一种显示面板和显示装置的制造方法

文档序号:9752726阅读:311来源:国知局
一种显示面板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示面板和显示装置。
【背景技术】
[0002]随着智能科技的发展,可穿戴设备越来越火爆,而伴随着可穿戴电子产品的发展,这些可穿戴设备的人机交互界面已不再采用传统的矩形面板,而是越来越多使用异形切割的面板,包括圆形、八边形甚至是异形切角等形状,以满足智能设备的可穿戴性能,或者是满足其时尚的外观设计。
[0003]但在现有技术中至少存在以下问题:异形显示面板中包括显示区域(即像素区域)、黑矩阵区域和填充区域,当然,为避免漏光,填充区域也需要由黑矩阵材料进行填充。由于常规的像素设计是矩形,要满足这些异形切割的边界,使异形面板的周边形成弧形、斜边等形状,只能将像素按边界的形状排列成锯齿状,形成锯齿状边缘,这些成锯齿状排列在异形边缘的像素只能做到近似弧形或者斜边,会导致具有显示亮度的显示区域在边缘处的锯齿状的边缘与完全呈现黑暗的填充区域之间形成强烈的颜色对比,使显示区域锯齿状的边缘可通过人眼被识别到,降低了显示面板边缘的视觉效果,严重影响用户体验。

【发明内容】

[0004]本发明针对现有的异形面板边缘可见的不平滑的边界线导致的显示面板边缘的视觉效果降低以及影响用户体验的问题,提供一种能够改善显示面板边缘的视觉效果、提高用户体验度的显示面板和显示装置。
[0005]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示面板,包括多行像素单元,多行像素单元的边缘呈阶梯状排列,每行像素单元包括中心像素单元和边缘像素单元,每个中心像素单元包括多个子像素和与每个子像素对应的第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管具备第一半导体区;
[0006]每个边缘像素单元包括多个子像素和与每个子像素对应的第二薄膜晶体管,第二薄膜晶体管具备第二半导体区;所述第一半导体区的长度设置为第一设定长度,所述第一半导体区的宽度设置为第一设定宽度,所述第二半导体区的长度设置为第二设定长度,所述第二半导体区的宽度设置为第二设定宽度,以使边缘像素单元的亮度小于中心像素单元的亮度。
[0007]其中,所述第一半导体区在通电时形成第一沟道区,所述第二半导体区在通电时形成第二沟道区。
[0008]其中,所述第二设定长度大于所述第一设定长度。
[0009]其中,所述第二设定宽度小于所述第一设定宽度。
[0010]其中,每行像素单元还包括:次边缘像素单元,所述次边缘像素单元位于所述中心像素单元和所述边缘像素单元之间,每个次边缘像素单元包括多个子像素和与每个子像素对应的第三薄膜晶体管,第三薄膜晶体管具备第三半导体区;所述第三半导体区的长度为第三设定长度,所述第三半导体区的宽度为第三设定宽度,以使所述次边缘像素单元的亮度小于中心像素单元的亮度,所述次边缘像素单元的亮度大于所述边缘像素单元的亮度。
[0011]其中,所述第三半导体区在通电时形成第三沟道区。
[0012]其中,所述第二设定长度大于所述第三设定长度,所述第三设定长度大于所述第一设定长度。
[0013]其中,所述第二设定宽度小于所述第三设定宽度,所述第三设定宽度小于所述第一设定宽度。
[0014]其中,所述显示面板为平面转换型显示面板、高级超维场转换型显示面板或扭曲向列型显示面板中的一种,其中,所述扭曲向列型显示面板的显示模式为常黑模式。
[0015]作为另一技术方案,本申请还提供一种显示装置,包括显示面板,所述显示面板为上述任意一项所述的显示面板。
[0016]本发明的显示面板和显示装置中,该显示面板通过设置中心像素单元的第一薄膜晶体管的第一半导体区的第一设定长度和第一设定宽度,以及设置边缘像素单元的第二薄膜晶体管的第二半导体区的第二设定长度和第二设定宽度,能够使边缘像素单元的亮度小于中心像素单元的亮度,从而弱化中心像素单元与填充区域之间的亮度对比度,即起到亮度缓冲的作用,弱化人眼对于“锯齿”边缘的识别度,减小边缘像素单元的“锯齿”视觉效应,进而改善异形面板边缘视觉效果,提高用户体验度。
【附图说明】
[0017]图1为本发明的实施例1、2的显示面板的结构示意图;
[0018]图2为本发明的实施例1的显示面板的第二设定长度与第一设定长度的示意图;
[0019]图3为本发明的实施例2的显示面板的第二设定宽度与第一设定宽度的示意图;
[0020]图4为本发明的实施例3、4的显示面板的结构示意图;
[0021]图5为本发明的实施例3的显示面板的第二设定长度、第一设定长度和第三设定长度的不意图;
[0022]图6为本发明的实施例4的显示面板的第二设定宽度、第一设定宽度和第三设定宽度的不意图;
[0023]其中,附图标记为:1、中心像素单元;11、第一半导体区;12、中心像素电极;2、边缘像素单元;21、第二半导体区;22、边缘像素电极;3、黑矩阵区域;4、填充区域;5、次边缘像素单元;51、第三半导体区;52、次边缘像素电极;6、像素电极信号线。
【具体实施方式】
[0024]为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细描述。
[0025]实施例1:
[0026]请参照图1和图2,本实施例提供一种显示面板,包括多行像素单元,多行像素单元的边缘呈阶梯状排列,每行像素单元包括中心像素单元I和边缘像素单元2,每个中心像素单元I包括多个子像素和与每个子像素对应的第一薄膜晶体管,第一薄膜晶体管具备第一半导体区11;每个边缘像素单元2包括多个子像素和与每个子像素对应的第二薄膜晶体管,第二薄膜晶体管具备第二半导体区21;第一半导体区11的长度设置为第一设定长度,第一半导体区11的宽度设置为第一设定宽度,第二半导体区21的长度设置为第二设定长度,第二半导体区21的宽度设置为第二设定宽度,以使边缘像素单元2的亮度小于中心像素单元I的亮度。
[0027]在本实施例中,将像素单元分为中心像素单元I和边缘像素单元2,其中,中心像素单元I是指完全不与填充区域4相接处的像素单元,边缘像素单元2是指至少有两个边与填充区域4相接处的像素单元,也可以理解为边缘像素单元2是指所有像素单元中位于最外侧的、用于形成“阶梯”的像素单元。在实际操作中,为避免漏光,填充区域4也需要由黑矩阵材料进行填充,因此,填充区域4和黑矩阵区域3可以一体形成,在本实施例中,为了区分填充区域4和黑矩阵区域3,将填充区域4和黑矩阵区域3之间用虚线隔开,如图1所示。其中,第一半导体区11在通电时形成第一沟道区,第二半导体区21在通电时形成第二沟道区。
[0028]其中,每个中心像素单元I均包括多个子像素(通常包括R子像素、G子像素和B子像素)和与每个子像素对应的第一薄膜晶体管(图中未示出),第一薄膜晶体管具备第一半导体区11,第一半导体区11的长度设置为第一设定长度,第一半导体区11的宽度设置为第一设定宽度;每个边缘像素单元2包括多个子像素和与每个子像素对应的第二薄膜晶体管(图中未示出),第二薄膜晶体管具备第二半导体区21,第二半导体区21的长度设置为第二设定长度,第二半导体区21的宽度设置为第二设定宽度。
[0029]需要注意的是,本实施例中的沟道区的长度是指载流子通过的宽度,如图2所示,左侧可视为用来提供电压的像素电极信号线6,实际上,像素电极信号线6是一个整体结构,在附图2中只是为了区分不同像素单元对应的像素电极信号线6的不同部分,因此对像素电极信号线6的不同部分进行了颜色区分,右侧为像素电极,像素电极信号线6与像素电极之间的区域即为沟道区,当施加电压时,载流子从像素电极信号线6端向像素电极端移动或从像素电极端向像素电极信号线6端移动(所施加的电压极性和载流子的极性影响载流子在像素
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