。以及栅信号走线对应的传输部在衬底基板的正投影与导电隔离部在衬底基板的正投影具有第二交叠区域，这样即使在转接部和导电隔离部之间产生静电或信号传输线和导电隔离部之间产生静电时，由于导电隔离部的作用也不会出现静电导致的不良问题。
43.在本公开一些实施例中，可以使导电隔离部140浮接设置。也就是说，导电隔离部140不加载任何信号。由于导电隔离部140不加载任何信号，这样即使在转接部122和导电隔离部140之间产生静电或信号传输线130和导电隔离部140之间产生静电时，由于导电隔离部140的作用也不会出现静电导致的不良问题。可选的，导电隔离部的存在，让一旦发生静电问题，静电累积到导电隔离部，降低传输部121和信号传输线130击穿的风险。
44.在本公开一些实施例中，如图1所示，本公开实施例提供的显示装置可以包括阵列基板和时序控制器200。衬底基板100可以包括显示区域aa和非显示区域(即衬底基板100中除显示区域aa包围区域之外的区域)。其中，显示区域aa可以包括多个阵列排布的像素单元。示例性地，每个像素单元包括多种不同颜色的子像素spx。例如，像素单元可以包括红色子像素，绿色子像素以及蓝色子像素，这样可以通过红绿蓝进行混色，以实现彩色显示。或者，像素单元也可以包括红色子像素，绿色子像素、蓝色子像素以及白色子像素，这样可以通过红绿蓝白进行混色，以实现彩色显示。当然，在实际应用中，像素单元中的子像素的发光颜色可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。下面以像素单元包括红色子像素，绿色子像素以及蓝色子像素为例进行说明。
45.在本公开一些实施例中，如图1所示，显示区域aa还可以包括多条栅线ga和多条数据线da。每个子像素中可以包括晶体管01和像素电极02。其中，一行子像素对应一条栅线ga，一列子像素对应一条数据线da。晶体管01的栅极与对应的栅线ga耦接，晶体管01的源极
与对应的数据线da耦接，晶体管01的漏极与像素电极02耦接。需要说明的是，本公开像素阵列结构还可以是双栅结构，即相邻两行像素之间设置两条栅极线，此排布方式可以减少一半的数据线da，即包含相邻两列像素之间有的数据线da，有的相邻两列像素之间不包括数据线da，具体像素排布结构和数据线da，扫描线的排布方式不限定。
46.在本公开一些实施例中，如图1所示，非显示区域可以包括栅极驱动电路111以及源极驱动电路112。栅极驱动电路111分别与栅线ga耦接，源极驱动电路112分别与数据线da耦接。并且，时序控制器200可以分别与栅极驱动电路111和源极驱动电路112耦接。示例性地，时序控制器200可以在当前显示帧中获取待显示画面的显示数据，时序控制器200可以向栅极驱动电路111输入控制信号，以使栅极驱动电路111可以根据输入的控制信号，向各栅线ga分别输出栅极扫描信号，从而驱动各栅线ga，以控制耦接的子像素中的晶体管导通。以及，时序控制器200向源极驱动电路112输入获取到的显示数据，以使源极驱动电路112可以根据输入的显示数据，向耦接的数据线da输入数据电压，从而通过导通的晶体管将数据线da上的电压输入到子像素中，以对子像素充电，进而使各子像素充入相应的数据电压，实现画面显示功能。
47.示例性地，本公开实施例中的阵列基板可以应用于液晶显示装置中。例如，液晶显示装置一般包括对盒的对向基板和阵列基板，以及封装在对向基板和阵列基板之间的液晶分子。在显示画面时，由于加载在各子像素的像素电极上的数据电压和公共电极上的公共电极电压之间具有电压差，该电压差可以形成电场，从而使液晶分子在该电场的作用下进行偏转。由于不同强度的电场使液晶分子的偏转程度不同，从而导致子像素的透过率不同，以使子像素实现不同灰阶的亮度，进而实现画面显示。当然，本公开实施例中的阵列基板可以为oled阵列基板，在此不作限定。
48.在本公开一些实施例中，信号传输线130可以与公共电极耦接。这样可以将信号传输线130作为公共电极引线，以向公共电极提供公共电极电压。当然，在实际应用中，信号传输线130还可以为向其他结构(例如，初始化信号线、参考电压信号线等)提供电压的信号线，在此不作限定。
49.在本公开一些实施例中，如图1所示，衬底基板100的非显示区域中，还设置有信号传输焊盘(pad)03，信号传输线130可以与信号传输焊盘03耦接。并且，时序控制器200也与信号传输焊盘03耦接，这样可以通过时序控制器200向信号传输线130加载信号。
50.在本公开一些实施例中，如图1至图3所示，可以使多条栅信号走线120中的至少一条栅信号走线120的转接部122与多条栅线ga中的至少一条栅线ga耦接。示例性地，可以使一条栅信号走线120的转接部122与一条栅线ga耦接。进一步地，可以使同一栅信号走线120中，传输部121的第一端与栅极驱动电路111耦接，传输部121的第二端与转接部122的第一端耦接，转接部122的第二端与对应的栅线ga耦接。这样可以将栅极驱动电路111输出的栅极扫描信号，通过栅信号走线120输出到栅线ga上。示例性地，栅极驱动电路111可以包括多个级联的移位寄存器单元，一个移位寄存器单元的信号输出端与一条栅信号走线120耦接。每个移位寄存器单元可以通过其信号输出端输出栅极扫描信号，该栅极扫描信号再通过栅信号走线120输出到栅线ga上。示例性地，移位寄存器单元具有电容和输出晶体管，该输出晶体管的栅极耦接栅极驱动电路的上拉节点，并且输出晶体管的第一极耦接时钟信号端，输出晶体管的第二极耦接栅信号走线120，输出晶体管可以在上拉节点的电平的控制下将
时钟信号提供给信号输出端，以产生栅极扫描信号。可选的，传输部121与栅极驱动电路的输出晶体管的第二极电连接，且传输部121与输出晶体管的第二极同层设置。例如，输出晶体管的漏极与栅信号走线120耦接。
51.在本公开一些实施例中，输出晶体管可以具有栅极、有源层、以及源漏极。示例性地，输出晶体管的栅极、栅线ga以及子像素中的晶体管的栅极可以同层设置。这样在制备阵列基板时，只需通过一次构图工艺，即可同时形成输出晶体管的栅极、栅线ga以及子像素中的晶体管的栅极的图形，不用增加单独制备输出晶体管的栅极、栅线ga以及子像素中的晶体管的栅极的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
52.在本公开一些实施例中，可以使信号传输线130和栅线ga以及导电隔离部140同层设置。这样在制备阵列基板时，只需通过一次构图工艺，即可同时形成信号传输线130和栅线ga以及导电隔离部140的图形，不用增加单独制备信号传输线130和栅线ga以及导电隔离部140的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
53.在本公开一些实施例中，可以使输出晶体管的有源层和子像素中的晶体管的有源层可以同层设置。这样在制备阵列基板时，只需通过一次构图工艺，即可同时形成输出晶体管的有源层和子像素中的晶体管的有源层的图形，不用增加单独制备输出晶体管的有源层和子像素中的晶体管的有源层的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
54.在本公开一些实施例中，可以使输出晶体管的源漏极、数据线da和子像素中的晶体管的源漏极可以同层设置。这样在制备阵列基板时，只需通过一次构图工艺，即可同时形成输出晶体管的源漏极、数据线da和子像素中的晶体管的源漏极的图形，不用增加单独制备输出晶体管的源漏极、数据线da和子像素中的晶体管的源漏极的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
55.在本公开一些实施例中，可以使栅信号走线120与数据线da同层设置。这样在制备阵列基板时，只需通过一次构图工艺，即可同时形成输出晶体管的源漏极、数据线da和子像素中的晶体管的源漏极以及栅信号走线120的图形，不用增加单独制备输出晶体管的源漏极、数据线da和子像素中的晶体管的源漏极以及栅信号走线120的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
56.在本公开一些实施例中，如图2与图3所示，在输出晶体管的栅极所在层和有源层所在层之间还设置有栅绝缘层150。转接部122的第二端通过贯穿栅绝缘层150的过孔gk1与对应的栅线ga耦接。并且，该转接部122的第二端在衬底基板100的正投影覆盖耦接的栅线ga的部分区域在衬底基板100的正投影。
57.在本公开一些实施例中，如图1与图2所示，可以使信号传输线130在衬底基板100的正投影位于多条栅线ga的同一端在衬底基板100的正投影的一侧。这样可以使信号传输线130采用走线的形式，设置在栅线ga的同一端。并且，导电隔离部140在衬底基板100的正投影条形设置于信号传输线130在衬底基板100的正投影与多条栅线ga在衬底基板100的正投影之间。这样可以使导电隔离部140设置在栅线ga和信号传输线130之间，从而降低信号传输线130和栅线ga之间的静电对显示的不利影响。
58.在本公开一些实施例中，如图1所示，栅线ga可以采用双边驱动，即针对同一条栅线ga，该栅线ga的左侧设置一个栅极驱动电路111，该栅线ga的右侧也设置一个栅极驱动电
路111。这样可以使阵列基板两侧的栅极驱动电路111共同驱动同一条栅线ga。在实际应用中，也可以仅仅在阵列基板的一侧设置栅极驱动电路111，或者也可以在阵列基板两侧的栅极驱动电路111分别驱动不同行子像素对应的栅线ga。本公开实施例中，阵列基板设置的栅极驱动电路111的个数在此不做进一步的限定，其可以根据实际应用的需求进行确定。
59.如图4所示，示意出了现有的栅信号走线120与栅线ga耦接的结构示意图，即不设置导电隔离部140时栅信号走线120与栅线ga耦接的结构。其中，同一栅信号走线120中，传输部121的第一端与栅极驱动电路111耦接，传输部121的第二端与转接部122的第一端耦接，转接部122的第二端与对应的栅线ga耦接。由于，栅线ga和公共电极引线(即130)同层设置，则公共电极引线(即130)与转接部122的第二端覆盖的耦接的栅线ga的部分区域之间的距离较小，使得公共电极引线(即130)靠近栅线ga的边缘，转接部122的第二端覆盖的耦接的栅线ga的部分区域靠近公共电极引线(即130)一侧的边缘容易出现电荷集中，在公共电极引线(即130)与转接部122的第二端覆盖的耦接的栅线ga的部分区域之间形成静电。本公开实施例中，通过在公共电极引线(即130)与转接部122的第二端覆盖的耦接的栅线ga的部分区域之间设置导电隔离部140，并进一步使导电隔离部140浮接设置，可以降低由于静电导致的不良问题。并且，即使在转接部122和导电隔离部140之间产生静电或信号传输线130和导电隔离部140之间产生静电时，由于导电隔离部140的作用也不会出现静电导致的不良问题。
60.本公开实施例提供了另一些阵列基板的实施方式，如图5所示，其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
61.在本公开一些实施例中，如图5所示，阵列基板还可以包括位于栅绝缘层150和数据线da所在层之间的辅助半导体材料层160。该辅助半导体材料层160可以与输出晶体管的有源层同层设置。这样在制备阵列基板时，只需通过一次构图工艺，即可同时形成辅助半导体材料层160与输出晶体管的有源层的图形，不用增加单独制备辅助半导体材料层160的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。
62.需要说明的是，由于在栅信号走线120处设置了辅助半导体材料层，导致在刻蚀晶体管中的有源层以及在刻蚀传输部121下的辅助半导体材料层160时，容易在辅助半导体材料层区域中的信号传输线和栅线处产生静电。在后续沉积刻蚀传输部121时，会导致刻蚀传输部121和信号传输线由于静电累积导致击穿而短路，导致显示异常。本公开实施例为了改善该问题，通过设置导电隔离部，并在栅信号走线对应的第一交叠区域和转接部在衬底基板的正投影之间设置有导电隔离部在衬底基板的正投影，从而将导电隔离部设置在第一交叠区域和转接部之间，以通过导电隔离部将转接部和信号传输线间隔开。以及栅信号走线对应的传输部在衬底基板的正投影与导电隔离部在衬底基板的正投影具有第二交叠区域，这样即使在转接部和导电隔离部之间产生静电或信号传输线和导电隔离部之间产生静电时，由于导电隔离部的作用也不会出现静电导致的不良问题。
63.在本公开一些实施例中，如图5所示，栅信号走线120在衬底基板100的正投影覆盖辅助半导体材料层在衬底基板100的正投影。进一步地，栅信号走线120在衬底基板100的正投影与辅助半导体材料层在衬底基板100的正投影重叠。这样可以设置与栅信号走线120的形状相同或近似相同的辅助半导体材料层，并且使辅助半导体材料层和栅信号走线120直
接接触。一方面可以调节线路阻抗。另一方面，可以采用同一个掩膜版(mask)刻蚀形成辅助半导体材料层所在层和栅信号走线120所在层，降低成本。
64.示例性地，在显示区域中可以具有补偿半导体材料层，其显示区域包括多条相互交叉的栅线和数据线，栅线和数据线交叉限定子像素。该补偿半导体材料层位于数据线与衬底基板之间，且数据线在衬底基板的正投影与补偿半导体材料层在衬底基板的正投影至少部分交叠。可选地，数据线在衬底基板的正投影与补偿半导体材料层在衬底基板的正投影重叠或者补偿半导体层包括超出数据线宽度的尾巴(tail)，即由于补偿半导体层和数据线层不同的额刻蚀方法(干刻和湿刻)形成的tail。这样在显示区域的数据线靠近衬底基板的一侧也同时设置补偿半导体材料层，则刻蚀数据线和刻蚀补偿半导体层可以采用同一道mask，进而可以降低制作成本。
65.本公开实施例提供了又一些阵列基板的实施方式，如图6所示，其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
66.在本公开一些实施例中，如图6所示，信号传输线130在衬底基板100的正投影可以环绕多条栅线ga在衬底基板100的正投影设置。即信号传输线130的第一端从第一个信号传输焊盘03开始绕显示区域aa设置，直至信号传输线130的第二端耦接至第二个信号传输焊盘03。并且，导电隔离部140在衬底基板100的正投影环形设置于信号传输线130在衬底基板100的正投影与多条栅线ga在衬底基板100的正投影之间。即导电隔离部140的第一端绕显示区域aa设置。这样不仅可以降低信号传输线130和栅线ga之间的静电对阵列基板的不利影响，还可以降低信号传输线130和其他信号线(例如数据线da)之间的静电对阵列基板的不利影响。
67.本公开实施例提供了又一些阵列基板的实施方式，如图7与图8所示，其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
68.在本公开一些实施例中，如图7与图8所示，导电隔离部140包括相互间隔设置的多个子隔离部141；其中，多条栅信号走线120中的至少一条栅信号走线120对应多个子隔离部141中的至少一个子隔离部141。并且，栅信号走线120对应的第一交叠区域bg1和转接部122在衬底基板100的正投影之间设置有对应的子隔离部141在衬底基板100的正投影。以及，栅信号走线120对应的传输部121在衬底基板100的正投影与对应的子隔离部141在衬底基板100的正投影具有第二交叠区域bg2。通过设置相互间隔设置的多个子隔离部141，可以在子隔离部141之间的间隙中设置其他信号走线或其他结构，以降低非显示区域的占用面积。
69.本公开实施例提供了又一些阵列基板的实施方式，如图9所示，其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
70.在本公开一些实施例中，如图9所示，可以使信号传输线130具有多个凹陷结构ax；其中，一个子隔离部141设置于一个凹陷结构ax内，且子隔离部141与信号传输线130之间具有间隙。这样可以将子隔离部141设置于原信号传输线130所占用的区域中，从而可以降低非显示区域的占用面积。
71.在本公开一些实施例中，如图9所示，可以使信号传输线130靠近栅线ga一侧的边
界与位于凹陷结构ax内的子隔离部141靠近栅线ga一侧的边界对齐。这样可以将子隔离部141设置于原信号传输线130所占用的区域中，进一步降低非显示区域的占用面积。
72.本公开实施例提供了又一些阵列基板的实施方式，如图10所示，其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
73.在本公开一些实施例中，如图9所示，可以使转接部122在衬底基板100的正投影为条状。并且，转接部122在衬底基板100的正投影的延伸方向与栅线ga的延伸方向交叉。这样可以使传输部121避开静电易发生的区域，进一步降低静电的不利影响。
74.示例性地，如图9所示，可以使传输部121在衬底基板100的正投影为条状，并且传输部121在衬底基板100的正投影的延伸方向与栅线ga的延伸方向平行。转接部122在衬底基板100的正投影的延伸方向与栅线ga的延伸方向可以垂直。这样可以使转接部122在衬底基板100的正投影的延伸方向与数据线da的延伸方向平行。
75.当然，在实际应用中，转接部122在衬底基板100的正投影的延伸方向可以根据实际应用的需求进行确定，在此不作限定。
76.基于同一公开构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的上述阵列基板。该显示装置解决问题的原理与前述阵列基板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处在此不再赘述。
77.在具体实施时，在本公开实施例中，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。
78.本公开实施例提供的阵列基板及显示装置，通过设置导电隔离部，并在栅信号走线对应的第一交叠区域和转接部在衬底基板的正投影之间设置有导电隔离部在衬底基板的正投影，从而将导电隔离部设置在第一交叠区域和转接部之间，以通过导电隔离部将转接部和信号传输线间隔开。以及栅信号走线对应的传输部在衬底基板的正投影与导电隔离部在衬底基板的正投影具有第二交叠区域，这样即使在转接部和导电隔离部之间产生静电或信号传输线和导电隔离部之间产生静电时，由于导电隔离部的作用也不会出现静电导致的不良问题。
79.显然，本领域的技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。