专利名称：一种电路工艺中的等离子体技术的制作方法
一种电路工艺中的等离子体技术
技术领域：
本发明涉及一种电路工艺中的等离子体技术，尤其是等离子体沉积成膜工艺和等离子体刻蚀加工中，正离子在鞘层中的运动对于加工过程有很大的影响。我们在Lieberman的无碰撞等离子体鞘层模型的基础上提出了一种更加合理的模型，在此新模型的基础上，我们对离子的能量分布作了计算机模拟计算。
背景技术：
集成成千上万个电子器件到几个平方厘米的硅片上的技术把我们带进了信息时代。近年来国外及台湾许多著名的半导体厂家，如Motorola、Intel,台积电等,纷纷在国内投资建厂，加上中国也建造了自己的现代化晶园厂，如中芯国际。这些要求我们培养出更多 高层次的人才以适应市场的需要。据半导体行业协会(SIA)发布的报告透露，我国的电子设备生产预计将在4年内翻番，由2002年的1300亿美元增加到2005年的2520亿美元。
发明内容本发明要解决的技术问题是提供一种电路工艺中的等离子体技术，它等离子体技术广泛应用于集成电路工艺制作中的薄膜镀淀及刻蚀。然而，在低温等离子体应用中，存在着过程机理不清楚，参量选取盲目等一系列问题，严重地影响了低温等离子体技术应用向广度和深度发展。为解决上述技术问题，本发明所采用技术方案是把磁场引进等离子体中是工业界广泛用于改进工艺的一种技术。而磁场对等离子体的影响是我们要解决的问题。由于磁场的引入，电子和离子的运动除了受电场的影响，还会受到磁场的作用，有效地控制磁场将有效地控制电子和离子的运动，从而达到控制加工工艺的目的。与现有技术相比，本发明的有益效果是将提高集成电路工艺制作的效率及成本，并且会加快新一代生产线的引进，将会有巨大的经济及社会效应。
具体实施方式建立理论模型及计算机模拟计算的方式进行研究。我们首先对模拟计算的程序进行调试及改进。然后对理论模型的构造进行研究，具体分析求解Poisson方程而得到电场分布，应用Boltzmann方程及Monte-Carlo模拟而得到低气压射频放电等离子体中电子能量分布、电离系数、激发系数、电子动力学温度以及它们与放电气压、功率、频率及电离度之间的关系。同时我们对等离子体鞘层理论模型进行改进，及讨论磁场对工艺加工的影响。
权利要求
1.一种电路工艺中的等离子体技术
2.低温等离子体动力学规律
3.等离子体鞘层理论与计算机模拟。
全文摘要
本发明涉及一种电路工艺中的等离子体技术。其主要内容为低温放电等离子体理论、等离子体的整体均匀性及稳定性的理论研究及模拟计算、带电粒子在鞘层中的输运性质及等离子体加工工艺的过程控制。
文档编号G06F17/50GK102789511SQ20111013263
公开日2012年11月21日 申请日期2011年5月20日 优先权日2011年5月20日
发明者张灵芝 申请人:张灵芝