第一扫描信号Scanl，第一极与所述存储电容Cs的第一端A连接，第二极接入所述电源电压Vdd;
[0045]以及，第二预充电晶体管T12，栅极接入所述第二扫描信号Scan2，第一极与数据线Data连接，第二极与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接。
[0046]所述阈值补偿单元包括:
[0047]第一补偿晶体管T21，栅极接入所述控制信号EN，第一极与所述存储电容Cs的第二端B连接，第二极与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接；
[0048]以及，第二补偿晶体管T22，栅极接入所述控制信号EN，第一极与地端GND连接，第二极与所述驱动晶体管DTFT的第一极连接；
[0049]所述驱动晶体管DTFT，栅极与数据线Data连接，第一极与发光二极管OLED的阳极连接，第二极与第一预充电晶体管Tll的第一极连接；
[0050]发光二极管OLED的阴极与地端GND连接。
[0051]在图2所示的像素驱动电路的实施例中，所述第一预充电晶体管、所述第二预充电晶体管、所述第二补偿晶体管和所述驱动晶体管都为NMOS (N-Mental-Oxide-Semiconductor, N型金属-氧化物-半导体)管，所述第一补偿晶体管为PMOS (P-Mental-Oxide-Semiconductor，P型金属-氧化物-半导体)管；
[0052]其中，将所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管设置为类型相反的MOS管，从而可以减少控制信号的个数，方便电路设计。
[0053]本实用新型如图2所示的像素驱动电路的实施例采用5T1C结构来实现对驱动晶体管的阈值电压的补偿，采用数据信号直接控制驱动晶体管，节省晶体管数，比起6T1C结构来说减少了一个晶体管，并且采用一个控制信号即可以控制类型相反的两个补偿晶体管，减少了控制信号的数目，从而可以能够节省电路设计的空间，增加像素间距。
[0054]如图2所示的像素驱动电路在工作时(图3是第一扫描信号Scanl、第二扫描信号Scan2、控制信号EN和Vdata在预充电阶段S1、阈值补偿阶段S2和发光阶段S3的时序图):
[0055]如图4A所不，在预充电阶段SI，第一扫描信号Scanl和第二扫描信号Scan2都为高电平，数据线Data输出零电平，控制信号EN为低电平，第一预充电晶体管Tll和第二预充电晶体管T12都导通，第一补偿晶体管T21导通，通过电源电压Vdd对存储电容Cs充电；
[0056]如图4B所不，在阈值补偿阶段S2，第一扫描信号Scan I跳变为低电平，第二扫描信号Scan2仍为高电平，控制信号EN跳变为高电平，所述第一预充电晶体管Tll断开，所述第二预充电晶体管T12继续导通，此时数据线Data输出数据信号，以控制驱动晶体管DTFT导通，第二补偿晶体管T22导通，所述存储电容Cs通过所述驱动晶体管DTFT和所述第二补偿晶体管T22向地端GND放电，直至驱动晶体管DTFT的第一极的电位为Vdata+Vth ；Vth为驱动晶体管DTFT的阈值电压，Vdata为数据线Data上的数据信号的电压；
[0057]在发光阶段S3，第一扫描信号Scanl跳变为高电平，第二扫描信号Scan2跳变为低电平，如图4C所示，所述第一预充电晶体管Tll导通，所述第二预充电晶体管T12断开，使得驱动晶体管DTFT的第二极接入所述电源电压Vdd，控制信号EN跳变为低电平，所述控制信号EN控制第一补偿晶体管T21导通而所述第二补偿晶体管T22断开，以导通驱动晶体管DTFT的栅极与存储电容的第二端B的连接，此时DTFT的栅极电位被存储电容自举为Vdd-(Vdata+Vth)，驱动晶体管导通以驱动发光元件发光，此时流过OLED的电流I =K X (Vdd- (Vdd-Vdata-Vth) -Vth)2 = K X Vdata2，所述驱动晶体管 DTFT 的栅源电压补偿 Vth。
[0058]在图4A、图4B和图4C中，用虚线框起来的晶体管是导通的。
[0059]在具体实施时，在如图2所示的像素驱动电路的实施例中，所述第一预充电晶体管T11、所述第二预充电晶体管T12、所述第二补偿晶体管T22和所述驱动晶体管DTFT也可以都为PMOS管，所述第一补偿晶体管T21可以为NMOS管，在实际操作时，如图5所示，只需将图3中的第一扫描信号Scan2、第二扫描信号Scan2、数据线Data上的数据信号和控制信号EN设置为反相即可实施，以上晶体管类型的变化和各信号的时序的变化为本领域技术人员所公知，在此不再赘述。
[0060]本实用新型实施例所述的显示装置，包括上述的像素驱动电路。
[0061]该显示装置可以为液晶显示器、液晶电视、OLED (Organic Light-EmittingD1de，有机电致发光二极管)显示面板、OLED显示器、OLED电视或电子纸等显示装置。
[0062]以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括预充电控制单元、存储电容、驱动晶体管和阈值补偿单元，其中， 所述驱动晶体管，栅极通过所述与预充电控制单元与数据线连接，第一极与发光元件连接，第二极与所述存储电容的第一端连接； 所述预充电控制单元，分别接入第一扫描信号、第二扫描信号和电源电压Vdd，分别与所述存储电容的第一端、所述驱动晶体管的栅极和数据线连接，并通过所述阈值补偿单元与所述存储电容的第二端连接； 所述阈值补偿单元，接入控制信号，分别与所述驱动晶体管的栅极、所述驱动晶体管的第一极、所述存储电容的第二端和地端连接，用于在预充电阶段在所述控制信号的控制下导通所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容的第二端的连接； 所述预充电控制单元，用于在预充电阶段，在所述第一扫描信号和第二扫描信号的控制下通过所述电源电压Vdd对所述存储电容充电，使得所述存储电容的第一端的电位为Vdd，在阈值补偿阶段在所述第二扫描信号的控制下控制所述驱动晶体管的栅极接入所述数据线在阈值补偿阶段输出的数据信号，在发光阶段在所述第一扫描信号的控制下控制所述驱动晶体管的第二极接入所述电源电压Vdd ; 所述阈值补偿单元，进一步用于在阈值补偿阶段，在所述控制信号的控制下与所述驱动晶体管一起控制所述存储电容放电直到所述驱动晶体管的第一极的电位为Vdata+Vth，还用于在发光阶段导通所述驱动晶体管的栅极与所述存储电容的第二端的连接，从而控制所述驱动晶体管的栅源电压补偿Vth ;Vth为驱动晶体管的阈值电压，Vdata为所述数据信号的电压。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述预充电控制单元包括: 第一预充电晶体管，栅极接入所述第一扫描信号，第一极与所述存储电容的第一端连接，第二极接入所述电源电压； 以及，第二预充电晶体管，栅极接入所述第二扫描信号，第一极与所述数据线连接，第二极与所述驱动晶体管的栅极连接。
3.如权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述阈值补偿单元包括: 第一补偿晶体管，栅极接入所述控制信号，第一极与所述存储电容的第二端连接，第二极与所述驱动晶体管的栅极连接； 以及，第二补偿晶体管，栅极接入所述控制信号，第一极接地，第二极与所述驱动晶体管的第一极连接。
4.如权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一预充电晶体管、所述第二预充电晶体管、所述第二补偿晶体管和所述驱动晶体管都为NMOS管，所述第一补偿晶体管为PMOS管。
5.如权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一预充电晶体管、所述第二预充电晶体管、所述第二补偿晶体管和所述驱动晶体管都为PMOS管，所述第一补偿晶体管为NMOS管。
6.一种显示装置，包括如权利要求1至5中任一权利要求所述的像素驱动电路。
【专利摘要】本实用新型提供了一种像素驱动电路和显示装置。像素驱动电路包括预充电控制单元、存储电容、驱动晶体管和阈值补偿单元，预充电控制单元预充电阶段通过电源电压对存储电容充电；阈值补偿单元在阈值补偿阶段，在控制信号的控制下与驱动晶体管一起控制存储电容放电直到驱动晶体管的第一极的电位为Vdata+Vth，在发光阶段控制驱动晶体管的栅源电压补偿Vth；Vdata为数据线上的数据信号的电压，Vth为驱动晶体管的阈值电压。本实用新型在对驱动晶体管的阈值电压进行补偿时，采用数据信号直接控制驱动晶体管，可以节省晶体管数目，从而能够减小电路设计的空间，增加像素间距。
【IPC分类】G09G3-32
【公开号】CN204303320
【申请号】CN201420857893
【发明人】周茂秀
【申请人】合肥鑫晟光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年12月30日