色片省略或者形成于第一基板301侧，则还能够省略相对基板本身。
[0059]以上说明的本实施方式的显示装置100使用掩模绝缘体309自匹配地形成辅助配线310，因此即使高精细化，也能够以高的对位精度在堤堰部306上配置辅助配线310。因此，辅助配线310不会形成在有效的发光区域上(作为像素有效发挥作用的区域内)，能够有效防止开口率的降低。同时，通过电连接辅助配线310能够实现共用电极308的低电阻化，能够提高显示区域102内的亮度的均匀性。
[0060]以下对具备上述结构的本实施方式的显示装置100的制造工序进行说明。
[0061]〈显示装置的制造方法〉
[0062]首先，如图4所示，在第一基板301上形成基底层302，在其上形成薄膜晶体管(TFT) 303 ο而且，形成第一绝缘层304，使得由于薄膜晶体管303的形成而产生的凹凸平坦化。
[0063]作为第一基板301，能够使用玻璃基板、石英基板、挠性基板(聚酰亚胺、聚对苯二甲酸、聚萘二甲酸等能够弯曲的基板)等。在第一基板301不需要具有透光性的情况下，还能够使用金属基板、陶瓷基板、半导体基板。
[0064]作为基底层302，典型的是能够使用氧化硅类绝缘膜、氮化硅类绝缘膜或它们的层叠膜。基底层302具有防止来自第一基板301的污染物质的侵入，缓和由于第一基板301的伸缩而产生的应力的功能。
[0065]在本实施方式中，列举作为薄膜晶体管303形成顶栅型TFT的例子，其实也可以为底栅型TFT。此外，只要是作为开关元件发挥作用的元件，就不限定于薄膜晶体管等三端子元件，也可以形成二端子元件，根据像素电路的需要还可以形成电阻元件、电容元件。
[0066]第一绝缘层304涂敷聚酰亚胺类、聚酰胺类、丙烯类、环氧类或硅氧烷类等树脂材料，之后利用光或热使所涂敷的树脂材料固化而形成即可。第一绝缘层304的膜厚只要为足够将起因于薄膜晶体管303的凹凸平坦化的膜厚即可。典型的能够为I?3 μπι，但是并不限定于此。
[0067]接着，在第一绝缘层304，在形成到达薄膜晶体管303的接触孔之后，利用公知的方法形成像素电极305。在本实施方式中，利用派射法形成招与ITO(Indium Tin Oxide:氧化铟锡)的层叠膜之后，利用光刻图案形成层叠膜而形成像素电极305。各像素电极305以与对应多个像素的位置分别对应的方式形成。
[0068]接着，如图5所示，形成由树脂材料构成的堤堰部306。在本实施方式中，例如通过使用喷墨法涂敷光固化性树脂而形成堤堰部306。此时，以能够在相邻的像素电极305之间涂敷溶液的方式进行对位，在涂敷溶液，通过光照射使之固化而形成，因此由于表面张力而使包括其顶部的截面的轮廓成为曲线状。但是，关于堤堰部306的形成，并不需要特别限定形状，也可以为梯形。因此，虽然在本实施方式中使用喷墨法形成堤堰部306，但是也可以经光刻进行图案形成，还可以利用印刷法形成。
[0069]接着，如图6所示那样形成EL层307。在本实施方式中，将EL层307作为白色光的发光部形成。根据需要，也可以设置空穴注入层、空穴输送层、电子注入层、电子输送层、电荷发生层等各种功能层。此外，EL层307例如能够使用旋涂法、喷墨法、印刷法、蒸镀法等。
[0070]形成EL层307之后，形成作为EL元件的阴极发挥作用的共用电极308。在本实施方式中，作为共用电极308，使用利用溅射法形成的ITO膜或IZO膜。当然，既可以使用其它透明导电膜，也可以使用MgAg等金属膜。在使用金属膜的情况下，也可以构成为使其膜厚成为能够使从EL元件射出的光透射的程度的膜厚。
[0071]接着，如图7所示那样形成掩模绝缘体309。在本实施方式中，例如使用喷墨法，涂敷光固化性的丙烯类树脂，通过光照射使其固化而形成掩模绝缘体309。因此，在由于表面张力而在与像素电极305的主面垂直的面将掩模绝缘体309截断的情况下，掩模绝缘体309的轮廓成为曲线状。此时，为了使共用电极308不暴露于外部气体，优选在氮气氛等不活泼气氛中进行处理。
[0072]在形成掩模绝缘体309时，希望注意包含树脂材料的溶液的粘度或排出量。具体而言，调整溶液的粘度或排出量(换言之，掩模绝缘体的膜厚)，使得在以像素电极305的主面为基准时掩模绝缘体309的顶部位于比堤堰部306的顶部(严密而言，堤堰部306上的共用电极308的顶部)更靠上方的位置。即，调整溶液的粘度或排出量，来控制掩模绝缘体309的膜厚，以满足条件。这是为了使掩模绝缘体309在之后涂敷辅助配线310时作为阻挡部件(壁)发挥作用。
[0073]此外，优选控制排出量，以使得掩模绝缘体309的从第一基板101的主面的法线方向看时的端部(边缘)与堤堰部306重叠。S卩，如图7所示那样，控制排出量，使得掩模绝缘体309的端部在不超过堤堰部306的顶部的范围内位于由堤堰部306的形状引起的倾斜部上。这是为了使掩模绝缘体309的端部的位置成为辅助配线310的端部的位置。因此，通过形成上述的位置关系，能够防止辅助配线310形成在有效的发光区域上。
[0074]另外，掩模绝缘体309不需要在所有的像素中按每像素分离。S卩，即使在相邻的像素间多少存在掩模绝缘体309相连之处也无损于本发明的效果。例如，如果在相邻的像素间掩模绝缘体309相连，则在该部分不能确保辅助配线310与共用电极308的接触。但是，由于共用电极310在整个面被赋予相同的电位，所以只要在多处确保辅助配线310与共用电极308的接触，则作为整体也能够实现共用电极的低电阻化。
[0075]接着，如图8所示那样形成辅助配线310。在本实施方式中，例如使用喷墨法，涂敷分散有含有银的金属胶体的溶剂，之后，使溶剂挥发而形成含有银的辅助配线310。此时，通过在相邻的掩模绝缘体309的间隙进行对位而涂敷溶剂，能够准确地在堤堰部306上形成辅助配线310。S卩，能够使用掩模绝缘体309自匹配地形成辅助配线310。
[0076]在形成辅助配线310之后，形成在第二基板312上设置有滤色片313R、313G、313B和黑矩阵314的相对基板。第二基板312使用玻璃基板、石英基板、挠性基板(聚酰亚胺、聚对苯二甲酸、聚萘二甲酸其它能够弯曲的基板)等具有透光性的基板即可。滤色片313R、313G、313B由分散有各色颜料的树脂材料形成。黑矩阵314可以使用钛膜或含有炭黑的树脂膜形成。但不限于此，相对基板的结构能够使用公知的结构和公知的材料。当然，相对基板的结构并不限定于此。
[0077]之后，利用填充材料311贴合相对基板，完成图3所示的显示装置100。作为填充材料311，使用光固化性的树脂材料。在本实施方式中，通过使用与掩模绝缘体309相同的材料，能够不除去掩模绝缘膜309，而直接作为填充材料311的一部分加以利用。当然，也可以用不同的材料形成掩模绝缘体309和填充材料311。在用不同的材料形成掩模绝缘体309和填充材料311的情况下，还能够利用两者的屈折率差，将掩模绝缘体309如微透镜那样使用。
[0078]根据以上说明的本实施方式的显示装置的制造方法，通过使用与像素对应地配置的掩模绝缘体309而自匹配地形成辅助配线310，能够以高的对位精度在堤堰部306上配置辅助配线310。此外，通过利用相同材料形成掩模绝缘体309和填充材料311，不需要除去掩模绝缘体309，因此能够简化制造工艺。进一步，通过使用喷墨法形成堤堰部306掩模绝缘体309，能够省略光刻那样的图案形成工序，因此能够简化制造工艺。
[0079](第二实施方式)
[0080]图9表示本发明的第二实施方式的显示装置200的像素的结构。与第一实施方式的不同在于，第二实施方式的显示装置200中，除去掩模绝缘体309，在共用电极308和辅助配线310之上设置有密封膜315。其它结构与第一实施方式的显示装置100相同。
[0081]在本实施方式的情况下，在如上述的图8所示那样形成辅助配线310后，除去掩模绝缘体309。除去方法没有特别限定，优选利用氧或臭氧气氛下的灰化或干蚀刻进行除去，以不损伤下层的共用电极308。具体的条件考虑与辅助配线310、共用电极308的选择比，适当地决定最佳的条件即可。
[0082]除去掩模绝缘体309之后，如图9所示，辅助配线310的端部成为