一种显示面板及其制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种显示面板以及制作方法，该显示面板包括：基板；设置在所述基板表面的平坦化层；所述平坦化层的表面具有调节结构；所述平坦化层具有第一区域以及第二区域；所述第一区域的表面平行于所述基板；所述调节结构位于所述第二区域；所述第一区域和第二区域交替间隔设置；覆盖所述调节结构表面的显示单元；其中，所述调节结构为设置在所述第二区域的凸起结构或是凹槽结构。所述调节结构有利于增加发光功能层的表面积，减小发光功能层在基板方向的投影面积，增加显示单元的个数，达到增加开口率和分辨率的效果。
【专利说明】
一种显示面板及其制作方法
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，更具体地说，涉及一种显示面板及其制作方法。
【背景技术】
[0002]随着科学技术的不断发展，越来越多的具有显示功能的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当前人们不可或缺的重要工具。电子设备实现显示功能的主要部件是显示面板，OLED显示面板是当前主流的显示面板之一。
[0003]参考图1，图1为现有技术中常见的一种OLED显示面板的结构示意图，该OLED显示面板包括:相对设置的盖板12以及阵列基板11。阵列基板11包括:衬底117、TFT器件111、像素定义层116以及显示单元。TFT器件111位于显示单元与衬底117之间。显示单元包括:阳极112、发光功能层113以及阴极114。其中，阳极112朝向TFT器件111设置，阳极112与TFT器件111之间具有平坦化层118。阳极112通过第一通孔Vial与TFT器件111的漏极连接。像素定义层116具有多个开口，一个开口对应一个像素单元。像素单元的发光功能层113位于所述开口内。在尺寸一定的显示面板上，由于反射层发光面积和蒸镀掩膜板的限制，不利于开口率的提升。虽然通过降低掩膜板孔径增加开口率的方法是提高器件分辨率常用的方法，但受到了图形密度和机台能力的限制。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明提供了一种显示面板以及制作方法，提高了显示面板的开口率，提高了分辨率。
[0005]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0006]—种显示面板，该显示面板包括:
[0007]基板；
[0008]设置在所述基板表面的平坦化层;所述平坦化层的表面具有调节结构；所述平坦化层具有第一区域以及第二区域;所述第一区域的表面平行于所述基板;所述调节结构位于所述第二区域;所述第一区域和第二区域交替间隔设置；
[0009]覆盖所述调节结构表面的显示单元；
[0010]其中，所述调节结构为设置在所述第二区域的凸起结构或是凹槽结构。
[0011]优选的，在上述显示面板中，所述显示单元包括:
[0012]设置在所述调节结构表面的第一电极单元；
[0013]设置在所述第一电极单元表面的发光功能层；
[0014]设置在所述发光功能层表面的第二电极层。
[0015]优选的，在上述显示面板中，所述基板包括:
[0016]衬底；
[0017]设置在所述衬底朝向所述平坦化层一侧的多个薄膜晶体管；
[0018]其中，所述第一电极单元通过设置在所述平坦化层上的通孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。
[0019]优选的，在上述显示面板中，所述第一电极单元包括:
[0020]覆盖所述调节结构的保护层；
[0021 ]覆盖所述保护层的反射层；
[0022]覆盖所述反射层的第一电极层。
[0023]优选的，在上述显示面板中，还包括:位于所述第一区域表面的像素定义层；
[0024]其中，所述像素定义层与所述调节结构不交叠。
[0025]优选的，在上述显示面板中，在垂直于所述基板的方向上，所述调节结构的截面形状为三角形、半圆形、梯形、截顶半圆形之一或组合。
[0026]本发明还提供了一种制作方法，用于制作上述显示面板，该制作方法包括:
[0027]提供一基板；
[0028]在所述基板表面形成平坦化层，所述平坦化层表面具有调节结构；所述平坦化层具有第一区域以及第二区域;所述第一区域的表面平行于所述基板;所述调节结构位于所述第二区域；
[0029]在所述调节结构表面形成显示单元；
[0030]其中，所述调节结构为设置在所述第二区域的凸起结构或是凹槽结构。
[0031 ]优选的，在上述制作方法中，所述在所述基板表面形成平坦化层包括:
[0032]在所述基板表面形成一层平坦化的有机层；
[0033]采用不同区域透射率不同的半色调掩膜对所述有机层进行曝光显影，以图案化所述有机层，图案化后的有机层表面具有所述调节结构；图案化后的有机层具有第一区域以及第二区域;所述调节结构为设置在所述第二区域的凸起结构或是凹槽结构；
[0034]其中，所述第一区域的表面平行于所述基板;所述调节结构位于所述第二区域。
[0035]优选的，在上述制作方法中，所述在所述调节结构表面形成显示单元包括:
[0036]在所述调节结构表面形成第一电极单元；
[0037]在所述第一电极单元表面形成发光功能层；
[0038]在所述发光功能层表面形成第二电极层；
[0039]其中，所述第一电极单元通过贯穿所述平坦化层的通孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。
[0040]优选的，在上述制作方法中，所述在所述调节结构表面形成显示单元还包括:
[0041]当所述调节结构为凸起结构时，在形成所述第一电极单元之后，在所述第一区域形成像素定义层；
[0042]其中，所述像素定义层与所述调节结构不交叠。
[0043]优选的，在上述制作方法中，所述在所述第一电极单元表面形成发光功能层包括:
[0044]采用预设图案结构的掩膜版，通过蒸镀工艺，形成具有预设像素定义结构的发光功能层。
[0045]与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点:
[0046]本发明所提供的显示面板中，所述平坦化层的表面具有调节结构，所述调节结构为设置在所述第二区域的凸起结构或是凹槽结构，所述调节结构有利于增加发光功能层的表面积，减小发光功能层在基板方向的投影面积，增加显示单元的个数，达到增加开口率和分辨率的效果。本发明提供的制作方法用于制作上述显示面板，所述调节结构可以通过不同区域透射率不同的半色调掩膜图案化处理所述平坦化层实现，工艺简单。另外，通过设置凹槽结构的调节结构，可以省去像素定义层的制作工艺，简化工艺，节约成本。
【附图说明】
[0047]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0048]图1为现有技术中常见的一种OLED显示面板的结构示意图；
[0049]图2为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
[0050]图3为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
[0051 ]图4为本发明实施例提供的一种调节结构的结构示意图；
[0052]图5为本发明实施例显示面板增大开口率的原理示意图；
[0053]图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
[0054]图7为本发明实施例提供的一种制作方法的方法流程示意图；
[0055]图8为本发明实施例提供的一种平坦化层形成方法的方法流程图；
[0056]图9-图10为本发明实施例提供的一种平坦化层的制作流程图；
[0057]图11为本发明实施例提供的一种显示单元的形成方法的方法流程图；
[0058]图12-图15为本发明实施例提供的一种显示单元的制作流程图。
【具体实施方式】
[0059]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0060]如图1所示，现有的OLED显示面板中，在尺寸一定的显示面板上，由于反射层发光面积和蒸镀掩膜板孔径的限制，不利于开口率的提升。虽然通过降低掩膜板孔径增加开口率的方法是提高器件分辨率常用的方法，但受到了图形密度和机台能力的限制。
[0061]为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括:
[0062]基板；
[0063]设置在基板表面的平坦化层;平坦化层的表面具有调节结构；平坦化层具有第一区域以及第二区域;第一区域的表面平行于基板;调节结构位于第二区域;第一区域和第二区域交替间隔设置；
[0064]覆盖调节结构表面的显示单元；
[0065]其中，调节结构为设置在第二区域的凸起结构或是凹槽结构。
[0066]可见，本发明实施例所提供的显示面板中，平坦化层的表面的调节结构可以增加发光功能层的表面积，减小发光功能层在基板方向上的投影面积，增加显示单元的个数，达到提高开口率和分辨率的效果。
[0067]为了使本发明实施例提供的技术方案更加清楚，下面结合附图对上述方案进行详细描述。
[0068]参考图2，图2为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，该显示面板包括:基板21;设置在基板21表面的平坦化层22;平坦化层22的表面具有调节结构23;平坦化层22具有第一区域A以及第二区域B;第一区域A的表面平行于基板21;调节结构23位于第二区域B;第一区域A和第二区域B交替间隔设置;覆盖调节结构23表面的显示单元24。
[0069]在图2所示显示面板中，调节结构23为设置在第二区域B的凸起结构。
[0070]可选的，本发明实施例的显示面板中还包括:位于第一区域A表面的像素定义层27。其中，像素定义层27与调节结构23不交叠。
[007?] 本发明实施例显示面板为OLED显示面板。各个显示单元24具有发光功能层243。通过设置具有预设图案结构的像素定义层27，形成多个像素开口，可以将显示单元的发光功能层243做在对应的像素开口内。
[0072]具体的，显示单元24包括:设置在调节结构23表面的第一电极单元242;设置在第一电极单元242表面的发光功能层243;设置在发光功能层243表面的第二电极层241。
[0073]可选的，第一电极单元242包括:覆盖调节结构的保护层;覆盖保护层的反射层;覆盖反射层的第一电极层。具体的，所述第一电极单元可以为ITO-Ag-1TO结构，采用一层ITO层作为所述保护层，采用一层Ag层作为所述反射层，一层ITO作为所述第一电极层。
[0074]如图2所示，基板21包括:衬底211;设置在衬底211朝向平坦化层22—侧的多个薄膜晶体管。薄膜晶体管具有漏极212。其中，第一电极单元242通过设置在平坦化层22上的通孔26与薄膜晶体管的漏极212连接。可选的，在垂直于基板21的方向上，通孔26在基板21上的投影与调节结构在基板21上的投影不交叠。
[0075]需要说明的是，图2中并未示出整个薄膜晶体管的结构，仅示出了薄膜晶体管的漏极212。衬底211可以为设置在玻璃基板213上的TFT阵列基板，TFT阵列基板设置有薄膜晶体管。
[0076]显示面板还包括设置在显示单元24上的封装层28，所述封装层28可以为玻璃板，所述玻璃板与基板21在四周边缘相对位置通过封装胶封装。所述封装层28还可以为封装薄膜，通过薄膜封装工艺形成。
[0077]在图2所示实施方式中，调节结构23为设置在平坦化层22表面的凸起结构。在其他实施方式中，调节结构23还可以为设置在平坦化层22表面的凹槽结构，如图3所示。
[0078]参考图3，图3为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，图3所示显示面板与图2所示显示面板不同在于调节结构23的实现方式不同，在图3中，调节结构23为设置在平坦化层22表面的凹槽结构。此时，显示单元24以及像素定义层27的形状结构需要对应凹槽结构设置。
[0079]可选的，在垂直于基板的方向上，调节结构23的截面形状为三角形、半圆形、梯形、截顶半圆形之一或组合。本发明实施例显示面板中，调节结构23的形状包括但不局限于图4所示的结构，即凸起结构或是凹槽结构包括但不局限于图4所示的结构，包括:半圆形(I)、梯形(2)、等边三角形(3)、直角三角形(4)、截顶半圆形(5)、等边三角形与截顶半圆形的组合(6)以及半圆形与梯形的组合(7)。图4中以调节结构23为突起结构时为例进行图示说明的，当调节结构23为凹槽结构时，只需要将图4中各形状旋转180°，旋转后的图形结构即是凹槽的形状。
[0080]当调节结构23为凸起结构时，以凸起结构为图2所示三角形截面为例对显示面板增加开口率的原理进行说明。
[0081]参考图5，图5为本发明实施例显示面板增大开口率的原理示意图。传统显示面板的结构如图5中(b)图所示，平坦化层51为平面结构，如果一显示单元在平坦化层上占据的长度为L。
[0082]那么，采用本发明实施例的技术方案如图5中(a)图所示，在平坦化层上设置调节结构23，调节结构23与显示面板的基板表面具有预设夹角β。调节结构23表面设置显示单元24的长度仍然为L，而由于具有预设夹角β，在垂直于基板的方向X上，显示单元24在基板表面的投影长度将由原来的L缩短为L-L’。1/的长度取决于预设夹角β的大小，预设夹角β越大，L’越大，而L在基板方向上投影越小。这样，可以在有限大小的显示面板上制作更多的显示单元。
[0083]本发明实施例的显示面板中，调节结构23具有与基板21成预设夹角的侧面。侧面可以为平面或是曲面。当侧面为曲面时，预设夹角在曲面的不同位置，角度不同。当侧面为平面时，夹角为定值。
[0084]当调节结构23为凹槽时，其增加开口率的原理与图5所示实施方式类似。由于凹槽结构具有与基板成预设夹角的侧面，可以增加制作显示单元的像素区域的表面积，在设定尺寸的显示面板上可以制作更多的显示单元，增加了开口率和分辨率。
[0085]需要说明的是，在本发明实施例显示面板中，所有显示单元共用同一层导电层作为第二电极层241。导电层还可以设置对应的电极图案。
[0086]当调节结构23为凹槽结构时，本发明实施例显示面板可以通过设置凹槽的深度，复用凹槽两边的侧壁作为像素定义层，此时复用平坦化层的凹槽结构作为像素定义层，无需设置像素定义层，简化了制作工艺，降低了制作成本。
[0087]参考图6，图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，该显示面板中，调节结构23为设置在平坦化层22表面的凹槽结构。在制作显示单元的第一电极单元242以及发光功能层243时，只需要通过对应的掩膜板通过该蒸镀工艺在凹槽结构内依次形成第一电极单元242以及发光功能层243即可。然后，在发光功能层243表面形成第二电极层241。此时，通孔26可以设置在第二区域的一端。
[0088]需要说明的是，图6中为了便于图示，仅示出了平坦化层22、通孔26以及显示单元24的结构，显示面板的其他结构可以参考上述实施例方式。
[0089]通过上述描述可知，本发明实施例的显示面板中，通过调节结构23增大发光功能层243的表面积，减小发光功能层243在基板方向的投影面积，增加显示单元的个数，达到提高开口率和分辨率的效果。
[0090]基于上述显示面板实施例，本发明另一实施例还提供了一种制作方法，用于制备上述实施例的显示面板，该制作方法如图7所示。
[0091]参考图7，图7为本发明实施例提供的一种制作方法的方法流程示意图，该制作方法包括:
[0092]步骤Sll:提供一基板。
[0093]该基板包括TFT阵列基板，TFT阵列基板设置有多个TFT器件，TFT阵列基板设置在衬底表面。
[0094]步骤S12:在基板表面形成平坦化层，其中，平坦化层的表面具有调节结构;平坦化层具有第一区域以及第二区域;第一区域的表面平行于基板;调节结构位于第二区域。
[0095]调节结构为设置在第二区域的凸起结构或是凹槽结构。
[0096]步骤S13:在调节结构表面形成显示单元。
[0097]最终形成的显示面板的结构如图2、图3或是图6所示。当形成显示单元以后，制作方法还包括:通过封装层对形成有显示单元的基板进行封装保护。
[0098]进行封装保护时，可以采用玻璃盖板对所述基板进行封装保护，采用封装胶将所述玻璃盖板与所述基板的四周进行密封固定。
[0099]还可以通过在所述显示单元表面形成封装薄膜对所述显示面板进行封装保护。
[0100]在基板表面形成平坦化层的方法如图8所示，图8为本发明实施例提供的一种平坦化层形成方法的方法流程图，该形成方法包括:
[0101]步骤S21:如图9所示，在基板21表面形成一层平坦化的有机层22a。
[0102]可以采用涂布工艺或是旋涂工艺在基板表面形成有机层。有机层的厚度可以为
2.0μπι-5.Ομπι，包括端点值。有机层的材料可以为聚酰亚胺或是亚克力材料。形成有机层22a后，需抽压进行干燥处理，压力为5Pa-90Pa，时间为50s-270s。再经过电阻或热风加热处理，处理温度为50°C-210°C，时间为50s-300s。再经过冷板和I/F温度恒温处理，使基板达到预设的工艺温度。可选的，所述预设的工艺温度可以为23±0.1°C。
[0103]步骤S22:如图10所示，采用不同区域透射率不同的半色调(Halftone)掩膜对有机层22a进行曝光显影，以图案化有机层22a。
[0104]图案化后的有机层22a表面具有调节结构23;图案化后的有机层22a具有第一区域A以及第二区域B;调节结构23为设置在第二区域B的凸起结构或是凹槽结构。图10中以调节结构23为凸起结构为例进行图示说明。其中，第一区域A的表面平行于基板21;调节结构23位于第二区域B。
[0?05] 曝光显影时的掩膜版采用Half tone技术，可同时形成通孔26和调节结构23。图案化后的有机层22a为平坦化层22。平坦化层22具有通孔26。通孔26可以设置在第一区域A或是第二区域B。当调节结构23为凸起结构时，将通孔26设置在第一区域A。当调节结构23为凹槽结构时，将通孔26设置在第二区域B的一端。通孔26的位置可以位于所述第一区域A或是所述第二区域B。图10所示实施方式中，将通孔26设置在较为平坦以及厚度较薄的第一区域A，可以使得过孔26的工艺参数更为准确，且使得通孔26的形成工艺成本较低。
[0106]需要说明的是，所述调节结构为凸起结构时，通孔可以形成在第一区域或是第二区域。根据面板设计需求设计通孔的位置，通孔的位置包括但不局限于本发明实施例中图示位置。
[0107]曝光处理时采用GHILine。其中，曝光处理的掩膜版采用半透膜技术，使不同区域的透过率不同。对于形成图10所示形状的调节结构23，掩膜版对应通孔26的区域为全透，掩膜版对应调节结构23的区域透过率有左至右逐渐变小，掩膜版对应通孔26与调节结构之间的区域为部分透过，这样，可以使得曝光以后进行显影时，通孔26区域的有机层22a被完全刻蚀，露出薄膜晶体管的漏极，通孔26与调节结构之间的区域的有机层22a被部分刻蚀，调节结构23对应的有机层22a刻蚀厚度由左至右逐渐减小。
[0108]掩膜版的过渡区域可采用不同的透过率膜层拼接而成，拼接区域长度和调节结构的设计长度相同，宽度由调节结构的宽度和拼接数目决定。一般的，拼接数量2-75个，宽度
0.5um_6.0um0
[0109]光阻因接收到曝光量不同，导致显影后刻蚀的厚度不同，最终可在基板表面形成不同的形貌，以形成具有通孔26以及调节结构23的平坦化层22。一般的设计调节结构23的侧面与基板21之间的夹角为1°-60°。
[0110]显影时采用0.4%和2.38%浓度TMAH处理，再经过电阻丝或者热风加热，温度为50°C_210°C，加热时间50s-300s。最后基板21经过退火处理，电阻丝加热恒温处理，处理温度为100°C-500°C，处理时间为15min-180min，以进行坚膜处理，增加光阻的耐药性，保证最终形成的平坦化层22的图案效果。此次曝光显影处理过程中，有机层22a为光阻。
[0111]在调节结构表面形成显示单元的方法如图11所示，图11为本发明实施例提供的一种显示单元的形成方法的方法流程图，该形成方法包括:
[0112]步骤S31:如图12所示，在调节结构23表面形成第一电极单元242。
[0113]可以通过物理气相沉积(PVD)方法，首先在平坦化层表面形成导电层，图案化导电层以后形成预设电极结构的第一电极单元242。第一电极单元242通过通孔26与薄膜晶体管的漏极212连接。
[0114]其中，导电层为ITO-Ag-1TO结构，即导电层由三层导体层构成，图案化导电层后，最终形成的第一电极单元242也是三层结构。第一电极单元242包括位于平坦化层22表面的第一层ITO层，覆盖第一层ITO层的Ag层以及覆盖Ag层的第二层ITO层。第一层ITO层为保护层，Ag层为反射层，第二层ITO层为第一电极层。可选的，第一层ITO层以及第二层ITO层的厚度为35埃-300埃，Ag层的厚度为600埃-2700埃。
[0115]对导电层进行图案化的过程如下:首先在导电层表面形成一层光阻(光刻胶)，光阻的厚度为1.3μπι-3.μπι。通过设定图案结构的掩膜版对光阻进行曝光以及显影，只保留调节结构23表面的光阻，去除调节结构23区域以外的光阻。此次光刻工艺不需要对光阻进行坚膜处理。显影时，根据光阻的厚度，将调节结构23区域外的光阻去除。然后，用一定比例浓度的HNO3、CH3C00H和H3PO4组成的药剂对未被光阻保护的导体层进行处理，把未被光阻保护的区域刻蚀掉。最后，通过预设药剂将调节结构23表面的光阻去除，形成如图12所示的结构。去除调节结构23表面的光阻的药剂成分包括:二甲基乙酰胺40%-60%，Ν-甲基甲酰胺20%-40%;Ν-甲基-2-吡咯烷酮10%-20%，2-(2_氨基乙氧基)乙醇5%-15%。
[0116]步骤S32:如图13所示，在第一电极单元242表面形成发光功能层243。
[0117]当调节结构23为凸起结构时，为了避免不同显示单元的发光功能层243之间连接产生漏电流，在形成第一电极单元242之后，在调节结构23表面形成显示单元还包括:在第一区域A形成像素定义层27。其中，像素定义层27与调节结构23不交叠。形成所示像素定义层27以后，在像素定义层27的开口区内形成发光功能层243。开口区与调节结构23--对应，开口区用于露出调节结构23表面的第一电极单元242。
[0118]在制备预设图案结构的像素定义层27时，首先通过涂布工艺或是旋涂工艺在平坦化层22以及第一电极单元242表面形成一层有机层。有机层的材料可以为聚酰亚胺或是亚克力材料，优选的与平坦化层22的材料相同，以使得平坦化层22与像素定义层27具有较好的附着效果。形成有机层后，需要进行干燥处理，压力为5Pa-90Pa，时间为50s-270s。再经过电阻或热风加热处理，处理温度为50°C_210°C，时间为50s-300s。再经过冷板和I/F温度恒温处理，使基板达到预设的工艺温度。可选的，所述预设的工艺温度可以为23±0.1°C。
[0119]曝光处理后，经过曝光的有机层部分可以被显影液处理掉。显影时，采用0.4%和2.38%浓度TMAH药剂处理，TMAH药剂循环使用或直排处理。再经过电阻丝或者热风加热，温度为50°C_210°C，加热时间50s-300s。最后基板21经过退火处理，电阻丝加热恒温处理，处理温度为100°C_500°C，处理时间为15min-180min，使得有机层图案化为如图13所示的像素定义层27。
[0120]当形成预设图案的像素定义层27以后，在像素定义层27的开口区内的第一电极单元242表面蒸镀形成发光功能层243。在第一电极单元242表面形成发光功能层243包括:采用预设图案结构的掩膜版，通过蒸镀工艺，形成具有预设像素定义结构的发光功能层。发光功能层的像素定义结构可以通过掩膜版以及像素定义层实现，或是通过蒸镀时的掩膜板以及复用平坦化层凹槽两边的侧壁为像素定义层实现。在图13中，当调节结构23为凸起结构时，将掩膜版131倾斜设置，使得掩膜版与调节结构23的侧面平行，将蒸镀材料132蒸镀到调节结构23表面形成发光功能层243。在其他实施方式中，也可以使掩膜版与基板平行设置。
[0121]上述制作方法以调节结构为凸起结构为例进行说明，当所述调节结构为凹槽结构时，所述发光功能层的蒸镀方式如图14所示。
[0122]参考图14，图14为本发明实施例提供的一种在第一电极单元表面形成发光功能层的示意图，此时显示面板的调节结构为设置在平坦化层22上的凹槽结构。当形成第一电极单元242后，通过倾斜设置的掩膜版151，将蒸镀材料152蒸镀到凹槽结构内形成发光功能层243。此时，基板水平设置，掩膜版151倾斜设置。在其他实施方式中，也可以将掩膜版水平设置。
[0123]采用本发明实施例制作方法，在像素定义层27的开口区内的调节结构23表面蒸镀发光功能层243时，不改变蒸镀使用掩膜版的孔径，不减小发光功能层实际发光面积的前提下，能够降低发光功能层在基板方向投影面积，增加像素个数和蒸镀的面积，提高显示面板的分辨率和开口率。
[0124]步骤S33:如图15所示，在发光功能层243表面形成第二电极层241。
[0125]其中，第一电极单元242通过贯穿平坦化层22的通孔26与薄膜晶体管的漏极212连接。
[0126]通过上述描述可知，在本发明实施例中，在不改变掩膜版孔径的条件下，通过设置具有预设形状的调节结构，该调节结构具有与基板成预设夹角的侧面，可以使得在相同尺寸的显示面板下，增大发光功能层的表面积，减小发光功能层在基板方向的投影面积，增加显示单元的个数，从而提高显示面板的开口率和分辨率。另外，当调节结构为凹槽结构时，通过设置凹槽深度，将平坦化层复用为像素定义层，节省工艺，降低成本。
[0127]本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
[0128]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【主权项】
1.一种显示面板，其特征在于，包括: 基板； 设置在所述基板表面的平坦化层;所述平坦化层的表面具有调节结构；所述平坦化层具有第一区域以及第二区域;所述第一区域的表面平行于所述基板;所述调节结构位于所述第二区域;所述第一区域和第二区域交替间隔设置； 覆盖所述调节结构表面的显示单元； 其中，所述调节结构为设置在所述第二区域的凸起结构或是凹槽结构。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示单元包括: 设置在所述调节结构表面的第一电极单元； 设置在所述第一电极单元表面的发光功能层； 设置在所述发光功能层表面的第二电极层。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述基板包括: 衬底； 设置在所述衬底朝向所述平坦化层一侧的多个薄膜晶体管； 其中，所述第一电极单元通过设置在所述平坦化层上的通孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极单元包括: 覆盖所述调节结构的保护层； 覆盖所述保护层的反射层； 覆盖所述反射层的第一电极层。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括:位于所述第一区域表面的像素定义层； 其中，所述像素定义层与所述调节结构不交叠。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述基板的方向上，所述调节结构的截面形状为三角形、半圆形、梯形、截顶半圆形之一或组合。7.—种制作方法，用于制作如权利要求1-6任一项所述的显示面板，其特征在于，包括: 提供一基板； 在所述基板表面形成平坦化层，所述平坦化层的表面具有调节结构；所述平坦化层具有第一区域以及第二区域;所述第一区域的表面平行于所述基板;所述调节结构位于所述第二区域； 在所述调节结构表面形成显示单元； 其中，所述调节结构为设置在所述第二区域的凸起结构或是凹槽结构。8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在所述基板表面形成平坦化层包括: 在所述基板表面形成一层平坦化的有机层； 采用不同区域透射率不同的半色调掩膜对所述有机层进行曝光显影，以图案化所述有机层，图案化后的有机层表面具有所述调节结构；图案化后的有机层具有第一区域以及第二区域;所述调节结构为设置在所述第二区域的凸起结构或是凹槽结构； 其中，所述第一区域的表面平行于所述基板;所述调节结构位于所述第二区域。9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在所述调节结构表面形成显示单元包括: 在所述调节结构表面形成第一电极单元； 在所述第一电极单元表面形成发光功能层； 在所述发光功能层表面形成第二电极层； 其中，所述第一电极单元通过贯穿所述平坦化层的通孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述调节结构表面形成显示单元还包括: 当所述调节结构为凸起结构时，在形成所述第一电极单元之后，在所述第一区域形成像素定义层； 其中，所述像素定义层与所述调节结构不交叠。11.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一电极单元表面形成发光功能层包括: 采用预设图案结构的掩膜版，通过蒸镀工艺，形成具有预设像素定义结构的发光功能层。
【文档编号】H01L27/12GK106024807SQ201610398810
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年6月7日
【发明人】刘海, 刘刚, 蒋卡恩, 尹招弟
【申请人】上海天马有机发光显示技术有限公司, 天马微电子股份有限公司