一种阵列基板驱动电路、阵列基板及显示装置的制作方法

本发明涉及显示设备，尤其涉及一种阵列基板驱动电路、阵列基板及显示装置。

背景技术：

1、随着显示技术的快速发展，随着显示技术的快速发展，mini led(minilightemitting diode，次毫米发光二极管)和micro led(micro light emitting diode，微发光二极管)的显示产品引起人们广泛的关注。

2、然而，在长期工作环境下，mini led或microled的连接走线之间受到磁场影响容易发生电化学反应，以致产生腐蚀问题，降低mini led或micro led显示产品的可靠性。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明的目的在于提出一种阵列基板驱动电路、阵列基板及显示装置，以解决现有技术中连接走线容易发生电化学腐蚀的问题。

2、基于上述目的，本发明提供了一种阵列基板驱动电路，包括：

3、多个彼此间隔设置的连接导线，所述连接导线用于驱动阵列基板的显示区域发光；

4、其中，至少一所述连接导线的侧边间隔设置有绝缘的屏蔽保护线，所述屏蔽保护线顺沿所述连接导线的走向延伸至所述连接导线的信号连接端，所述屏蔽保护线被配置为发生电化学腐蚀时作为电解池的阴极吸收阳离子。

5、进一步地，所述屏蔽保护线为开路导线；

6、所述屏蔽保护线在所述阵列基板上的正投影与所述连接导线在所述阵列基板上的正投影不重合。

7、进一步地，所述屏蔽保护线被设置于两间隔的连接导线之间，且所述两间隔的连接导线之间具有电压差。

8、进一步地，所述屏蔽保护线与所述连接导线的材质相同，所述连接导线与所述屏蔽保护线通过同一加工工艺制备在所述阵列基板上。

9、进一步地，所述连接导线与所述屏蔽保护线位于同一布线层上。

10、进一步地，所述屏蔽保护线的线宽为20-200μm；所述屏蔽保护线与相邻所述连接导线之间的间距不小于20μm。

11、进一步地，所述屏蔽保护线与任一相邻的所述连接导线之间的距离处处相同。

12、进一步地，所述屏蔽保护线具有朝向所述连接导线的宽度方向弯折的保护折弯，所述保护折弯的延伸长度大于所述连接导线的宽度。

13、基于同一发明构思，本申请还提供了一种阵列基板，包括如上任一项所述的阵列基板驱动电路；所述阵列基板还包括：

14、发光器件和驱动控制器件，所述发光器件通过所述连接导线连接至所述驱动控制器件，所述驱动控制器件被配置为控制至少一个所述发光器件开启或关闭；

15、所述屏蔽保护线在所述阵列基板上的正投影与所述发光器件和所述驱动控制器件在所述阵列基板上的正投影不重合。

16、基于同一发明构思，本申请还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。

17、从上面所述可以看出，本发明提供的阵列基板驱动电路，在连接导线的侧边间隔设置有绝缘的屏蔽保护线，由于屏蔽保护线顺沿连接导线的走向延伸设置，当连接导线上电产生的电磁场导致阳离子发生迁移时，电化学腐蚀时屏蔽保护线作为电解池的阴极吸收阳离子，使电化学腐蚀集中在屏蔽保护线上，削弱连接导线之间的相互影响，减小电场强度，防止析出阳离子向连接导线所在的功能线路聚集而造成线路结构失效，提升阵列基板驱动电路的产品信赖性。

技术特征：

1.一种阵列基板驱动电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板驱动电路，其特征在于，所述屏蔽保护线为开路导线；

3.根据权利要求2所述的阵列基板驱动电路，其特征在于，所述屏蔽保护线设置于两间隔的连接导线之间，且所述两间隔的连接导线之间具有电压差。

4.根据权利要求1所述的阵列基板驱动电路，其特征在于，所述屏蔽保护线与所述连接导线的材质相同，所述连接导线与所述屏蔽保护线通过同一加工工艺制备在所述阵列基板上。

5.根据权利要求4所述的阵列基板驱动电路，其特征在于，所述连接导线与所述屏蔽保护线位于同一布线层上。

6.根据权利要求1所述的阵列基板驱动电路，其特征在于，所述屏蔽保护线的线宽为20-200μm；所述屏蔽保护线与相邻所述连接导线之间的间距不小于20μm。

7.根据权利要求1所述的阵列基板驱动电路，其特征在于，所述屏蔽保护线与任一相邻的所述连接导线之间的距离处处相同。

8.根据权利要求1所述的阵列基板驱动电路，其特征在于，所述屏蔽保护线具有朝向所述连接导线的宽度方向弯折的保护折弯，所述保护折弯的延伸长度大于所述连接导线的宽度。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板驱动电路；所述阵列基板还包括：

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。

技术总结
本发明提供了一种阵列基板驱动电路、阵列基板及显示装置，属于显示设备技术领域，该阵列基板驱动电路包括多个彼此间隔设置的连接导线，所述连接导线用于驱动阵列基板的显示区域发光；其中，至少一所述连接导线的侧边间隔设置有绝缘的屏蔽保护线，所述屏蔽保护线顺沿所述连接导线的走向延伸至所述连接导线的信号连接端，所述屏蔽保护线被配置为发生电化学腐蚀时作为电解池的阴极吸收阳离子。本发明提供的阵列基板驱动电路，利用在连接导线的侧边间隔设置屏蔽保护线，屏蔽保护线顺沿连接导线的走线延伸至连接导线的信号连接端，屏蔽保护线能够削弱连接导线之间的相互影响，减小电场强度，防止析出阳离子向功能线路聚集而造成线路结构失效。

技术研发人员：秦建伟,汤海,张冰,徐亮亮,王业明,顾二兴
受保护的技术使用者：合肥京东方瑞晟科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16