0中。当折射层500太厚时，因折射层500的厚度而导致从第一电极200至光半透反射式金属层600的距离被不期望地设置成，与对应于红色、绿色或蓝色光的波长相对应的距离，其中红色、绿色或蓝色光不与从有机发射层300发出的光相对应，由此从有机发射层300发出的光中可能发生相消干涉，从而恶化了从有机发射层300发出的光的色再现性或亮度，并且因此，可能恶化从有机发射层300发出的光的效率。
[0067]折射层500可包括有机材料或无机材料。折射层500的折射率可根据其材料而变化。在一个实施方式中，折射层500的折射率可为约1.1至约1.8。在另一实施方式中，折射层500的折射率可为约1.8至约2.2。当折射层500的折射率太高时，从有机发射层300发出并且透射过折射层500的光被折射层500折射并被照射在不期望的方向上，由此从有机发射层300发出的光被辨识在不期望的方向上，并且可能恶化整个有机发光二极管显示器的显示。
[0068]光半透反射式金属层600可包括具有镁-银(MgAg)、银-镁(AgMg)、铝(Al)和银(Ag)中的至少一个的单层或多层结构。光半透反射式金属层600可由与第二电极400相同的材料形成。光半透反射式金属层600分别与折射层500和覆盖层700接触。光半透反射式金属层600可具有约5nm至约15nm的厚度以实现光的半透反射。在另一实施方式中，光半透反射式金属层600可具有约3nm至约25nm的厚度。当光半透反射式金属层600太薄时，岛状或不期望的孔可能形成在光半透反射式金属层600中。当光半透反射式金属层600太厚时，从有机发射层300发出的光被光半透反射式金属层600阻挡，由此可能恶化从有机发射层300发出的光的亮度。
[0069]从光半透反射式金属层600至第一电极200的距离满足下式。
[0070]L< λ /N
[0071]此处，L是从第一电极200至光半透反射式金属层600的距离，λ是从有机发射层300发出的光的波长，并且N是偶数。例如，N可以是2、4、8和16中的任一个。
[0072]也就是说，从第一电极200至光半透反射式金属层600的距离并不是与从有机发射层300发出的光的波长相对应的距离，并且同时短于与从有机发射层300发出的光的波长相对应的距离。
[0073]总的来说，光半透反射式金属层600与第一电极200之间的距离并不被设置成与从有机发射层300发出的光的波长的λ相对应，而是光半透反射式金属层600与第一电极200之间的距离L被设置成比与从有机发射层300发出的光的波长的λ相对应的距离短的距离。
[0074]覆盖层700定位在光半透反射式金属层600上以与光半透反射式金属层600接触，并且具有约50nm至约IlOnm的厚度。覆盖层700可通过沉积具有各种折射率的多个层而形成，并且具有不同折射率的元件可被定位在其中。
[0075]在实施方式中，光半透反射式金属层600比紧邻的层(例如，折射层500和覆盖层700的子层)反射更多的光。另一方面，光半透反射式金属层600比紧邻的层透射更少的光。然而，本发明并不限于此。
[0076]接着，将参照图2至图4对根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的效果进行描述。
[0077]图2是用于说明根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的效果的视图。
[0078]如图2中所示，从根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的有机发射层300发出的光，通过作为光反射电极的第一电极200与作为光半透反射式电极的第二电极400之间的相长干涉而经历谐振和反射，随后通过第一电极200与光半透反射式金属层600之间的相长干涉而二次经历强谐振和反射，并且通过第一电极200与覆盖层700之间的相长干涉而进一步经历谐振和反射，由此改善从有机发射层300发出的光的光强度以及色再现性范围。
[0079]进行了用于确认从有机发射层300发出的光的强度改善的实验，并且在图3A、图3B和图3C中示出了结果。
[0080]图3A、图3B和图3C是用于说明根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的效果的图表。在图3A、图3B和图3C中，Ref表示没有折射层500和光半透反射式金属层600的传统的有机发光二极管显示器，金属谐振示例I表示具有厚度为5nm的折射层500的实验性示例，金属谐振示例2表示具有厚度为1nm的折射层500的实验性示例，并且金属谐振示例3是具有厚度为15nm的折射层500的实验性示例。图3A是示出发出蓝光的有机发射层的光的强度的图表，图3B是示出发出绿光的有机发射层的光的强度的图表，并且图3C是示出发出红光的有机发射层的光的强度的图表。
[0081]如图3A、图3B和图3C中所示，相比于Ref的典型的有机发光二极管显示器，确认了在根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的金属谐振示例1、2和3中，光的强度得到了改善。
[0082]进行了用于确认从有机发射层300发出的光的色再现性改善的实验，并且在图4中示出了结果。
[0083]图4是用于说明根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的效果的表格。图4是示出根据CIE色度图的色坐标的表格。在图4中，Ref表示没有折射层500和光半透反射式金属层600的传统的有机发光二极管显示器，MM I表示具有厚度为5nm的折射层500的实验性示例，MM 2表示具有厚度为1nm的折射层500的实验性示例，并且MM 3表示具有厚度为15nm的折射层500的实验性示例。
[0084]如图4中所示，相比于Ref的典型的有机发光二极管显示器，确认了在根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的丽1、2和3中，蓝色(蓝_y)、绿色(绿_x)和红色(红_x)的每个色再现性得到了改善。
[0085]如上所述，根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器包括定位在第二电极400上的折射层500和光半透反射式金属层600。因此，来自有机发射层300的光强度和色再现性得到改善。另外，从有机发射层300发出的光的效率得到改善，从而提供了具有经改善的图像显示品质的有机发光二极管显示器。
[0086]并且，在根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器中，能够简单地将折射层500和光半透反射式金属层600作为薄膜沉积在第二电极400上，而不考虑从有机发射层300发出的光的波长。因此，由于有机发光二极管显示器的制造工艺被简化，因而相比于需要致力于谨慎地调节或控制用于生成与从有机发射层300发出的光的波长相对应的谐振的距离的传统的有机发光二极管显示器，减少了制造时间和制造成本。
[0087]并且，在根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器中，能够简单地将折射层500和光半透反射式金属层600中的每一个作为薄膜沉积在第二电极400上，而不考虑从有机发射层300发出的光的波长。因此，不需要用于调节或控制能够生成与从有机发射层300发出的光的波长相对应的谐振的距离的附加配置或层。这种附加配置或层可降低从有机发射层300发出的光的亮度。因此，相比于使用传统的谐振结构的有机发光二极管显示器，具有经改善的亮度的有机发光二极管显示器可被提供在根据本发明实施方式的设备中。
[0088]接着，将参照图5对根据本发明另一实施方式的有机发光二极管显示器进行描述。
[0089]在下文中，将对与上面所描述的根据本发明实施方式的有机发光二极管显示器的差异进行描述。
[0090]图5是根据本发明