一种像素电路及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型设及有机发光显示技术领域，具体设及一种像素电路及显示装置，所 述显示装置包括该像素电路。
【背景技术】
[0002] 相比传统的液晶面板，AMOL邸(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode， 有源矩阵有机发光二极管）具有反应速度更快、对比度更高、视角更广等特点，因此AMOLED 得到了显示技术开发商日益广泛的关注。
[0003] 有缘矩阵有机发光二极管由像素电路驱动发光。传统的AMOLED采用一个开关晶 体管，一个驱动晶体管和一个存储电容的2T1C驱动电路。当扫描信号将开关晶体管选通 时，开关晶体管导通，数据信号线上的灰度电压对存储电容充电，同时数据信号作用在驱动 晶体管的栅极上，使驱动晶体管工作在饱和状态，根据数据信号电压的大小控制流过驱动 晶体管的电流IauD从而实现OL邸不同灰阶显示；当扫描信号使开关晶体管处于截止状态 时，存储电容为驱动晶体管的栅极提供维持电压，使驱动晶体管仍然处于饱和状态，从而使 OL邸持续发光受制作工艺不均匀性的影响，各个驱动晶体管的阔值电压都存在差异。当相 同灰阶的数据信号写入到驱动晶体管时，OL邸将产生不同亮度的光分量。该部分亮度差是 由不同驱动晶体管的阔值电压导致的。在现在的使用过程中通常会使用阔值电压补偿电路 来消除阔值电压不同造成的影响。
[0004] 但是由于晶体管的制造工艺会导致当晶体管关断时仍然存在少量电流，称为漏电 流。漏电流的存在将影响存储电容所储存的电量，漏电流越大，在一帖时间内电容的电量变 化越大，该将导致一帖时间内像素的亮度变化增大，由此导致得到的显示装置亮度变暗及 不均匀。
【发明内容】
[0005] 本实用新型提供一种像素电路及包括该像素电路的显示装置，该电路能减少存储 电容的漏电流，从而增强电容的电压保持时间，使得像素的亮度变化小，提高显示装置显示 效果。
[0006] 为解决上述技术问题，本实用新型提供了如下技术方案：
[0007]一种像素电路，包括发光二极管、驱动晶体管、存储电容、第一晶体管、第二晶体 管、第=晶体管和补偿晶体管；
[000引所述第一晶体管，用于控制数据输入端的数据电压的写入，所述第一晶体管的源 极电连接所述数据输入端、栅极电连接所述扫描信号端；
[0009] 所述存储电容的第一端电连接所述第一电源、第二端与所述驱动晶体管的栅极W 及补偿晶体管的源极电连接；
[0010] 所述驱动晶体管的源极电连接所述第一电源、漏极电连接所述发光二极管的阳 极；
[0011] 所述补偿晶体管，用于向存储电容存储数据电压与驱动晶体管的阔值电压之间的 差值，所述补偿晶体管的漏极与所述驱动晶体管的漏极电连接；
[0012] 所述第二晶体管的栅极电连接所述复位信号端、源极电连接所述驱动晶体管的栅 极、漏极电连接所述发光二极管的阳极；
[0013] 所述第=晶体管的栅极电连接所述复位信号端、源极电连接所述初始化电源、漏 极电连接所述发光二极管的阳极；
[0014] 所述发光二极管的阴极电连接所述第二电源。
[0015] 进一步的，本实用新型所述的一种像素电路还包括隔离晶体管，
[0016] 所述隔离晶体管，用于隔断所述驱动晶体管与发光二极管的电连接，所述隔离晶 体管的漏极电连接所述发光二极管的阳极、源极电连接所述驱动晶体管的漏极。
[0017] 进一步的，本实用新型所述的一种像素电路还包括第四晶体管，所述第四晶体管 的源极电连接所述第一电源、漏极电连接所述驱动晶体管的源极、栅极电连接所述隔离晶 体管的栅极及发光驱动信号端。
[0018] 具体的，所有所述晶体管均具有相同的沟道类型。
[0019] 优选的，所有所述晶体管均为薄膜晶体管。
[0020] 本实用新型还公开了一种显示装置，其包括本实用新型中所述的像素电路。
[0021] 本实用新型与现有技术相比，其显著优点是；本实用新型通过在第一电源与初始 化电源之间设置有第二晶体管和第=晶体管，关断存储电容与初始化电源之间的回路，通 过增加第一电源与初始化电源之间串联的晶体管数量来降低存储电容的漏电流，从而提高 存储电容对信号的保持时间，提高显示装置的显示效果；
[0022] 进一步的，当第二晶体管和第S晶体管都导通时，存储电容连通到初始化电源，同 时发光二极管的阳极也连接到初始化电源，能提高整个像素电路的响应速度，延长发光二 极管的使用寿命。
【附图说明】
[0023] 为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需 要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施 例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可W根据该些附 图获得其他的附图。该些附图中，为了清楚起见，可能放大了结构和区域的尺寸及相对尺 寸。
[0024] 图1为本实用新型中实施例1中的一种像素电路的结构示意图；
[0025] 图2为图1中所示像素电路的驱动时序图。
【具体实施方式】
[0026] 下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型的技术方案进行清楚、完 整地描述。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提 下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0027] 实施例1 :
[002引参见附图2,为本实用新型所述像素电路的驱动时序图，其中DATA为数据输入端， Scan(脚为扫描信号端，Reset为复位信号端，EM(N)为发光驱动信号，Vinit为初始化电源。
[0029] 参见附图1，为本实用新型中实施例1中的一种像素电路的结构示意图，第一电源 ELVDD为高电位，第二电源ELVSS为低电位，Vinit为初始化电源。本实施例所述的一种像 素电路，包括发光二极管D1、驱动晶体管T7、存储电容C1、第一晶体管T3、第二晶体管T1、 第S晶体管T6和补偿晶体管T2 ;所述第一晶体管T3,用于控制数据输入端DATA的数据信 号的写入，所述第一晶体管T3的源极电连接所述数据输入端DATA、栅极电连接所述扫描信 号端SCAN、漏极电连接所述驱动晶体管T7的源极；所述存储电容Cl的第一端电连接所述 第一电源ELVDD、第二端与所述驱动晶体管T7的栅极W及补偿晶体管T2的源极电连接；所 述驱动晶体管T7的源极电连接所述第一电源ELVDD、漏极连接所述发光二极管Dl的阳极； 所述补偿晶体管T2,补偿晶体管T2用于向存储电容Cl存储数据电压与驱动晶体管T7的 阔值电压之间的差值，所述补偿晶体管T2的漏极与所述驱动晶体管T7的漏极连接；所述第 二晶体管Tl的栅极电连接所述复位信号端RESET、源极电连接所述驱动晶体管T7的栅极、 漏极电连接所述发光二极管的Dl阳极；所述第=晶体