用于oled应用的pecvd hmdso膜的等离子体固化的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明的实施方式总体涉及用于形成有机发光二极管（0LED)器件的方法，更具 体地涉及用于封装0LED结构的方法。
【背景技术】
[0002] 0LED用于电视屏幕、计算机监视器、移动电话、用来显示信息的其他手持设备等的 制造。与液晶显示器（IXD)，0LED显示器响应时间更快、视角更大、对比度高、重量更轻、耗 能较低并且能够顺应柔性基板，因此，近来在显示器应用中已受到越来越多关注。
[0003] 0LED结构使用寿命有限，这以电致发光效率降低和驱动电压增加来表征。0LED结 构劣化主因在于，由于水汽或氧侵入而造成的不发光的暗点。出于这一原因，0LED结构通 常通过夹在非有机层之间的有机层加以封装。有机层是用于填充在第一非有机层中的任何 空隙或缺口，以使第二非有机层具有基本均匀的表面或沉积。
[0004] 因此，需要一种用于密封0LED结构的改进方法和装置。
【发明内容】
[0005] 描述用于形成0LED器件的方法。将具有夹在阻挡层之间的缓冲层的封装层沉积 在0LED结构上。将缓冲层沉积在第一阻挡层上，并且在低于100摄氏度的温度下利用含氟 等离子体进行固化。接着，将第二阻挡层沉积在缓冲层上。
[0006] 在一个实施方式中，公开用于形成0LED器件的方法。所述方法包括：将第一阻挡 层沉积在基板的具有0LED结构设置在其上的区域上；将缓冲层沉积在第一阻挡层上；利用 含氟等离子体在低于约1〇〇摄氏度的温度下将缓冲层固化；以及将第二阻挡层沉积在固化 的缓冲层上。
[0007] 在另一实施方式中，公开用于形成0LED器件的方法。所述方法包括：将第一阻挡 层沉积在基板的具有0LED结构设置在其上的区域上；将缓冲层沉积在第一阻挡层上；利用 含氟等离子体将缓冲层固化约2分钟；以及将第二阻挡层沉积在固化的缓冲层上。
【附图说明】
[0008] 因此，为了详细理解本公开案的上述特征结构的方式，上文简要概述的本公开案 的更具体的描述可以参照实施方式进行，一些实施方式图示在附图中。然而，应当注意，附 图仅仅图示本公开案的典型实施方式，并且因此不应被视为本公开案的范围的限制，因为 本公开案可以允许其他等效实施方式。
[0009] 图1是可用于执行本文所述方法的PECVD装置的示意横截面图。
[0010] 图2是根据本发明的一个实施方式的用于形成0LED器件的方法的流程图。
[0011] 图3A-3D示出在图2的方法的不同阶段期间0LED器件的示意横截面图。
[0012] 为了促进理解，已尽可能使用相同元件符号指定各图所共有的相同元件。应预见 至IJ，一个实施方式的要素和特征可有利地并入其他实施方式，而无需进一步叙述。
【具体实施方式】
[0013] 描述用于形成0LED器件的方法。将具有夹在阻挡层之间的缓冲层的封装层沉积 在0LED结构上。将缓冲层沉积在第一阻挡层上，并且利用含氟等离子体在低于100摄氏度 的温度下进行固化。接着，将第二阻挡层沉积在缓冲层上。
[0014] 图1是可用于执行本文所述操作的等离子体增强化学气相沉积（PECVD)装置的示 意横截面图。所述装置包括腔室100,在腔室100中，一或多个膜可沉积在基板120上。腔 室100 -般包括壁102、底部104以及喷淋头106,它们限定工艺容积。基板支撑件118设 置在工艺容积内。工艺容积通过狭缝阀门开口 108进入，使得基板120可移入或移出腔室 100。基板支撑件118可耦接至致动器116,以升高或降低基板支撑件118。升降杆122可 移动地穿过基板支撑件118设置，以从和向基板接收表面移动基板120。基板支撑件118也 可包括加热和/或冷却元件124,用于维持基板支撑件118处于期望温度。基板支撑件118 也可包括RF回程带126,用于在基板支撑件118的周边提供RF回程路径。
[0015] 喷淋头106通过紧固机构150来耦接至背板112。喷淋头106可以通过一或多个 紧固机构150来耦接至背板112,以有助于防止喷淋头106下垂（sag)和/或控制喷淋头 106的直度/曲度。
[0016] 气源132被耦接至背板112,以便通过喷淋头106中的气体通道将气体提供至介于 喷淋头106与基板120之间的处理区域。真空栗110被耦接至腔室100,用以维持工艺容积 处于期望压力。RF源128通过匹配网络190来耦接至背板112和/或至喷淋头106,以向 喷淋头106提供RF电流。RF电流在喷淋头106与基板支撑件118之间形成电场，使得等离 子体可从介于喷淋头106与基板支撑件118之间的气体产生。
[0017] 远程等离子体源130 (如感应耦合远程等离子体源130)也可耦接在气源132与背 板112之间。在基板处理间隔中，清洁气体可提供至远程等离子体源130,使得远程等离子 体生成。来自远程等离子体的自由基可提供至腔室100,以便清洁腔室100部件。清洁气体 可进一步由提供至喷淋头106的RF源128激发。
[0018] 喷淋头106可另外地通过喷淋头悬架134来耦接至背板112。在一个实施方式中， 喷淋头悬架134是柔性金属衬套（skirt)。喷淋头悬架134可具有唇缘（lip) 136,喷淋头 106可搁置在唇缘上。背板112可搁置在与腔室壁102耦接的突出部分（ledge) 114的上表 面上，以便密封腔室100。
[0019] 图2是根据本发明的各种实施方式的用于形成0LED器件的方法200的流程图。图 3A-3D示出在图2的方法200的不同阶段期间0LED器件的示意横截面图。方法200始于工 艺202,在工艺202处，提供基板300,所述基板300可具有预型（preformed) 0LED结构304 设置于其上。基板300可具有接触层302设置于其上，而0LED结构304设置在接触层302 上，如图3A所示。
[0020] 在工艺204,掩模309对准于基板300上，使得0LED结构304通过未被掩模309保 护的开口 307而暴露出来，如图3A所示。掩模309被定位成使得邻近0LED结构304的接触 层302的部分305被掩模309所覆盖，以使任何后续沉积材料不会沉积在部分305上。接 触层302的部分305是0LED器件的电触点，因此不应有材料沉积于其上。掩模309可由金 属材料（如INVAR? )制成。
[0021] 在工艺206处，将第一阻挡层308沉积在基板100上，如图3A所示。第一阻挡层 308具有第一部分308a和第二部分308b。第一阻挡层308的第一部分308a通过开口 307 而沉积在基板300被掩模309暴露的区域上，所述区域包括0LED结构304以及一部分接触 层302。第一阻挡层308的第二部分308b沉积在覆盖基板300的第二区域的掩模309上， 所述第二区域包括接触层302的部分305。第一阻挡层308是电介质层，如氮化硅（SiN)、氮 氧化硅（SiON)、二氧化硅（Si02)、氧化铝（A1203)、氮化铝（A1N)、或其他合适的电介质层。第 一阻挡层308可通过合适沉积技术（如化学气相沉积（CVD)、PECVD、物理气相沉积（PVD)、 旋涂、或其他合适的技术）来沉积。
[0022] 在工艺208处，在将第一阻挡层308沉积在基板300上后，接着，将缓冲层312沉 积在基板300上的第一阻挡层308上，如图3B所示。缓冲层312的第一部分312a可通过 掩