像素驱动电路和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路和显示装置。
【背景技术】
[0002]由于工艺偏差，AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting D1de，有源矩阵有机发光二极管面板)上的TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的阈值电压Vth会发生偏移，导致不同的像素的电流出现不均匀的现象。现有的具有阈值补偿功能的像素驱动电路大多是在预充电阶段通过数据线上的数据信号的电压Vdata对存储电容进行充电，在补偿阶段通过存储电容放电来达到阈值补偿，之后在发光阶段驱动OLED (Organic LightEmitting D1de，有机发光二极管)发光，这样的设置会导致结构相对复杂，采用的控制信号多，从而使得像素间距小。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的主要目的在于提供一种像素驱动电路和显示装置，解决现有技术中采用较多的晶体管来实现对驱动晶体管阈值电压进行补偿从而使得像素间距小的问题。
[0004]为了达到上述目的，本实用新型提供了一种像素驱动电路，包括预充电控制单元、存储电容、驱动晶体管和阈值补偿单元，其中，
[0005]所述驱动晶体管，栅极通过所述与预充电控制单元与数据线连接，第一极与发光元件连接，第二极与所述存储电容的第一端连接；
[0006]所述预充电控制单元，分别接入第一扫描信号、第二扫描信号和电源电压Vdd，分别与所述存储电容的第一端、所述驱动晶体管的栅极和数据线连接，并通过所述阈值补偿单元与所述存储电容的第二端连接；
[0007]所述阈值补偿单元，接入控制信号，分别与所述驱动晶体管的栅极、所述驱动晶体管的第一极、所述存储电容的第二端和地端连接，用于在预充电阶段在所述控制信号的控制下导通所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容的第二端的连接；
[0008]所述预充电控制单元，用于在预充电阶段，在所述第一扫描信号和第二扫描信号的控制下通过所述电源电压Vdd对所述存储电容充电，使得所述存储电容的第一端的电位为Vdd，在阈值补偿阶段在所述第二扫描信号的控制下控制所述驱动晶体管的栅极接入所述数据线在阈值补偿阶段输出的数据信号，在发光阶段在所述第一扫描信号的控制下控制所述驱动晶体管的第二极接入所述电源电压Vdd;
[0009]所述阈值补偿单元，进一步用于在阈值补偿阶段，在所述控制信号的控制下与所述驱动晶体管一起控制所述存储电容放电直到所述驱动晶体管的第一极的电位为Vdata+Vth，还用于在发光阶段导通所述驱动晶体管的栅极与所述存储电容的第二端的连接，从而控制所述驱动晶体管的栅源电压补偿Vth ;Vth为驱动晶体管的阈值电压，Vdata为所述数据信号的电压。
[0010]实施时，所述预充电控制单元包括:
[0011]第一预充电晶体管，栅极接入所述第一扫描信号，第一极与所述存储电容的第一端连接，第二极接入所述电源电压；
[0012]以及，第二预充电晶体管，栅极接入所述第二扫描信号，第一极与所述数据线连接，第二极与所述驱动晶体管的栅极连接。
[0013]实施时，所述阈值补偿单元包括:
[0014]第一补偿晶体管，栅极接入所述控制信号，第一极与所述存储电容的第二端连接，第二极与所述驱动晶体管的栅极连接；
[0015]以及，第二补偿晶体管，栅极接入所述控制信号，第一极接地，第二极与所述驱动晶体管的第一极连接。
[0016]实施时，所述第一预充电晶体管、所述第二预充电晶体管、所述第二补偿晶体管和所述驱动晶体管都为NMOS管，所述第一补偿晶体管为PMOS管。
[0017]实施时，所述第一预充电晶体管、所述第二预充电晶体管、所述第二补偿晶体管和所述驱动晶体管都为PMOS管，所述第一补偿晶体管为NMOS管。
[0018]本实用新型还提供了一种显示装置，包括上述的像素驱动电路。
[0019]与现有技术相比，本实用新型所述的像素驱动电路和显示装置，在对驱动晶体管的阈值电压进行补偿时，采用数据信号直接控制驱动晶体管，可以节省晶体管数目，从而能够减小电路设计的空间，增加像素间距。
【附图说明】
[0020]图1是本实用新型实施例所述的像素驱动电路的电路图；
[0021]图2是本实用新型另一实施例所述的像素驱动电路的电路图；
[0022]图3是本实用新型该实施例所述的像素驱动电路的信号时序图；
[0023]图4A是本实用新型该实施例所述的像素驱动电路在预充电阶段SI的工作示意图；
[0024]图4B是本实用新型该实施例所述的像素驱动电路在阈值补偿阶段S2的工作示意图；
[0025]图4C是本实用新型该实施例所述的像素驱动电路在发光阶段S3的工作示意图；
[0026]图5是本实用新型又一实施例所述的像素驱动电路的信号时序图。
【具体实施方式】
[0027]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0028]本实用新型所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本实用新型实施例中，将晶体管除栅极之外的两极分别称为第一极和第二极。
[0029]如图1所示，本实用新型实施例所述的像素驱动电路，包括预充电控制单元11、存储电容Cs、驱动晶体管DTFT和阈值补偿单元12，其中，
[0030]所述驱动晶体管DTFT，栅极通过所述预充电控制单元11与数据线Data连接，第一极与发光元件Dl的阳极连接，第二极与所述存储电容Cs的第一端A连接；发光元件Dl的阴极与地端GND连接；
[0031]所述预充电控制单元11，分别接入第一扫描信号Scanl、第二扫描信号Scan2和电源电压Vdd，还分别与所述存储电容Cs的第一端A、所述驱动晶体管的栅极和数据线Data连接，并通过所述阈值补偿单元与所述存储电容Cs的第二端B连接；
[0032]所述阈值补偿单元12，接入控制信号EN，分别与所述驱动晶体管DTFT的栅极、所述驱动晶体管DTFT的第一极、所述存储电容Cs的第二端B和地端GND连接，用于在预充电阶段在所述控制信号EN的控制下导通所述驱动晶体管DTFT的栅极与所述存储电容Cs的第二端B的连接；
[0033]所述预充电单元，用于在预充电阶段，在所述第一扫描信号Scanl和所述第二扫描信号Scan2的控制下通过所述电源电压Vdd对所述存储电容Cs充电，使得所述存储电容Cs的第一端的电位为Vdd，在阈值补偿阶段在所述第二扫描信号Scan2的控制下控制所述驱动晶体管DTFT的栅极接入所述数据线Data在阈值补偿阶段输出的数据信号，在发光阶段在所述第一扫描信号Scanl的控制下控制所述驱动晶体管DTFT的第二极接入所述电源电压Vdd;所述阈值补偿单元12，用于在阈值补偿阶段，在所述控制信号EN的控制下与所述驱动晶体管DTFT —起控制所述存储电容Cs放电直到所述驱动晶体管DTFT的第一极的电位为Vdata+Vth，还用于在发光阶段导通所述驱动晶体管DTFT的栅极与所述存储电容Cs的第二端B的连接，从而控制所述驱动晶体管DTFT的栅源电压补偿Vth ;Vdata为所述数据信号的电压，Vth为驱动晶体管DTFT的阈值电压。
[0034]本实用新型实施例所述的像素驱动电路采用数据线Data上的数据信号直接控制驱动晶体管DTFT，可以在补偿驱动晶体管的阈值电压的同时，节省晶体管数目，从而能够减小电路设计的空间，增加像素间距。
[0035]在具体实施时，所述预充电控制单元可以包括:
[0036]第一预充电晶体管，栅极接入所述第一扫描信号，第一极与所述存储电容的第一端连接，第二极接入所述电源电压；
[0037]以及，第二预充电晶体管，栅极接入所述第二扫描信号，第一极与所述数据线连接，第二极与所述驱动晶体管的栅极连接。
[0038]在具体实施时，所述阈值补偿单元可以包括:
[0039]第一补偿晶体管，栅极接入所述控制信号，第一极与所述存储电容的第二端连接，第二极与所述驱动晶体管的栅极连接；
[0040]以及，第二补偿晶体管，栅极接入所述控制信号，第一极接地，第二极与所述驱动晶体管的第一极连接。
[0041]下面通过具体实施例来说明本实用新型所述的像素驱动电路。
[0042]如图2所示，在本实用新型一具体实施例所述的像素驱动电路中，所述发光元件为发光二极管OLED ；
[0043]所述预充电控制单元包括:
[0044]第一预充电晶体管T11，栅极接入所述