有机发光二极管显示器的制造方法

文档序号:9752729阅读:404来源:国知局
有机发光二极管显示器的制造方法
【技术领域】
[0001]本公开涉及有机发光二极管显示器。更具体地,本公开涉及通过使用相长干涉提高了从有机发射层发出的光的效率的有机发光二极管显示器。
【背景技术】
[0002]显示设备在其显示表面上显示图像。近来,有机发光二极管显示器已受到瞩目。
[0003]有机发光二极管显示器具有自发光特性,并且不同于液晶显示器,因为有机发光二极管显示器不需要单独的光源,因此其可具有相对小的厚度和重量。此外,有机发光二极管显不器展现出了诸如低功耗、尚壳度、尚响应速度等尚品质特性。
[0004]典型的有机发光二极管显示器包括有机发光元件(有机发光二极管),其中,有机发光元件包括依次布置的第一电极、有机发射层和第二电极。
[0005]近来,通过将第一电极与第二电极之间的距离控制成或调节成与从有机发射层发出的光的波长相对应,已开发出了通过使用相长干涉改善从有机发射层发出的光的效率的有机发光二极管显示器。
[0006]本【背景技术】部分公开的上述信息仅仅是用于增强理解,并因此,其可包含并不形成本国的本领域的普通技术人员已知的现有技术的信息。

【发明内容】

[0007]本发明的实施方式提供了在不考虑从有机发射层发出的光的波长的情况下通过使用相长干涉改善从有机发射层发出的光的效率的有机发光二极管显示器。
[0008]本发明的一个方面提供了有机发光二极管显示器,该有机发光二极管显示器包括定位在衬底上的第一电极、定位在第一电极上的有机发射层、定位在有机发射层上的第二电极、定位在第二电极上的折射层、以及定位在折射层上的光半透反射式金属层。
[0009]从第一电极至光半透反射式金属层的距离可满足下式。
[0010]ΙΧλ/Ν,
[0011]此处,L为从第一电极至光半透反射式金属层的距离,λ为从有机发射层发出的光的波长,以及N为偶数。
[0012]N可以是2、4、8和16中的一个。
[0013]折射层可在第二电极与光半透反射式金属层之间分别与第二电极和光半透反射式金属层接触。
[0014]第一电极可与有机发射层接触,有机发射层可与第二电极接触。
[0015]有机发射层可包括与第一电极接触的第一有机层、与第二电极接触的第二有机层、以及在第一有机层与第二有机层之间分别与第一有机层和第二有机层接触的主发射层。
[0016]主发射层可包括发出第一颜色的光的第一子发射层、在平面上与第一子发射层相隔开并且发出第二颜色的光的第二子发射层、以及在平面上与第二子发射层相隔开并且发出第三颜色的光的第三子发射层。
[0017]从分别与第一子发射层、第二子发射层和第三子发射层一同定位的第一电极至光半透反射式金属层的距离可相同。
[0018]第一电极可为光反射电极,并且第二电极可为光半透反射式电极。
[0019]第二电极和光半透反射式金属层可分别具有5nm至15nm的厚度。
[0020]折射层可具有小于第二电极厚度的厚度。
[0021]折射层可具有小于光半透反射式金属层厚度的厚度。
[0022]折射层的厚度可为5nm至15nm。
[0023]第二电极和光半透反射式金属层可由相同的材料形成。
[0024]第二电极和光半透反射式金属层可分别包括银(Ag)。
[0025]折射层可包括有机材料或无机材料。
[0026]折射层的折射率可为L I至L 8。
[0027]折射层的折射率可为1.8至2.2。
[0028]还可包括定位在光半透反射式金属层上的覆盖层。
[0029]覆盖层可具有50nm至I 1nm的厚度。
[0030]本发明的另一方面提供了有机发光二极管显示器,该有机发光二极管显示器包括衬底、定位在衬底上方的第一电极、定位在第一电极上方的有机发射层、定位在有机发射层上方的第二电极、定位在第二电极上方的折射层、以及定位在折射层上方的光半透反射式金属层。
[0031]在上述显示器中,从第一电极至光半透反射式金属层的距离可满足下式:L〈 λ/N,其中,L为从第一电极至光半透反射式金属层的距离,λ为从有机发射层发出的光的波长,以及N为偶数。N可以是2、4、8和16中的一个。折射层可位于第二电极与光半透反射式金属层之间,并且可与第二电极和光半透反射式金属层都接触。第一电极可与有机发射层接触,并且有机发射层又与第二电极接触。有机发射层可包括与第一电极接触的第一有机层、与第二电极接触的第二有机层、以及位于第一有机层与第二有机层之间并且与第一有机层和第二有机层都接触的主发射层。主发射层可包括配置成发出第一颜色的光的第一发射层部、当在与衬底的主要表面垂直的观察方向上观察时与第一发射层部相隔开并且配置成发出第二颜色的光的第二发射层部、以及当在该观察方向上观察时与第一发射层部和第二发射层部相隔开并且配置成发出第三颜色的光的第三发射层部。从第一电极经由第一发射层部至光半透反射式金属层的距离、从第一电极经由第二发射层部至光半透反射式金属层的距离、以及从第一电极经由第三发射层部至光半透反射式金属层的距离可基本相同。
[0032]仍在上述显示器中,第一电极可为光反射电极,并且第二电极可为光半透反射式电极。第二电极和光半透反射式金属层中的每个可具有约5nm至约15nm的厚度。折射层可具有小于第二电极厚度的厚度。折射层可具有小于光半透反射式金属层厚度的厚度。折射层的厚度可为约5nm至约15nm。第二电极和光半透反射式金属层可由相同的材料形成。第二电极和光半透反射式金属层可分别包括银(Ag)。折射层可包括有机材料。折射层的折射率可为约1.1至约1.8。折射层的折射率可为约1.8至约2.2。显示器还可包括定位在光半透反射式金属层上方的覆盖层。覆盖层可具有约50nm至约IlOnm的厚度。
[0033]根据本发明实施方式,在不考虑从有机发射层发出的光的波长的情况下,提供了通过使用相长干涉改善从有机发射层发出的光的效率的有机发光二极管显示器。
【附图说明】
[0034]图1是根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的示意性剖视图。
[0035]图2是用于说明根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的效果的视图。
[0036]图3A、图3B和图3C是用于说明根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的效果的图表。
[0037]图4是用于说明根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的效果的表格。
[0038]图5是根据本发明另一实施方式的有机发光二极管显示器的示意性剖视图。
【具体实施方式】
[0039]下文中,将参照示出了本发明的实施方式的附图对本发明的实施方式进行更加全面的描述。本领域的技术人员将认识到,所描述的实施方式可以各种不同的方式修改,而所有修改都不背离本发明的精神或范围。
[0040]附图和描述应被视为本质上是说明性的、而非限制性的,并且在整个说明书中,相似的参考编号指示相似的元件。
[0041]另外,在实施方式中,由于相似的参考编号指示具有相同配置的相似的元件,因此代表性地描述了第一实施方式,而在其他实施方式中,将仅对与第一实施方式不同的配置进行描述。
[0042]此外,为了更好的理解以及描述的便利,附图中所示的各元件的尺寸和厚度是任意示出的,但是本发明并
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