有机发光二极管显示器的制造方法

有机发光二极管显示器的制造方法
【专利摘要】公开了一种有机发光二极管显示器。该显示器包括形成在基板上方并且被配置成输送扫描信号的扫描线。第一数据线和第二数据线彼此相邻并与扫描线交叉。第一数据线和第二数据线被配置成输送数据电压。与扫描线交叉的驱动电压线被配置成输送驱动电压，并且开关晶体管电连接到扫描线和数据线，且包括被配置成输出数据电压的开关漏电极。驱动晶体管包括驱动栅电极和电连接到开关漏电极的驱动源电极。OLED电连接到驱动晶体管的驱动漏电极，并且连接器连接到驱动晶体管的驱动栅电极，且插入在第一数据线和第二数据线之间。
【专利说明】有机发光二极管显示器
[0001]相关申请
[0002]此申请要求于2015年2月13日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请10-2015-0022527的优先权和权益，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
[0003]所描述的技术一般涉及有机发光二极管显示器。
【背景技术】
[0004]有机发光二极管(OLED)包括两个电极和位于其间的有机发射层。从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴在有机发射层中彼此结合，以产生激子，并且激子以光的形式发射能量。OLED显示器包括像素矩阵，每个像素包括i)为自发射器件的0LED，ii)用于驱动OLED的多个薄膜晶体管(TFT)，以及iii)存储电容器。这些晶体管和存储电容器经由包括半导体、栅极线或数据线的多条布线连接。
[0005]通过由重叠布线引起的寄生电容很容易在显示的图像中产生水平线图案。在存在寄生电容时，到驱动晶体管的栅极信号将根据数据信号的变化而改变。横跨显示器的栅极信号的这种非预期变化导致下降的图像质量。
[0006]在此背景部分公开的上述信息仅用于增强对所描述技术的背景的理解，并且因而它可能包含不构成在该国的本领域普通技术人员已经知晓的现有技术的信息。

【发明内容】

[0007]一个发明方面涉及最小化传输数据信号的导线和传输栅极信号的导线之间的寄生电容以防止栅极信号由于数据信号的改变而改变的OLED显示器。
[0008]另一方面是一种OLED显不器，包括:基板;在基板上传输扫描信号的扫描线；与扫描线交叉并且传送数据电压的彼此相邻的第一数据线和第二数据线;与扫描线交叉并且传送驱动电压的驱动电压线;连接到扫描线和数据线并且包括输出数据电压的开关漏电极的开关晶体管;包括连接到开关漏电极的驱动源电极的驱动晶体管；电连接到驱动晶体管的驱动漏电极的0LED;连接到驱动晶体管的驱动栅电极并且置于第一数据线和第二数据线之间的连接构件;在连接构件和第一数据线之间的第一屏蔽电极；以及在连接构件和第二数据线之间的第二屏蔽电极。第一屏蔽电极和第二屏蔽电极被供给具有恒定幅度的电压。
[0009]第一屏蔽电极和第二屏蔽电极可以连接到驱动电压线。
[0010]第一屏蔽电极和第一数据线可以彼此平行延伸，并且第二屏蔽电极和第二数据线可以彼此平行延伸。
[0011]连接构件可以与第一屏蔽电极和第二屏蔽电极形成在同一层上。
[0012]连接构件可以与第一数据线和第二数据线形成在同一层上。
[0013]OLED显示器可以进一步包括:基板上包括开关晶体管的开关沟道和驱动晶体管的驱动沟道的半导体；以及半导体上的第一绝缘层，并且驱动沟道可以在平面上是弯曲的。
[0014]OLED显示器可以进一步包括:包括形成在第一绝缘层上并且与驱动沟道重叠的第一存储电极的存储电容器;覆盖第一存储电极的第二绝缘层；以及形成在第二绝缘层上并且与第一存储电极重叠的第二存储电极，并且第一存储电极可以是驱动晶体管的驱动栅电极。
[0015]OLED显示器可以进一步包括:覆盖第二存储电极的层间绝缘层，并且第一数据线和第二数据线可以布置在层间绝缘层上。
[0016]连接构件、第一屏蔽电极和第二屏蔽电极、以及第一数据线和第二数据线可以形成在同一层上。
[0017]另一方面是一种有机发光二极管(0LED)显示器，包括:基板;形成在基板上方并且被配置成输送扫描信号的扫描线；彼此相邻并且与扫描线交叉的第一数据线和第二数据线，其中第一数据线和第二数据线被配置成输送数据电压；与扫描线交叉并且被配置成输送驱动电压的驱动电压线；电连接到扫描线和数据线并且包括被配置成输出数据电压的开关漏电极的开关晶体管;包括驱动栅电极和电连接到开关漏电极的驱动源电极的驱动晶体管；电连接到驱动晶体管的驱动漏电极的0LED;连接到驱动晶体管的驱动栅电极并且在第一数据线和第二数据线之间插入的连接器;在连接器和第一数据线之间插入的第一屏蔽电极；以及在连接器和第二数据线之间插入的第二屏蔽电极，其中第一屏蔽电极和第二屏蔽电极连接到具有恒定幅度的电压源。
[0018]在上述OLED显示器中，第一屏蔽电极和第二屏蔽电极电连接到驱动电压线。
[0019]在上述OLED显示器中，第一屏蔽电极和第一数据线彼此平行延伸，其中第二屏蔽电极和第二数据线彼此平行延伸。
[0020]在上述OLED显示器中，连接器与第一屏蔽电极和第二屏蔽电极形成在同一层上。
[0021]在上述OLED显示器中，连接器的至少一部分与第一数据线和第二数据线形成在同一层上。
[0022]在上述OLED显示器中，第一屏蔽电极的至少一部分和第一数据线彼此平行延伸，其中第二屏蔽电极和第二数据线彼此平行延伸。
[0023]在上述OLED显示器中，连接器的至少一部分与第一屏蔽电极和第二屏蔽电极形成在同一层上。
[0024]在上述OLED显示器中，连接器的至少一部分与第一数据线和第二数据线形成在同一层上。
[0025]在上述OLED显示器中，连接器的至少一部分与第一屏蔽电极和第二屏蔽电极形成在同一层上。
[0026]在上述OLED显示器中，连接器与第一数据线和第二数据线形成在同一层上。
[0027]OLED显示器进一步包括:形成在基板上方并且包括开关晶体管的开关沟道和驱动晶体管的驱动沟道的半导体；以及形成在半导体上方的第一绝缘层，其中驱动沟道是弯曲的。
[0028]OLED显示器进一步包括:包括形成在第一绝缘层上方并且与驱动沟道重叠的第一存储电极的存储电容器;覆盖第一存储电极的第二绝缘层；以及形成在第二绝缘层上方并且在OLED显示器的深度维度上与第一存储电极重叠的第二存储电极，其中第一存储电极包括驱动晶体管的驱动栅电极。
[0029]OLED显示器进一步包括:覆盖第二存储电极的层间绝缘层，其中第一数据线和第二数据线形成在层间绝缘层上方。
[0030]在上述OLED显示器中，连接器、第一屏蔽电极和第二屏蔽电极以及第一数据线和第二数据线形成在同一层上。
[0031]在上述OLED显示器中，连接器、第一屏蔽电极和第二屏蔽电极以及第一数据线和第二数据线形成在同一层上。
[0032]另一方面是一种有机发光二极管(0LED)显示器，包括:基板;形成在基板上方并且被配置成输送数据电压的第一数据线;形成在基底上方并且与第一数据线平行的驱动电压线，其中驱动电压线被配置成输送驱动电压;在第一数据线和第二数据线之间插入的数据连接器；以及在数据连接器和第一数据线之间插入的第一屏蔽电极，其中第一屏蔽电极连接到具有恒定幅度的电压源。
[0033]OLED显示器进一步包括:形成在基板上方并且与第一数据线平行的第二数据线，其中第二数据线被配置成输送数据电压；以及在数据连接器和第二数据线之间插入的第二屏蔽电极，其中第二屏蔽电极电连接到电压源。
[0034]在上述OLED显示器中，在第一屏蔽电极和第二屏蔽电极之间插入数据连接器。
[0035]在上述OLED显示器中，第一屏蔽电极和第二屏蔽电极形成在同一层上。
[0036]在上述OLED显示器中，第一数据线和第二数据线与第一屏蔽电极和第二屏蔽电极形成在同一层上。
[0037]OLED显示器进一步包括:形成在基板上并且在OLED显示器的深度维度中与第一屏蔽电极和第二屏蔽电极重叠的OLED。
[0038]在上述OLED显示器中，OLED在OLED显示器的深度维度中与数据连接器重叠。
[0039]根据所公开的实施例中的至少一个实施例，可以最小化数据信号和栅极信号之间的寄生电容，并且由此可以防止通过改变数据信号而改变栅极信号。
【附图说明】
[0040]图1是根据示例性实施例的OLED显示器的一个像素的等效电路图。
[0041 ]图2是根据示例性实施例的施加到OLED显示器的一个像素的信号的时序图。
[0042]图3是根据示例性实施例的OLED显示器的布局图。
[0043]图4是示意性图示图3的OLED显示器的多个晶体管和电容器的图。
[0044]图5是图示图3的OLED显示器的信号线的特定布局图。
[0045]图6是沿线V1-VI截取的图4的OLED显示器的剖视图。
[0046]图7是沿线VI1-VII截取的图4的OLED显示器的剖视图。
【具体实施方式】
[0047]在下文中将参照其中示出示例性实施例的附图，更充分地描述所描述的技术。如本领域技术人员将认识到的，所描述的实施例可以以各种不同的方式修改，所有这些修改都不脱离所描述的技术的精神或范围。
[0048]为了清楚地描述所描述的技术，与描述无关的部分将被省略，并且在整个说明书中，相同的元件将被指定相同的附图标记。
[0049]另外，为了更好地理解和易于描述，在附图中示出的每个配置的尺寸和厚度被任意地示出，并且所描述的技术不限于此。
[0050]在附图中，为了清楚，层、膜、面板、区域等的厚度被夸大了。为了更好地理解和易于描述，在附图中，一些层和区域的厚度被夸大了。
[0051 ]另外，除非明确描述为相反，词语“包括”以及诸如“含有”或“包含”的变型将被理解为暗示包括所陈述的元件，但不排除任何其它元件。进一步，在说明书中，词语“上”意味着定位于目标部分的上或下，且从本质上不意味着定位于目标部分的基于重力方向的上侧。
[0052]进一步，在说明书中，词语“在平坦表面上”意味着在从上面观察对象部分时，词语“在剖视图中”意味着在从侧面观察通过垂直切割目标部分截取的横截面时。在此公开中，术语“基本上”在某些应用情况下并且根据本领域技术人员包括完全、几乎完全或任何显著程度的含义。此外，“形成、设置或定位在……上方”也可指“形成、设置或定位在……上”。术语“连接”包括电连接。
[0053]现在将参照图1详细描述根据示例性实施例的OLED显示器的一个像素的等效电路图。图1是根据示例性实施例的OLED显示器的一个像素的等效电路图。
[0054]参照图1，根据该示例性实施例的OLED显示器的一个像素I包括多条信号线151、152、153、158、171、172和192、连接到多条信号线的多个晶体管1'1、了2、了3、了4、了5、了6和了7、存储电容器Cst和0LED。
[0055]晶体管1'132、了334、了536和了7包括驱动晶体管1'1、开关晶体管了2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6和旁路晶体管T7。
[0056]信号线151、152、153、158、171、172和192包括传输扫描信号Sn的扫描线151、将前一扫描信号Sn-1传输到初始化晶体管T4的前一扫描线152、将发光控制信号EM传输到操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6的发光控制线153、将旁路信号BP传输到旁路晶体管T7的旁路控制线158、与扫描线151交叉且传输数据信号Dm的数据线171、传输驱动电压ELVDD且形成为与数据线171基本上平行的驱动电压线172、以及传输对驱动晶体管Tl进行初始化的初始化电压Vint的初始化电压线192。驱动电压线172包括第一屏蔽电极172a和第二屏蔽电极172b。
[0057]驱动晶体管Tl的栅电极Gl连接到存储电容器Cst的一端Cstl，驱动晶体管Tl的源电极SI经由操作控制晶体管T5连接到驱动电压线172，驱动晶体管Tl的漏电极Dl经由发光控制晶体管T6电连接到OLED的阳极。驱动晶体管Tl根据开关晶体管T2的开关操作接收数据线号Dm，以将驱动电流Id供给到0LED。
[0058]开关晶体管T2的栅电极G2连接到扫描线151，开关晶体管T2的源电极S2连接到数据线171，并且开关晶体管T2的漏电极D2连接到驱动晶体管Tl的源电极SI且经由操作控制晶体管T5与驱动电压线172相连接。开关晶体管T2根据通过扫描线151接收的扫描信号Sn导通，以执行将传输到数据线171的数据信号Dm传输到驱动晶体管Tl的源电极的开关操作。
[0059]补偿晶体管T3的栅电极G3直接连接到扫描线151，并且补偿晶体管T3的源电极S3连接到驱动晶体管Tl的漏电极Dl且经由发光控制晶体管T6连接到OLED的阳极。补偿晶体管T3的漏电极D3同时连接到存储电容器Cst的一端Cstl、初始化晶体管T4的漏电极D4和驱动晶体管Tl的栅电极G1。补偿晶体管T3根据通过扫描线151接收的扫描信号Sn导通，以连接驱动晶体管Tl的栅电极Gl和漏电极Dl且使驱动晶体管Tl 二极管连接。
[0060]初始化晶体管T4的栅电极G4连接到前一扫描线152，初始化晶体管T4的源电极S4连接到初始化电压线192，并且初始化晶体管T4的漏电极D4同时连接到存储电容器Cst的一端Cstl、补偿晶体管T3的漏电极D3和驱动晶体管Tl的栅电极G1。初始化晶体管T4根据通过前一扫描线152接收的前一扫描信号Sn-1导通，以将初始化电压Vint传送到驱动晶体管Tl的栅电极Gl，并且然后执行初始化驱动晶体管Tl的栅电极Gl的电压的初始化操作。
[0061 ]操作控制晶体管T5的栅电极G5连接到发光控制线153，操作控制晶体管T5的源电极S5连接到驱动电压线172，并且操作控制晶体管T5的漏电极D5连接到驱动晶体管TI的源电极SI和开关晶体管T2的漏电极D2。
[0062]发光控制晶体管T6的栅电极G6连接到发光控制线153，发光控制晶体管T6的源电极S6连接到驱动晶体管Tl的漏电极Dl和补偿晶体管T3的源电极S3，并且发光控制晶体管T6的漏电极D6电连接到OLED的阳极。操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6根据传送到发光控制线153的发光控制信号EM同时导通，使得驱动电压ELVDD通过二极管连接的驱动晶体管Tl被补偿并且被传送到0LED。
[0063]旁路晶体管T7的栅电极G7连接到旁路控制线158，旁路晶体管T7的源电极S7同时连接到发光控制晶体管T6的漏电极D6和OLED的阳极，并且旁路晶体管T7的漏电极D7连接到初始化电压线192和初始化晶体管T4的源电极S4。这里，旁路控制线158连接到前一扫描线152，使得旁路信号BP和前一扫描信号Sn-1相同。
[0064]存储电容器Cst的另一端Cst2连接到驱动电压线172，并且OLED的阴极连接到传输公共电压ELVSS的公共电压线741。
[0065]由于栅极信号和数据信号Dm之间的串扰，通过改变供给到与栅电极Gl相邻的数据线171的数据信号Dm，可能改变供给到驱动晶体管Tl的栅电极Gl的栅极信号。此串扰改变栅极电压的幅度，并且因此，可使显示质量劣化。然而，在根据该示例性实施例的OLED显示器中，传输具有恒定幅度的驱动电压(ELVDD)的驱动电压线172的第一屏蔽电极172a和第二屏蔽电极172b被设置在连接到驱动栅电极155a的第一数据连接构件174和数据线171之间。因此，可以防止栅极信号和数据信号之间的串扰。这将在下面更详细地描述。
[0066]同时，在该示例性实施例中，图示了具有包括旁路晶体管T7的七个晶体管和一个电容器的结构，但所描述的技术不限于此，并且可以对晶体管的数量和电容器的数量进行各种修改。
[0067]在下文中，将参照图2详细描述根据该示例性实施例的OLED显示设备的像素单元的一个像素的详细操作过程。
[0068]图2是根据示例性实施例的施加到OLED显示器的一个像素的信号的时序图。
[0069]如图2中示出的，首先，针对初始化时段，具有低电平的前一扫描信号Sn-1通过前一扫描线152供给。然后，初始化晶体管T4响应于具有低电平的前一扫描信号Sn-1而导通，初始化电压Vint从初始化电压线192通过初始化晶体管T4连接到驱动晶体管Tl的栅电极Gl，并且然后驱动晶体管Tl由初始化电压Vint初始化。
[0070]此后，针对数据编程时段，具有低电平的扫描信号Sn通过扫描线151供给。然后，开关晶体管T2和补偿晶体管T3响应于具有低电平的扫描信号Sn而导通。同时，驱动晶体管Tl通过导通的补偿晶体管T3被二极管连接，并且被正向偏置。
[0071]然后，从数据线171供给的数据信号Dm减去驱动晶体管Tl的阈值电压Vth得到的补偿电压Dm+Vth(Vth为负(-)值)施加到驱动晶体管Tl的栅电极G1。驱动电压ELVDD和补偿电压(Dm+Vth)施加到存储电容器Cst的两端，并且对应于两端之间的电压差的电荷被存储在存储电容器Cst中。
[0072]接着，在发光时段期间，从发光控制线153供给的发光控制信号EM从高电平改变成低电平。因此，操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6在发光时段期间由低电平的发光控制信号EM导通。
[0073]因此，驱动电流Id根据驱动晶体管Tl的栅电极Gl的栅极电压和驱动电压ELVDD之间的电压差产生，并且驱动电流Id通过发光控制晶体管T6供给到0LED。驱动晶体管Tl的栅源电压Vgs在发光时段由存储电容器Cst保持为“(Dm+Vth)-ELVDD”，并且根据驱动晶体管Tl的电流-电压关系，驱动电流Id与从栅源电压减去阈值电压得到的值的平方“(Dm-ELVDD)2”成正比。因此，驱动电流Id的确定与驱动晶体管Tl的阈值电压Vth无关。
[0074]在这种情况下，旁路晶体管T7被传送来自旁路控制线158的旁路信号BP。旁路信号BP是能够始终截止旁路晶体管T7的预定电平的电压，并且旁路晶体管T7通过栅电极G7接收晶体管的截止电平的电压，使得旁路晶体管T7始终处于截止状态，并且驱动电流Id的一部分通过处于截止状态的旁路晶体管T7作为旁路电流Ibp被泄放。
[0075]在驱动晶体管Tl的显示黑色图像的最小电流作为驱动电流流动时，如果OLED也发射，则黑色图像不会被正常显示。因此，根据示例性实施例的OLED显示器的旁路晶体管T7可以通过除了 OLED侧的电流路径之外的另一电流路径将驱动晶体管Tl的最小电流的一部分分散为旁路电流Ibp。这里，驱动晶体管Tl的最小电流意味着由于驱动晶体管Tl的栅极-源极电压Vgs小于阈值电压Vth而使驱动晶体管Tl截止的情况下的电流。在其中驱动晶体管Tl截止的情况下的最小电流(例如约1pA或更小的电流)被传输到0LED，以表达为具有黑色亮度的图像。在表达黑色图像的最小驱动电流流动时，对旁路电流Ibp的旁路传输的影响很大，但是在表达诸如正常图像或白色图像的图像的大驱动电流流动时，对旁路电流Ibp可以具有很小的影响。因此，在显示黑色图像的驱动电流流动时，OLED的由通过旁路晶体管T7从驱动电流Id流出的旁路电流Ibp的电流量减小的发光电流1led具有作为能够正确地表达黑色图像的电平的最小电流量。因而，黑色亮度图像通过使用旁路晶体管T7被正确地实现，从而提高了对比度。在图2中，旁路信号BP与前一扫描信号Sn-1相同，但不一定局限于此。
[0076]然后，将参考图3至图7描述根据应用上述结构的示例性实施例的OLED显示器的一个像素的详细结构。图3是根据示例性实施例的OLED显示器的布局图。图4是示意性图示图3的OLED显示器的多个晶体管和电容器的图。图5是图示图3的OLED显示器的信号线的特定布局图。图6是沿线V1-VI截取的图4的OLED显示器的剖视图。图7是沿线VI1-VII截取的图4的OLED显示器的剖视图。
[OO77 ]参照图3，根据不例性实施例的OLED显不器包括分别传送扫描信号Sn、前一扫描信号Sn-1、发光控制信号EM和旁路信号BP并且沿行方向形成的扫描线151、前一扫描线152、发光控制线153和旁路控制线158。此外，进一步包括与扫描线151、前一扫描线152、发光控制线153和旁路控制线158交叉并分别将数据信号Dm和驱动电压ELVDD施加到像素I的数据线171和驱动电压线172。初始化电压Vint通过初始化晶体管T4从初始化电压线192传送到补偿晶体管T3。
[0078]进一步，驱动晶体管Tl、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管Τ5、发光控制晶体管Τ6、旁路晶体管Τ7、存储电容器Cst和OLED形成在像素I中。OLED包括像素电极191、有机发射层370和公共电极270。在这种情况下，为了阻挡泄露电流，补偿晶体管Τ3和初始化晶体管Τ4被配置为双栅极结构的晶体管。
[0079]驱动晶体管Tl、开关晶体管Τ2、补偿晶体管Τ3、初始化晶体管Τ4、操作控制晶体管Τ5、发光控制晶体管Τ6和旁路晶体管Τ7的沟道被形成在一个半导体130中，并且半导体130可以被形成为以各种形状弯曲。半导体130可由多晶半导体材料或氧化物半导体材料形成。氧化物半导体材料可以包括基于钛(Ti)、铪(Hf)、锆(Zr)、招(Al)、钽(Ta)、锗(Ge)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)或铟(In)的任何一种氧化物，以及是其复合氧化物的氧化铟镓锌(InGaZn04)、氧化铟锌(Zn-1n-O)、氧化锌锡(Zn-Sn-O)、氧化铟镓(In-Ga-O)、氧化铟锡(In-Sn-O)、氧化铟错(In-Zr-O)、氧化铟错锌(In-Zr-Zn-O)、氧化铟错锡(In-Zr-Sn-O)、氧化铟锆镓(In-Zr-Ga-O)、氧化铟铝(In-Al-O)、氧化铟锌铝(In-Zn-Al-O)、氧化铟锡铝(In-Sn-Al-O)、氧化铟铝镓(In-Al-Ga-O)、氧化铟钽(In-Ta-O)、氧化铟钽锌(In-Ta-Zn-O)、氧化铟钽锡(In-Ta-Sn-O)、氧化铟钽镓(In-Ta-Ga-O)、氧化铟锗(In-Ge-O)、氧化铟锗锌(In-Ge-Zn-O)、氧化铜错锡(In-Ge-Sn-O)、氧化铜错嫁(In-Ge-Ga-O)、氧化钦铜梓(T1-1n-Zn-O)或氧化铪铟锌(Hf-1n-Zn-O)。在半导体130由氧化物半导体材料形成的情况下，可以增加用于对容易受到诸如高温的外部环境影响的氧化物半导体材料进行保护的单独的钝化层。
[0080]半导体130包括被掺杂有N型杂质或P型杂质的沟道131、以及形成在沟道的相应侧并掺杂有与掺杂在沟道中的掺杂杂质相反类型的掺杂杂质的源极掺杂部分和漏极掺杂部分。在该示例性实施例中，源极掺杂部分和漏极掺杂部分分别对应于源电极和漏电极。形成在半导体130中的源电极和漏电极可以通过仅掺杂对应区域而形成。进一步，在半导体130中，不同晶体管的源电极和漏电极之间的区域被掺杂，并且因此源电极和漏电极可以彼此电连接。
[0081 ] 如图4所示出的，沟道131包括形成在驱动晶体管TI中的驱动沟道13Ia、形成在开关晶体管T2中的开关沟道131b、形成在补偿晶体管T3中的补偿沟道131c、形成在初始化晶体管T4中的初始化沟道131 d、形成在操作控制晶体管T5中的操作控制沟道131 e、形成在发光控制晶体管T6中的发光控制沟道131f、以及形成在旁路晶体管T7中的旁路沟道131g。
[0082]驱动晶体管Tl包括驱动沟道13 Ia、驱动栅电极155a、驱动源电极136a和驱动漏电极137a。驱动沟道131a是弯曲的，并且可具有倾斜形状或Z字形形状。这样，通过形成弯曲的驱动沟道131a，驱动沟道131a可以形成为在狭窄的空间中被拉长。因此，施加到驱动栅电极155a的栅极电压的驱动范围通过拉长的驱动沟道131a增加。由于栅极电压的驱动范围增加，从OLED发射的光的灰度级可以通过改变栅极电压的幅度来精细地控制，并且因此，OLED显示器的分辨率可以增强，显示质量可以得到提高。通过各种方式修改驱动沟道131a的形状，可以实现诸如“倒S”、“S”、“M”和“W”的各种示例。
[0083]驱动栅电极155a与驱动沟道131a重叠，并且驱动源电极136a和驱动漏电极137a形成在驱动沟道131a的相应侧并接近。驱动栅电极155a通过接触孔61连接到第一数据连接构件 174。
[0084]如图5中所示出的，驱动电压线172的第一屏蔽电极172a和第二屏蔽电极172b被设置在连接到驱动栅电极155a的第一数据连接构件174和被设置在第一数据连接构件174的两侧上的两条数据线171之间。第一屏蔽电极172a和第二屏蔽电极172b连接到驱动电压线172，并且被供给具有恒定幅度的驱动电压ELVDD。
[0085]如上面所描述的，被供给具有恒定幅度的驱动电压(ELVDD)的第一屏蔽电极172a和第二屏蔽电极172b被设置在数据线171和连接到驱动栅电极155a的第一数据连接构件174之间。因此，数据线171和连接到驱动栅电极155a的第一数据连接构件174之间的寄生电容的产生可以被最小化。因此，可以防止通过数据线171传送的数据信号Dm、Dm+l和供给到驱动栅电极155a的栅极电压Vg之间的干扰。
[0086]开关晶体管T2包括开关沟道131b、开关栅电极155b、开关源电极136b和开关漏电极137b。为从扫描线151向下延伸的一部分的开关栅电极155b与开关沟道131b重叠，并且开关源电极136b和开关漏电极137b形成在开关沟道131b的相应侧并接近。开关源电极136b通过接触孔62连接到数据线171。
[0087]为了防止泄露电流，形成两个补偿晶体管T3，并且包括彼此相邻的第一补偿晶体管T3-1和第二补偿晶体管T3-2。第一补偿晶体管T3-1定位为围绕扫描线151，并且第二补偿晶体管T3-2定位为围绕扫描线151的突起。第一补偿晶体管T3-1包括第一补偿沟道131cl、第一补偿栅电极155c1、第一补偿源电极136cI和第一补偿漏电极137cI，并且第二补偿晶体管T3-2包括第二补偿沟道131c2、第二补偿栅电极155c2、第二补偿源电极136c2和第二补偿漏电极137c2。
[0088]为扫描线151的一部分的第一补偿栅电极155cl与第一补偿沟道131 Cl重叠，并且第一补偿源电极136cl和第一补偿漏电极137cl形成在第一补偿沟道131cl的相应侧并接近。第一补偿源电极136cl连接到发光控制源电极136f和驱动漏电极137a，并且第一补偿漏电极137cl连接到第二补偿源电极136c2。
[0089]为从扫描线151向上突出的突起的第二补偿栅电极155c2与第二补偿沟道131c2重叠，并且第二补偿源电极136c2和第二补偿漏电极137c2分别形成在第二补偿沟道131c2的相应侧并接近。第二补偿漏电极137c2通过接触孔63连接到第一数据连接构件174。
[0090]为了防止泄露电流，形成两个初始化晶体管T4，并且包括彼此相邻的第一初始化晶体管T4-1和第二初始化晶体管T4-2。第一初始化晶体管T4-1定位为围绕前一扫描线152，并且第二初始化晶体管T4-2定位为围绕前一扫描线152的突起。第一初始化晶体管T4-1包括第一初始化沟道131dl、第一初始化栅电极155dl、第一初始化源电极136dl和第一初始化漏电极137dl，并且第二初始化晶体管T4-2包括第二初始化沟道131d2、第二初始化栅电极155d2、第二初始化源电极136d2和第二初始化漏电极137d2。
[0091]为前一扫描线152的一部分的第一初始化栅电极155dl与第一初始化沟道131dl重叠，并且第一初始化源电极136dl和第一初始化漏电极137dl形成在第一初始化沟道131dl的两侧并接近。第一初始化源电极136dl通过接触孔64连接到第二数据连接构件175，并且第一初始化漏电极137d I连接到第二初始化源电极136d2。
[0092]为从前一扫描线152向下突出的突起的第二初始化栅电极155d2与第二初始化沟道131d2重叠，并且第二初始化源电极136d2和第二初始化漏电极137d2形成在第二初始化沟道131d2的相应侧并接近。第二初始化漏电极137d2通过接触孔63连接到第一数据连接构件 174。
[0093]这样，补偿晶体管T3包括第一补偿晶体管T3-1和第二补偿晶体管T3-2两个补偿晶体管，而初始化晶体管T4包括第一初始化晶体管T4-1和第二初始化晶体管T4-2两个初始化晶体管，并且因此，通过阻止处于截止状态的半导体130的电子移动路径，可以有效地防止产生泄露电流。
[0094]操作控制晶体管Τ5包括操作控制沟道131e、操作控制栅电极、操作控制源电极和操作控制漏电极。为发光控制线153的一部分的操作控制栅电极155e与操作控制沟道131e重叠，并且操作控制源电极136e和操作控制漏电极137e形成在操作控制沟道131e的相应侧并接近。操作控制源电极136e通过接触孔65连接到驱动电压线172的一部分。
[0095]发光控制晶体管T6包括发光控制沟道131f、发光控制栅电极155f、发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f。为发光控制线153的一部分的发光控制栅电极155f与发光控制沟道131f重叠，并且发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f形成在发光控制沟道131f的相应侧并接近。发光控制漏电极137f通过接触孔66连接到第三数据连接构件179。
[0096]旁路晶体管T7包括旁路沟道131g、旁路栅电极155g、旁路源电极136g和旁路漏电极137g。为旁路控制线158的一部分的旁路栅电极155g与旁路沟道131g重叠，并且旁路源电极136g和旁路漏电极137g形成在旁路沟道131g的相应侧并接近。旁路源电极136g通过接触孔66连接到第三数据连接构件179，并且旁路漏电极137g与第一初始化源电极136dl直接相连。
[0097]驱动晶体管Tl的驱动沟道131a的一端连接到开关漏电极137b和操作控制漏电极137e，并且驱动沟道131a的另一端连接到补偿源电极136c和发光控制源电极136f。
[0098]存储电容器Cst包括第二绝缘层142被设置在其间的第一存储电极155a和第二存储电极156。第一存储电极155a对应于驱动栅电极155a，并且第二存储电极156是从存储线126延伸的一部分，比驱动栅电极155a占据更大的面积，并且完全覆盖驱动栅电极155a。在本文中，第二绝缘层142是介电材料，并且存储电容由存储在存储电容器Cst中的电荷和两个电极155a和156之间的电压确定。这样，驱动栅电极155a被用作第一存储电极155a，并且因此，可以确保其中可形成存储电容器的空间在由像素中具有大面积的驱动沟道131a变窄的空间内。
[0099]为驱动栅电极155a的第一存储电极155a通过接触孔61和存储开口 68连接到第一数据连接构件174的一端。存储开口 68是形成在第二存储电极156中的开口。第一数据连接构件174与数据线171基本上平行地形成在同一层上，并且第一数据连接构件174的另一端通过接触孔63连接到第二补偿晶体管T3-2的第二补偿漏电极137c2和第二初始化晶体管T4-2的第二初始化漏电极137d2。因此，第一数据连接构件174将驱动栅电极155a以及第二补偿晶体管T3-2的第二补偿漏电极137c2和第二初始化晶体管T4-2的第二初始化漏电极137d2彼此连接。
[0100]第二存储电极156通过接触孔69连接到驱动电压线172。
[0101]因此，存储电容器Cst存储与通过驱动电压线172传输到第二存储电极156的驱动电压ELVDD和驱动栅电极155a的栅极电压Vg之间的差对应的存储电容。
[0102]第三数据连接构件179通过接触孔81连接到像素电极191，并且第二数据连接构件175通过接触孔82连接到初始化电压线192。
[0103]在下文中将参照图6和图7连同图3至图5详细描述根据该示例性实施例的OLED显示器中的像素单元和外围单元的剖面结构。
[0104]在这种情况下，由于操作控制晶体管T5的层压结构和发光控制晶体管T6的层压结构几乎相同，因此其详细描述将被省略。
[0105]缓冲层120可形成在基板100上。基板100可以通过由玻璃、水晶、陶瓷、塑料等形成的绝缘基板形成，并且缓冲层120在用于形成多晶半导体的结晶过程期间阻挡来自基板100的杂质，以提高多晶半导体的特性并减小施加到基板100的应力。
[0106]在缓冲层120上形成半导体130，其包括驱动沟道131a、开关沟道131b、补偿沟道131c、初始化沟道131 d、操作控制沟道131 e和发光控制沟道131 f。驱动源电极136a和驱动漏电极137a形成在半导体130中的驱动沟道131a的相应侧，并且开关源电极136b和开关漏电极137b形成在开关沟道131b的相应侧。另外，第一补偿源电极136cl和第一补偿漏电极137cl形成在第一补偿沟道131cl的相应侧，第二补偿源电极136c2和第二补偿漏电极137c2形成在第二补偿沟道131c2的相应侧，第一初始化源电极136dl和第一初始化漏电极137dl形成在第一初始化沟道131dl的相应侧，并且第二初始化源电极136d2和第二初始化漏电极137d2形成在第二初始化沟道131d2的相应侧。进一步，操作控制源电极136e和操作控制漏电极137e形成在操作控制沟道131e的相应侧，并且发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f形成在发光控制沟道131f的相应侧。而且，旁路源电极136g和旁路漏电极137g形成在旁路沟道131g的相应侧。
[0107]覆盖半导体130的第一绝缘层141形成在半导体130上。包括包含开关栅电极155b、第一补偿栅电极155c I和第二补偿栅电极155c2的扫描线151、包含第一初始化栅电极155dl和第二初始化栅电极155d2的前一扫描线152、包含操作控制栅电极155e和发光控制栅电极155f的发光控制线153、包含旁路栅电极155g的旁路控制线158、以及驱动栅电极(第一存储电极)155a 的第一栅极布线151、152、153、158、155a、155b、155cl、155c2、155dl、155d2、155e、155f和155g形成在第一绝缘层141上。
[0108]覆盖第一栅极布线151、152、153、158、155a、155b、155cl、155c2、155dl、155d2、155e、155f和155g以及第一绝缘层141的第二绝缘层142形成在其上。第一绝缘层141和第二绝缘层142由氮化硅(S iNx)或氧化硅(Si Ox)形成。
[0109]包括被设置为与扫描线151平行的存储线126和为从存储线126延伸的一部分的第二存储电极156的第二栅极布线126和156形成在第二绝缘层142上。
[0110]层间绝缘层160形成在第二绝缘层142以及第二栅极布线126和156上。层间绝缘层160可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)形成。
[0111]层间绝缘层160具有接触孔61、62、63、64、65、66和69。包括数据线171、驱动电压线172、第一屏蔽电极172a、第二屏蔽电极172b、第一数据连接构件174、第二数据连接构件175和第三数据连接构件179的数据布线171、172、172a、172b、174、175、179形成在层间绝缘层160 上。数据布线 171、172、172a、172b、174、175、179 形成在同一层上。
[0112]数据线171通过形成在第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160中的接触孔62连接到开关源电极136b。第一数据连接构件174的一端通过形成在第二绝缘层142和层间绝缘层160中的接触孔61连接到驱动栅电极155a。第一数据连接构件174的另一端通过形成在第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160中的接触孔63连接到第二补偿漏电极137c2和第二初始化漏电极137d2。
[0113]驱动电压线172的第一屏蔽电极172a和第二屏蔽电极172b分别被设置在连接到驱动栅电极155a的第一数据连接构件174与被设置在第一数据连接构件174的两侧的两条数据线171之间。第一屏蔽电极172a和第二屏蔽电极172b连接到驱动电压线172，并被供给具有恒定幅度的驱动电压ELVDD。如上面所描述的，被供给具有恒定幅度的驱动电压(ELVDD)的第一屏蔽电极172a和第二屏蔽电极172b被设置在数据线171和连接到驱动栅电极155a的第一数据连接构件174之间。因此，可以防止数据线171和连接到驱动栅电极155a的第一数据连接构件174之间的寄生电容的产生。
[0114]因此，尽管通过数据线171传送数据信号Dm、Dm+l，但可以防止通过数据线171传送的数据信号Dm、Dm+l和供给到驱动栅电极155a的栅极电压Vg之间的干扰。
[0115]四边形的第二数据连接构件175通过形成在第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160中的接触孔64连接到第一初始化源电极136dl。另外，四边形的第三数据连接构件179通过形成在第一绝缘层141、第二绝缘层142和层间绝缘层160中的接触孔66连接到发光控制漏电极137f。
[0116]覆盖数据布线171、172、172a、172b、174、175、179和层间绝缘层160的钝化层180形成在其上。钝化层180可以由有机层形成。
[0117]像素电极191和初始化电压线192形成在钝化层180上。第三数据连接构件179通过形成在钝化层180中的接触孔81连接到像素电极191，并且第二数据连接构件175通过形成在钝化层180中的接触孔82连接到初始化电压线192。
[0118]覆盖钝化层180、初始化电压线192和像素电极191的像素限定层(PDL)350形成在钝化层180、初始化电压线192和像素电极191的边缘上，并且像素限定层350具有暴露像素电极191的像素开口 351。像素限定层350可以由诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺的树脂或者二氧化娃系列无机材料制成。
[0119]有机发射层370形成在由像素开口351暴露的像素电极191上，并且公共电极270形成在有机发射层370上。公共电极270形成在通过多个像素形成的像素限定层350上。这样，形成了包括像素电极191、有机发射层370和公共电极270的OLED。
[0120]在本文中，像素电极191是作为空穴注入电极的阳极，并且公共电极270是作为电子注入电极的阴极。然而，根据所描述的技术的示例性实施例不必局限于此，并且根据OLED显示器的驱动方法，像素电极191可以是阴极且公共电极270可以是阳极。在空穴和电子分别从像素电极191和公共电极270注入到有机发射层370，并且通过结合注入的空穴和电子获得的激子从激发态落入基态时，光被发射。
[0121]有机发射层370由低分子有机材料或诸如聚(3，4_乙烯二氧噻吩)(PEDOT)的高分子有机材料制成。进一步，有机发射层370可以由包括发射层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个层的多层形成。在有机发射层370包括所有的层时，空穴注入层被设置在为正电极的像素电极191上，并且空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层顺序层压在其上。
[0122]有机发射层370可包括发射红光的红色有机发射层、发射绿光的绿色有机发射层和发射蓝光的蓝色有机发射层，并且红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层分别形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素处，以实现彩色图像。
[0123]进一步，在有机发射层370中，所有的红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层都同时层压在红色像素、绿色像素和蓝色像素上，并且针对每个像素形成有红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器，以实现彩色图像。作为另一示例，发射白光的白色有机发射层形成在所有的红色像素、绿色像素和蓝色像素上，并且针对每个像素形成有红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器，以实现彩色图像。在彩色图像通过使用白色有机发射层和滤色器实现时，可以不使用用于在单独像素(也就是红色像素、绿色像素和蓝色像素)上分别沉积红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层的沉积掩模。
[0124]当然，在另一示例中描述的白色有机发射层可以由一个有机发射层形成，并且甚至包括可以通过层压多个有机发射层来发射白光的配置。作为示例，白色有机发射层可以包括通过组合至少一个黄色有机发射层和至少一个蓝色有机发射层使得能够发射白光的配置、通过组合至少一个青色有机发射层和至少一个红色有机发射层使得能够发射白光的配置、通过组合至少一个品红色有机发射层和至少一个绿色有机发射层使得能够发射白光的配置等。
[0125]保护OLED的封装构件(未示出)可形成在公共电极270上，并且封装构件可以由密封剂密封到基板100，并且可以由诸如玻璃、石英、陶瓷、塑料和金属的各种材料形成。另一方面，可以通过在使用密封剂的同时沉积无机层和有机层在公共电极270上形成薄膜封装层。
[0126]尽管已经结合目前认为是可行的示例性实施例描述了发明技术，但是应该理解，发明不限于所公开的实施例，相反，意在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同设置。
【主权项】
1.一种有机发光二极管显示器，包括: 基板； 形成在所述基板上方并且被配置成输送扫描信号的扫描线； 彼此相邻并且与所述扫描线交叉的第一数据线和第二数据线，其中所述第一数据线和所述第二数据线被配置成输送数据电压； 与所述扫描线交叉并且被配置成输送驱动电压的驱动电压线； 电连接到所述扫描线和所述数据线并且包括被配置成输出所述数据电压的开关漏电极的开关晶体管； 包括驱动栅电极和电连接到所述开关漏电极的驱动源电极的驱动晶体管； 电连接到所述驱动晶体管的所述驱动漏电极的有机发光二极管； 连接到所述驱动晶体管的所述驱动栅电极并且在所述第一数据线和所述第二数据线之间插入的连接器； 在所述连接器和所述第一数据线之间插入的第一屏蔽电极；以及 在所述连接器和所述第二数据线之间插入的第二屏蔽电极， 其中所述第一屏蔽电极和所述第二屏蔽电极连接到具有恒定幅度的电压源。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一屏蔽电极和所述第二屏蔽电极电连接到所述驱动电压线。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一屏蔽电极和所述第一数据线彼此平行延伸，并且其中所述第二屏蔽电极和所述第二数据线彼此平行延伸。4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中所述连接器与所述第一屏蔽电极和所述第二屏蔽电极形成在同一层上。5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中所述连接器的至少一部分与所述第一数据线和所述第二数据线形成在同一层上。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一屏蔽电极的至少一部分和所述第一数据线彼此平行延伸，并且其中所述第二屏蔽电极和所述第二数据线彼此平行延伸。7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中所述连接器的至少一部分与所述第一屏蔽电极和所述第二屏蔽电极形成在同一层上。8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述连接器的至少一部分与所述第一数据线和所述第二数据线形成在同一层上。9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述连接器的至少一部分与所述第一屏蔽电极和所述第二屏蔽电极形成在同一层上。10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中所述连接器与所述第一数据线和所述第二数据线形成在同一层上。11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，进一步包括: 形成在所述基板上方并且包括所述开关晶体管的开关沟道和所述驱动晶体管的驱动沟道的半导体；以及 形成在所述半导体上方的第一绝缘层，其中所述驱动沟道是弯曲的。12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器，进一步包括: 包括形成在所述第一绝缘层上方并且与所述驱动沟道重叠的第一存储电极的存储电容器； 覆盖所述第一存储电极的第二绝缘层；以及 形成在所述第二绝缘层上方并且在所述有机发光二极管显示器的深度维度上与所述第一存储电极重叠的第二存储电极， 其中所述第一存储电极包括所述驱动晶体管的所述驱动栅电极。13.根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器，进一步包括:覆盖所述第二存储电极的层间绝缘层，其中所述第一数据线和所述第二数据线形成在所述层间绝缘层上方。14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中所述连接器、所述第一屏蔽电极和所述第二屏蔽电极、以及所述第一数据线和所述第二数据线形成在同一层上。15.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述连接器、所述第一屏蔽电极和所述第二屏蔽电极、以及所述第一数据线和所述第二数据线形成在同一层上。
【文档编号】G09G3/3275GK105895026SQ201610084516
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年2月14日
【发明人】李光世, 金美海, 金知惠, 黄元美
【申请人】三星显示有限公司