显示驱动系统、显示面板和显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示驱动系统、显示面板和显示装置。


背景技术：

2.当前主流的平板显示技术主要是液晶显示以及有机发光二极管显示。其显示驱动系统一般包括驱动芯片。目前，显示驱动系统一般基于单晶硅cmos的集成电路技术制成，但是采用单晶硅cmos的集成电路技术，使得驱动系统结构复杂，制造成本高。


技术实现要素：

3.基于此，有必要针对传统显示驱动系统结构复杂，制造成本高的问题，提供一种显示驱动系统、显示面板和显示装置。
4.为了实现上述目的，第一方面，本技术实施例提供了一种显示驱动系统，显示驱动系统包括行扫描电路、列信号产生电路以及图像数据解析电路；
5.图像数据解析电路分别连接行扫描电路和列信号产生电路；
6.其中，行扫描电路采用低温多晶硅制成；列信号产生电路采用低温多晶硅制成；图像数据解析电路采用低温多晶硅制成。
7.在其中一个实施例中，显示驱动系统还包括像素控制单元电路；像素控制单元电路分别连接行扫描电路和列信号产生电路；像素控制单元电路用于驱动像素；其中，像素控制单元电路采用低温多晶硅制成。
8.在其中一个实施例中，像素控制单元电路包括开关模块、运算放大器、tft开关以及反馈电阻；开关模块的输入端连接列信号产生电路，控制端连接行扫描电路，输出端连接运算放大器的反相输入端；运算放大器的同相输入端通过反馈电阻接地，输出端连接tft开关的栅极；tft开关的漏极连接像素，源极通过反馈电阻接地；其中，开关模块采用低温多晶硅制成；运算放大器采用低温多晶硅制成；tft开关采用低温多晶硅制成；反馈电阻采用低温多晶硅制成。
9.在其中一个实施例中，像素控制单元电路还包括数据保持模块；数据保持模块分别连接开关模块的输出端和运算放大器的反相输入端。
10.在其中一个实施例中，列信号产生电路包括图像信号行缓存模块、数模转换模块以及运放缓存模块；图像信号行缓存模块、数模转换模块和运放缓存模块依次连接；图像信号行缓存模块连接图像数据解析电路；其中，图像信号行缓存模块采用低温多晶硅制成；数模转换模块采用低温多晶硅制成；运放缓存模块采用低温多晶硅制成。
11.在其中一个实施例中，显示驱动系统还包括时序控制芯片；时序控制芯片连接图像数据解析电路。
12.在其中一个实施例中，显示驱动系统还包括电源管理芯片；电源管理芯片分别连接行扫描电路和列信号产生电路。
13.在其中一个实施例中，电源管理芯片上集成有电平幅度转换模块、电源生成模块
和伽马电压生成模块；
14.电平幅度转换模块连接行扫描电路；电源生成模块和伽马电压生成模块分别连接列信号产生电路。
15.第二方面，本技术实施例还提供了一种显示面板，显示面板包括显示层以及如上述的显示驱动系统；显示层分别连接显示驱动系统的行扫描电路和列信号产生电路。
16.第三方面，本技术实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括主控板以及如上述的显示面板；主控板连接显示面板的显示驱动系统。
17.上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
18.本技术各实施例提供的显示驱动系统包括行扫描电路、列信号产生电路以及图像数据解析电路。图像数据解析电路分别连接行扫描电路和列信号产生电路。在制造过程中，行扫描电路采用低温多晶硅制成；列信号产生电路采用低温多晶硅制成；图像数据解析电路采用低温多晶硅制成。由于利用低温多晶硅构建电路，要比利用单晶硅构建电路要简单，因此，本技术显示驱动系统相比于传统采用单晶硅制成的显示驱动系统，结构要简单，有利于降低生产制造成本。
附图说明
19.图1为本技术实施提供显示驱动系统的结构示意图。
20.图2为本技术实施提供显示驱动系统的列信号产生电路的结构示意图。
21.图3为本技术实施提供显示驱动系统的显示层的结构示意图。
22.图4为本技术实施提供显示驱动系统的像素控制单元电路的结构示意图。
23.附图标号：
24.11、行扫描电路；13、列信号产生电路；131、图像信号行缓存模块；133、数模转换模块；135、运放缓存模块；15、图像数据解析电路；17、显示层；19、像素控制单元电路；191、开关模块；193、数据保持模块；195、tft开关；197、反馈电阻；199、运算放大器。
具体实施方式
25.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的首选实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。
26.需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件并与之结合为一体，或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“安装”、“一端”、“另一端”以及类似的表述只是为了说明的目的。
27.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
28.显示器中的显示驱动系统作为驱动显示层17发光的器件，传统技术中，采用单晶硅集成显示驱动系统，导致其结构复杂，且生产制造成本高。为了简化显示驱动系统的结构，降低生产制造成本，如图1所示，提供了一种显示驱动系统，显示驱动系统包括行扫描电
路11、列信号产生电路13以及图像数据解析电路15。其中，行扫描电路11用于将通道信号逐行输出给像素。采用行扫描电路11作为驱动时，行扫描电路11在其外接电路提供几路控制信号的基础上，采用与薄膜晶体管相同制程的工艺制作出行扫描驱动电路，实现逐行扫描驱动功能。采用行扫描电路11，可以节省扫描驱动相关的集成电路，降低了显示器制作的成本。
29.行扫描电路11的工作原理为：行扫描电路11相当于一个移位寄存器的功能，响应于其外接电路的控制信号，产生移位脉冲信号，该移位脉冲信号用于驱动当前行的像素的tft(thin film transistor，薄膜晶体管)开启，又作为下一行的起始信号(其中，第一行由帧起始信号触发)和上一行的结束信号进行控制。其中，外接电路向行扫描电路11传输的控制信号包括帧起始信号、相位相反的时钟信号对、tft(thin film transistor，薄膜晶体管)关闭的直流电压信号vss以及直流电压信号vdd。需要说明的是，行扫描电路11采用低温多晶硅制成。根据掺杂的类型不同，低温多晶硅既能掺杂形成n型半导体，又能掺杂形成p型半导体。采用低温多晶硅制成行扫描电路11，可简化行扫描电路11的结构，降低行扫描电路11的生产制造成本。
30.列信号产生电路13用于将rgb(red/green/blue，红色/绿色/蓝色)灰阶信号转换成电压信号，经由列信号产生电路13上的各通道输出，即列信号产生电路13连接显示层17上的各数据线，将电压信号通过数据线输出。需要说明的是，列信号产生电路13采用低温多晶硅制成。采用低温多晶硅制成列信号产生电路13，可简化列信号产生电路13的结构，降低列信号产生电路13的生产制造成本。
31.在一个示例中，如图2所示，列信号产生电路13包括图像信号行缓存模块131、数模转换模块133以及运放缓存模块135。其中，图像信号行缓存模块131用于将串行输入的rgb信号按行为单位缓存。数模转换模块133用于将图像信号由数字信号转为电压信号。运放缓存模块135用于缓存电压信号，然后将电压信号通过运放缓存模块135上各通道输出，即运放缓存模块135连接显示层17上的各数据线，将电压信号通过数据线输出。在列信号产生电路13中，图像信号行缓存模块131、数模转换模块133和运放缓存模块135依次连接，而对外，图像信号行缓存模块131连接图像数据解析电路15。数据流向为：图像数据解析电路15将rgb信号传输给图像信号行缓存模块131，图像信号行缓存模块131将串行输入的rgb信号按行为单位缓存，数模转换模块133将rgb信号转换成电压信号，电压信号由运放缓存模块135上的各通道输出。
32.需要说明的是，图像信号行缓存模块131采用低温多晶硅制成，采用低温多晶硅制成图像信号行缓存模块131，可简化图像信号行缓存模块131的结构，降低图像信号行缓存模块131的生产制造成本。数模转换模块133采用低温多晶硅制成，采用低温多晶硅制成数模转换模块133，可简化数模转换模块133的结构，降低数模转换模块133的生产制造成本。运放缓存模块135采用低温多晶硅制成，采用低温多晶硅制成运放缓存模块135，可简化运放缓存模块135的结构，降低运放缓存模块135的生产制造成本。
33.图像数据解析电路15用于对输入的图像信号进行解析，得到rgb信号，图像数据解析电路15连接列信号产生电路13将rgb信号传输给列信号产生电路13，另外，图像数据解析电路15连接行扫描电路11，将帧起始信号传输给行扫描电路11。需要说明的是，图像数据解析电路15采用低温多晶硅制成，采用低温多晶硅制成图像数据解析电路15，可简化图像数
据解析电路15的结构，降低图像数据解析电路15的生产制造成本。
34.为驱动显示层17中的各像素，如图3所示，显示驱动系统还包括像素控制单元电路19，像素控制单元电路19用于驱动像素。像素控制单元电路19的数量与像素数量相等，即一个像素控制单元电路19驱动一个像素。像素控制单元电路19分别连接行扫描电路11和列信号产生电路13，像素控制单元电路19接收行扫描电路11发送的开关控制信号，在开关控制信号的控制下，像素控制单元电路19导通或关闭。像素控制单元电路19接收列信号产生电路13发送的电压信号，像素控制单元电路19将电压信号转换成电流信号，给像素供电，控制像素的发光亮度。需要说明的是，像素控制单元电路19采用低温多晶硅制成，采用低温多晶硅制成像素控制单元，可简化像素控制单元的结构，降低像素控制单元的生产制造成本。
35.在一个示例中，如图4所示，像素控制单元电路19包括开关模块191、运算放大器199、tft开关195以及反馈电阻197。需要说明的是，开关模块191的输入端连接列信号产生电路13，控制端连接行扫描电路11，输出端连接运算放大器199的反相输入端。行扫描电路11上的电压信号控制开关模块191导通或断开，在开关模块191导通的情况下，列信号产生电路13传输的电压信号经开关模块191传输到运算放大器199的反相输入端。另外，运算放大器199的同相输入端通过反馈电阻197接地，运算放大器199经反馈电阻197调节输出电流信号，形成恒流源，运算放大器199的输出端连接tft开关195的栅极，运算放大器199将电流信号传输给tft开关195的栅极。tft开关195的漏极连接像素，源极通过反馈电阻197接地，tft开关195在导通时将电流信号传输给与其连接的像素，驱动像素。
36.需要说明的是，开关模块191采用低温多晶硅制成，采用低温多晶硅制成开关模块191，可简化开关模块191的结构，降低开关模块191的生产制造成本。运算放大器199采用低温多晶硅制成，采用低温多晶硅制成运算放大器199，可简化运算放大器199的结构，降低运算放大器199的生产制造成本。tft开关195采用低温多晶硅制成，采用低温多晶硅制成tft开关195，可简化tft开关195的结构，降低tft开关195的生产制造成本。
37.在一个示例中，如图4所示，像素控制单元电路19还包括数据保持模块193；数据保持模块193分别连接开关模块191的输出端和运算放大器199的反相输入端。
38.在一个示例中，显示驱动系统还包括时序控制芯片；时序控制芯片连接图像数据解析电路15。时序控制芯片向像数据解析电路提供stv(帧起始信号)、clk(时钟信号)。需要说明的是，考虑到时序控制芯片需要高速运行，时序控制芯片采用单晶硅制成。
39.在一个示例中，显示驱动系统还包括电源管理芯片；电源管理芯片分别连接行扫描电路11和列信号产生电路13。电源管理芯片分别连接行扫描电路11和列信号产生电路13，用于为行扫描电路11和列信号产生电路13提供所需的电压信号，例如包括stv(帧起始信号)、clk(时钟信号)、avdd(模拟电源)、vcom(公共电压信号)、vgh(高电平信号)、vgl(低电平信号)、gamma(伽马)电压，并进行电压幅度转换。需要说明的是，电源管理芯片采用低温多晶硅制成。采用低温多晶硅制成电源管理芯片，可简化电源管理芯片的结构，降低电源管理芯片的生产制造成本。
40.在一个示例中，电源管理芯片上集成有电平幅度转换模块、电源生成模块和伽马电压生成模块。其中，电平幅度转换模块连接行扫描电路11，用于对时序信号(例如，时序控制芯片传输的时序信号)进行电压幅值转换，将转换后的时序信号传输给行扫描电路11，例如，提供stv(帧起始信号)、clk(时钟信号)给行扫描电路11。电源生成模块连接列信号产生
电路13，用于生成列信号产生电路13所需的电压信号，例如包括avdd(模拟电源)、vcom(公共电压信号)、vgh(高电平信号)、vgl(低电平信号)。伽马电压生成模块连接列信号产生电路13，用于生成gamma(伽马)电压，提供给列信号产生电路13。
41.本技术例提供的各实施，显示驱动系统包括行扫描电路11、列信号产生电路13以及图像数据解析电路15。图像数据解析电路15分别连接行扫描电路11和列信号产生电路13。在制造过程中，行扫描电路11采用低温多晶硅制成；列信号产生电路13采用低温多晶硅制成；图像数据解析电路15采用低温多晶硅制成。由于利用低温多晶硅构建电路，要比利用单晶硅构建电路要简单，因此，本技术显示驱动系统相比于传统采用单晶硅制成的显示驱动系统，结构要简单，有利于降低生产制造成本。
42.在一个实施例中，提供了一种显示面板，显示面板包括显示层17以及如上述的显示驱动系统；显示层17分别连接显示驱动系统的行扫描电路11和列信号产生电路13。
43.需要说明的是，该实施例中显示驱动系统与本技术显示驱动系统相同，详情请参考本技术显示驱动系统各实施例，此处不再赘述。
44.其中，显示层17在显示驱动系统的驱动下显示视频、图像等内容。例如，显示层17为液晶显示层17。
45.在一个实施例中，提供了一种显示装置，显示装置包括主控板以及如上述的显示面板；主控板连接显示面板的显示驱动系统。
46.需要说明的是，该实施例中显示驱动系统与本技术显示驱动系统相同，详情请参考本技术显示驱动系统各实施例，此处不再赘述。
47.其中，主控板为显示装置的控制中心，例如，控制显示面板的显示驱动系统，为显示驱动系统提供电源、控制信号等。
48.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
49.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。