专利名称：等离子体寻址的液晶显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子体寻址的液晶显示器，其特征在于它的熔接密封。
近年来，提出了一种等离子体寻址的液晶显示器(PALC)，其包括液晶元件和等离子体元件，通过一个介质片相叠置。
图1是表示有关技术的这种等离子体寻址的液晶显示器的布置的视图。
图1的等离子体寻址的液晶显示器具有平板布置，其中液晶元件2和等离子体元件3通过介质片4相叠置。
在液晶元件2中，滤色衬底21在经由液晶密封材料22形成预定间隙状态下接到介质片4上。在滤色衬底21的内表面上，尽管没有图示说明，但是在列方向(与图垂直方向)平行形成在行方向延伸的包括透明导电材料的取条形的数据电极。液晶填满滤色衬底21与介质片4之间的间隙，以形成液晶层23。应该注意，虽然图1中没有示出，但是在液晶层23中安排有隔离件，以便使间隙尺寸均匀。
在等离子体元件3中，等离子体衬底玻璃31以其间具有预定间隙面向介质片4。在介质片4侧的等离子体衬底玻璃31上，形成在列方向延伸并且在行方向以预定间隙平行形成的取条形的显示电极32。在显示电极32上，形成由绝缘陶瓷或其它类似材料制成并且比显示电极32具有较窄宽度的隔肋(barrier rib)33，以便以等间距叠在显示电极32上。经由这些显示电极32和隔肋33，等离子体衬底玻璃31以预定间隙面向介质片4。这些显示电极32和隔肋33构成隔肋5。由隔肋5限定的密封空间构成等离子体室34。等离子体室34在列方向延伸，并且在行方向以预定间隙形成。
在等离子体室34中，密封一种电离气体。至于这种气体，例如使用氦，氖，氩，或它们的混合气体。这样，显示电极32和隔肋33执行分隔等离子体室的隔肋的功能，并且同时还执行等离子体室的间隙隔离件的功能。应该注意，显示电极32各自连接到一个驱动器上，以便它们交替成为阳极电极32A和阴极电极32K。在等离子体衬底玻璃31的周缘，安排一个使用低熔点玻璃或其它类似材料形成的环形熔接密封35。等离子体衬底玻璃31与介质片4由这种熔接密封35紧密地结合。
在该等离子体寻址的液晶显示器中，数据显示电极与等离子体室34正交，数据电极成为列驱动单元，等离子体室34成为行驱动单元，并且像素限定在相交点。
在这种等离子体寻址的液晶显示器中，当预定电压施加于阳极电极32A与显示电极32K之间时，那个等离子体室34部分的气体选择性地被电离，并且产生等离子体放电。其内部大约保持为阳极电位。当在这种状态下使数据电压施加于数据电极时，经由介质片4，数据电压写入与这个等离子体室34相对应的列方向排列的像素的液晶层23。当等离子体放电结束时，等离子体室34成为浮动电位，并且写入对应像素的液晶层23中的电压保持到下一个写周期(例如一帧以后)为止。其时，等离子体室34起一个取样开关作用，并且各像素的液晶层23起一个取样电容器作用。
通过相对各像素的液晶层23由数据电极15写入的数据电压而对液晶的操作，以像素单元实现显示。因此，通过顺序扫描等离子体室34因产生等离子体放电而在行方向对列方向排列的多个液晶像素的液晶层23写入数据电压，能实现二维图像显示。
图2A是图1所示等离子体液晶显示器的熔接密封35附近的主要部分的纵断面图。
如图2A所示，在图中熔接密封35右边设置虚隔肋40。熔接密封35的宽度的最佳值大约为2mm。
换句话说，这是因为如图2B所示，当熔接密封35的宽度W太大时，当结合时软化熔接密封35的结合表面时，介质片4变形为波形，液晶密封材料22不再适当呈现密封功能，并且位于液晶密封材料22周缘处的液晶层23的间隙改变，这样产生许多缺陷部分。
然而，在前述等离子体寻址的液晶显示器中，熔接密封35的宽度W确定为大约2mm，因此熔接密封35，介质片4与等离子体衬底玻璃31之间的结合面积小，并且结合强度弱，这样其具有介质片4与等离子体衬底玻璃31将会从熔接密封35剥离的缺点。换句话说，在制造过程中，在滤色衬底21和等离子体衬底玻璃31中产生翘曲。滤色衬底21和等离子体衬底玻璃31如图3A那样结合，并且翘曲如图3B那样校正。其时，在它们相互剥离的方向对滤色衬底21和等离子体衬底玻璃31加力。其时，介质片4与等离子体衬底玻璃31之间经由等离子体衬底玻璃31的结合强度比介质片4与滤色衬底21之间的结合强度弱，这样介质片4与滤色衬底21有时剥离。
本发明的一个目的是提供一种等离子体寻址的液晶显示器，其介质片与等离子体衬底玻璃之间的结合强度能在不产生液晶层间隙不均匀情况下得到增强。
本发明的等离子体寻址的液晶显示器是这样一种等离子体寻址的液晶显示器，其中等离子体寻址的液晶显示器包括一个第一衬底，具有在内表面上在列方向排列的透明电极；一个中间片，以一个间隙粘附于第一衬底，并且在该间隙中保持有液晶层；一个等离子体元件，包括一个第二衬底，具有按行排列的放电电极；多个隔肋，位于内表面上，并且在隔肋外侧通过提供一种结合装置而在第二衬底与中间片之间密封一种电离气体；以及一个环形加强(增强)装置，其装设在第二衬底与中间片之间，在结合装置的外侧形成。
优选地，虚隔肋(dummy barrier rib)设置在结合装置与加强装置之间。
优选地，虚隔肋的高度不大于隔肋的高度。
优选地，加强装置呈现连续环形。
优选地，加强装置呈现不连续环形。
优选地，加强装置具有比结合材料的宽度大的宽度。
参考附图，将更为详细地叙述本发明的上述和其它目的及特点，其中图1是常规等离子体寻址的液晶显示器的布置的示意横断面图；图2A和图2B是布置的示意横断面图，用于说明图1所示等离子体寻址的液晶显示器的缺点；图3A和图3B是布置的示意横断面图，用于说明图1所示等离子体寻址的液晶显示器的缺点；图4是按照本发明的一个实施例的等离子体寻址的液晶显示器的布置的示意横断面图；图5A和图5B是平面图，用于说明图4所示等离子体寻址的液晶显示器的熔接密封的图形；图6A至图6E是用于说明图4所示等离子体寻址的液晶显示器的制造方法的视图。
以下，将对按照本发明的一个实施例的等离子体寻址的液晶显示器作说明。
图4是按照本实施例的等离子体寻址的液晶显示器的布置的示意横断面图。
如图4所示，按照本实施例的等离子体寻址的液晶显示器具有平板布置，其中液晶元件2和等离子体元件3经由介质片4相叠置。
在液晶元件2中，滤色衬底21经由液晶密封材料22以其间形成预定间隙的状态接到介质片4上。在滤色衬底21的内表面上，尽管没有图示说明，但是在列方向(与图垂直方向)平行形成在行方向延伸的包括透明导电材料的取条形的数据电极。液晶填满滤色衬底21与介质片4之间的间隙，以便形成液晶层23。应该注意，虽然图4没有示出，但是在液晶层23中安排有隔离件，以便使间隙尺寸均匀。
在等离子体元件3中，等离子体衬底玻璃31以其间具有预定间隙面向介质片4。在介质片4侧的等离子体衬底玻璃31上，形成在列方向延伸并且在行方向以预定间隙平行形成的取条形的显示电极32。在显示电极32上，形成由绝缘陶瓷或其它类似材料制成并且比显示电极32具有较窄宽度的隔肋33，以便以等间距叠置在显示电极32上。等离子体衬底玻璃31经由这些显示电极32和隔肋33以预定间隙面向介质片4。这些显示电极32和隔肋33构成隔肋5。由隔肋5限定的密封空间构成等离子体室34。等离子体室34在列方向延伸，并且在行方向以预定间隙形成。在等离子体室34中，密封一种电离气体。至于这种电离气体，例如使用氦，氖，氩，或它们的混合气体。这样，显示电极32和隔肋33执行分隔等离子体室的隔肋的功能，并且同时还执行等离子体室的间隙隔离件的功能。应该注意，显示电极32各自连接到驱动器上，以便它们交替成为阳极电极32A和阴极电极32K。
图5A是说明图4所示的等离子体寻址的液晶显示器的熔接密封35和10的图形的平面图。
如图4和图5A所示，在等离子体衬底玻璃31的周缘上，安排一个使用低熔点玻璃或其它类似材料的环状熔接密封35，以便环绕隔肋5。等离子体衬底玻璃31与介质片4由这个熔接密封35紧密地结合。熔接密封35的宽度例如大约为2mm。应该注意，熔接密封35的宽度是通过考虑介质片4在结合时的破坏强度而确定，并且最佳值例如按照介质片4的材料和厚度不同而不同。
此外，从隔肋5所限定的有效屏区域的边缘到熔接密封35的距离W例如为1.8mm或更小。
在熔接密封35的外侧，尽管没有图示说明，但是例如在大约4.0mm范围之内设置六个虚隔肋11。
此外，在虚隔肋11的外侧，安排一个起增强装置作用的连续环形熔接密封10，以便环绕虚隔肋11。熔接密封10的宽度比熔接密封35的宽度大，并且例如大约为5.0mm。通过这样使熔接密封10的宽度比熔接密封35的宽度大，能加强熔接密封10的增强功能。
这里，在等离子体衬底玻璃31与介质片4结合之后，熔接密封10和35的顶部高度不得高于隔肋33的顶部。这样使为了当形成液晶层23时使液晶层23的元件间隙均匀。
按照本实施例的等离子体寻址的液晶显示器，通过除熔接密封35以外还设置熔接密封10，使介质片4与等离子体衬底玻璃31的结合强度得到增强，并且结果，使液晶元件2与等离子体元件3之间的结合力得到增强。由于这个原因，即使熔接密封35的宽度确定为大约2mm，在制造过程中介质片4与等离子体衬底玻璃31也将不会剥离。
此外，由于熔接密封35的宽度确定为大约2mm，所以在结合时介质片4将根本不会变形太大。由于这个原因，液晶密封材料22能适当地呈现密封功能，并且同时，能防止液晶层23的间隙出现不均匀。
在该等离子体寻址的液晶显示器中，数据电极与等离子体室34正交，数据电极成为列驱动单元，等离子体室34成为行驱动单元，并且像素限定在同样的相交点。
在这种等离子体寻址的液晶显示器中，当预定电压施加于阳极电极32A与阴极电极32K之间时，那个等离子体室34部分的电极选择性地被电离，并且产生等离子体放电。其内部保持大约为阳极电位。当在这种状态下使数据电压施加于数据电极时，经由介质片4，数据电压写入与这个等离子体室34相对应的列方向排列的像素的液晶层23。当等离子体放电结束时，等离子体室34成为浮动电位，并且写入对应像素的液晶层23中的电压保持到下一个写周期(例如一帧以后)为止。其时，等离子体室34起一个取样开关作用，并且各像素的液晶层23起一个取样电容器作用。
通过相对各像素的液晶层23由数据电极15写入的数据电压而对液晶的操作，以像素单元实现显示。因此，通过顺序扫描等离子体室34因产生等离子体放电而在行方向对列方向排列的多个液晶像素的液晶层23写入数据电压，能实现二维图像显示。
以下，将利用图6A至图6E对图4和图5A所示的等离子体寻址的液晶显示器的制造方法作说明。
首先，如图6A所示，显示电极的图形例如通过网板印刷方法，取条形印刷在等离子体衬底玻璃31上，并且然后干燥，以便形成显示电极32。与此同时，在显示电极32的外侧形成虚显示电极12。
其次，如图6B所示，在以条形成的显示电极32上，通过网板印刷以相同间距叠置隔肋33。在这种情况下，为了使隔肋33制成大约200mm的高度，重复网板印刷以赋予双敷层，并且由此得到这个高度。在印刷预定高度的隔肋之后，进行熔结，并且抛光隔肋的顶部，以便使隔肋的高度匹配预定高度。与此同时，在虚显示电极12上形成虚隔肋13。
然后，如图6C所示，通过配量器或其它类似装置，在等离子体衬底玻璃31的周缘上形成熔接密封10和35，经由这些熔接密封10和35，由玻璃制成的介质片4以处于放置隔肋上，使形成的等离子体室34抽空，并且然后注入气体的状态，结合到等离子体衬底玻璃上。
其次，执行一种没有图示说明的定向处理。如图6D所示，散布用来使液晶层厚度均匀的隔离件24，然后，如图6E所示，经由液晶密封材料22，滤色衬底21结合在介质片4上，以形成液晶室，然后注入液晶，由此得到图4和图5A所示的等离子体寻址的液晶显示器。
本发明的等离子体寻址的液晶显示器不局限于上述实施例。例如，在上述实施例中，如图5A所示的连续环形熔接密封10举例说明为增强装置，但是在本发明中，还可能例如使用如图5B所示，通过取环形间断安排具有方块形状的图形而得到的熔接密封15。通过这样使图形间断，能以低制造精度形成熔接密封15。应该注意，在具有不连续图形的熔接密封15中，还可能取环形来间断安排半园图形。此外，还可能取环形沿纵向改变厚度来安排间断图形而构成熔接密封15。这里，熔接密封15通过取方环形来安排间断图形而构成，如果间断图形各自安排在至少八个部分，即方形四角和它们的中间点，那么能适当呈现增强功能。
此外，还可能在图5A所示的熔接密封10的外侧形成虚隔肋。通过这样形成虚隔肋，使得有可能防止介质片4的外侧端部下垂，并且还利用熔接物来光滑地密封介质片。
如上说明，按照本发明的等离子体寻址的液晶显示器，中间片与等离子体元件的衬底之间的结合强度得到增强，并且结果，液晶元件与等离子体元件之间的结合力得到增强。由于这个原因，在制造过程中，中间片与等离子体元件的衬底将不会剥离。此外，按照本发明的等离子体寻址的液晶显示器，在结合时中间片将根本不会变形太大。由于这个原因，液晶密封材料能适当呈现密封功能，并且同时，能防止液晶出现间隙不均匀。
应该注意，本发明不局限于上述实施例，并且能在本发明的范围之内以各种各样方式变更。
权利要求
1.一种等离子体寻址的液晶显示器，包括一个第一衬底，具有在内表面上按列排列的透明电极；一个中间片，以一个间隙粘附于第一衬底，并且在间隙中保持一个液晶层；一个等离子体元件，包括一个第二衬底，具有按行排列的放电电极；多个隔肋，位于内表面上，并且在隔肋的外侧通过设置结合装置而在第二衬底与中间片之间密封一种电离气体；以及一个环形加强装置，其设置在第二衬底与中间片之间，在结合装置的外侧形成。
2.如权利要求1所述的一种等离子体寻址的液晶显示器，还包括虚隔肋，设置在所述结合装置与所述加强装置之间。
3.如权利要求2所述的一种等离子体寻址的液晶显示器，其中虚隔肋的高度不大于所述隔肋的高度。
4.如权利要求1所述的一种等离子体寻址的液晶显示器，其中所述加强装置呈现连续环形。
5.如权利要求1所述的一种等离子体寻址的液晶显示器，其中所述加强装置呈现不连续环形。
6.如权利要求1所述的一种等离子体寻址的液晶显示器，其中所述加强装置具有比所述结合材料的宽度大的宽度。
全文摘要
为了提供一种能增强介质片与等离子体衬底玻璃之间的结合强度的等离子体寻址的液晶显示器，在隔肋的外侧设置一个熔接密封，并且在该熔接密封的外侧顺序设置虚隔肋和一个熔接密封。该熔接密封具有比前一个熔接密封宽度大的宽度，并且具有用作增强部件的作用。设置介质片和等离子体衬底玻璃，以便把隔肋夹在当中。在介质片的表面侧设置一个液晶层。
文档编号G09F9/35GK1155135SQ9611273
公开日1997年7月23日 申请日期1996年10月11日 优先权日1996年10月11日
发明者外川刚广 申请人:索尼株式会社