显示装置及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及具有电致发光元件等发光元件的显示装置及其制造方法。
【背景技术】
[0002]作为利用电致发光(Electroluminescence:EL)现象的发光元件，已知有电致发光(以下还称为“EL”)元件。EL元件能够通过构成发光层的发光材料的选择而以各种波长的颜色发光，对显示装置和照明器具的应用不断发展。特别是使用有机材料作为发光材料的EL元件受到瞩目。
[0003]使用EL元件的有机EL显示装置中，在呈矩阵状配置在基板上的各像素，设置有作为发光元件的EL元件和进行该EL元件的发光控制的开关元件。而且，通过对每像素进行开关元件的导通/断开的控制，作为整个显示区域能够显示任意图像。
[0004]作为上述那样的显示装置的显示方式，已知有顶部发射型和底部发射型这两种。顶部发射型是将由EL元件发出的光在形成有像素电路的第一基板(阵列基板)相反侧、SP第二基板(密封基板)侧取出的方式，底部发射型是将由EL元件发出的光在阵列基板侧取出的方式。特别是顶部发射型由于在形成有像素电路的区域上设置像素电极、能够将像素电极的大部分作为有效的发光区域，所以在确保高的像素开口率(数值孔径)方面有利。
[0005]在顶部发射型的EL显示装置，光需要从与像素电极(阳极)成对的共用电极(阴极)透射而取出。因此，在顶部发射型中，作为共用电极，将MgAg(镁一银合金)形成为能够使光充分透射的程度的薄膜状来使用，或者使用IT0(Indium Tin Oxide:氧化铟锡)、IZO(Indium Zinc Oxide:氧化铟锌)等透明导电膜。
[0006]其中，ΙΤ/ΙΖ0等透明导电膜与金属膜相比电阻高。因此，如果显示装置的画面尺寸变大，则由透明导电膜的电阻成分引起的电压下降的影响变大，存在在画面内产生亮度差的冋题。
[0007]作为解决这样的现象的方法，公开有在共用电极的形成后，在共用电极上设置辅助配线的结构(专利文献I)。专利文献I记载的技术是在共用电极上设置由金属膜构成的辅助配线而实现共用电极的低电阻化的技术。此外，在专利文献I中，进行了通过将辅助配线设置在堤堰部(bank)上而使得辅助配线不引起像素的开口率降低的研究。另外，堤堰部是对像素进行划分的由树脂等绝缘材料构成的部件。
[0008]现有技术文献
[0009]专利文献
[0010]专利文献1:日本特开2009-276721号公报
【发明内容】
[0011]发明所要解决的问题
[0012]但是，专利文献I记载的技术中，在显示装置越来越高精细化的情况下难以进行堤堰部与辅助配线的对位，如果对位精度差则存在辅助配线在像素内形成的情况。其结果是，存在辅助配线遮挡来自EL元件的发光而使开口率降低的问题。
[0013]因此，本发明的一个实施方式的目的之一为提供以高的对位精度在共用电极上形成辅助配线的技术。
[0014]此外，本发明的一个实施方式的目的之一为提供通过辅助配线能够同时实现共用电极的低电阻化和充分的开口率的确保的高精细的显示装置。
[0015]用于解决问题的方式
[0016]本发明的一个方式为具有包括多个像素的显示部的显示装置，其特征在于，包括:与上述多个像素对应地设置的多个像素电极；设置在上述多个像素电极之间的堤堰部；至少设置在上述像素电极上的EL层；设置在上述堤堰部和上述EL层之上的共用电极；分别设置在由上述堤堰部划分的多个区域内的上述共用电极上的绝缘体；和设置在相邻的上述绝缘体之间的上述共用电极上的辅助配线，上述绝缘体设置成:在以上述像素电极的表面为基准时，上述绝缘体的顶部位于比上述堤堰部上的上述共用电极的顶部更靠上方的位置。
[0017]本发明的一个方式是具有包括多个像素的显示部的显示装置，其特征在于，包括:与上述多个像素对应地设置的多个像素电极；设置在上述多个像素电极之间的堤堰部；至少设置在上述像素电极上的EL层；设置在上述堤堰部和上述EL层之上的共用电极；和设置在上述堤堰部与上述共用电极重叠的区域上的辅助配线，上述辅助配线的端部悬在上述多个像素电极的表面的上方。
[0018]本发明的一个方式是具有包括多个像素的显示部的显示装置的制造方法，其特征在于，包括:与上述多个像素对应地形成多个像素电极的工序；在上述多个像素电极之间形成堤堰部的工序；至少在上述像素电极上形成EL层的工序；在上述堤堰部和上述EL层之上形成共用电极的工序；在由上述堤堰部划分的多个区域内的上述共用电极上分别形成绝缘体的工序；和在相邻的上述绝缘体之间的上述共用电极上形成辅助配线的工序，在上述形成绝缘体的工序中，按照在以上述像素电极的表面为基准时上述绝缘体的顶部位于比上述堤堰部上的上述共用电极的顶部更靠上方的位置的方式，形成多个上述绝缘体。
[0019]本发明的一个方式是具有包括多个像素的显示部的显示装置的制造方法，其特征在于，包括:与上述多个像素对应地形成多个像素电极的工序；在上述多个像素电极之间形成堤堰部的工序；至少在上述像素电极上形成EL层的工序；在上述堤堰部和上述EL层之上形成共用电极的工序；在由上述堤堰部划分的多个区域内的上述共用电极上分别形成绝缘体的工序；在相邻的上述绝缘体之间的上述共用电极上形成辅助配线的工序；和除去上述绝缘体的工序，按照在以上述像素电极的表面为基准时上述绝缘体的顶部位于比上述堤堰部上的上述共用电极的顶部更靠上方的位置的方式，形成多个上述绝缘体。
【附图说明】
[0020]图1是表示本发明的第一实施方式的显示装置的整体结构的平面图。
[0021]图2是表示本发明的第一实施方式的显示装置的像素部的结构的平面图。
[0022]图3是表示本发明的第一实施方式的显示装置中的像素部的截面结构的图，是图2所示的II1-1II’线的截面图。
[0023]图4是表示本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
[0024]图5是表示本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
[0025]图6是表示本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
[0026]图7是表示本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
[0027]图8是表示本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
[0028]图9是表示本发明的第二实施方式的显示装置中的像素部的截面结构的图。
[0029]图10是表示本发明的第三实施方式的显示装置的制造方法的图。
[0030]附图标记的说明
[0031]100…显示装置，102…像素部，103…扫描线驱动电路，104…数据线驱动电路，105…驱动器1C，201…像素，201R…与R(红色)对应的子像素，201G…与G (绿色)对应的子像素，201B…与B (蓝色)对应的子像素，202...薄膜晶体管，301...第一基板，302...基底层，303…薄膜晶体管(TFT)，304…第一绝缘层，305…像素电极(阳极)，306…堤堰部，307…EL层，308...共用电极(阴极)，309...掩模绝缘体，310...辅助配线，311...填充材料，312…第二基板，313R…与R (红色)对应的滤色片，313G...与G (绿色)对应的滤色片，313B...与B (蓝色)对应的滤色片，314…黑矩阵。
【具体实施方式】
[0032]以下，参照附图等对本发明的各实施方式进行说明。不过，本发明能够在不脱离其主旨的范围内以各种方式进行实施，并不限定于以下例示的实施方式的记载内容限定地解释。
[0033]此外，为了使说明更加明确，附图与实际的情形相比各部的宽度、厚度、形状等存在示意地表示的情况，但仅仅为一个例子，并不对本发明的解释进行限定。此外，在本说明书和各图中，对具备与关于已经提到的图说明过的内容相同的功能的要素，标注相同的附图标记，省略重复的说明。
[0034](第一实施方式)
[0035]<显示装置的结构>
[0036]图1是表示本发明的第一实施方式的显示装置100的整体结构的图。显示装置100包括在基板101上形成的像素部(显示区域)102、扫描线驱动电路103、数据线驱动电路104和驱动器IC105。驱