投影头聚焦位置测量方法和曝光方法

专利名称：投影头聚焦位置测量方法和曝光方法
技术领域：
本发明涉及一种投影头聚焦位置测量方法和曝光方法。具体地，本发 明涉及一种用于测量由投影头投影的图像图案的聚焦位置的投影头聚焦 位置测量方法。本发明还涉及一种用于通过应用投影头聚焦位置测量方法 进行曝光的曝光方法。
背景技术：
传统地，已经公知作为其中设置有用于投影图像的投影头的投影设备 的实例的一种曝光设备(请参照日本未审查专利公开出版物第2004-001244号)。曝光设备包括多个曝光头，每个曝光头都安装有DMD (数字微镜装置)。在该曝光设备中，将图像图案投影到感光材料上以将 感光材料曝光。此外，已经公知在曝光设备中，其上放置感光材料的用于 曝光的平台在一个方向上被输送到曝光头下方的位置，以通过将图像投影 到感光材料上将感光材料曝光。在曝光设备中，曝光头的聚焦位置的调节需要将图案精确地投影到感 光材料上。当需要调节聚焦位置时，用于检査聚焦位置的图像图案从曝光 头投影到彼此不同的感光材料的区域上。逐步改变感光材料相对于曝光头 的位置，且每当感光材料的位置改变时将图像图案投影到感光材料上。因 此，感光材料的每个区域都曝光。然后，显影通过用于检査聚焦位置的图 像图案的投影已经曝光的感光材料。用显微镜观测形成于每个区域中的图 像图案，并从该区域中选择形成最清晰图像图案的区域。然后，当已经选 择作为最清晰形成的区域的区域曝光时的感光材料的位置被获得作为曝 光头的聚焦位置。然而，由于用于确定其中形成最清晰图像图案的区域的测试为感官测 试，所以，需要通过熟练技术操作人员进行测试。此外，还存在着测试结 果的可靠性根据操作者的技术水平而不同的问题。发明内容考虑到上述情况，本发明的一个目的是提供一种用于更精确地确定投 影头的聚焦位置的投影头聚焦位置测量方法。本发明的另一目的是提供一 种用于通过应用投影头聚焦位置测量方法进行曝光的曝光方法。根据本发明的投影头聚焦位置测量方法是用于测量投影头的聚焦位 置的方法，包括步骤制备叠置在基板上的感光材料；当改变从投影头到感光材料的投影距离以及投影头的聚焦位置中的 一个时，将测试图像图案投影到彼此不同的感光材料的每个区域上，其中 图像图案通过投影头被投影到感光材料上；显影测试图像图案己经投影到其上的感光材料；以及获得聚焦位置，其中感光材料是为以下情况的感光材料，其中根据曝 光期间的曝光状态(即，根据曝光光线量和曝光面积的尺寸)确定当感光 材料在曝光后显影时被从基板去除的感光材料的区域、以及当感光材料在 曝光后显影时没有从基板去除的感光材料的区域，并且其中聚焦位置根据 投影距离和投影头的聚焦位置中的一个而获得，其中所述投影头对应于感 光材料通过显影己经被从基板去除的区域和感光材料通过显影没有从基 板去除的区域之间的边界区域。测试图像图案可以包括线部分和空间部分，所述线部分被投影而使得 感光材料未从基板去除，所述空间部分投影在线部分之间，使得感光材料 被从基板去除。优选通过投影头投影到聚焦位置的线部分的宽度小于感光材料相对 于基板的粘附极限尺寸。此外，更优选线部分的宽度在粘附极限尺寸的50 %到90%的范围内。优选通过投影头投影到聚焦位置的空间部分的宽度大于投影头的分 辨极限尺寸。此外，更优选空间部分的宽度在分辨极限尺寸的120%到150 %的范围内。测试图像图案被投影到其上的感光材料的区域的尺寸可以为可见尺寸。 边界区域可以为其中感光材料通过显影没有被从基板去除且与感光 材料通过显影已经被从基板去除的区域相邻的区域。在投影头聚焦位置测量方法中，待选择的聚焦位置可以通过在显影感 光材料后在基板和感光材料上进一步进行蚀刻处理来确定。此外，可以设 置多个投影头，且对于多个投影头中的每一个可以确定待选择的聚焦位 置。待选择的聚焦位置可以为投影距离的中间位置，其中每个投影距离对 应于存在于显影后的感光材料的区域中的两个边界区域中的一个边界区 域。可供选择地，待选择的聚焦位置可以为投影头的聚焦位置的中间位置， 其中每个聚焦位置对应于存在于显影后的感光材料的区域中的两个边界 区域中的一个边界区域。具体地，当通过改变投影距离获得投影头的聚焦 位置时，可以获得每个对应于两个边界区域中的一个边界区域的投影距离 的中间位置作为投影头的聚焦位置。两个边界区域为存在于显影后的感光 材料的区域中的区域。可供选择地，当通过改变聚焦位置获得投影头的聚 焦位置时，可以获得每个对应于存在于显影后的感光材料的区域中的两个 边界区域中的一个边界区域的投影头的聚焦位置的中间位置作为投影头 的聚焦位置。彼此不同且测试图像图案被投影到其每个上的感光材料的区域可以 成行布置。待选择的聚焦位置可以根据投影距离和投影头的聚焦位置中的一个 来确定，其中投影距离和聚焦位置中的每个都对应于用于两种或更多种测 试图像图案中的每个所获得的边界区域。两种或更多种测试图像图案中的 每个都为包括线部分和空间部分的图像图案。另外，两种或更多种测试图 像图案中的每个中的线部分的宽度和/或空间部分的宽度不同于在另一图 像图案或其它图像图案中的线部分的宽度和/或空间部分的宽度。待选择的聚焦位置可以根据投影距离和投影头的聚焦位置中的一个 来确定，其中投影距离和聚焦位置中的每个都对应于用于两种或更多种测 试图像图案中的每个所获得的边界区域。两种或更多种测试图像图案为每 个都包括线部分的图像图案，而各图像图案中的线部分的方向不同于另一 图像图案或其它图像图案中的线部分的方向。 当感光材料发生变形时，测试图像图案可以通过补偿该变形进行投 影，使得测试图像图案在与当感光材料未变形时投影的图像图案的状态相 似的状态下投影到感光材料上。根据本发明的曝光方法为包括以下步骤的曝光方法 通过对从光源发射的光线进行空间光调制获得图像图案；以及 通过每个都包括空间光调制器的多个曝光头中的每个在相同的感光 材料上形成图像图案将感光材料曝光，其中空间光调制器包括调制入射光 的大量两维布置的调制元件，且其中通过将投影头聚焦位置测量方法应用 到当感光材料通过多个曝光头曝光时的聚焦位置的测量中来测量每个曝 光头的聚焦位置，且其中根据每个曝光头的聚焦位置，通过校正通过每个 曝光头投影到感光材料上的图像图案的聚焦位置的偏移由每个曝光头曝 光感光材料。投影头聚焦位置测量方法包括第一种情况和第二种情况。在第一种情 况中，固定投影头的聚焦位置，并改变从感光材料到投影头的投影距离。 当投影距离改变时，图像图案通过投影头投影到感光材料上。然后，根据 已经投影到感光材料的区域上以将感光材料曝光的每个图像图案的显影 结果获得投影头的聚焦位置。具体地，在第一种情况中，当投影头的聚焦 位置被定位于感光材料上时获得投影距离。在第二种情况中，固定从投影 头到感光材料的投影距离，并改变投影头的聚焦位置。当聚焦位置改变时， 图像图案通过投影头投影到感光材料上。然后，根据已经投影到感光材料 的区域上以将感光材料曝光的每个图像图案的显影结果获得投影头的聚 焦位置。具体地，在第二种情况中，当投影头的聚焦位置被定位于感光材 料上时，获得投影头的聚焦调节状态。"根据曝光光线量确定当感光材料在曝光后显影时被从基板去除的感 光材料的区域、以及当感光材料在曝光后显影时没有从基板去除的感光材 料的区域的感光材料"，可以为下述的感光材料，其中已经曝光到预定量 的光线或更多光线的感光材料的区域保留在基板上，而当感光材料在曝光 后显影时，没有曝光到预定量的光线或更多光线的感光材料的区域没有被 从基板去除。可供选择地，感光材料可以具有与以上实例中的感光材料的 特性相反的特性。具体地，感光材料可以为下述感光材料，其中已经曝光
到预定量的光线或更多光线的感光材料的区域被从基板去除，而当感光材 料在曝光后显影时，己经曝光到预定量的光线或更多光线的感光材料的区 域保留在基板上。如果感光材料为其中已经曝光到预定量的光线或更多光线的感光材 料区域保留在基板上而没有曝光到预定量的光线或更多光线的感光材料 区域被从基板去除的感光材料，则"其中根据曝光区域的尺寸来确定当感 光材料在曝光后显影时被从基板去除的感光材料区域、以及当感光材料在 曝光后显影时没有从基板去除的感光材料区域的感光材料"可以为下述感 光材料，其中当感光材料在曝光后显影时，尺寸大于或等于预定曝光尺寸 的感光材料的曝光部分保留在基板上，而尺寸小于预定曝光尺寸的感光材 料的曝光部分被从基板去除。可供选择地，感光材料可以具有与以上实例 中的感光材料的特性相反的特性。具体地，如果感光材料为其中已经曝光 到预定量的光线或更多光线的感光材料区域被从基板去除而没有曝光到 预定量的光线或更多光线的感光材料区域保留在基板上的感光材料，则感 光材料可以为下述感光材料，其中当感光材料在曝光后显影时，尺寸大于 或等于预定曝光尺寸的感光材料的未曝光部分保留在基板上，而尺寸小于 预定曝光尺寸的感光材料的未曝光部分被从基板去除。在此，预定的曝光 尺寸指粘附极限尺寸，这将在以后说明。聚焦位置指精确形成图像图案的位置。用语"对应于区域的投影距离"指当区域曝光时的投影距离。 优选投影到彼此不同的感光材料的每个区域上的测试图像图案为当测试图像图案精确形成于感光材料的每个区域中时形成相同图像的测试图像图案。表述"当改变投影距离时进行曝光"指每当投影距离逐渐改变时进行 曝光的情况。该表述还指当投影距离连续改变时进行曝光的情况。"彼此不同的感光材料的区域"可以为相同的感光材料的不同区域。可 供选择地，所述区域也可以为不同感光材料的区域。粘附极限尺寸指由当将叠置在基板上的感光材料曝光后显影时可以 保持在基板上的感光材料构成的区域的最小尺寸。因此，当感光材料显影 后，没有具有小于粘附极限尺寸的区域保留在基板上。 分辨极限尺寸指可以通过投影头精确形成的空间部分的宽度的最小 尺寸。在用于根据投影距离确定通过投影头投影的图像图案的聚焦位置的 方法中，例如，可以通过获得两种投影距离的中间位置来确定聚焦位置。 两种投影距离中的每个为对应于两种区域中的一个区域的投影距离，其中 在各所述区域中，感光材料通过显影没有从基板去除，并且各所述区域与 感光材料通过显影己经被从基板去除的区域相邻。具体地，如果两种投影距离为第一投影距离T1和第二投影距离T2，则投影距离Tp可以通过以下公式获得<formula>formula see original document page 10</formula>投影距离Tp为与为投影头聚焦在感光材料上时的聚焦位置的中间位 置相对应的投影距离。因此，由投影距离Tp表示的位置可以获得作为投影 头的聚焦位置。投影头的聚焦位置指通过投影头精确投影(形成)图像图案的位置。测试图像图案可以为包括照明感光材料的区域和没有照明感光材料 的区域的图像图案。例如，投影头聚焦位置测量方法可以为用于测量通过投影头投影的图 像图案的聚焦位置的投影头聚焦位置测量方法。投影头聚焦位置测量方法 可以为包括以下步骤的方法制备叠置在基板上的感光材料；当改变从投影头到通过投影头将图像图案投影到其上的感光材料的 投影距离以及投影头的聚焦位置中的一个时，通过投影头将测试图像图案 投影到彼此不同的感光材料的每个区域上；将其上已经投影测试图像图案的感光材料显影；以及 获得由投影头投影到感光材料上的图像图案的聚焦位置，其中感光材 料为下述感光材料，其中根据曝光光线量和曝光区域的尺寸来确定当感光 材料在曝光后显影时被从基板去除的感光材料的区域、以及当感光材料在 曝光后显影时没有从基板去除的感光材料的区域，而其中图像图案的聚焦 位置根据投影距离和投影头的聚焦位置中的一个来确定，投影距离和投影 头的聚焦位置对应于感光材料通过显影没有被从所述基板去除且每一个 均与其中感光材料通过显影己被从基板去除的区域相邻的区域中的每一 个。此外，例如，投影头聚焦位置测量方法可以为用于测量投影头的聚焦 位置的投影头聚焦位置测量方法，包括步骤-制备叠置在基板上的感光材料；当改变从投影头到通过投影头将图像图案投影到其上的感光材料的 投影距离以及投影头的聚焦位置中的一个时，通过投影头将相同的测试图 像图案投影到彼此不同的感光材料的每个区域上；将其上已经投影测试图像图案的感光材料显影；以及获得由投影头投影到感光材料上的图像图案的聚焦位置，其中感光材 料为下述感光材料，其中当感光材料在曝光后显影时，保留感光材料的曝 光区域，而将未曝光区域从基板去除，以及其中大于预定曝光尺寸的感光 材料的曝光部分保留在基板上，而小于预定曝光尺寸的曝光区域被从基板 去除，以及其中根据投影距离和曝光头的聚焦位置中的一个获得图像图案 的聚焦位置，投影距离和曝光头的聚焦位置对应于其中感光材料的曝光区 域通过显影没有从基板去除且与其中感光材料的曝光区域通过显影已经 被从基板去除的区域相邻的各区域。此外，例如，投影头聚焦位置测量方法可以为用于测量投影头的聚焦 位置的投影头聚焦位置测量方法，包括步骤制备叠置在基板上的感光材料；当改变从投影头到通过投影头将图像图案投影到其上的感光材料的 投影距离以及投影头的聚焦位置中的一个时，通过投影头将相同的测试图 像图案投影到彼此不同的感光材料的每个区域上；将其上已经投影测试图像图案的感光材料显影；以及 获得由投影头投影到感光材料上的图像图案的聚焦位置，其中感光材 料为下述感光材料，其中当感光材料在曝光后显影时，保留感光材料的未 曝光区域，而将曝光区域从基板去除，以及其中大于预定曝光尺寸的感光 材料的未曝光部分保留在基板上，而小于预定曝光尺寸的未曝光部分被从 基板去除，以及其中根据投影距离和曝光头的聚焦位置中的一个获得图像 图案的聚焦位置，投影距离和曝光头的聚焦位置对应于其中感光材料的未
曝光区域通过显影没有从基板去除且与其中感光材料的未曝光区域通过 显影已经被从基板去除的区域相邻的各区域。本发明的发明人已经发现，当各种测试图像图案投影到基板上的感光 材料上以曝光感光材料并显影感光材料时，只出现两种状态，且在两种状 态之间未出现中间状态。所述两种状态为当感光材料显影时在测试图像图 案已经投影到其上以曝光感光材料的区域中的感光材料被从基板去除的 状态、以及当感光材料显影时在测试图像图案已经投影到其上以曝光感光 材料的区域中的感光材料没有从基板去除的状态。此外，本发明人已经构 想出可以设定的状态为，使得当感光材料被放置在通过投影头投影的测试 图像图案的聚焦位置附近时，测试图像图案投影到其上以曝光感光材料的 区域中的感光材料被去除，而当感光材料没有放置在聚焦位置附近时，测 试图像图案投影到其上以曝光感光材料的区域中的感光材料没有被去除。 此外，本发明人己经构想出，通常可以设定的状态为，使得感光材料的状 态根据感光材料与聚焦位置的偏移量在两个状态之间变化。因此，本发明 人已经实现本发明。在根据本发明的投影头聚焦位置测量方法中，制备叠置在基板上的感 光材料。感光材料为其中根据曝光光线量和曝光区域的尺寸来确定当感光 材料在曝光后显影时被从基板上去除的感光材料的区域、以及当感光材料 在曝光后显影时没有从基板上去除的感光材料的区域的感光材料。此外， 当改变从投影头到通过投影头将图像图案投影到其上的感光材料的投影 距离以及投影头的聚焦位置中的一个时，通过投影头将测试图像图案投影 到彼此不同的感光材料的每个区域上。然后，显影测试图像已经投影到其 上的感光材料。接着，根据投影距离和投影头的聚焦位置中的一个获得聚 焦位置，其中投影距离和投影头的聚焦位置对应于感光材料通过显影已经 被从基板去除的区域和感光材料通过显影没有从基板去除的区域之间的 边界区域。因此，与根据传统技术的方法不同，感光材料通过显影被去除 的区域和感光材料通过显影没有去除的区域可以不依赖于感官测试进行 确定。因此，可以更精确地确定投影头的聚焦位置。具体地，当将感光材料从通过投影头投影的图像图案的聚焦位置的前 侧(也称为前聚焦侧)或后侧(也称为后聚焦侧)中任一侧的图像图案的聚焦位置等距离放置时，投影到每个感光材料上的图像图案模糊不清。此 外，每个投影到放置在聚焦位置的前侧或后侧的感光材料上的两个图像图 案的模糊度基本相同。此外，可以设置的状态为，使得感光材料的状态根 据感光材料是否放置在聚焦位置的附近在两种状态之间变化。所述两种状 态为感光材料被从图像图案己经投影到其上的感光材料的区域去除的情 况、以及感光材料没有从图像图案已经投影到其上的感光材料的区域去除 的情况。具体地，可以设置的状态为，使得感光材料的状态在聚焦位置的 前侧和后侧的每一侧的两种情况(在下文中称为两种状态)之间变化。例 如，通过当感光材料从聚焦位置的前侧移动到投影头的聚焦位置的后侧时 将测试图像图案投影到彼此不同的感光材料的每个区域上并通过显影感 光材料来设定该状态。此外，确定使状态在两种状态之间变化的前侧的感 光材料的位置、和使状态在两种状态之间改变的后侧的感光材料的位置。 然后，可以确定两个位置的中间位置作为使图像图案在感光材料上精确形 成的聚焦位置。因此，与根据传统技术的方法不同，在不依赖于感官测试 的情况下可以更精确地确定投影头的聚焦位置。此外，如果测试图像图案包括投影为使得感光材料不从基板去除的线 部分、以及投影为使得感光材料被从基板去除的空间部分，则可以更精确 地设定使得感光材料的状态在两种状态之间变化的状态。所述两种状态是 感光材料被从基板去除的状态、以及感光材料没有从基板去除的状态。因 此，可以更精确地确定投影头的聚焦位置。此外，如果通过投影头投影到聚焦位置的线部分的宽度小于感光材料 相对于基板的粘附极限尺寸，则可以更精确地设定使得感光材料的状态在 两种状态之间变化的状态。另外，如果线部分的宽度在粘附极限尺寸的50%到90%的范围内，则可以更加精确地设定使得感光材料的状态在两种状态之间变化的状态。因此，可以更精确地确定投影头的聚焦位置。此外，如果通过投影头投影到聚焦位置的空间部分的宽度大于投影头 的分辨极限尺寸，则可以更精确地设定使得感光材料的状态在两种状态之间变化的状态。另外，如果空间部分的宽度在分辨极限尺寸的120%到150 %的范围内，则可以更加精确地设定使得感光材料的状态在两种状态之间 变化的状态。因此，可以更精确地确定投影头的聚焦位置。
此外，如果其上已被投影测试图像图案的感光材料的区域的尺寸为可见尺寸，则可以更容易地确定投影头的聚焦位置。另外，如果待选择的聚焦位置为每个与存在于感光材料的区域之中的两个边界区域中的一个边界区域相对应的投影距离的中间位置、以及每个 都与存在于感光材料的区域之中的两个边界区域中的一个边界区域相对应的投影头的聚焦位置的中间位置中的一个中间位置，则可以更精确地确 定投影头的聚焦位置。此外，如果彼此不同且每个上都被投影测试图像图 案的感光材料的区域成行布置，且如果当投影距离或投影头的聚焦位置等 距离地逐步改变时感光材料上的每个区域都通过顺序将图像图案投影到 感光材料上而形成，则待选择的聚焦位置可以确定为使得聚焦位置对应于 成行布置的区域中的两个边界区域之间的中间区域。


图1A是说明根据本发明的一个实施例的投影头聚焦位置测量方法的概念图；图1B是说明根据本发明的一个实施例的投影头聚焦位置测量方法的 概念图；图2是说明测试图像图案中的线部分和空间部分的视图；图3A是说明当改变投影距离时将测试图像图案投影到感光材料上以将感光材料曝光的过程的视图；图3B是说明当改变投影距离时将测试图像图案投影到感光材料上以将感光材料曝光的过程的视图；图3C是说明当改变投影距离时将测试图像图案投影到感光材料上以将感光材料曝光的过程的视图；图3D是说明当改变投影距离时将测试图像图案投影到感光材料上以将感光材料曝光的过程的视图；图4是说明测试图像图案已经投影到其上以将感光材料曝光的感光材料的区域的视图；图5是说明已经曝光的感光材料的视图；图6是说明当三种测试图像图案已经投影到感光材料上以将感光材料
曝光后已经显影的感光材料的视图；图7A1是说明曝光和显影感光材料的过程的视图；图7A2是说明曝光和显影感光材料的过程的视图；图7B1是说明曝光和显影感光材料的过程的视图；图7B2是说明曝光和显影感光材料的过程的视图；图7C1是说明曝光和显影感光材料的过程的视图；图7C2是说明曝光和显影感光材料的过程的视图；图7D1是说明曝光和显影感光材料的过程的视图；图7D2是说明曝光和显影感光材料的过程的视图；图8A是说明包括彼此正交的线的测试图像图案的视图； 图8B是说明包括彼此正交的线的测试图像图案的视图； 图8C是说明包括彼此正交的线的测试图像图案的视图；图9是说明已经曝光和显影以检查聚焦位置的波动的感光材料的每个 区域的视图；图10是说明曝光设备的光学系统的结构的示意图； 图ll是整个曝光设备的示意性透视图；图12是说明通过安放在曝光单元中的投影头将感光材料曝光的过程的透视图；图13是说明DMD的结构的放大透视图；图14A是说明微镜的操作的透视图； 图14B是说明微镜的操作的透视图；图15A是说明当DMD没有倾斜时的像素光束的输送路径的平面图； 图15B是说明当DMD倾斜时的像素光束的输送路径的平面图；图16是说明聚焦位置自动调节单元的结构的示意图； 图17是说明在连接聚焦位置自动调节单元的曝光设备中的位置的透 视图；以及图18是说明形成聚焦位置自动调节单元的一对楔形棱镜的放大透视图。
具体实施方式
在下文中，将参照

本发明的实施例。图1A是说明根据本发 明的一个实施例的投影头聚焦位置测量方法的概念图。图1B是说明根据本 发明的一个实施例的投影头聚焦位置测量方法的概念图。图2是说明测试 图像图案中的线部分和空间部分视图。图3A到图3D是说明将测试图像图 案投影到感光材料上且同时改变投影距离的过程图。图4是说明测试图像 图案己经投影到其上以将感光材料曝光的感光材料区域的视图。图5是说 明己经曝光的感光材料的视图。图6是说明当三种测试图像图案己经投影 到感光材料上以将感光材料曝光后已经显影的感光材料的视图。如图1A所示，投影头聚焦位置测量方法是用于获得通过投影头10投影的图像图案的聚焦位置的方法。在投影头聚焦位置测量方法中，制备叠置在基板2上的感光材料1。感 光材料l为一种感光材料，其中根据曝光光线量和曝光面积的尺寸来确定 在感光材料1在曝光后显影时被从基板2去除的感光材料1的区域、以及在 感光材料1在曝光后显影时没有被从基板2去除的感光材料1的区域。此外， 当为从投影头10到感光材料l的距离的投影距离Fz改变时，相同的测试图 像图案Gk通过投影头10投影到彼此不同的感光材料l的每个区域R上。另 外，显影测试图像图案Gk已经投影到其上的感光材料l。然后，根据投影 距离Fz获得在测试图像图案聚焦在感光材料l上时的投影距离，g卩，聚焦 位置Pjl，在每一个上均已经投影了测试图像Gk的感光材料l的区域R中， 所述投影距离对应于其中感光材料1通过显影没有从基板2去除的各区域， 并且与感光材料1通过显影已经被从基板2去除的区域相邻。投影距离Fz 通过输送单元5改变。此外，感光材料1通过输送单元5移动，使得测试图 像图案Gk投影到彼此不同的感光材料l的区域R上。如果投影头10和感光材料1之间的距离相对于光轴的方向(图1A中的 Z方向)固定，并且投影头10的聚焦位置可以散焦，则如下所述，投影头 10的聚焦位置可以设定在感光材料1上。具体地，如图1B所示，感光材料l 通过输送单元5在垂直于光轴方向的方向(在图1B中的X-Y平面上)移动， 同时改变(散焦)聚焦位置Pz，其中图像图案以所述聚焦位置通过投影头 IO精确投影。因此，测试图像图案Gk通过投影头10投影到彼此不同的感光 材料1的每个区域R'上。然后，显影其上己经投影测试图像图案Gk的感光 材料l。接着，当投影头io聚焦在感光材料i上时，可以获得投影头io的聚焦的散焦状态，即聚焦位置Pj2。根据投影头10的聚焦位置获得散焦状态， 所述聚焦位置对应于光敏材料1通过显影已经从基板2去除的区域和感光 材料1通过显影没有从基板2去除的区域之间的每个边界区域。当图像图案 聚焦在感光材料1上时的聚焦位置PJ2可以根据每个都与边界区域相对应 的投影头10的每个聚焦位置获得。边界区域为其中感光材料通过显影没有 从基板2去除并与已去除感光材料的区域相邻的区域。要制备的感光材料为在感光材料在曝光后显影时保留曝光部分而去 除未曝光部分的感光材料。在感光材料的曝光部分中，具有大于粘附极限 尺寸并为预定曝光尺寸的尺寸的部分保留在基板上。在感光材料的曝光部 分中，具有小于粘附极限尺寸的尺寸的部分被从基板去除。将说明当聚焦距离Fz改变时通过将测试图像图案Gk投影到每个区域 R上获得聚焦位置Pjl的情况。聚焦位置Pjl为测试图像图案聚焦在感光材 料1上的位置。如图2所示，测试图像图案Gk包括线部分(在下文中称为线 L)和空间部分(在下文中称为空间S)。线部分为投影为使得感光材料未 从基板去除的部分。空间部分为投影为使得感光材料从基板去除的部分。 优选通过投影头10投影到聚焦位置Pjl的线L的宽度Lw小于感光材料l的 粘附极限尺寸。更优选线L的宽度Lw在粘附极限尺寸的50X到90X的范围 内。在此，叠置在基板2上的感光材料l的粘附极限尺寸在8^im到10^im的范 围内。因此，如果宽度为7^im的单一线精确地投影到感光材料l上并显影 感光材料l，则宽度为7pm且已经投影到感光材料l上以将感光材料l曝光 的线不粘附到基板2上。当感光材料l显影时，线被从基板2去除。此外，优选通过投影头10投影到聚焦位置上的空间S的宽度Sw超过投 影头10的分辨极限尺寸。更优选宽度Sw在分辨极限尺寸的120X到150X 的范围内。在此，投影头10的分辨极限尺寸接近10iim，而空间S的宽度Sw 大于或等于12pm。如上所述，要考虑选择将通过投影头10投影到感光材料1上的测试图 像图案Gk的条件。具体地，以下测试图像图案适用于作为测试图像图案 Gk:
测试图像图案Gkl包括具有宽度Lw二7pm的线部分和具有宽度Sw^ 12pm的空间部分；测试图像图案Gk2包括具有宽度Lw二7pm的线部分和具有宽度Sw二 13pm的空间部分；以及测试图像图案Gk3包括具有宽度Lw二7pm的线部分和具有宽度Sw二 14pm的空间部分。线的宽度和空间的宽度是在投影头10的聚焦位置Pjl处的宽度。换言 之，线的宽度和空间的宽度为在测试图像图案精确地投影(形成)到感光 材料l时的线的宽度和空间的宽度。此外，其上投影测试图像图案Gkl、 Gk2和Gk3中任一个测试图像图案的感光材料l的区域的尺寸为边长为 2mm的正方形。在此，测试图像图案Gkl、测试图像图案Gk2和测试图像 图案Gk3共同称为测试图像图案Gk。测试图像图案投影到其上的感光材料上的区域的尺寸为可见尺寸。然 而，不是必需要尺寸为空间尺寸。该区域的尺寸可以为通过用显微镜或类 似设备放大区域可以观测到的尺寸。参照图3A到3D和图4，将说明投影头10的聚焦位置的测量。首先，将说明通过将测试图像图案Gk2投影到感光材料l来测量聚焦 位置的情况。通过投影头10投影的图像图案Gk2的精确聚焦位置是未知的。因此， 感光材料l的初始位置设定在投影距离Fz二Fz (0)处。然后，投影距离以 50pm的间距逐步改变。在此，投影距离设定如下<formula>formula see original document page 18</formula>以及<formula>formula see original document page 18</formula>此外，投影距离设定如下<formula>formula see original document page 18</formula> …；以及Fz (+7) ={Fz (0) +350,}。然后，将感光材料l定位在距离投影头10的投影距离Fz二Fz (-7)的 位置处，并将测试图像图案Gk2投影到区域R2 (-7)上。接下来，将感光材料1在图3B的-Z方向移动50^im，使得感光材料l被 定位于投影距离Fz二Fz (-6)处。然后，将测试图像图案Gk2投影到感光 材料1上的区域R2 (-6)上。区域R2 (-6)为与区域R2 (-7)不同的区域。接着，将感光材料l在图3C的-Z方向移动5(Him，使得感光材料l被定 位于投影距离Fz二Fz (-5)处。然后，将测试图像图案Gk2投影到感光材 料1上的区域R2 (-5)上。此外，以相似的方式顺序将感光材料l曝光。最后，将感光材料l定位 在投影距离Fz二Fz (+7)处。然后，将测试图像图案Gk2投影到感光材料 1上的区域R2 (+7)上。投影距离不仅可以通过在固定投影头10的位置的同时移动感光材料1 的位置来改变，而且还可以通过在固定感光材料l的位置的同时移动投影 头10的位置来改变。可供选择地，投影距离可以通过移动投影头10和感光材料l两者来改变。当测试图像图案Gk2已经投影到感光材料l上后，显影感光材料l。 如图5所示，当感光材料l显影时，区域R2 (-4)到R2 (0)被从基板 2去除。区域R2 (-4)到R2 (0)为当感光材料l被定位在投影距离Fz二Fz (-4)到投影距离Fz二Fz (0)的位置时投影的区域。具体地，在区域R2 (-4)到R2 (0)中，为区域R2 (-4)到R2 (0)中的感光材料l的曝光部 分的线L通过显影被从基板2去除。勿庸置疑，为感光材料的未曝光部分的 空间S此时通过显影被去除。此时，区域R2 (-5)到R2 (-7)和区域R2 (+1)到R2 (+7)不通过 显影去除。区域R2 (-5)到R2 (-7)为当将感光材料l定位到投影距离Fz 二Fz (-4)的前聚焦侧时投影的区域。区域R2 (+1)到R2 (+7)为当将 感光材料l定位到投影距离Fz二Fz (0)的后聚焦侧时投影的区域。这些区 域粘附到基板2上并保留在基板2上。具体地，在区域R2 (-5)到R2 (-7) 和区域R2 (+1)到R2 (+7)中，为感光材料的曝光部分的线L不被从基板 2去除。线L保留在基板2上。在此，使感光材料的状态在两个状态之间改 变的感光材料l的位置为在前聚焦侧上距离投影头10的投影距离Fz-Fz (-4)和距离投影头10的投影距离Fz二Fz (陽5)之间的位置。两种状态为 感光材料的曝光部分被去除的状态和感光材料的曝光部分没有去除的状 态。此外，使感光材料的状态在两个状态之间改变的感光材料l的位置为 在后聚焦侧上距离投影头10的投影距离Fz二Fz (0)和距离投影头10的投 影距离Fz二Fz (+1)之间的位置。感光材料的曝光部分通过显影没有去除以及与区域R2 (-4)和R2 (0) 中的一个区域相邻的两种区域为区域R2 (-5)和R2 (+1)。此时，区域R2 (-4)和R2 (0)为感光材料l的曝光部分通过显影已经被从基板去除的区 域。对应于区域R2 (-5)和R2 (+1)的两种投影距离分别为投影距离Fz =Fz (-5)和投影距离Fz二Fz (+1)。与投影距离Fz二Fz (-5)和投影距离 Fz二Fz (+1)之间的中间投影距离相对应的位置可以确定作为聚焦位置。 具体地，与精确形成测试图像图案Gk2的聚焦位置相对应的投影距离Fp可以通过利用以下公式获得Fp= (Fz (陽5) +Fz (+1)) /2。因此，使与投影头10的投影距离变为通过以上公式获得的值的位置为 聚焦位置Pjl。此外，当投影头10在一个方向移动时，测试图像图案等间距顺序投影 到区域R2 (-7)到R2 (+7)上以形成区域R2。在区域R2 (-7)到R2 (+7) 中，可以选择投影的顺序在区域R2 (-5)的投影到区域R2 (+1)的投影之 间的中间处的区域R2 (-2)。然后，在对应于区域R2 (-2)的投影距离Fz =Fz (-2)处的位置可以确定作为精确形成测试图像图案Gk2的聚焦位置。此外，如图6所示，图像图案Gkl、 Gk2和Gk3可以通过投影头10同时 投影到感光材料l上。当图像图案Gkl、 Gk2和Gk3同时投影时，感光材料l 在Z方向移动。因此，每个区域都投影到感光材料l上。然后，显影感光材 料l。通过投影头10投影的图像图案的聚焦位置可以以此方式获得。例如，在每个上均已经投影图像图案Gkl的成行的区域中，在以投影 距离Fz二Fz (-2)投影的感光材料1的区域R1 (-2)中的曝光部分(线L) 和未曝光部分(空间S)通过显影被去除。因此，感光材料1的区域R1 (-2) 被从基板2去除。此时，当感光材料l被定位于投影距离Fz二Fz (-2)处的 位置的前聚焦侧上时投影的区域R1 (-3)到R1 (-7)、以及当感光材料l 被定位于投影距离Fz二Fz (-2)处的位置的后聚焦侧上时投影的区域R1(-1)到R1 (+7)通过显影未去除。因此，区域R1 (-3)至IJR1 (-7)以及 区域R1 (-1)到R1 (+7)中的感光材料1保留在基板2上。在此，使感光材 料l的状态在两种状态之间改变的位置为在前聚焦侧上的投影距离Fz二Fz(-2)和投影距离Fz二Fz (-3)之间的位置。此外，使感光材料l的状态在 两种状态之间改变的位置为在后聚焦侧上的投影距离Fz二Fz (-2)和投影 距离Fz二Fz (-1)之间的位置。在每个中感光材料的曝光部分通过显影均没有从基板2去除以及与区 域R1 (-2)相邻的两种区域为区域R1 (-3)和区域R1 (-1)。区域R1 (-2) 为曝光部分己经通过显影被从基板2去除的区域。对应于区域R1 (-3)和 Rl (-1)的两种投影距离分别为投影距离Fz二Fz (-3)和投影距离Fz二Fz(-1)。因此，与投影距离Fz二Fz (-3)和投影距离Fz二Fz (-1)之间的中间距离相对应的位置可以确定作为聚焦位置。具体地，与精确形成测试图 像图案Gkl的聚焦位置相对应的投影距离Fp可以通过利用以下公式获得 Fp= (Fz (誦3)十Fz (-l)) /2。此外，区域R1 (即，区域R1 (-7)到R1 (+7))为当投影头10在一个 方向移动时通过顺序投影测试图像图案形成的区域。在区域R1中，区域 Rl (-2)的投影顺序在区域R1 (-3)的投影和区域R1 (-1)的投影之间的 中间。获得对应于区域R1 (-2)的投影距离Fz (-2)，而对应于投影距离 Fz二Fz (-2)的位置可以确定作为精确形成测试图像图案Gkl的聚焦位置。此外，在每个已经通过投影测试图像图案Gk3形成的成行的区域中， 区域R3 (-6)到R3 (+2)通过显影被去除。区域R3 (-6)至l』R3 (+2)为 当感光材料l被定位于投影距离Fz二Fz (-6)到投影距离Fz二Fz (+2)处 时投影的区域。因此，在区域R3 (-6)到R3 (+2)中的感光材料l被从基 板2去除。此时，区域R3 (-7)和区域R3 (+3)到R3 (+7)通过显影未去除。 区域R3 (-7)为当感光材料l被定位于投影距离Fz二Fz (-6)的前聚焦侧 时投影的区域。区域R3 (+3)到R3 (+7)为当感光材料l被定位于投影距 离Fz二Fz (+2)的后聚焦侧时投影的区域。因此，区域R3 (-7)和区域R3(+3)到R3 (+7)中的感光材料1粘附到基板2。在这些区域中的感光材 料1保留在基板2上。在每个中感光材料的曝光部分通过显影均未被去除以及每个与区域 R3 (-6)和R3 (+2)中的一个区域相邻的两种区域为区域R3 (-7)和区域 R3 (+3)。区域R3 (-6)禾nR3 (+2)为曝光部分己经通过显影被从基板2 去除的区域。获得投影距离Fz二Fz (-7)和投影距离Fz二Fz (+3)之间的 中间投影距离，而对应于中间投影距离的位置可以确定作为聚焦位置。投 影距离Fz二Fz (-7)为对应于区域R3 (-7)的投影距离，而投影距离Fz二 Fz (+3)为对应于区域R3 (+3)的投影距离。因此，与精确形成测试图 像图案Gk3的聚焦位置相对应的投影距离Fp可以通过利用以下公式获得Fp= (Fz (-7) +Fz (+3)) /2。此外，区域R3 (即，区域R3 (-7)到R3 (+7))为当投影头10在一个 方向移动时通过顺序投影测试图像图案形成的区域。在区域R3中，区域 R3 (-2)的投影顺序在区域R3 (-7)的投影和区域R3 (+3)的投影之间的 中间。获得对应于区域R3 (-2)的投影距离Fz (-2)，而对应于投影距离 Fz=Fz (-2)的位置可以确定作为精确形成测试图像图案Gk3的聚焦位置。如上所述，使用三种测试图像图案中的每个图案，而投影头10的聚焦 位置确定用于三种图像图案中的每个图案。然后，例如，通过获得三种图 像图案的聚焦位置的平均值可以确定投影头10的聚焦位置。如上所述，如 果使用三种测试图像图案，则可以更精确地确定投影头10的聚焦位置。如 上所述，如果使用三种测试图像图案，则即使由于图像图案的形状的不同， 曝光或显影状态或粘附或分辨状态在图像图案之间是不同的，也可以精确 地测量聚焦位置。将说明曝光和显影感光材料的过程。图7A1到图7D2是说明曝光和显影感光材料的过程的视图。图7A1和 图7A2是说明感光材料的区域R1 (-2)视图。图7B1和图7B2是说明感光材 料的区域R1 (-4)视图。图7C1和图7C2是说明感光材料的区域R2 (-4) 的视图。图7D1和图7D2是说明感光材料的区域R2 (-6)的视图。图7A1、 图7B1、图7C1和图7D1是每个都说明基板上的感光材料的曝光状态的视 图。图7A2、图7B2、图7C2和图7D2是每个都说明基板上的感光材料的显
影状态的视图。如图7A1和7A2所示，例如，当感光材料1被定位于投影头10的聚焦位 置处时投影区域R1 (-2)。因此，为形成于感光材料l上的曝光部分的曝光 线Lr的宽度为7pm。该宽度小于粘附极限尺寸。此外，为感光材料l的未曝 光部分的曝光空间Sr的宽度为12pm，该宽度大于或等于投影头10的分辨极 限尺寸。因此，曝光线Lr通过显影被去除。因此，感光材料1的区域R1 (-2) 通过显影被去除。此时，如图7B1和7B2所示，例如，当感光材料1从投影头10的聚焦位 置向其前聚焦侧偏移约100pm时投影区域Rl (-4)。因此，投影到感光材 料l上的测试图像图案Gkl模糊，而为形成于感光材料l上的曝光部分的曝 光线Lr的宽度大于7pm。此外，为感光材料l的未曝光部分的曝光空间Sr 的宽度小于12(im。因此，彼此相邻的曝光线Lr彼此连接并彼此加强。因此， 通过连接的曝光线Lr形成的曝光线Lr的宽度变为大于或等于粘附极限尺 寸。因此，曝光线Lr通过显影未去除，而感光材料1的区域R1 (-4)粘附 到基板2。因此，区域R1 (-4)通过显影未被从基板2去除。此外，如图7C1和图7C2所示，在已经与区域R1 (-4)的投影同时投 影的区域R2 (-4)中，测试图像图案Gk2模糊。在区域R2 (-4)中，与区 域R1 (-4)的方式相同，曝光线Lr的宽度变得更大，而空间S的宽度变得 更小。然而，在图像图案Gk2中的空间S的宽度为13pm，该宽度比图像图 案Gkl的宽度宽。因此，形成于区域R2 (-4)中的曝光空间Sr的宽度比形 成于区域R1 (-4)中的曝光空间Sr的宽度宽。因此，形成于感光材料l中 并彼此相邻的区域R2 (-4)中的曝光线Lr之间的加强度低于区域Rl (-4) 中的曝光线Lr之间的加强度。因此，曝光线Lr的尺寸变得小于粘附极限尺 寸。因此，曝光线Lr通过显影被去除，且区域R2 (-4)被从基板2去除。此外，如图7D1和7D2所示，当感光材料1从投影头10的聚焦位置向其 前聚焦侧偏移200pm时投影区域R2 (-6)。因此，投影到感光材料l上的测 试图像图案Gk2进一步模糊，而曝光线Lr的宽度变得甚至比区域R2 (-4) 中的曝光线Lr的宽度更宽。此外，空间S的宽度甚至更小。因此，形成于 感光材料l上并彼此相邻的曝光线Lr彼此连接。此外，相邻曝光线Lr之间 的加强度再次变得更高，而曝光线Lr的厚度变为大于或等于粘附极限尺 寸。因此，为在感光材料1的区域R2 (-6)中的曝光部分的曝光线Lr通过 显影未去除。区域R2 (-6)粘附到基板2，而区域R2 (-6)通过显影未去 除。在此，优选通过以恒定距离顺序改变投影距离，以等间隔将测试图像 图案Gk顺序投影到感光材料的各区域上。然而，不用必需使投影距离的改 变量或其上投影测试图像图案Gk的区域之间的间隔一直恒定。此外，两个边界区域为当感光材料1被定位于投影头10的聚焦位置的 前聚焦侧时曝光的边界区域、以及当感光材料1被定位于投影头10的聚焦 位置的后聚焦侧时曝光的边界区域。此外，不用必需逐步改变投影距离Fz。即使当测试图像图案被投影以 将感光材料曝光时连续改变投影距离，也可以获得与上述效果相似的有利 效果。此外，例如，如果每个感光材料的敏感度在感光材料中相同，且如果 基板和每个感光材料之间的粘附特性在感光材料中都相同，则诸如区域R1 (-7) ，...Rl (0)，...和Rl (+7)的每个区域都可以投影到彼此不同的感 光材料上。图8A和图8B是说明每个均包括彼此正交的线的测试图像图案的视 图。图8A是说明包括一对彼此正交的线的测试图像图案的视图。图8B是 说明包括两对彼此正交的线的测试图像图案的视图。图8C是说明通过当感光材料逐步移动时将图8A中所说明的测试图像 图案投影到感光材料上以及通过显影感光材料获得的每个区域的视图。如图8A到8C所示，如果包括彼此正交的线L1和线L2的测试图像图案 Gk'被用作测试图像图案，则可以考虑聚焦位置的方向性以确定聚焦位置。 因此，可以获得投影头的更精确的聚焦位置。具体地，如图8C所示，当感光材料1在图8C的Z方向上从前聚焦侧向 后聚焦侧逐步移动时，测试图像图案Gk'顺序(在图8C的Y方向上)投影 到彼此不同的感光材料1的区域R上。然后，显影感光材料l。因此，可以 单独确定关于在图8C的Y方向延伸的线L1的聚焦位置和关于在图8C的X 方向延伸的线L2的聚焦位置。在此，测试图像图案不必需只包括线和空间。
图9是说明已经曝光和显影以便检査聚焦位置的波动的感光材料的每 个区域的视图。如图9所示，当投影距离改变时，测试图像图案Gkl、 Gk2 和Gk3投影到感光材料l的区域(在下文中称为投影区域组)上。投影测试 图像图案Gkl、 Gk2和Gk3，使得投影区域组沿感光材料1的X方向布置， 并显影感光材料l。然后，获得用于每个投影区域组RG (XI) ， RG (X2) ，...RG (X5)的通过投影头10投影的图像图案的聚焦位置。在此，例如，当投影区域组RG (XI)显影时，区域R1 (-2)保留在 感光材料上。区域R1 (-2)曝光时的投影距离Fz二Fz (-2)处的位置被确 定作为聚焦位置。当投影区域组RG (X2)显影时，区域R1 (-1)保留在 感光材料上。区域R1 (-1)曝光时的投影距离Fz二Fz (-1)处的位置被确 定作为聚焦位置。此外，例如，当投影区域组RG (X3)显影时，区域R1 (0)保留在 感光材料上。区域R1 (0)曝光时的投影距离Fz二Fz (0)处的位置被确定 作为聚焦位置。当投影区域组RG (X4)显影时，区域R1 (0)保留在感 光材料上。区域R1 (0)曝光时的投影距离Fz二Fz (0)处的位置被确定作 为聚焦位置。另外，例如，当投影区域组RG (X5)显影时，区域R1 (-2)保留在 感光材料上。区域R1 (-2)曝光时的投影距离Fz二Fz (-2)处的位置被确 定作为聚焦位置。因此，投影头10投影的图像图案的聚焦位置相对于X方向的波动可以通过利用如上所述的方法检测。当设置多个投影头10时，每个投影头10的聚焦位置可以通过形成用于 每个投影头10的投影区域组RG确定。如图1B所示，从投影头10到感光材料1的距离可以固定而不改变。当 投影头10的聚焦位置相对于光轴的方向(图1B中的X方向)改变时，测试 图像图案可以投影到感光材料1的每个区域R'上。因此，可以获得为测试 图像图案聚焦在感光材料1上时的位置的聚焦位置PJ2。如上所述的技术还 可以应用到聚焦位置Pj2通过固定从投影头10到感光材料l的距离获得的 情况。具体地，当投影头10的聚焦位置从欠焦状态(under-focus state)改 变到过焦状态(over-focus state)时，包括线和空间的测试图像图案Gk投 影到感光材料l上以将感光材料l曝光。然后，显影感光材料l。为投影头10聚焦在感光材料l上时的位置的聚焦位置Pj2可以根据已经通过测试图 像图案Gk的投影曝光的感光材料的显影结果获得。如上所述，通过利用根据本发明的方法可以更精确地确定投影头的聚 焦位置。投影头用于通过将图像图案投影到感光材料上曝光感光材料。可 供选择地，投影头也用于将图像投影到屏幕上。要制备的感光材料可以为显影后未曝光的部分保留而曝光部分通过 显影被去除的感光材料。此外，感光材料可以为其中大于预定尺寸的感光 材料的未曝光部分保留在基板上而小于预定尺寸的感光材料的未曝光部 分被从基板去除的感光材料。在此情况下，投影头的聚焦位置可以根据对 应于每个区域的投影距离确定，其中在每个所述区域中感光材料l的未曝 光部分通过显影均未被从基板去除，且每个所述区域与感光材料l的未曝 光区域己通过显影被从基板2去除的区域相邻。用于确定聚焦位置的方法 可以通过将上述实施例的说明中的曝光部分和未曝光部分相互替换来进 行说明。在以上实施例中，确定已经通过显影被从基板2去除的感光材料1的区 域、和没有从基板2去除的感光材料1的区域。除了从基板2去除感光材料1 外，可以在基板2上进行蚀刻处理。因此，去除感光材料l已经被去除的基 板2的区域。可以使用表示以此方式获得的测试图像图案的区域，而投影 头10的聚焦位置可以以与上述相似的方法确定。接下来，将说明为投影设备实例的曝光设备。所述曝光设备包括用于 通过采用投影头聚焦位置测量方法执行曝光方法的投影头。图10是说明曝光设备的光学系统的结构的示意图。图11是整个曝光设 备的示意性透视图。图12是说明通过安放在曝光单元中的投影头将感光材 料曝光的过程的透视图。图13是说明稍后将说明的DMD的结构的放大透 视图。图14A是说明DMD关闭时像素光束的路径的透视图。图14B是说明 DMD启动时像素光束的路径的透视图。图15A是说明DMD不倾斜时在感 光材料上的像素光束的路径的视图。像素光束为通过每个微镜反射产生的 像素光束。图15B是说明DMD倾斜时感光材料上的像素光束的路径的视 图。
图10所示的曝光设备为如上所述通过应用投影头位置测量方法进行 曝光的曝光设备。曝光设备包括多个曝光头，而每个曝光头都包括为空间光调制器的DMD (数字微镜装置)。在空间光调制中，多个调制元件为两 维布置，且每个调制元件调制入射光。在每个曝光头中，在从光源发射的 光线上进行空间光调制。然后，通过进行空间光调制获得的图像图案形成 于感光材料上，并显影感光材料。在曝光装置中，当感光材料通过多个曝 光头曝光时，投影头聚焦位置测量方法应用到每个曝光头的聚焦位置的测 量中。接着，测量通过曝光头形成的每个图像图案的聚焦位置。此外，在 通过曝光头形成于感光材料上的每个图像图案的聚焦位置的偏移根据测 量的聚焦位置进行校正。因此，当校正聚焦位置的偏移后，用曝光头曝光 感光材料。如图10所示，曝光设备200包括为空间光调制器的DMD (数字微镜装 置)236。在DMD中，多个微反射镜M为两维布置。微镜M为微光调制元 件。DMD在已经经由光纤从光源238发射到DMD的光线上进行空间光调 制。对应于每个微镜M的像素光束L根据每个微镜M的光线调制状态而产 生。然后，像素光束L照明感光件201以在感光件201上形成图像。因此， 例如，诸如布线图案的图像投影到感光件201上以将感光件201曝光。曝光设备200为所谓的平床式曝光设备(flat-bed exposure)。曝光设备 200包括平台214。通过将感光件201吸到平台214的表面上，平台214保持 为将要曝光的构件的感光件201。此外，沿平台的运动方向延伸的两个导 向件220被设置在设置基座218的表面上。设置基座218由四个支腿216支 撑，而设置基座218的形状为厚板。平台214被布置为使得平台的纵向指向 平台的运动方向。导向件220支撑平台214，以便允许平台214向前和向后 运动。此外，还在曝光设备200上设置了用于沿导向件220驱动平台214的 驱动设备(未示出)。在设置基座218的中心处，设置了横跨平台214的运动路径的C形门 222。门222的各端都固定到设置基座218的任一侧。此外，曝光单元224 设置在门222的任一侧，而多个(例如，两个)检测传感器226设置在门222 的另一侧。多个检测传感器226检测感光件201的前缘和后缘。每个曝光单 元224和检测传感器226都连接到门222。此外，每个曝光单元224和检测传
感器226都被布置在平台214的运动路径上的固定位置处。在此，曝光单元 224和检测传感器226连接到控制曝光设备200中的每个单元的同步和时序 的曝光设备控制器228。如图12所示，多个(例如，八个)曝光头230A、 230B...(在后文中 统一称为曝光头230)设置在曝光单元224中。如图12所示，多个曝光头230 被布置为基本形成i列j行(例如，2列4行)的矩阵。例如，通过曝光头230A、 230B、...形成的每个曝光区232为纵向侧指 向输送方向(图12中的Y方向)的矩形。在此情况下，当进行曝光时，带 状曝光区234A、 234B、...(在后文中统一称为曝光区234)通过曝光头230 形成在感光件201上。曝光头230分别形成带状曝光区234A、 234B、...。此外，布置在每列的曝光头230在列的方向上从另一列上布置的曝光 头230偏移预定的距离(通过将曝光区的纵向侧乘以自然数获得的值)。曝 光头230偏移，使得带状曝光区234被形成为在其之间相对于正交于输送方 向的方向(图12中的X方向)没有空间。具体地，例如，曝光区232F可以 通过曝光头230F在曝光区232A和曝光区232B之间的区域中形成。曝光区 232A为通过曝光头230A形成的区域，而曝光区232B为通过曝光头230B形 成的区域。如图10所示，每个曝光头230都包括数字微镜装置(DMD)236。 DMD 236为用于对光束进行空间光调制的空间光调制器。光束为从光源238发射 并通过光纤240传递的光束。DMD 236连接到包括图像数据处理单元、镜 驱动控制单元或类似单元的曝光设备控制器228。在曝光设备控制器228的图像数据处理单元中，产生用于每个曝光头 230的用于控制DMD236中的微镜的驱动的控制信号。此外，为DMD控制 器的镜驱动控制单元控制用于每个曝光头230的DMD 236的各微镜的反射 平面的角度。所述角度根据由图像数据处理单元产生的控制信号进行控 制。如图11所示，捆状光纤240被布置在各曝光头230中所设置的DMD236 的光线接收侧。每个光纤240从光源238延伸出来。光源238可以为可以用 作普通光源的紫外线灯(UV灯)、氤气灯或类似灯。光源238包括多个光线结合模块(未示出)。多个光线结合模块中的每 个结合从多个半导体激光器芯片发射的激光束，并使激光束进入光纤。从 每个光线结合模块延伸的光纤为用于传递相结合的激光束的光纤。多个光纤捆扎成捆以形成捆状光纤240。此外，如图10所示，镜242被布置在每个曝光头230中的DMD236的光 线接收侧。镜242将从捆状光纤240发射的光线反射到DMD 236。如图13所示，在DMD236中，多个微镜M被两维布置。每个微镜M由 支柱(未示出)支撑并布置在SRAM (静态随机存取存储器)单元(存储 单元)244上。DMD 236具有矩形形状，而DMD 236为其中每个均形成像 素的多个(例如，600x800)微镜M被布置成栅格形式的镜装置。此外， 在每个像素的顶部，设置由支柱支撑的微镜M。此外，具有高反射性的材 料(例如，铝)通过气相沉积沉积在各微镜M的表面上。此外，SRAM单元244通过具有铰链和轭状部(未示出)的支柱恰好 布置在微镜M的下方。SRAM单元244为硅栅CMOS (互补金属氧化物半导 体)，CMOS在用于生产半导体存储器的普通生产线中进行制造。此外， 总体来看，DMD具有单片(单件)结构。当数字信号储存在DMD 236的SRAM单元244中时，由支柱支撑的微 镜M相对于微镜M的对角线倾斜。微镜M相对于其上布置DMD的基板在士a 度(例如，士10度)的范围内倾斜。在图14A中，微镜M打开，且微镜M倾 斜+a度。在图14B中，微镜M关闭，且微镜M倾斜-a度。在DMD中，用于 DMD236的各像素的微镜M的倾斜角度如上所述根据图像信号进行控制。 因此，己经进入个DMD 236的光线反射到对应于每个微镜M倾斜的方向。图13是说明DMD236的局部放大图的视图。在图13中所示的实例中， 每个微镜M倾斜+a度或-a度。每个微镜M的开/关通过连接到DMD 236的曝 光设备控制器228控制。例如，通过打开的微镜M反射的光线通过将在后 面说明的成像光学系统259 (请参照图IO)传递。成像光学系统259设置在 DMD 236的发光侧。然后，图像通过经由成像光学系统259传递的光线形 成于感光件201上，并将感光件201曝光。此时，通过关闭的微镜M反射的 光线进入光线吸收材料(未示出)，且感光件201未曝光。此外，优选DMD236稍微倾斜，使得DMD26的矩形形状的纵向相对 于输送方向(图15B中的Y方向)形成预定的角度e(例如，0.1度到0.5度)。
图15A是说明当DMD236未倾斜时在感光件201上的像素光束L的路径(在 下文中称为输送路径)的视图。像素光束L为通过每个微镜反射的光束， 而输送路径为通过输送形成的像素光束的路径。图15B是说明当DMD236 倾斜时像素光束L的输送路径的视图。如上所述，如果DMD236倾斜，则可以使输送路线(请参照图15B) 之间的间距P2比输送路线(请参照图15A)之间的间距P1窄。间距P1为当 DMD236不倾斜时输送路线的间距。此外，输送路线为显示通过每个微镜 M反射的像素光束L的输送路径的路线。因此，如果DMD 236倾斜，则当 通过曝光形成图像时，可以极大地改进形成于感光件201上的图像的分辨 率。此时，由于DMD236的倾斜角度很小，所以，DMD236倾斜时的输送 宽度W2以及DMD236不倾斜时的输送宽度W1近似相同。此外，可以将DMD布置成使得在相同的输送路线上的基本相同的位 置(点)通过彼此不同的成行的微镜被多次(多重曝光)曝光。在此情况 下，感光件的相同区域多次曝光。因此，可以控制更高分辨率的曝光，且 使高精确的曝光变为可能。此外，由于曝光以高分辨率进行，所以，可以 将感光件曝光，使得曝光头之间的连接区域变得不明显。接下来，将说明成像光学系统259。成像光学系统259设置在曝光头230 的DMD236的发光侧。如图10所示，在成像光学系统259中，光学元件(即， 透镜系统250和252、微透镜阵列254和物镜系统256和258)以此顺序布置。 光学元件沿光学路径从DMD 236侧到感光件201侧进行布置。在此，透镜系统250和252是放大光学系统。感光件201的曝光区域232 的区域通过透镜系统250和252放大到预定的尺寸。曝光区域232通过将在 DMD236处反射的像素光束投射到感光件201上形成以将感光件201曝光。如图10所述，微透镜阵列254包括与DMD 236的微镜M相对应的多个 微透镜260。微透镜260和微镜M为一一对应。此外，多个微透镜形成整体。 每个微透镜260都被布置成传递已经通过透镜系统250和252传递的每个像 素光束。微透镜阵列254整体的形状为矩形平板。在每个微透镜260形成在其中 的微透镜阵列254的一部分处，孔洞262 (图10所示)以一体方式布置用于 每个微透镜260。孔洞262以一一对应的方式形成用于每个微透镜260。因
此，形成孔径光阑(aperture stop)。例如，物镜系统256和258为以1: l放大图像的l: l放大光学系统。此 外，感光件201被布置在通过穿过物镜系统256和258的像素光束L形成图像 的位置处。在成像光学系统259中，透镜系统250和252以及物镜系统256 和258中的每个在图10中为单一透镜。然而，每个透镜系统都可以通过组 合多个透镜(例如，凸透镜和凹透镜)形成。如上所述，图像可以通过利用曝光头230用从光源238发射的光线形成 于感光件201的表面上。接下来，将说明通过曝光设备200将图像投影到感光件201上以便曝光 感光件201的过程。首先，如上所述，将投影头聚焦位置测量方法应用到每个曝光头230A， 230B…，并测量每个图像的聚焦位置。聚焦位置为当每个图像通过每个曝 光头230A， 230B…形成于感光件201上时的聚焦位置。然后，在通过每个 曝光头230A, 230B,...形成于感光件上的每个图像的聚焦位置的偏移根据 测量的聚焦位置被校正。激光束(例如，紫外线光束)以分散状态从光源238中的每个激光发 光元件发射。然后，激光束通过准直透镜被校准并通过聚光透镜聚集。造 成聚集的光束进入多模光纤的芯体的光线接收端并相结合。接着，将激光 束发射到连接到多模光纤(没有详细显示)的发光端的光纤240。将与被投影以将感光件曝光的图像相对应的图像数据输入到连接到 DMD 236的曝光设备控制器228。图像数据暂时储存在曝光设备控制器228的存储器中。图像数据为表示利用两个值(无论是否记录点)形成图像的 每个像素的密度的数据。将感光件201吸到平台214的表面上。平台214通过未显示的驱动设备 以恒定速度沿导向件220移动。平台214从输送方向的上游侧向下游侧移 动。当平台214通过门222下方时，连接到门222的检测传感器226检测到感 光件201的前缘。然后，顺序读出储存在存储器中用于多个路线的图像数 据。接着，图像数据处理单元根据从存储器读出的图像数据产生用于控制 用于每个曝光头的微镜M的控制信号。然后，DMD 236的每个微镜的开/关通过曝光设备控制器228的镜驱动 控制单元对每个曝光头230进行控制。开/关根据已经进行黑斑调节 (shading adjustment)和曝光量调节的控制信号来控制。进行黑斑调节和 曝光量调节，使得光线量变为均匀分布。光束从光纤240发射并由镜242反射。然后，光束对DMD 236进行照明。 DMD 236的微镜打开时通过DMD 236反射的激光通过透镜系统传递，其中 所述透镜系统包括对应于微镜的微透镜阵列254中的微透镜260。接着，图 像形成于感光件201的曝光表面上。如上所述，从DMD 236发射的像素光 束L的开/关对于每个微镜进行控制。因此，将感光件201曝光使得数量与 用于DMD236中的像素的数量接近相同的像素单元(曝光区)投射到感光 件201上，以将感光件201曝光。此外，由于感光件201以恒定的速度与平台214—起移动，所以，感光 件201相对于曝光单元224在与平台的运动方向相反的方向上相对移动。因 此，带状曝光区234通过每个曝光头230形成，并将感光件曝光以在感光件 上形成图像。具体地，图像通过用像素光束L照明感光件201形成于感光件201上。 像素光束L为通过对应于通过将感光件曝光形成的图像进行调制而产生的 光束。调制由DMD236执行。当通过曝光单元224进行的感光件201的曝光结束且检测传感器226检 测到感光件201的后边缘时，平台214返回到在输送方向的最上游侧的起始 处。平台214通过没有显示的驱动设备沿导向件220返回。然后，平台214 再次沿导向件220以恒定的速度从输送方向的上游侧向下游侧移动。在根据本实施例的曝光设备200中，DMD被用作用在曝光头230中的 空间光调制器。然而，也可以使用其它种类的装置代替DMD。例如，MEMS (微机电系统)类型的空间光调制器(SLM:空间光调制器)可以用作空 间光调制器。反射衍射光栅型的光栅光阀元件(由Silicon Light Machines 生产的GLV元件)也可以用作空间光调制器。GLV元件通过在一个方向布 置多个光栅形成。(GLV元件在美国专利第5， 311， 360号中进行了详细说 明。因此，在此省略GLV元件的说明)。此外，用于通过电光效应调制透 射光线的光学元件(PLZT元件压电锆钛酸铅镧(piezoelectric lanthanum-modified lead zirconate titanate))也可以用作空间光调帝lj器。此
外，透射型空间光调制器(例如，液晶快门(FLC:铁电液晶))、或除MEMS型之外的空间光调制器也可以用作空间光调制器。在此，术语"MEMS"用作表示微系统的通用术语，在所述微系统中， 根据IC生产过程利用微加工技术将微型尺寸传感器、致动器和控制电路形 成一体。MEMS型的空间光调制器指利用静电力通过机电操作驱动的空间 光调制器。将说明根据本发明的投影头聚焦位置测量方法被应用到曝光设备 200F的情况。曝光设备200F为将聚焦位置自动调节单元增加到曝光设备 200的设备。图16是说明聚焦位置自动调节单元的结构的示意图。图17是 说明在连接聚焦位置自动调节单元的曝光设备中的位置的透视图。图18是 说明形成聚焦位置自动调节单元的部件的一对楔形棱镜的放大透视图。在曝光设备200F中，聚焦位置自动调节单元300被增加到曝光设备 200。因此，即使放置在平台214上并输送的感光件201变形，当测试图像 图案Gk投影到感光件201上时，也可以补偿并校正该变形。因此，测试图 像图案Gk可以以与感光件201未变形时投影测试图像图案Gk的条件相似 的条件投影到感光件201上。具体地，曝光头230的聚焦位置可以自动定位于输送的已变形的感光 件201上。例如，聚焦位置通过在曝光头230和通过曝光头230曝光的感光 件201上的曝光区域之间保持恒定的距离自动定位。此外，曝光头230的聚 焦位置可以在相对于图16中的Z方向上以距离变形的感光件201的预定距 离h自动定位。如上所述，如果聚焦位置自动调节单元增加到曝光设备，即使感光件 201变形，也可以以与感光件201未变形的情况相似的方式处理感光件201。 因此，在增加聚焦位置自动调节单元的曝光设备中，可以应用投影头聚焦 位置测量方法而不用考虑感光件201的变形。换言之，即使感光件201实际 上发生变形，也可以像感光件201未变形一样应用投影头聚焦位置测量方 法。聚焦位置自动调节单元300包括空气间隙调节单元310、长度测量单元 320和控制单元240。空气间隙调节单元310插在感光件201和成像光学系统259之间。感光 件201通过将感光材料1叠置在基板2上并放置在平台214上而形成。空气间 隙调节单元310改变感光件201和成像光学系统259之间的空气间隙。长度测量单元320布置在门222处，并固定长度测量单元320和曝光头 230之间的位置关系。长度测量单元320通过利用激光Le测量到图像图案通 过曝光头230投影到其上的感光件201上的区域232R的距离、或到在区域 232R附近的感光件201上的区域的距离。控制单元240根据通过长度测量单元320测量的距离的值改变空气间 隙。此外，控制单元240控制曝光头230的聚焦位置，使得聚焦位置被定位 于感光件201上或在相对图16中的Z方向上距离感光件201预定距离h处。如图16和图18所示，空气间隙调节单元31 O包括共同形成一对楔形棱 镜的楔形棱镜312A和楔形棱镜312B。空气间隙调节单元310还包括用于相 对于楔形棱镜312A移动楔形棱镜312B的驱动单元314。例如，该对楔形棱镜可以通过切割由具有平面HK的透明材料(例如，玻璃或丙烯酸)制成的平行平板而形成。平面HK为相对于平行平板的平 行平面H11和H22斜对角倾斜的平面。楔形棱镜312B通过驱动单元314相对于楔形棱镜312A移动。因此，改 变由该对楔形棱镜312A和312B形成的平行平板的实质厚度，调节感光件 201和成像光学系统259之间的空气间隙。在此，通过将平行平板的实质厚 度乘以平行平板的折射率获得的值为通过将由平行平板形成的空气间隙 的厚度转换成空气的厚度而获得的值。空气间隙的厚度为平行平板的厚 度。空气间隙调节单元310被布置为使得平面H22和H11基本正交于从成 像光学系统259发射的光通量的光轴的方向(图16中的Z方向)。平面H22 和H11为由该对楔形棱镜312A和312B形成的平行平板的平行平面。将说明聚焦位置自动调节单元300的操作。感光件201在副扫描方向(图16中的Y方向)与平台214—起移动。每 个曝光头230A、 230B…都将图像图案投影到在正交于副扫描方向的主扫 描方向(图16中的X方向)延伸的带形区域232R上。在此，感光件201上相对于Y方向存在翘曲或波纹(例如，存在接近 IOO,的翘曲或波纹)。由于相对于X方向不存在翘曲或波纹，所以，翘曲 或波纹通过长度测量单元320测量。具体地，曝光头230的位置被用作标准 位置，并通过利用激光Le测量到图像图案通过曝光头230投影到其上的感 光件201上的区域232R的距离、或到在为区域232R附近的感光件201上的 区域233R的距离。例如，当平台214的上表面用作标准平面时，如果通过长度测量单元 320测量的从曝光头230到标准表面之间的距离为30mm，且如果感光件201 的厚度为lmm，且如果感光件不变形，则到图像图案通过曝光头230投影 到其上的感光件201上的区域232R的距离应该通过长度测量单元320测量 为29mm。此时，当将从曝光头230到已经通过长度测量单元320测量的感光件 201上的区域232R的距离的值输入到控制单元240时，控制单元240获得理 想距离的值(如上所述，29mm)和测量距离的值之间的差值。理想距离 为当感光件201未变形时从曝光头230到感光件201的距离，理想距离已经 预先输入和储存。此外，测量距离为相对于变形的感光件201已经通过长 度测量单元320测量的从曝光头230到区域232R的距离。接下来，控制单元240输出表示理想距离的值和到驱动单元314的测量 距离的值之间的差值。驱动单元314在X方向上移动楔形棱镜312B。因此， 如图16所示，投影头230的聚焦位置在Z方向上移动。聚焦位置移动该差值。 因此，曝光头230的聚焦位置可以定位于变形的感光件201上。此外，当曝光头230的聚焦位置应该定位在变形的感光件201以上lmm 的距离处时，距离相对于Z方向在未变形的感光件201以上lmm距离处的位 置的距离应该采用理想距离。如上所述，不必需将空气间隙调节单元310插在感光件201和成像光学 系统259之间。通过将空气间隙调节单元310插入物镜系统256和微透镜阵 列254之间可以获得相似的有利效果。
权利要求
1.一种用于测量投影头的聚焦位置的投影头聚焦位置测量方法，包括步骤制备叠置在基板上的感光材料；当改变从所述投影头到通过所述投影头将图像图案投影到其上的所述感光材料的投影距离、以及所述投影头的聚焦位置中的一个时，通过所述投影头将测试图像图案投影到所述感光材料的彼此不同的每个区域上；将其上已经投影测试图像图案的所述感光材料显影；以及确定待选择的聚焦位置，其中所述感光材料为下述感光材料，其中根据曝光光线量和曝光区域的尺寸来确定当所述感光材料在曝光后显影时被从所述基板去除的所述感光材料的区域、以及当所述感光材料在曝光后显影时没有从所述基板去除的所述感光材料的区域，而其中待选择的聚焦位置根据投影距离和所述投影头的聚焦位置中的一个来确定，投影距离和所述投影头的聚焦位置对应于所述感光材料通过显影已经被从所述基板去除的区域和所述感光材料通过显影没有从所述基板去除的区域之间的边界区域。
2. 根据权利要求l所述的投影头聚焦位置测量方法，其中所述测试图 像图案包括线部分和空间部分，所述线部分被投影而使得所述感光材料没 有从所述基板去除，而所述空间部分被投影而使得所述感光材料被从所述 基板去除。
3. 根据权利要求2所述的投影头聚焦位置测量方法，其中通过所述投 影头投影到聚焦位置的所述线部分的宽度小于所述感光材料相对于所述 基板的粘附极限尺寸。
4. 根据权利要求3所述的投影头聚焦位置测量方法，其中所述线部分 的宽度在所述粘附极限尺寸的50%到90%的范围内。
5. 根据权利要求2所述的投影头聚焦位置测量方法，其中通过所述投 影头投影到聚焦位置的所述空间部分的宽度大于所述投影头的分辨极限 尺寸。
6. 根据权利要求5所述的投影头聚焦位置测量方法，其中所述空间部 分的宽度在所述分辨极限尺寸的120%到150%的范围内。
7. 根据权利要求1到6中任一项所述的投影头聚焦位置测量方法，其 中所述测试图像图案己经投影到其上的所述感光材料的区域的尺寸为可 见尺寸。
8. 根据权利要求1到7中任一项所述的投影头聚焦位置测量方法，其 中所述边界区域为所述感光材料通过显影没有从所述基板去除、且与所述 感光材料通过显影已经被从所述基板去除的区域相邻的区域。
9. 根据权利要求1到8中任一项所述的投影头聚焦位置测量方法，其中待选择的聚焦位置通过在所述感光材料显影后在所述基板上进一步进 行蚀刻处理来确定。
10. 根据权利要求1到9中任一项所述的投影头聚焦位置测量方法，其 中设置多个投影头，且其中对所述多个投影头中的每个确定待选择的聚焦 位置。
11. 根据权利要求1到10中任一项所述的投影头聚焦位置测量方法， 其中待选择的聚焦位置为投影距离的中间位置和所述投影头的聚焦位置 的中间位置中的一个中间位置，所述投影距离的中间位置每个都与存在于 所述感光材料的区域之中的两个边界区域中的一个边界区域相对应，且所 述聚焦位置的中间位置每个都与存在于所述感光材料的区域之中的两个 边界区域中的一个边界区域相对应。
12. 根据权利要求l到ll中任一项所述的投影头聚焦位置测量方法， 其中所述感光材料的、彼此不同且每个上都被投影所述测试图像图案的区 域成行布置。
13. 根据权利要求2到12中任一项所述的投影头聚焦位置测量方法， 其中待选择的聚焦位置根据投影距离和所述投影头的聚焦位置中的一个 来确定，投影距离和所述投影头的聚焦位置中的每个都对应于两种或更多 种测试图像图案中的每个所获得的边界区域，且其中所述两种或更多种测 试图像图案为每个都包括线部分和空间部分的图案，且其中每个图像图案 中的线部分和/或空间部分的宽度不同于另一图像图案或其它图像图案中 的线部分和/或空间部分的宽度。
14. 根据权利要求2到12中任一项所述的投影头聚焦位置测量方法， 其中待选择的聚焦位置根据投影距离和所述投影头的聚焦位置中的一个 来确定，投影距离和所述投影头的聚焦位置中的每个都对应于两种或更多 种测试图像图案中的每个所获得的边界区域，且其中所述两种或更多种测 试图像图案为每个都包括线部分的图像图案，以及其中每个图像图案中的 线部分的方向不同于另一图像图案或其它图像图案中的线部分的方向。
15. 根据权利要求1到14中任一项所述的投影头聚焦位置测量方法， 其中当所述感光材料发生变形时，所述测试图像图案通过补偿所述变形被 投影，使得所述测试图像图案在与当所述感光材料未变形时投影的图像图 案的状态相似的状态下投影到所述感光材料上。
16. —种曝光方法，包括步骤通过对从光源发射的光线进行空间光调制获得图像图案；以及 通过由每个都包括空间光调制器的多个曝光头中的每个在相同的感 光材料上形成图像图案将感光材料曝光，其中所述空间光调制器包括调制 入射光的大量两维布置的调制元件，且其中通过当所述感光材料通过所述 多个曝光头曝光时，将根据权利要求1到15中任一项所述的投影头聚焦位 置测量方法应用到聚焦位置的测量中进行测量每个所述曝光头的聚焦位 置，且其中根据每个所述曝光头的聚焦位置，通过校正通过每个所述曝光 头投影到所述感光材料上的图像图案的聚焦位置的偏移由每个所述曝光
全文摘要
当从投影头(10)到感光材料(1)的投影距离(Fz)和聚焦位置(Pz)中的一个改变时，相同的测试图像图案(Gk)通过投影头(10)投影到基板(2)上的感光材料(1)的不同区域(R)上。因此，将感光材料(1)的每个区域(R)曝光。显影已经曝光的感光材料(1)。然后，根据与感光材料(1)已经通过显影被从基板(2)去除的区域相对应的投影距离(Fz)或聚焦位置(Pz)、以及与感光材料(1)通过显影没有从基板(2)去除的区域相对应的投影距离(Fz)或聚焦位置(Pz)之间的关系获得投影头(10)的聚焦位置。
文档编号G03F7/207GK101156110SQ20068001113
公开日2008年4月2日 申请日期2006年3月30日 优先权日2005年3月30日
发明者古和田一辉 申请人:富士胶片株式会社