专利名称：核径迹微孔综合防伪标识的制造方法及其制品的制作方法
技术领域：
本发明属于防伪技术领域，涉及核微孔径迹综合防伪标识的制造方法及其制品，特别是以核微孔防伪技术为主、以激光彩虹全息图象防信技术和核微孔真空蒸镀防伪技术为辅的综合手段制造防伪标识的方法。
综合防伪是防伪技术发展的一个方向。我国从80年代引进激光全息图象生产线以来，所生产的激光防伪标识在防伪打假斗争中曾一度发挥重要作用。以后由于各地蜂拥而起，目前能生产此类单一防伪标识的厂家多达数百个，而技术上和管理上也存在诸多问题，使得有些真的标识不易识别，一些仿真标识又能以假乱真，极大地降低了激光全息防伪标识在人们心目中的地位。
高分子聚合物在膜上的核微孔是经过重离子辐照和化学蚀刻步骤产生的。核微孔具有高度均一的孔径。肉眼看不见的核微孔，作为核密码信息的载体，在防伪中可以发挥两方面的重要作用。一方面，用于设置和贮存重离子辐射诱发产生的、无法仿制的微观参数和统计参数，给仿造者造成根本不能逾越的障碍；另一方面，核微孔膜具有光学透明性和液体渗透性，使由百万量级核微孔群体组成的防伪标识显示出肉眼可见的防伪图文影像，经过彩笔透印后，就可在底膜上获得防伪图文，供大众鉴别真伪，让消费者自己参与识别防伪技术。更为重要的是，核微孔防伪标识制造过程中的重离子辐照步骤，必须依靠重离子加速器或核反应堆。加速器和反应堆都是高科技、高投入的国家专控的数量很少的大型核设施，具有高度的垄断性和唯一性，从而加强了防伪控制的力度，缩小了打假追查的范围。因此，核微孔防伪标识具有独特的防伪功能，必将在防伪领域独树一帜。但核微孔防伪标识的美观性却不如激光全息防伪标识，因而也使其应用范围受到影响。
本发明的目的是为克服已有技术的不足之处，研究和开发一种核微孔综合防伪标识，将激光全息防伪标识的美观性和真空蒸度核微孔膜的光学特性，巧妙地同核微孔防伪技术相结合，创造出一种全新的、一体化的综合防伪标识，集多重防伪性、美观性、实用性于一体，以满足商品市场对防伪技术越来越高的要求。
本发明的核微孔综合防伪标识制造方法，包括以下步骤1)、用具有一定能量和质量的重离子对透明的高分子聚合物薄膜进行辐照；2)、在所说的辐照过的透明高分子聚合物薄膜上，制作激光彩虹模压全息图像；3)、在照射过的透明高分子聚合物薄膜上，印刷核微孔防伪标识图案和文字；4)、在所说的激光彩虹全息图像的上面复合或涂布一层耐碱或酸保护层；
5)、用化学蚀刻剂对经过上述步骤处理过的透明高分子聚合物薄膜进行成孔蚀刻，化学蚀刻后对薄膜进行清洗和干燥处理，得到二元一体综合核微孔防伪标识。
在上述步骤的基础上，还包括用真空蒸镀法在核微孔膜表面和微孔内壁上镀一层光亮的铝膜，得到三元一体综合核微孔防伪标识。
以上步骤，1、2可任意先后进行，3、4也可任意先后进行。
经过上述步骤制造的防伪标识，就是核微孔综合防伪标识，它以核微孔防伪技术为主，集激光彩虹全息防伪与核微孔真空蒸镀技术于一体，不但具有核微孔标识的防伪特性，而且具备激光全息防伪标识的美观性。
在本发明的制造综合防伪标识的方法中，所用的重离子是具有一定能量和质量的重离子束，能量范围在50Mev以上。
在本发明制造综合防伪标识的方法中，所用的透明高分子聚合物薄膜的厚度范围，在5μm和40μm之间，最好为10～30μm之间，与重离子的能量相匹配。
在本发明的制造综合防伪标识的方法中，所要求的核微孔密度在104～108/cm2之间，所用的辐照时间要依据密度大小与薄膜的传动速度相匹配。
在本发明的制造综合防伪标识的方法中，所用的激光全息标识采用多重图像激光模压和隐形全息模压防伪标识。
在本发明的制造综合防伪标识的方法中，所用的保护层是耐碱或酸的热熔胶层或预涂膜。
在本发明的制造综合防伪标识的方法中，化学蚀刻工艺所用的蚀刻剂是碱性或酸性的，共主要成分是NaOH、KOH或H2SO4，蚀刻液的浓度在4M和8M之间，化学蚀刻的工作温度在50℃和100℃之间。
在本发明的制造综合防伪标识的方法中，真空蒸镀所用的金属是工业纯铝丝，其熔化温度在660℃。薄膜真空蒸镀过程中要进行水冷处理。
应用本发明制造的综合防伪标识，不仅保留了核微孔防伪标识和激光全息防伪标识造价低、生产率高、便于自动化的优点，还具有一种用其他方法不能得到的独特优点，这个独特优点就是在一片塑料薄膜标识上有机地综合了三种防伪要素，各自具有独立的科研生产步骤，从而便于制约和管理，使得本发明所制造的产品不能利用单一的方法来伪冒，能更好地表明被保护物品的真实性，更好地维护名优产品及其企业的声誉。
附图简要说明
图1为本发明实施例一的制品结构示意图。
图2为本发明实施例二的制品结构示意图。
图3为本发明实施例三的制品结构示意图。
下面介绍本发明的实施例。
实施例1三元一体型核微孔综合防伪标识的制造方法本料施例的制造三元一体型核微孔综合防伪标识的方法，基本上可以分为五个相对独立的步骤1、重离子辐照 利用总能量为120Mev、由重离子加速器产生的S-32重离子，在辐照真空腔内照射28μm厚透明的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜。重离子束流强度100nA，电磁扫描宽度40cm，薄膜运行速度25m/min。重离子辐照过程是一种无序的随机过程，因而在受照PET薄膜内形成服从统计规律分布的核潜迹。
2、激光彩虹模压全息图像制作 本步骤与上述步骤1完全独立，便与制约和管理。应用激光彩虹全息图制版技术和模压复制技术，在受照过的透明PET薄膜上制作一种可视的或不可视的图象，并按激光全息防伪技术加密。
3、印刷防伪标识 将通过电脑设计绘制的标识图案，制成印刷母版。在印刷机上均匀而清晰地把标识图案印刷到受照近过的PET薄膜。有时可根据要求以随机方式排布标识图案。
4、核微孔的化学蚀刻 在化学蚀刻之前，先在复膜机上将热熔胶预涂膜与具有激光彩虹膜压全息图像的PET薄膜表面平整地复合。复膜时的工作温度为85℃。然后，将复合膜在核孔膜蚀刻机内进行化学蚀刻。蚀刻条件为6N NaOH，85℃。核微孔的大小依赖于蚀刻时间的长短，核微孔的直径通常选为0.5～16μm。
5、核微孔真空蒸镀 本步骤与上述4个步骤相对独立。具有核微孔图文和激光彩虹模压全息图像的PET薄膜，在真空镀膜机内通过蒸发镀上一层铝膜，核微孔的内壁同时也镀上一层铝膜。镀铝层的厚度在熔化铝量一定的前提下由PET薄膜的传动速度调制，以保证核微孔的透印特性和镀铝层的高反射率。
本实施例方法制成的三元一体型核微孔综合防伪标识结构如图1所示，图中，自上而下各层结构为带有激光全息图象的核径迹微孔防伪标识11，镀铝层12，不干胶层13，硅油纸14。
真空蒸镀后的综合防伪标识具有很强的外观艺术视觉效果，不仅如此，由于标识上核微孔是无规则分布、按同一方式取向的大量相同的微孔，因而发生傅南和费衍射效应，在光学显微镜下观察时，在镀铝层造成的暗视场中，一个一个光亮的核微孔，宛如夜空中的繁星，也比较容易观测和设置密码。这是核微孔综合防伪标识区别于普通核微孔标识的一大特点。
三元一体型核微孔综合防伪标识集核微孔防伪标识、激光彩虹模压全息防伪标识和真空蒸镀核微孔的特点于一身，是任何单一的方法不能仿造的。
实施例二二元一体型核微孔综合防伪标识的制造方法二元一体型核微孔综合防伪标识是由三元一体型派生出的、技术性能相同但又互不相同的防伪产品。本发明的制造二元一体型核微孔综合防伪标识的方法，基本上可以分为5个相对独立的步骤
1、重离子辐照；本步骤与实施例1的步骤1相同2、激光彩虹模压全息图像制作；本步骤与实施例1的步骤2相同。
3、印刷防伪标识；本步骤与实施例1的步骤3基本相同。所不同的是，核微孔图案和文字是按一定序列分布的，以保证每一个激光全息防伪标识上都至少有一个完整的核微孔防伪图案。
4、核微孔的化学蚀刻；本步骤与实施例1的步骤4相同。
5、复膜 本步骤与上述四个步骤完全独立。化学蚀刻后，将具有核微孔图文和激光彩虹全息图像和综合防伪标识膜在复膜机上与塑料镀铝膜复后，以增加反射率。最后按激光图象裁切成标识产品。
本实施例方法制成的二元一体型核微孔综合防伪标识结构如图2所示，图中，自上而下各层结构为带有激光全息图象的核径迹微孔防伪标识21，热融胶层22，普通镀铝膜23，不干胶层24，硅油纸25。
实施例三 复合型核微孔防伪标识的制造方法复合型核微孔防伪标识是由二元一体型核微孔防伪标识派生出的、技术性能相同但又不相同的防伪产品。基本上可以分为5个相对独立的步骤1、重离子辐照 本步骤与实施例的步骤1相同。
2、凹片印刷核微孔防伪标识 本步骤与实施例2的步骤3相同。
3、核微孔的化学蚀刻 本步骤与实施例1的步骤4相同。
4、激光彩虹膜压全息防伪标识制作 应用激光彩虹全息图制版技术和模压复制技术，在普通PET镀铝薄膜上制作激光彩虹模压全息图象防伪标识。
5、复合 在复膜机上将核微孔防伪标识与激光全息防伪标识复合在一起。最后按激光彩虹模压在全息防伪标识的尺寸切割成复合型核微孔防伪标识。
本实施例方法制成的复合型核微孔综合防伪标识结构如图3所示，图中，自上而下各层结构为核径迹微孔防伪标识31，热融胶层32，激光全息防伪标识膜33，不干胶层34，硅油纸35。
利用本发明制造的三元一体和二元一体的两种类型核微孔综合防伪标识以及复合型核微孔防伪标识，集多重防伪性、美观性和实用性于一体，具有很强的防伪功能和艺术视觉效果，不仅防信性能可靠，而且容易实现大众识别，使用配套的显微镜还可以准确无误地进行真伪鉴别。
权利要求
1.一种核微孔综合防伪标识制造方法，其特征在于，包括以下步骤1)、用具有一定能量和质量的重离子对透明的高分子聚合物薄膜进行辐照；2)、在所说的辐照过的透明高分子聚合物薄膜上，制作激光彩虹模压全息图像；3)、在照射过的透明高分子聚合物薄膜上，印刷核微孔防伪标识图案和文字；4)、在所说的激光彩虹全息图像的上面复合或涂布一层耐碱或酸保护层；5)、用化学蚀刻剂对经过上述步骤处理过的透明高分子聚合物薄膜进行成孔蚀刻，化学蚀刻后对薄膜进行清洗和干燥处理，得到二元一体综合核微孔防伪标识。
2.如权利要求1所述的核微孔综合防伪标识制造方法，其特征在于，还包括用真空蒸镀法在核微孔膜表面和微孔内壁上镀一层光亮的铝膜，得到三元一体综合核微孔防伪标识。
3.如权利要求1所述的核微孔综合防伪标识制造方法，其特征在于，所说的重离子是具有一定能量和质量的重离子束，能量范围在50Mev以上。
4.如权利要求1所述的核微孔综合防伪标识制造方法，其特征在于，所说的透明高分子聚合物薄膜的厚度范围，在5μm和40μm之间，最好为10～30μm之间，与重离子的能量相匹配。
5.如权利要求1所述的核微孔综合防伪标识制造方法，其特征在于，所说的核微孔密度在104～108/cm2之间，所用的辐照时间要依据密度大小与薄膜的运动速度相匹配。
6.如权利要求1所述的核微孔综合防伪标识制造方法，其特征在于，所说的激光全息标识采用多重图像激光模压和隐形全息模压防伪标识。
7.如权利要求1所述的核微孔综合防伪标识制造方法，其特征在于，所说的保护层是耐碱或酸的热熔胶层或预涂膜。
8.如权利要求1所述的核微孔综合防伪标识制造方法，其特征在于，所说的化学蚀刻工艺所用的蚀刻剂是碱性或酸性的，其主要成分是NaOH、KOH或H2SO4，蚀刻液的浓度在4M和8M之间，化学蚀刻的工作温度在50℃和100℃之间。
9.如权利要求1所述的核微孔综合防伪标识制造方法，其特征在于，所说的真空蒸镀所用的金属是工业纯铝丝，其熔化温度在660℃左右，薄膜真空蒸镀过程中要进行水冷处理。
10.如权利要求7所述的核微孔综合防伪标识制造方法，其特征在于，所说的耐碱保护层是聚丙烯、聚酯或聚碳酸酯高分子聚合物预涂膜。
11.如权利要求1所述的核微孔综合防伪标识制造方法，其特征在于，所说的重离子辐照是加速器扫描式的垂直辐照或反应堆的裂变碎片的辐照。
12.一种核微孔综合防伪标识制品，其特征在于，由带有激光全息图象的核径迹微孔防伪标识，镀铝层，不干胶层及硅油纸结合而成。
13.一种核微孔综合防伪标识制品，其特征在于，由带有激光全息图象的核径迹微孔防伪标识，热融胶层，普通镀铝膜，不干胶层及硅油纸结合而成。
14.一种核微孔综合防伪标识制品，其特征在于，由核径迹微孔防伪标识，热融胶层，激光全息防伪标识膜，不干胶层及硅油纸结合而成。
全文摘要
本发明属于防伪技术领域制造方法,包括以下步骤:用具有一定能量和质量的重离子对透明的高分子聚合物薄膜进行辐照;在辐照过的薄膜上,制作激光彩虹模压全息图像;在照射过的薄膜上,印刷核微孔防伪标识图案和文字;在激光彩虹全息图像的上面复合或涂布一层保护层;用化学蚀刻剂对经过上述薄膜进行成孔蚀刻,清洗和干燥处理。本发明集多重防伪性、美观性、实用性于一体,以满足商品市场对防伪技术越来越高的要求。
文档编号G09F3/02GK1243300SQ9911955
公开日2000年2月2日 申请日期1999年9月3日 优先权日1999年9月3日
发明者陈大年, 朱天成, 刘宣玮, 胡兵 申请人:北京试金石防伪技术有限公司