专利名称：一种含有机质废弃物的两级等离子体气化熔融裂解装置的制作方法
技术领域：
一种含有机质废弃物的两级等离子体气化熔融裂解装置技术领域[0001]本实用新型涉及一种废弃物处理装置，具体涉及一种含有机质废弃物的两级等 离子体气化熔融裂解装置，属机械加工技术领域。
背景技术：
[0002]中国发明专利竹田繁司等人CN 1935399A 一种有机物垃圾的分解处理方法及有 机物垃圾热分解器，介绍了释电材料在一定温度下释放电子作不规则运动，在周围设置 的永久磁场作用下，激励加速螺旋运动，伴随相互撞击，轰击有机物质产生正离子和电 子，诱发电晕等离子体反应，出现极不稳定电场。而新产生的正离子和电子，又随机地 倍增诱发电晕等离子体反应，使临近有机质产生正离子和电子，从而产生链式电晕热等 离子体反应。进而将有机质气化分解为水蒸气、带有负离子的气体和少量带有负离子的 灰烬。经过空气磁化器，带有负离子的空气，进入电晕等离子体反应区域，在受扰动 的原始磁场和不稳定电场的共同激励下，产生紊流，促进链式电晕等离子体反映扩散开 来，加速有机质的气化，取得了较好的效果。但是出现的问题之一是，不便于处理含 有大量无机质尤其是陶瓷和金属废弃物，特别是危险废弃物不能处理；问题之二是由于 反应温度一般在150 650°C，会不可避免的产生焦油和二噁英；问题之三是使用得空 气磁化器，并没有改变空气的组分，大量的氮气带入，只会加重后续尾气处理系统的负 担；问题之四空气磁化器磁性较弱，使得空气离子化较弱，反应器中有机质的热解速度 缓慢；问题之五是高磁能积永久磁铁没有设置冷却系统，显然永久磁铁由于居里点温度 效应，长期处于较高温度下，会发生退磁，直接会导致磁控等离子体效果的衰退；问题 之六，所产灰渣必需额外处理，特别是富集毒性灰渣更需特殊处理。[0003]国际专利山本正一的WO 2009/084631、日本专利青木硕志等人的特开 2010-58103与河源武史等人的特开2008-175511、中国专利平久井健三的CN201069309Y 和原田义和等人的CN2860646Y基本原理与中国发明专利竹田繁司等人CN 1935399A相 似，只是反应器结构上有区别，仍都存在上述六大问题，即使经过结构上改进，可以处 理一些带有少数量无机物质组分的废弃物，但得到的含有金属、陶瓷等混合灰渣仍需要 后续工艺特别处理。[0004]日本专利中岛和也等人的特开2007-105703中介绍了一种磁流体和磁单元处理 器，主要利用了 HALBACH阵列的高磁能积永久磁体组合体内部通道形成的高场强磁 场，将流经此通道的流体进行磁化，得到含有离子特性的活性流体。比如，此流体是空 气，则可以得到与其它物质反应活性高的空气，但是空气组分并没有改变。如果应用到 有机物质的热解方面，则占有空气的近3/4的氮气几乎没有起到有效的利用，相反会给 后续尾气处理带来不必要的负担。[0005]本人的中国专利CN 101088581、CN 101648200和CN 201496973U中注重的是将废弃物直接一步进入等离子体弧区熔融裂解，虽然可一步回收金属、玻璃体和合成气， 但是电能消耗较高，而且飞灰量较大，如果后续燃气发电，可能发出的电力不能自给自足。发明内容[0006]本实用新型的目的是为克服上述现有技术的不足之处，提供一种含有机质废弃 物的两级等离子体气化熔融裂解装置，该装置主要包括有可控布料式料仓、磁控等离子 体气化室、多功能脉冲强化旋风效应室、整体装置可倾转左右中空轴支座、等离子体弧 熔融裂解室、整体装置支柱。利用本装置的结构特点，将两级等离子体气化熔融裂解， 使得含有机物废弃物、含碳物质等得到彻底气化，能耗最小化，合成气产能最大化，同 时回收可供建材领域直接利用的玻璃体以及贵重金属，物尽其用，彻底无污染物排放和 转移，能满足任何严格的环保标准。[0007]本实用新型是以如下技术方案实现的一种含有机质废弃物的两级等离子体气 化熔融裂解装置，其特征是该装置主要包括有可控布料式料仓、磁控等离子体气化 室、多功能脉冲强化旋风效应室、整体装置可倾转左右中空轴支座、等离子体弧熔融裂 解室、整体装置支柱。[0008]所述的磁控等离子体气化室是在炉壳的内层空间设置热释电矿物材料以及竖条 形水冷高磁能积永久磁体建立原始磁场，所述的内层炉胆材料采用无磁不锈钢，其上设 置有竖条状栅形孔，每两个栅形孔间距1CM-10CM;所述的水冷高磁能积永久磁体按 S、N极相间而设，相邻S、N极相距20-40CM;相邻S、N极之间设置一个通孔，并与 炉壳外面的含有低密度等离子体的富氧空气发生器相连接。[0009]所述的含有低密度等离子体的富氧空气发生器是由磁场处理器和或多级磁场处 理器串联而成，每个磁场处理器又由4个磁场处理单元Ml、M2、M3、M4按照磁场螺 旋式布置串接而成，每个磁场处理单元之间又有抗磁质隔离板相互进行隔离；每个磁场 处理单元由8块两种尺寸规格的高磁能积永久磁体、按照HALBACH方式排列，在内部 气体通道内设置的山形磁极头上有N2溢出通道，抗磁质山形结构体上有N2溢出通道， 高磁能积永久磁体上的有N2溢出通道孔，外面的抗磁材料方管的N2溢出通道，对应贯通。[0010]所述的多功能脉冲强化旋风效应室，在其内部上方设置有可旋转大齿轮，可旋 转大齿轮附着有炉箅子；外部气囊中设置有多个文丘里喷嘴，功能脉冲强化旋风效应室 外壳为层中空蒸气产生器，所述的多功能脉冲强化旋风效应室外壳上还设置有左中空旋 转轴、右中空旋转轴，形成合成气排出通道。[0011]所述的等离子体弧熔融裂解室在外壳上设置至少1个直流等离子体弧发生器及 其拖动系统)，所述等离子体弧熔融裂解室的合成气出炉通道通过出炉合成气水冷器与多 功能脉冲强化旋风效应室上设置的右中空旋转轴进行密封对接，可靠的把等离子体弧熔 融裂解室产生的合成气对外输出；金属熔体和或熔融玻璃体经通道顺利排出体外。[0012]本实用新型的优点是磁控等离子体气化，几乎不需要消耗任何能源就可以将 被处理物料中的有机物气化处理，残余物继续升温进入多功能脉冲强化旋风效应室，滞 留飞灰玻璃化，气化未彻底的衍生有机物及残碳等，最终进入高温等离子体弧熔融裂解 1250°C 1550°C区域，进行二次彻底裂解为对环境友善的小分子气体CO，H2等；无机 物熔融浇注排出体外，用于回收有价金属和或玻璃体。不仅大量节约能源，而且彻底消除有机污染特别是二噁英类物质，同时出炉飞灰数量大幅度减少，同时飞灰还可以返回 二次处理，达到近零排放。
[0013]
以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步详细说明[0014]图1是两级等离子体气化熔融裂解装置结构示意图；[0015]图2与图3是可控布料式料仓正视及其俯视结构示意图；[0016]图4与图5是磁控等离子体气化室横截面和纵剖面结构示意图；[0017]图6是含有低密度等离子体富氧空气发生器磁场处理单元横截面结构示意图；[0018]图7是含有低密度等离子体富氧空气发生器磁场处理器结构示意图；[0019]图8是含有低密度等离子体富氧空气发生器磁场处理器的4个磁场处理单元 Ml、M2、M3、M4的螺旋式磁场布置示意图；[0020]图9是含有低密度等离子体富氧空气发生器多级磁场处理器串联示意图；[0021]图10与图11多功能脉冲强化旋风效应室正视俯视结构示意图；[0022]图12与图13等离子体弧熔融裂解室正视与俯视结构示意图；[0023]图1中，1、可控布料式料仓，2、磁控等离子体气化室，3、多功能脉冲强化旋 风效应室，4-1与4-2分别是整体装置可倾转左右中空轴支座，5、等离子体弧熔融裂解 室，6-1与6-2分别是整体装置支柱。[0024]图2与图3中，101、引风机，102、布料辊，10201、星型布置组合拨料齿， 10202、万向节式联轴器，10203、变频减速机及其驱动电机。[0025]图4与图5中，201、中空外壳，202、内胆，203、含有低密度等离子体富氧空 气发生器，204、低密度等离子体富氧空气进气管，205、水冷永久磁体，206、热电偶， 207、释电矿物材料，208、磁控等离子体气化气化区域，209、磁控等离子体气化室底座 法兰，210、气化剂补给口，211、磁控等离子体气化室顶部法兰，212、密封式瞭望窗 口，213、栅形孔，214、密封式检修孔，215、热电偶。[0026]图6、7、8、9中，20301、无孔永久磁体，20302、有孔(N2溢出通道)永久磁 体，203021、N2溢出通道，20303、抗磁有孔(N2溢出孔)方管，203031、N2溢出孔， 20304、抗磁方管，20305、有孔(N2溢出通道)山形磁极头，203051、N2溢出通道， 20306、有孔(N2溢出通道)抗磁质山形结构体，203061N2溢出通道，20307、抗磁质进 气管，20308、有孔(N2溢出通道)抗磁质封堵板，203081、N2溢出通道，20309、抗磁 质隔离板，20310、气阀，20311、抗磁质连接弯管，20312、抗磁质出气管。[0027]图10与图11中，301、中空水冷十字齿轮支持架，302、齿轮支持轮(共4 个)，303、大齿轮，304、齿轮中心定位销，305、小齿轮，306、水蒸气出口管，307、 双层中空蒸汽产生器，308、气囊，309、脉冲电动文丘里喷嘴0套)，310、中空轴法 兰，311、右中空轴(合成气通道)，312、水冷垂直合成气通道，313、法兰，314、液位 计，315、热电偶，316、左中空轴，317、小齿轮驱动减速电机，318、气化气重整用气 入口，319、冷水补入口，320、炉箅子，321、热水排出口。[0028]图12与图13中，501、直流等离子体弧发生器，50101、直流等离子体弧发生 器拖动系统，502、出炉合成气水冷器，50201、合成气水冷器密封盖，50202、合成气水冷器出水口，50203、合成气水冷器进水口，503、炉底电位测试引出极，504、检修孔， 50401、检修孔密封盖，505、合成气出炉通道，506、观测孔通道，50601、观测孔密封 盖，507、高温摄像系统，508、水口 /渣口通道，509、水/渣咀，510、合成气水冷器对 接法兰，511、耐火材料，512、熔池，513、测温热电偶，514、测温热电偶。
具体实施方式
[0029]如图1所示该装置包括4个主体单元有顶部的可控布料式料仓1、磁控等离子 体气化室2、多功能脉冲强化旋风效应室3、等离子体弧熔融裂解室5，和1个辅助单元为 整体装置的支撑结构，它又包括可供整体装置可倾转左右中空轴的支座4-1及4-2、整体 装置支柱6-1及6-2，4个主体单元之间通过法兰密封可靠连接。[0030]图2、图3分别是可控布料式料仓1的正视及其俯视结构示意图。在可控布料式 料仓1的顶端侧面，设置1个引风机101，其功能是将可控布料式料仓1进料和落料时出 现的废气和粉尘吸入引风机101，并将之送入磁控等离子体气化室2中，在可控布料式料 仓1的中上部堆积要处理的含有机废弃物，在可控布料式料仓1的下部，设置有可控速度 的布料辊102，其上设置有星型布置组合拨料齿10201，用于将袋装废弃物的包装勾刺破 袋，同时兼有撕碎撕散功能并完成均勻布料。由于布料辊102根据物料的不同，要求它 具有一定的退让和防卡死功能，因此可以将布料辊102两端正支撑轴承座可以设计成可 退让结构，为了满足其相对柔性运转，特别在布料辊102与变频减速机及其驱动电机系 统10203之间设置万向节式联轴器10202。[0031]图4与图5是磁控等离子体气化室2横截面和纵剖面结构示意图。中空外壳 201和内胆202共同组成三层炉壳，在中空外壳201和内胆202之间填充有释电矿物材料 207，内胆202在释电矿物材料207填充高度以下部位设置栅形孔213，便于释电矿物材 料207溢出的电子进入磁控等离子体气化气化区域208。在中空外壳201和内胆202之间 设置高磁能积的水冷永久磁体205，并且水冷永久磁体205在内胆202的内侧N、S极相 间而设，N、S极间距20 40cm，从而使得进入磁场区域的离子、电子在洛仑兹力作用 下，呈螺旋式运动，便于多次轰击有机质，有机质在离子、电子的轰击下，产生正、负 离子及电子，同时这些正、负离子及电子，在磁场控制下，又继续在洛仑兹力作用下， 呈螺旋式运动，再次轰击有机质，再次产生正、负离子及电子，形成倍增诱发电晕等离 子体反应。磁控等离子体气化室2，通过磁控等离子体气化室底座法兰209、磁控等离子 体气化室顶部法兰211用螺栓分别与多功能脉冲强化旋风效应室3和可控布料式料仓1相 连接，连接处保证良好的密封效果。在磁控等离子体气化室2的上部侧面设置气化剂补 给口 210，根据需要添加气化剂，气化剂可以使氧气、水蒸汽和或空气等。在磁控等离 子体气化室2的中部和底部分别设置热电偶206和215，以便对磁控等离子体气化区域的 不同位置进行测温监控，进而可以调节气化剂的加入量和或废弃物的加入高度和进料速 度。在磁控等离子体气化室2的上、下部分别设置有密封式瞭望窗口 212、密封式检修孔 214，对于设备维护和废弃物气化状况观察都起到了重要作用。[0032]在由中空外壳201和内胆202共同组成三层炉壳上连接有含有低密度等离子体富 氧空气发生器203，该发生器根据需要可以是图6中所示的，也可以是图9中所示多级磁 场处理器，每个磁场处理器，又由4个磁场处理单元Ml、M2、M3、M4按照图7、图8所示螺旋式前进状磁场布置而成。图6含有低密度等离子体富氧空气发生器磁场处理 单元横截面结构示意图，图7含有低密度等离子体富氧空气发生器磁场处理器结构示意 图，图8含有低密度等离子体富氧空气发生器磁场处理器的4个磁场处理单元Ml、M2、 M3、M4的螺旋式磁场布置示意图，图9是含有低密度等离子体富氧空气发生器多级磁 场处理器串联示意图。如图7所示，每个磁场处理单元磁极由两种高磁能积永久磁体组 合而成，分别是无孔永久磁体20301、有孔(N2溢出通道)永久磁体20302，无孔永久磁 体20301分布在磁场处理单元的4个角部，有孔(N2溢出通道)永久磁体20302分布在 正方形的4个边的中部，但这些有孔(N2溢出通道)永久磁体20302的充磁方向与所处 的位置有关，同样4个角部的无孔永久磁体20301的充磁方向及其布置也并非随便，8块 永久磁体组合是按照HALBACH方式排列的。为了使磁场单元处理器内部通道中磁场达 到最强，一般使得内部空气通道磁场强度比常规排列方式磁场强度增至1.5 3倍，在此 通道内设置有孔(Njt出通道)山形磁极头20305，和有孔(Njt出通道)抗磁质山形结 构体20306，更加增大了此区域的磁场梯度值，在此处梯度磁场作用，顺磁性氧气聚集于 通道之中，而抗磁性氮气则通过设置在永久磁体上N2溢出通道203021与磁极头贯穿的小 孔N2溢出通道203051和有孔(风溢出通道)抗磁质山形结构体20306上小孔N2溢出通 道203061顺利溢出，从而完成氧气的聚集；溢出的氮气汇集通过有孔(N2溢出通道)抗 磁质封堵板20308的N2溢出通道203081溢出磁场处理器。4个磁场处理单元按照内部 空气呈现旋流方式组合为磁场处理器，在每个磁场处理单元之间采用抗磁质隔离板20309 进行隔离，尽量避免各单元磁场的相互干扰。磁场处理器的采用外壳抗磁方管20304，内 壳采用抗磁有孔(N2溢出孔)方管20303，其上有203031风溢出孔，这些设计均是为氮 气的顺利外排的结构上的保证。为了得到较好的处理效果，我们还可以将多个磁场处理 器用抗磁质出气管20312及抗磁质连接弯管20311相互连接，形成多级磁场处理器。多 级磁场处理器抗磁质进气管20307连接有气阀20310，可以对空气的进入量进行有效的控 制。[0033]图10与图11是多功能脉冲强化旋风效应室3正视俯视结构示意图。之所以称 之为多功能，是因为，在这里作为“炉腰”，它不仅对上部的磁控等离子体气化室2和 下部等离子体弧熔融裂解室5起到承上启下的作用，而且在这个区域还完成了另外3项功 能，具体说明如下[0034]在多功能脉冲强化旋风效应室3的外壳双层中空蒸汽产生器307上设置了与其相 贯通的中空水冷十字齿轮支持架301，在这个中空水冷十字齿轮支持架301之上通过设置 4个齿轮支持轮302支撑着可以旋转的大齿轮303，在小齿轮驱动减速电机317和小齿轮 305的驱动下，大齿轮302得以旋转。大齿轮302的轮辐上设置有带有炉箅子320。在 齿轮中心定位销304上根据需要，可以设置与大齿轮302同步旋转的拨料器，以防止上部 废弃物在气化过程中结块。磁控等离子体气化室2产生的气化气在下部等离子体弧熔融 裂解室5内负压牵引下，下行，灰烬及其它金属等无机物通过炉箅子320，落入下部等离 子体弧熔融裂解室5，未彻底气化成小分子的有机物残物及中间长链焦油、残碳也随之进 入等离子体弧熔融裂解室5，这是作为“炉腰”起到的承上启下的重要的炉箅子隔离作 用。[0035]双层中空蒸汽产生器307上设置的气囊308上，布置有脉冲电动文丘里喷嘴G套)309，脉冲气体可以采用氮气、水蒸气、和或空气，在脉冲气体作用下，使得多功 能脉冲强化旋风效应室3中呈现脉冲强化旋风效应，使得气化气携带的大量粉尘滞留于 耐火材料炉壁上，同时增长了气化气在装置内的停留路径，达到一定厚度或熔化、软化 点，沿炉壁流下进入等离子体弧熔融裂解室5熔池512。这称之为脉冲强化旋风效应完成 炉内拦截飞灰主要作用，同时延长气化气的炉内停留时间。[0036]上部磁控等离子体气化室产生的气化气往往需要重整，作为重整用过热水蒸气 的产生便在双层中空蒸汽产生器307里，所以其上设置必须的液位计314、水蒸气出口管 306、冷水补入口 319、调整产气量用热水排出口 321，气化重整用水蒸气入口 318。[0037]由于本装置为了使等离子体弧熔融裂解室5熔池512中的金属熔体和玻璃体出炉 顺畅，整个装置设置旋转机构，旋转轴就设置在多功能脉冲强化旋风效应室3的外壳双 层中空蒸汽产生器307上，为了使合成气顺利与合成气净化系统对接，又由于对接位置 要相对静止，将合成气出口设置在中空旋转轴内，左右中空轴的端部均设有中空轴法兰 310。左中空轴316内设置热电偶315，用于测量多功能脉冲强化旋风效应室3内温度， 作为合成气通道右中空轴311附近又设置水冷垂直合成气通道312并与之贯通，而水冷垂 直合成气通道312下方与等离子体弧熔融裂解室5上设置的出炉合成气水冷器502实现密 封对接。[0038]图12与图13是等离子体弧熔融裂解室5正视与俯视结构示意图，在此室内，金 属重熔，其他无机物玻璃化，残余有机物包括中间有机物焦油等彻底裂解为对环境友善 的小分子气体CO、H2、HCl等，残碳在水蒸气等离子体弧作用下，完成彻底转化和或煤 气化反应，得到可回收的贵重金属、可直接用于建材领域的玻璃体、富氢高能合成气， 这也是本发明的基本点之一。[0039]在等离子体弧熔融裂解室5上设置有直流等离子体弧发生器501及其拖动系统 50101，为室内反应提供3000°C 10000°C的等离子体弧高温区，保障等离子体弧熔融裂 解室5 “炉膛”温度在1250°C 1550°C，保证合成气出炉温度为1250°C。直流等离子体 弧发生器501可以使用中心带孔通入水蒸汽等载气的石墨电极，也可以使用转移弧或非 转移弧水冷金属等离子体弧炬，直流等离子体弧发生器501数量至少1个，为了调节多个 直流等离子体弧发生器与熔池的距离，在炉底耐火材料中设置炉底电位测试引出极503， 用于取出电位信号。合成气出炉通道505设置在熔池上方侧面耐火材料511炉壁上，与 之密封对接的是的出炉合成气水冷器502，其上设有合成气水冷器密封盖50201、合成气 水冷器出水口 50202、合成气水冷器进水口 50203、合成气水冷器对接法兰510。为了设 备运行时便于控制，在等离子体弧熔融裂解室5上还分别设置有观测孔通道506，观测孔 密封盖50601，高温摄像系统507。熔池512中玻璃体以及金属熔体通过508水口 /渣口 通道和水/渣咀509允许渣金同流出炉浇注，在锭模中完成自然分层，也可以分别设置渣 口和水口，分别浇注。测温热电偶513可以准确反馈出等离子体弧室平均温度，测温热 电偶514可以准确反馈出合成气的出炉温度。为了便于检修，在等离子体弧熔融裂解室 5上还设置有检修孔504，其上通过检修孔密封盖50401进行可靠密封。[0040]综上所述，仅为本实用新型的较佳实施方案及实施例，并不能以此限定本专利 实施范围，依照本专利的技术方案及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆属于本专利 涵盖的范围。8
权利要求1.一种含有机质废弃物的两级等离子体气化熔融裂解装置，其特征是该装置主 要包括有可控布料式料仓(1)、磁控等离子体气化室O)、多功能脉冲强化旋风效应室 (3)、整体装置可倾转左右中空轴支座G)、等离子体弧熔融裂解室(5)、整体装置支柱 (6)。
2.根据权利要求1所述的一种含有机质废弃物的两级等离子体气化熔融裂解装置，其 特征是所述的磁控等离子体气化室( 是在炉壳的内层空间设置热释电矿物材料(207) 以及竖条形水冷高磁能积永久磁体(20 建立原始磁场，所述的内层炉胆(20 材料采用 无磁不锈钢，其上设置有竖条状栅形孔013)，每两个栅形孔间距1CM-10CM ；所述的 水冷高磁能积永久磁体(20 按S、N极相间而设，相邻S、N极相距20-40CM ；相邻 S、N极之间设置一个通孔004)，并与炉壳外面的含有低密度等离子体的富氧空气发生 器(20 相连接，。
3.根据权利要求1所述的一种含有机质废弃物的两级等离子体气化熔融裂解装置， 其特征是所述的含有低密度等离子体的富氧空气发生器(20 是由磁场处理器和或多 级磁场处理器串联而成，每个磁场处理器又由4个磁场处理单元Ml、M2、M3、M4按 照磁场螺旋式布置串接而成，每个磁场处理单元之间又有抗磁质隔离板(20309)相互进 行隔离；每个磁场处理单元由8块两种尺寸规格的高磁能积永久磁体(20301)、(20302) 按照HALBACH方式排列，在内部气体通道内设置的山形磁极头(20305)上有N2溢出通 道Q03051)，抗磁质山形结构体(20306)上有N2溢出通道Q03061)，高磁能积永久磁体 (20302)上的有N2溢出通道孔O03021)，外面的抗磁材料方管(20303)的N2溢出通道 (203031),对应贯通。
4.根据权利要求1所述的一种含有机质废弃物的两级等离子体气化熔融裂解装置， 其特征是所述的多功能脉冲强化旋风效应室(3)，在其内部上方设置有可旋转大齿轮 (303)，可旋转大齿轮(303)附着有炉箅子(320)；外部气囊(308)中设置有多个文丘里 喷嘴(309)，功能脉冲强化旋风效应室(3)外壳为层中空蒸气产生器(307)，所述的多功 能脉冲强化旋风效应室C3)外壳上还设置有左中空旋转轴(316)、右中空旋转轴(311)， 形成合成气排出通道。
5.根据权利要求1所述的一种含有机质废弃物的两级等离子体气化熔融裂解装置，其 特征是所述的等离子体弧熔融裂解室( 在外壳上设置至少1个直流等离子体弧发生器 (501)及其拖动系统(50101)，所述等离子体弧熔融裂解室(5)的合成气出炉通道(505) 通过出炉合成气水冷器(502)与多功能脉冲强化旋风效应室C3)上设置的右中空旋转轴 (311)进行密封对接，可靠的把等离子体弧熔融裂解室( 产生的合成气对外输出；金属 熔体和或熔融玻璃体经通道(508)顺利排出体外。
专利摘要本实用新型涉及一种废弃物处理装置，具体涉及一种含有机质废弃物的两级等离子体气化熔融裂解装置，属机械加工技术领域。该装置主要包括有可控布料式料仓、磁控等离子体气化室、多功能脉冲强化旋风效应室、整体装置可倾转左右中空轴支座、等离子体弧熔融裂解室、整体装置支柱。利用本装置的结构特点，将两级等离子体气化熔融裂解，使得含有机物废弃物、含碳物质等得到彻底气化，能耗最小化，合成气产能最大化，同时回收可供建材领域直接利用的玻璃体以及贵重金属，物尽其用，彻底无污染物排放和转移，能满足任何严格的环保标准。
文档编号B09B3/00GK201807601SQ20102056109
公开日2011年4月27日 申请日期2010年9月28日 优先权日2010年9月28日
发明者丁家亮, 丁恩振 申请人:徐州市润博等离子体环保设备有限公司