显示母版和显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示母版和显示面板。


背景技术：

2.随着显示技术的不断发展，人们对显示面板的要求越来越高，尤其是对显示面板的功能种类的要求，例如，显示、触控、压感、指纹识别、虹膜识别、摄像等。因此，需要将多种功能结构集成到显示面板中。然而，在现有的显示面板的制作过程中，不同的功能结构之间容易产生膜层鼓包的问题，从而影响了显示面板的制作良率。


技术实现要素：

3.本技术提供了一种显示母版和显示面板，以改善膜层鼓包的问题，提升显示面板的制作良率。
4.为实现上述技术目的，本技术实施例提供了如下技术方案：
5.第一方面，本技术实施例提供一种显示母版，包括：面板区和切割区，所述切割区围绕所述面板区；所述切割区包括层叠设置的第一膜层结构和第二膜层结构，所述第一膜层结构包括第一膜层和第二膜层，所述第二膜层结构包括第三膜层；所述第二膜层位于所述第三膜层和所述第一膜层之间，且所述第二膜层与所述第三膜层邻接；其中，所述第二膜层与所述第三膜层的材料性质不同，所述第一膜层与所述第三膜层的材料性质相同；且所述第一膜层与所述第三膜层在至少部分所述切割区搭接，以使所述第一膜层与所述第三膜层之间包裹所述第二膜层。
6.在一可选地实施例中，所述第二膜层的材料为有机材料，所述第一膜层和所述第三膜层的材料均为无机材料。
7.在一可选地实施例中，所述无机材料包括：氮化硅、氧化硅、玻璃、石英和陶瓷中的至少一种。
8.在一可选地实施例中，所述有机材料包括有机胶。
9.在一可选地实施例中，所述第三膜层为所述第二膜层结构中的无机介质层；所述第一膜层为所述第一膜层结构中的无机介质层、缓冲层或衬底。
10.在一可选地实施例中，所述第一功能结构中的无机介质层为栅极绝缘层、电容绝缘层或钝化层。
11.在一可选地实施例中，所述衬底为柔性衬底，所述柔性衬底包括层叠设置的有机膜层和无机膜层，所述第一膜层为所述柔性衬底中的无机膜层；或者，所述衬底为刚性衬底，所述刚性衬底为单层结构，所述第一膜层为所述刚性衬底。
12.在一可选地实施例中，所述第二膜层的材料为无机材料，所述第一膜层和所述第三膜层的材料均为有机材料。
13.在一可选地实施例中，所述第一膜层与所述第三膜层的搭接区域包括至少一个。
14.在一可选地实施例中，所述搭接区域为至少两个，相邻两个所述搭接区域之间的
所述第一膜层与所述第三膜层包裹所述第二膜层。
15.在一可选地实施例中，所述搭接区域沿所述显示母版的厚度方向的正投影的形状为环状。
16.在一可选地实施例中，至少两处所述搭接区域沿所述显示母版的厚度方向的正投影的形状呈同心环状。
17.在一可选地实施例中，位于相邻两个所述搭接区域之间的所述第二膜层的宽度大于20um。
18.在一可选地实施例中，所述第二膜层结构还包括：保护层，所述保护层覆盖所述第三膜层，且所述保护层与所述第一膜层搭接，以使所述第一膜层与所述保护层之间包裹所述第三膜层。
19.在一可选地实施例中，所述第一膜层结构还包括第四膜层，所述第四膜层位于所述第一膜层远离所述第二膜层的一侧；所述保护层还与所述第四膜层搭接，以使所述第四膜层与所述保护层之间包裹所述第一膜层。
20.在一可选地实施例中，所述面板区包括显示区和边框区，所述边框区围绕所述显示区，所述边框区包括第一区和第二区，所述第一区位于所述第二区远离所述显示区的一侧；所述面板区包括层叠设置的第一功能结构和第二功能结构，所述第一膜层结构与所述第一功能结构中的部分膜层复用，所述第二膜层结构与所述第二功能结构中的部分膜层复用；所述第一功能结构包括第五膜层和第六膜层，所述第二功能结构包括第七膜层；所述第五膜层与所述第一膜层同层设置，所述第六膜层与所述第二膜层同层设置，所述第七膜层与所述第三膜层同层设置；在所述第一区靠近所述切割区的区域内，所述第五膜层与所述第七膜层搭接，以使所述第五膜层和所述第七膜层包裹所述第六膜层。
21.在一可选地实施例中，所述第五膜层与所述第一膜层一体成型，所述第六膜层与所述第二膜层一体成型，所述第七膜层与所述第三膜层一体成型。
22.在一可选地实施例中，所述第一功能结构为显示结构，所述第二功能结构为触控结构，所述第一功能结构还包括封装层，所述封装层位于所述显示区和所述第二区，且所述封装层与所述触控结构邻接。
23.在一可选地实施例中，所述面板区包括显示区和边框区，所述边框区围绕所述显示区，所述边框区包括第一区和第二区，所述第一区位于所述第二区远离所述显示区的一侧；所述面板区包括层叠设置的第三功能结构和第四功能结构，所述第一膜层结构与所述第三功能结构中的部分膜层复用，所述第二膜层结构与所述第四功能结构中的部分膜层复用；所述第三功能结构包括第八膜层和第九膜层，所述第四功能结构包括第十膜层；所述第八膜层与所述第一膜层同层设置，所述第九膜层与所述第二膜层同层设置，所述第十膜层与所述第三膜层同层设置；其中，所述第八膜层位于所述显示区、所述第一区和所述第二区，所述第九膜层位于所述显示区和所述第一区，所述第十膜层位于所述显示区和所述第二区；在所述第一区内，所述第九膜层包覆所述第八膜层；在所述第二区内，所述第十膜层位于所述第八膜层远离衬底的一侧；
24.在一可选地实施例中，所述第三功能结构为显示结构，所述第四功能结构为触控结构，所述第三功能结构还包括封装层，所述封装层位于所述显示区和所述第二区，且所述封装层与所述触控结构邻接。
25.第二方面，本技术申请实施例还提供了一种显示面板，包括：显示区和边框区，所述述边框区围绕所述显示区，所述边框区包括第一区和第二区，所述第一区位于所述第二区远离所述显示区的一侧；所述显示面板还包括层叠设置的第一功能结构和第二功能结构；所述第一功能结构包括第五膜层和第六膜层，所述第二功能结构包括第七膜层；其中，所述第六膜层与所述第七膜层的材料性质不同，所述第五膜层与所述第七膜层的材料性质相同；且所述第五膜层与所述第七膜层在所述第一区远离所述第二区的区域搭接，以使所述第五膜层与所述第七膜层之间包裹所述第六膜层。
26.本技术实施例设置材料性质相同的第一膜层和第三膜层搭接，以使第一膜层与第三膜层之间包裹第二膜层。其中，第一膜层与第三膜层的搭接区的粘附力较强，加强了第三膜层和第二膜层邻接的牢固性，有利于避免第三膜层鼓包问题的发生。以及，本技术实施例可以采用现有工艺制程，无需做额外工艺处理，从而有利于提升显示面板的制作良率和产能。
27.应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本技术的范围。本技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
28.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
29.图1为本技术实施例提供的一种显示母版的局部结构示意图；
30.图2为本技术实施例提供的一种显示母版的布局示意图；
31.图3为沿图2中a-a的剖面结构示意图；
32.图4为本技术实施例提供的一种显示母版的制备工艺流程图；
33.图5为本技术实施例提供的一种显示母版切割区的剖面结构示意图；
34.图6为本技术实施例提供的另一种显示母版切割区的剖面结构示意图；
35.图7为本技术实施例提供的又一种显示母版切割区的剖面结构示意图；
36.图8为本技术实施例提供的又一种显示母版切割区的剖面结构示意图；
37.图9为本技术实施例提供的一种显示母版切割区的俯视示意图；
38.图10为本技术实施例提供的一种显示母版切割区和面板区的剖面结构示意图；
39.图11为本技术实施例提供的另一种显示母版切割区和面板区的剖面结构示意图；
40.图12为本技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
41.图13为图12中沿b-b的剖面结构示意图。
具体实施方式
42.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范
围。
43.需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
44.正如背景技术所述，现有的显示面板在制作过程中容易产生鼓包的问题，影响了显示面板的制作良率。经发明人研究发现，出现该问题的原因如下：
45.图1为本技术实施例提供的一种显示母版的局部结构示意图。参见图1，以显示结构010和触控结构020为例进行说明。显示母版包括面板区a01和切割区a02，面板区a01和切割区a02之间包括切割道。位于面板区a01的显示结构010包括阵列层011、发光器件层012和封装层013，封装层013位于发光器件层012和触控结构020之间。其中，封装层013对发光器件起到了保护作用，其可靠性对发光器件的寿命、显示面板的寿命起到了至关重要的作用。位于切割区a02的显示结构010仅包括阵列层011，未包括发光器件层012和封装层013，因此，阵列层011和触控结构020直接接触。
46.在现有技术中，在进行封装工艺时，需要采用等离子体(plasma)处理界面，从而增强封装层013中各层无机层之间的粘附性，提升封装层013的稳定性和可靠性。但是该工艺的采用会将阵列层011中有机层表面变性，导致在切割区a02的阵列层011表面形成触控结构020的无机层时，存在搭接不良的问题，容易造成鼓泡风险。且由于触控结构020中无机层形成在整张显示母版上，一旦切割区a02出现鼓包的问题，会影响到面板区a01，从而造成整张显示母版的废片，导致显示面板的制作良率较低。
47.有鉴于此，本技术实施例提供了一种显示母版。图2为本技术实施例提供的一种显示母版的布局示意图，图3为沿图2中a-a的剖面结构示意图。参见图2和图3，显示母版包括：面板区a11和切割区a12，切割区a12围绕面板区a11设置。切割区a12包括层叠设置的第一膜层结构110和第二膜层结构120。第一膜层结构110包括第一膜层111和第二膜层112，第二膜层结构120包括第三膜层121；第二膜层112位于第三膜层121和第一膜层111之间，且第二膜层112与第三膜层121邻接。其中，第二膜层112与第三膜层121的材料性质不同，第一膜层111与第三膜层121的材料性质相同；且第一膜层111与第三膜层121在切割区a12搭接，以使第一膜层111与第三膜层121之间包裹第二膜层112。
48.其中，第一膜层结构110例如可以是，显示结构、触控结构、压感结构、指纹识别结构、摄像结构等结构中的部分膜层的组合。和/或，第二膜层结构120例如可以是，显示结构、触控结构、压感结构、指纹识别结构、摄像结构等结构中的部分膜层的组合。发明对此不做限定，只要是具有层叠设置关系的膜层结构均在本发明的保护范围之内。
49.可选的，图4为本技术实施例提供的一种显示母版的制备工艺流程图。参见图4，示例性地，显示母版的制备工艺包括以下步骤：
50.s1、制备第一材料层10，第一材料层10覆盖切割区a12和面板区a11。
51.其中，在显示母版的制备过程中，切割区a12的膜层与面板区a11的膜层部分复用，
即切割区a12的膜层与面板区a11的膜层在同一制程中制作完成。具体地，面板区a11的膜层数量多于切割区a12的膜层数量，例如，显示母版中的膜层按照功能可以分为阵列层、发光器件层、封装层和触控层等。面板区a11包括阵列层、发光器件层、封装层和触控层等全部膜层结构，但切割区a12仅包括阵列层和触控层结构。又如，显示母版中的膜层按照材料可以分为无机层、有机层、半导体层和金属层等。面板区a11包括无机层、有机层、半导体层和金属层等全部膜层结构，但切割区a12仅包括无机层和有机层等膜层结构。示例性地，第一膜层结构110与面板区的显示结构的部分膜层复用，显示结构中的无机层和有机层由面板区a11延伸至切割区a12；第二膜层结构120与面板区的触控结构的部分膜层复用，触控结构的无机层和有机层由面板区a11延伸至切割区a12。第一材料层10为显示结构中的无机层。
52.s2、对第一材料层10进行图案化，形成第一膜层111和第五膜层211，第一膜层111相对于切割区a12进行了外扩。
53.具体地，为了方便表述，定义在切割区a12的膜层为第一膜层111，在面板区a11的膜层为第五膜层211。第一膜层111和第五膜层211之间的间隔为切割道。第一膜层111和第五膜层211由同一膜层工艺制作而成，即第一膜层111和第五膜层211一体成型。
54.s3、制备第二材料层20，第二材料层20覆盖切割区a12和面板区a11。
55.示例性地，第二材料层20可以为显示结构中的有机层。
56.s4、对第二材料层20进行图案化，形成第二膜层112和第六膜层212，第二膜层112未进行外扩，暴露出第一膜层111的部分区域。
57.具体地，为了方便表述，定义在切割区a12的膜层为第二膜层112，在面板区a11的膜层为第六膜层212。第二膜层112和第六膜层212之间的间隔为切割道。第二膜层112和第六膜层212由同一膜层工艺制作而成，即第二膜层112和第六膜层212一体成型。可选地，在形成第二膜层112和第六膜层212之后，在面板区a11形成封装层213。在进行封装工艺时，采用等离子体处理界面，使得第二膜层112和第六膜层212表面变性。
58.s5、制备第三材料层30，第三材料层30与暴露的第一膜层111搭接。
59.示例性地，第三材料层30可以为触控结构中的无机层。第三材料层30与切割区a12的第二膜层112邻接，与切割区a12暴露的第一膜层111邻接，以及与面板区a11的封装层213邻接。在切割区a12，由于第二膜层112表面变性，其与第三材料层30之间的粘附力较差。而第一膜层111与第三材料层30的材料性质相同，两者之间的粘附力较强。在面板区a11，第三材料层30与封装层213邻接，第六膜层212表面变性对第三材料层30无影响。其中，由于第三材料层30覆盖了切割区a12和面板区a11，切割区a12的鼓包问题会通过第三材料层30的传递影响到面板区a11，进而导致整个显示母版报废。本技术实施例设置第三材料层30与暴露的第一膜层111搭接，由于第一膜层111和第三膜层121的材料性质相同，因此搭接区的粘附力较强，有利于避免第三膜层121鼓包问题的发生。
60.s6、对第三膜层121进行图案化，形成第三膜层121和第七膜层221。
61.具体地，为了方便表述，定义在切割区a12的膜层为第三膜层121，在面板区a11的膜层为第七膜层221。第三膜层121和第七膜层221之间的间隔为切割道。与第一膜层111类似，第三膜层121也相对于切割区a12进行了外扩，以使第一膜层111和第三膜层121能够可靠搭接。由于第一膜层111和第三膜层121的材料性质相同，因此搭接区的粘附力较强，有利于避免第三膜层121鼓包问题的发生。以及，本技术实施例可以采用现有工艺制程，无需做
额外工艺处理，从而有利于提升显示面板的制作良率和产能。
62.需要说明的是，在上述各实施例中，示例性地以第二膜层112表面变性为例进行说明，并非对本技术的限定。在其他实施例中，若第二膜层112表面不变性，通过设置第一膜层111和第三膜层121搭接，仍然能够加强第三膜层121和第二膜层112邻接的牢固性，有利于避免第三膜层121在制备过程中发生鼓包的问题。
63.在本技术的一种实施方式中，可选地，第二膜层112的材料为有机材料，第一膜层111和第三膜层121的材料均为无机材料。其中，有机材料更容易受到等离子体表面处理工艺的影响发生变性，进而影响其与无机膜层之间的粘附力。因此，本技术实施例针对上述情况，设置两层无机膜层(第一膜层111和第三膜层121)搭接并包裹有机膜层(第二膜层112)，使得改善膜层鼓泡的效果显著。
64.可选地，无机材料包括：氮化硅、氧化硅、玻璃、石英和陶瓷中的至少一种。在显示母版中，采用无机材料的膜层例如可以是：栅极绝缘层、电容绝缘层、钝化层、缓冲层和衬底等膜层。
65.可选地，有机材料包括有机胶等。在显示母版中，采用有机材料的膜层例如可以是：平坦化层、封装层等膜层。
66.在一可选的实施例中，第一膜层111、第二膜层112和第三膜层121的设置方式有多种，可选地，第三膜层121为第二膜层结构120中的无机介质层；第一膜层111为第一膜层结构110中的无机介质层、缓冲层或衬底。下面结合附图进行具体说明，但不作为对本技术的限定。
67.图5为本技术实施例提供的一种显示母版切割区的剖面结构示意图。参见图5，可选地，第一膜层结构110与面板区的显示结构的部分膜层复用，第二膜层结构120与面板区的触控结构的部分膜层复用。在切割区a12，第一膜层结构110包括：层叠设置的衬底101、缓冲层102、无机介质层103、第一平坦化层104和第二平坦化层105等膜层。第二膜层结构120包括：无机绝缘层201。第一膜层111为缓冲层102、第二膜层112为第二平坦化层105、第三膜层121为无机绝缘层201。即缓冲层102与无机绝缘层201在切割区a12搭接，以使缓冲层102与无机绝缘层201包裹第二平坦化层105。
68.其中，缓冲层102可以是单层结构或多层复合结构，缓冲层102的材料为无机材料，例如氧化硅和/或氮化硅。第二平坦化层105为阵列基板中起到绝缘和平坦化作用的膜层，与其他起绝缘作用的膜层相比，平坦化层的厚度较厚，其材料为有机材料，例如有机胶等。在形成第二平坦化层105之后，封装工艺采用的等离子体处理界面，会使第二平坦化层105表面变性，对无机绝缘层201的粘附力下降。无机绝缘层201为触控结构中起到绝缘作用的膜层，其可以是单层结构或多层复合结构，无机绝缘层201的材料为无机材料，例如氧化硅和/或氮化硅。若仅将无机绝缘层201设置于第二平坦化层105上，容易引起鼓包的等问题，本技术实施例设置缓冲层102与无机绝缘层201在切割区a12搭接，以使缓冲层102与无机绝缘层201包裹第二平坦化层105，使得搭接区的粘附力较强，加强了无机绝缘层201和第二平坦化层105邻接的牢固性，有利于避免无机绝缘层201在制备过程中发生鼓包的问题。
69.在本技术的一可选实施方式中，衬底101可以是单层结构，也可以是多层复合结构。示例性地，衬底101为柔性衬底，柔性衬底为层叠设置的有机膜层和无机膜层的复合结构，示例性地，有机膜层为聚酰亚胺层，无机膜层为氧化硅层和/或氮化硅层。进一步地，衬
底101和缓冲层102也可以构成复合结构，例如，第一聚酰亚胺层、第一缓冲层、第二聚酰亚胺层、第二缓冲层和第三缓冲层层叠设置。这样，第一膜层111可以设置为柔性衬底中的无机膜层，例如，第一膜层111为第一缓冲层、或第二缓冲层、或第三缓冲层。优选地，第一膜层111为第三缓冲层，第三缓冲层与无机绝缘层201搭接并包裹第二平坦化层105。即无机绝缘层201与顶层的缓冲层搭接，对衬底101的影响较小，有利于确保衬底101的稳定性。
70.在本技术的一可选实施方式中，衬底101为刚性衬底，刚性衬底为单层结构，第一膜层111为刚性衬底。即衬底101与无机绝缘层201搭接并包裹第二平坦化膜层。
71.图6为本技术实施例提供的另一种显示母版切割区的剖面结构示意图。在本技术的一可选实施方式中，第一膜层111为无机介质层103，第二膜层112为第二平坦化层105，第三膜层121为无机绝缘层201。即无机介质层103与无机绝缘层201在切割区a12搭接，以使无机介质层103与无机绝缘层201包裹第二平坦化层105。其中，无机介质层103的材料为无机材料，例如可以是氧化硅和/或氮化硅等。这样设置，使得搭接区的粘附力较强，加强了无机绝缘层201和第二平坦化层105邻接的牢固性，有利于避免无机绝缘层201在制备过程中发生鼓包的问题。
72.可选地，无机介质层103为栅极绝缘层、电容绝缘层或钝化层。其中，栅极绝缘层为薄膜晶体管中半导体层和栅极之间的绝缘层，电容绝缘层为电容极板之间的绝缘层，钝化层为薄膜晶体管中栅极和源/漏极之间的绝缘层。栅极绝缘层、电容绝缘层和钝化层的膜层位置和膜层数量根据面板区的具体结构确定，在实际应用中可以根据需要进行调整，本技术不做限定。
73.图7为本技术实施例提供的又一种显示母版切割区的剖面结构示意图。可选地，第二膜层结构120还包括：保护层202，保护层202覆盖第三膜层121，且保护层202与第一膜层111搭接，以使第一膜层111与保护层202之间包裹第三膜层121。其中，保护层202起到保护和平坦化作用，其材料通常为有机材料，例如有机胶等。示例性地，第一膜层111为缓冲层102、第二膜层112为第二平坦化层105、第三膜层121为无机绝缘层201。保护层202覆盖无机绝缘层201，且保护层202与缓冲层102搭接，以使缓冲层102与保护层202之间包裹无机绝缘层201。这样设置，进一步加强了无机绝缘层201与第二平坦化层105之间的粘附力，以及无机绝缘层201与缓冲层102之间的粘附力，从而进一步有利于避免无机绝缘层201产生鼓包的问题。
74.继续参见图7，可选地，第一膜层结构110还包括第四膜层116，第四膜层116位于第一膜层111远离第二膜层112的一侧。保护层202还与第四膜层116搭接，以使第四膜层116与保护层202之间包裹第一膜层111。示例性地，第一膜层111为缓冲层102，第二膜层112为第二平坦化层105，第三膜层121为无机绝缘层201，第四膜层116为衬底101。即保护层202与缓冲层102搭接的同时，还与衬底101搭接，以使缓冲层102与保护层202之间包裹无机绝缘层201，衬底101和保护层202之间包裹缓冲层102，从而对缓冲层102形成保护，进一步提升了保护层202对各膜层的保护作用。
75.在本技术的一可选实施方式中，第一膜层111为无机介质层103、第二膜层112为第二平坦化层105、第三膜层121为无机绝缘层201、第四膜层为衬底101。相应地，保护层202与无机介质层103搭接的同时，还与缓冲层102和/或衬底101搭接，以使保护层202包裹更多的膜层。
76.可选地，第一膜层111与第三膜层121的搭接区域包括至少一个。继续参见图7，可选地，第一膜层111与第三膜层121的搭接区域为一个，即切割区a12的边缘，有利于避免第三膜层121产生鼓包的问题。可选地，搭接区域沿显示母版的厚度方向的正投影的形状为环状，即搭接区域围绕切割区a12设置，有利于避免第三膜层121发生鼓包的问题。
77.图8为本技术实施例提供的又一种显示母版切割区的剖面结构示意图。参见图8，在本技术的一可选实施方式中，搭接区域a121的数量为至少两个，相邻两个搭接区域a121之间的第一膜层111与第三膜层121包裹第二膜层112。本技术实施例这样设置，减小了第三膜层121与第二膜层112的邻接面积，同时增加了第三膜层121与第一膜层111的搭接面积，从而增强了第三膜层121与第一膜层111之间的粘附力，有利于避免第三膜层121发生鼓包的问题。
78.可选地，至少两处搭接区域a121沿显示母版的厚度方向的正投影的形状为同心环状，即至少两处搭接区域a121围绕切割区a12设置，有利于避免第三膜层121发生鼓包的问题。
79.可选地，位于相邻两个搭接区域a121之间的第二膜层112的宽度w2大于20um，以确保第二膜层112与下层的膜层的粘附力，避免第二膜层112发生脱落的问题。
80.可选地，第一膜层111与第三膜层121的搭接宽度w1大于20um，以确保第一膜层111与第三膜层121的粘附力。可选地，各搭接区域a121的搭接宽度w1可以相同，也可以不同。
81.图9为本技术实施例提供的一种显示母版切割区的俯视示意图。参见图9，可选地，搭接区域a121沿显示母版的厚度方向的正投影形状为网格状。这样设置，使得搭接区域a121围绕面板区a11和切割区a12，增加了第三膜层121与第一膜层111的搭接面积，从而增强第三膜层121与第一膜层111之间的粘附力，有利于避免第三膜层121发生鼓包的问题。
82.需要说明的是，在上述各实施例中，示例性地以第二膜层112的材料为有机材料，第一膜层111和第三膜层121的材料均为无机材料为例进行说明，这并非对本技术的限定。在其他实施例中，还可以设置第二膜层112的材料为无机材料，第一膜层111和第三膜层121的材料均为有机材料。
83.还需要说明的是，在上述各实施例中，示例性地示出了显示结构包括第一平坦化层104和第二平坦化层105，并非对本技术的限定。在其他实施例中，还可以设置显示结构仅包括一层平坦化层，或者，显示结构还包括其他平坦化层，在实际应用中可以根据需要进行设定。
84.在上述各实施例中，示例性地说明了切割区a12的具体设置方式，面板区a11的设置方式可以与切割区a12的设置方式相同或不同，下面进行具体说明。
85.图10为本技术实施例提供的一种显示母版切割区和面板区的剖面结构示意图。参见图10，在本技术的一可选实施方式中，面板区a11和切割区a12的膜层设置方式相同。具体地，面板区a11包括显示区和边框区a110(图10仅示出了边框区a110的剖面结构)，边框区a110围绕显示区设置，边框区a110包括第一区a111和第二区a112，第一区a111位于第二区a112远离显示区的一侧。面板区a11包括层叠设置的第一功能结构210和第二功能结构220，第一膜层结构110与第一功能结构210中的部分膜层复用，第二膜层结构120与第二功能结构220中的部分膜层复用。
86.第一功能结构210包括第五膜层211和第六膜层212，第二功能结构220包括第七膜
层221；第五膜层211与第一膜层111同层设置，第六膜层212与第二膜层112同层设置，第七膜层221与第三膜层121同层设置。在第一区a111靠近切割区a12的区域内，第五膜层211与第七膜层221搭接，以使第五膜层211和第七膜层221包裹第六膜层212。
87.其中，第一功能结构210和第二功能结构220可以是相同的功能结构或不同的功能结构。功能结构例如可以是，显示结构、触控结构、压感结构、指纹识别结构、摄像结构等，发明不做限定，只要是具有层叠设置关系的功能结构均在本技术的保护范围之内。
88.本技术实施例不仅在切割区a12设置材料性质相同的第一膜层111和第三膜层121搭接，还在面板区a11设置材料性质相同的第五膜层211与第七膜层221搭接，提升搭接区的粘附力较强，有利于避免第三膜层121(和第七膜层221)鼓包问题的发生。
89.可选地，第五膜层211与第一膜层111一体成型，第六膜层212与第二膜层112一体成型，第七膜层221与第三膜层121一体成型。
90.可选地，第一功能结构210为显示结构，第二功能结构220为触控结构，在第一区a111，第一功能结构210包括：层叠设置的衬底101、缓冲层106、无机介质层107、第一平坦化层108和第二平坦化层109等膜层。在第二区a112，第一功能结构210包括：层叠设置的衬底101、缓冲层106、无机介质层107和封装层213等膜层。在面板区a11，第二功能结构220包括：无机绝缘层201和保护层204。第五膜层211为缓冲层106、第六膜层212为第二平坦化层109、第七膜层221为无机绝缘层203。即在第一区a111内，缓冲层106与无机绝缘层203搭接，以使缓冲层108与无机绝缘层203包裹第二平坦化层109。
91.继续参见图10，可选地，在第二区a112，第一功能结构210还包括封装层213，封装层213与第二功能结构220邻接。由于封装层213表面对第一功能结构的粘附力不受等离子体表面处理的影响，因此，封装层213与第二功能结构220邻接，不易引起第二功能结构220的鼓包问题。
92.图11为本技术实施例提供的另一种显示母版切割区和面板区的剖面结构示意图。参见图11，在本技术的一可选实施方式中，面板区a11和切割区a12的膜层设置方式不同。具体地，面板区a11包括层叠设置的第三功能结构230和第四功能结构240，第一膜层结构110与第三功能结构230中的部分膜层复用，第二膜层结构120与第四功能结构240中的部分膜层复用。第三功能结构230包括第八膜层233和第九膜层234，第四功能结构240包括第十膜层242；第八膜层233与第一膜层111同层设置，第九膜层234与第二膜层112同层设置，第十膜层242与第三膜层121同层设置。其中，第八膜层233位于显示区、第一区a111和第二区a112，第九膜层234位于显示区和第一区a111，第十膜层242位于显示区和第二区a112。在第一区a111内，第九膜层234包覆第八膜层233；在第二区a112内，第十膜层242位于第八膜层233远离衬底101的一侧。
93.本技术实施例虽然面板区a11和切割区a12的膜层设置方式不同，但是，在切割区a12设置材料性质相同的第一膜层111和第三膜层121搭接，提升了搭接区的粘附力较强，有利于避免第三膜层121(和第十膜层242)鼓包问题的发生。
94.继续参见图11，可选地，在第二区a112，第三功能结构230还包括封装层213，封装层213与第四功能结构240邻接。由于封装层213表面对第三功能结构的粘附力不受等离子体表面处理的影响，因此，封装层213与第四功能结构240邻接，不易引起第四功能结构240的鼓包问题。
95.本技术实施例还提供了一种显示面板。图12为本技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图，图13为图12中沿b-b的剖面结构示意图。参见图12和图13，显示面板包括：显示区a120和边框区a110，边框区a110围绕显示区a120，边框区a110包括第一区a111和第二区a112，第一区a111位于第二区a112远离显示区a120的一侧。显示面板还包括层叠设置的第一功能结构210和第二功能结构220；第一功能结构210包括第五膜层211和第六膜层212，第二功能结构220包括第七膜层221。其中，第六膜层212与第七膜层221的材料性质不同，第五膜层211与第七膜层221的材料性质相同；且第五膜层211与第七膜层221在第一区a111远离第二区a112的区域搭接，以使第五膜层211与第七膜层221之间包裹第五膜层211。
96.本技术实施例设置材料性质相同的第五膜层211和第七膜层221搭接，以使第五膜层211与第七膜层221之间包裹第六膜层212。其中，第五膜层211与第七膜层221的搭接区的粘附力较强，加强了第七膜层221和第六膜层212邻接的牢固性，有利于避免第七膜层221鼓包问题的发生。以及，本技术实施例可以采用现有工艺制程，无需做额外工艺处理，从而有利于提升显示面板的制作良率和产能。
97.继续参见图13，可选地，第一功能结构210为显示结构，第二功能结构220为触控结构，在第一区a111，第一功能结构210包括：层叠设置的衬底101、缓冲层106、无机介质层107、第一平坦化层108和第二平坦化层109等膜层。在第二区a112，第一功能结构210包括：层叠设置的衬底101、缓冲层106、无机介质层107和封装层213等膜层。在面板区a11，第二功能结构220包括：无机绝缘层201和保护层204。第五膜层211为缓冲层106、第六膜层212为第二平坦化层109、第七膜层221为无机绝缘层203。即在第一区a111内，缓冲层106与无机绝缘层203搭接，以使缓冲层108与无机绝缘层203包裹第二平坦化层109。
98.继续参见图13，可选地，在第二区a112，第一功能结构210还包括封装层213，封装层213与第二功能结构220邻接。由于封装层213表面对第一功能结构的粘附力不受等离子体表面处理的影响，因此，封装层213与第二功能结构220邻接，不易引起第二功能结构220的鼓包问题。
99.应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本技术中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本技术的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
100.上述具体实施方式，并不构成对本技术保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本技术的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术保护范围之内。