显示设备及其驱动方法

专利名称：显示设备及其驱动方法
技术领域：
本公开涉及显示设备，更具体地，本发明涉及能够减少残留影像 并提高可见度的液晶显示设备。
背景技术：
一般而言，由于与典型的阴极射线管(CRT)相比，液晶显示器 (LCD)设备具有如体积小、重量轻和屏幕大之类的优点，因此人们 正在积极开发LCD设备。LCD使用多个单位像素显示图像，每个单 位像素包括薄膜晶体管(TFT)和液晶电容器。
液晶电容器包括像素电极、公共电极和设置在其间的液晶。在 LCD中，通过TFT向像素电极提供外部电荷，即数据信号来改变像
素电极和公共电极之间的电场。这样的电场中的改变改变了液晶分子 的朝向，从而改变了透过液晶分子的光的量，使LCD显示所需的图像。
然而，由于液晶的固有特性，受到图像粘滞的不利影响，LCD倾向于 具有较差可见度的局限。
LCD的分辨率与单位面积内所提供的单位像素的数目成正比。随 着每单位面积的单位像素数目的增加，分辨率增加。然而，随着分辨 率的增加，扫描线即栅极线的数目也增加，因此，将外部电荷，即数 据信号充电入一个像素电极的时间减少。终究，这使LCD难以显示所 需图像。

发明内容
根据示例性实施例，显示设备包括设置为矩阵形式的多个单位 像素；多条栅极线，分别沿行方向延伸并与所述单位像素连接；多条 第一和第二数据线，分别沿列方向上延伸并与所述单位像素连接；多 条充电控制线，分别沿行方向延伸并与所述单位像素连接；多条栅极 连接线，分别与至少两条相邻的栅极线连接；以及多条充电连接线， 分别与至少两条相邻的充电控制线连接。
在所述多条栅极线上、所述多条充电控制线上以及所述多条栅极 连接线上可以提供绝缘层。此处，所述多条充电连接线可以被设置在 所述绝缘层上。
所述多条充电连接线可以由与所述单位像素中的像素电极相同的 材料形成，并可以通过接触孔与所述充电控制线连接。
在所述多条栅极线上、所述多条充电控制线上以及所述多条栅极 连接线上可以提供绝缘层。此处，所述多条栅极连接线可以被设置在 所述绝缘层上。
所述多条栅极线可以穿过单位像素区域。所述第一和第二数据线可以与单位像素区域部分重叠，在一个单 位像素区域中，所述第一和第二数据线中与一个单位像素连接的数据 线的线宽度可以比所述第一或第二数据线中不与所述一个单位像素连 接的另一条数据线的线宽度更小。
所述单位像素可以包括薄膜晶体管(TFT)，所述TFT与所述 第一和第二数据线之一以及栅极线连接；以及在所述TFT上的区域中 提供的像素电极，所述TFT上的所述像素电极被移除。
所述单位像素包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极电极、 设置在栅极电极上的栅极绝缘层、以及设置在栅极电极上数据线下的 有源层，所述数据线和所述有源层具有相同的平面形状。
所述单位像素包括第一和第二子像素，其中，所述栅极线可以与 第一和第二子像素电连接，所述充电控制线可以与第一和第二子像素 中至少一个电连接。
可以使用不同的电压对所述第一和第二子像素充电。
在沿像素列方向上排列的所述多个单位像素中，奇数单位像素可 以与所述第一和第二数据线之一连接，偶数单位像素可以与所述奇数 单位像素未与之连接的另一条数据线连接。
所述第一子像素可以包括第一像素电极；以及第一TFT，所述
第一 TFT被配置为根据所述栅极线的栅极导通电压，将第一或第二数
据线上的信号施加至所述第一像素电极。
所述第二子像素可以包括第二像素电极；第二TFT，所述第二 TFT被配置为根据栅极线的栅极导通电压，将第一或第二数据线上的 信号施加至所述第二像素电极；充电控制电极；以及充电控制晶体管， 所述充电控制晶体管被配置为根据所述充电控制线的栅极导通电压， 将所述第二像素电极与所述充电控制电极彼此电连接。
所述充电连接线可以与至少一条栅极线或至少一条栅极连接线部 分重叠，在对与所述充电连接线重叠的所述至少一条栅极线或至少一 条栅极连接线施加栅极导通电压之后，对所述充电连接线施加所述栅 极导通电压。
所述多条充电控制线和多条栅极线可以被交替设置，所述充电连 接线可以与至少两条连接的充电控制线相邻设置的栅极线连接。
所述显示设备还可以包括多条存储线，所述多条存储线在多条第 一和第二数据线之间的区域中按列方向延伸。
所述单位像素可以包括第一像素电极、第二像素电极和充电控制 电极。此处，所述单位像素还可以包括第一存储线，穿过所述第一 像素电极并在像素行方向上延伸；第二存储线，穿过所述第二像素电 极并在像素行方向上延伸；以及第三存储线，穿过所述充电控制电极 并在像素行方向上延伸。
所述案一和第二像素电极包括多个具有弯曲度的域(domain)。
所述单位像素可以包括与所述栅极线连接的多个像素电极；与 所述充电控制线连接的充电控制电极，所述充电控制电极与所述存储 线部分重叠。
所述充电控制线的一部分向外延伸出像素单元，并与所述充电连 接线连接。根据另一个示例性实施例，显示设备包括设置为矩阵形式的多 个单位像素；多条栅极线，分别沿行方向上延伸并与所述单位像素连 接；多条第一和第二数据线，分别沿列方向上延伸并与所述单位像素 连接；多条栅极连接线，分别与至少两条相邻的所述栅极线连接；与 单位像素重叠的存储线；以及多条充电控制线，在两个像素行之间按 行方向延伸。
所述多条栅极线可以穿过单位像素区域。
所述单位像素可以包括像素电极，所述第一和第二数据线可以与 所述像素电极部分重叠，在一个单位像素区域中，所述第一和第二数 据线中与一个单位像素连接的一条数据线的线宽度可以比所述第一或 第二数据线中不与所述单位像素连接的另一条数据线的线宽度更小。
所述单位像素可以包括与所述第一和第二数据线之一以及栅极 线连接的TFT;以及在所述TFT上的区域中提供的像素电极，所述 TFT上的所述像素电极被移除。
所述充电控制线可以由与所述栅极线相同的材料形成，并与所述 存储线连接。
所述单位像素包括与所述栅极线以及第一和第二数据线之一连接 的至少一个TFT。
所述单位像素包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极电极、 设置在栅极电极上的栅极绝缘层以及设置在栅极电极上数据线下的有 源层，所述数据线和所述有源层具有相同的平面形状。
奇数像素可以与第一数据线连接，偶数像素可以与第二数据线连接。
所述单位像素可以包括多个子像素；第一TFT，被配置为与所 述多个子像素连接；以及第二TFT，被配置为与所述多个子像素的至 少一个连接，以及改变与其连接的子像素的充电电压。
根据另一个示例性实施例， 一种驱动显示设备的方法，所述显示 设备包括每一个包括多个子像素的多个单位像素，以及与所述多个子 像素连接的多条栅极线，其中至少两条或更多栅极线彼此连接，使得 通过施加一个栅极导通信号对所述栅极线施加数据信号，所述方法包
括施加一个栅极导通电压，以对所述多个子像素施加数据信号；以 及施加下一个栅极导通电压，以改变所述多个子像素中的至少一个的 子像素的数据信号。
在施加所述下一个栅极导通电压时，多个子像素中的至少一个的 子像素的数据信号可以增大或减小。


结合附图，从以下描述中将更详细地理解示例性实施例，附图中 图1是根据一个示例性实施例的显示设备的示意图； 图2是根据该示例性实施例的显示设备的电路图； 图3是根据该示例性实施例的显示设备的俯视图； 图4是沿着图3中的线A-A的截面视图； 图5是沿着图3中的线B-B的截面视图6至8是示出了根据示例性实施例的制造薄膜晶体管(TFT) 基底的方法的示意图9是沿着图6中的线A-A的截面视图10是沿着图6中的线B-B的截面视图11是沿着图7中的线A-A的截面视图12是沿着图7中的线B-B的截面视图13是沿着图8中的线A-A的截面视图14是沿着图8中的线B-B的截面视图15是根据另一个示例性实施例的显示设备的俯视图16是沿着图15中的线C-C的截面视图17是根据另一个示例性实施例的显示设备的俯视图18是沿着图17中的线C-C的截面视图。
具体实施例方式
图1是根据示例性实施例的显示设备的示意图，图2是根据该示 例性实施例的显示设备的电路图。
参考图1和2，根据本示例性实施例的显示设备包括像素矩阵、
多条栅极连接线110-1、 110-2和110-3、多条栅极线100-la、 100-2a、 跳3a、 lOO-lb、跳2b禾卩100-3b、多条第一数据线200-la、 200-2a、 200-3a、 200-4a、 200-5a和200-6a、多条第二数据线200-lb、 200漏2b、 200-3b、 200-4b、 200-5b和200-6b、多条充电控制线300-la、 300-2a、 300-lb和300隱2b以及多条充电连接线310-1和310-2。
像素矩阵包括以矩阵形式设置的多个单位像素500。像素矩阵包 括多个像素列和多个像素行。在本示例性实施例中，发射红、绿和蓝 光的单位像素500沿像素行方向顺序设置，但是设置方向不局限于此。 这就是说，发射红、绿和蓝光的单位像素500可以沿像素列方向顺序设 置。
如图1所示，第一数据线200-la、 200-2a、 200-3a、 200-4a、 200-5a 和200-6a之一被设置在对应像素列的左侧，而第二数据线200-lb、 200-2b、 200-3b、 200-4b、 200-5b和200-6b之一被设置在对应像素列的 右侧。像素列的奇数单位像素与第一数据线200-la、 200-2a、 200-3a、 200-4a、 200-5a和200-6a或第二数据线200-lb、 200-2b、 200-3b、 200-4b、 200-5b和200-6b连接。像素列的偶数单位像素与奇数单位像素未与其
连接的剩下的数据线连接。
多条栅极连接线110-1、 110-2和110-3连接至少两条相邻栅极线 100-la、 100-2a、 100-3a、 100-lb、 100-2b和100-3b。在本示例性实施 例中，如图l所示第一和第二栅极线对100-la和100-lb、或100-2a和 100-2b与栅极连接线110-l和110-2之一连接。可选地，多于2的更大数
目的栅极线可以与一条栅极连接线连接。在本示例性实施例中，两条 栅极线100-la和100-lb、 100-2a和100-2b或100-3a和100-3b与一条栅极 连接线110-1、 110-2或110-3连接。按照这种方式，栅极导通电压可以 同时被施加到第一和第二栅极线100-la和100-lb或100-2a和100-2b。
参照图2，示意了只与左侧数据线200-Da连接的奇数像素500 (奇)，以及只与右侧数据线200-Db连接的偶数像素500 (偶)。在图2 中，每个单位像素500包括第一子像素501和第二子像素502，但是单位 像素500的配置不局限于此。可选地，单位像素500中可以提供多于2 个的多个子像素。 奇数像素500 (奇)的第一子像素501包括第一薄膜晶体管(TFT) 601-a、第一液晶电容器Clcl和第一存储电容器Cstl。第一TFT 601-a 被配置为其栅极端与栅极线100-Ga (在图l中示为100-la、 100-2a和 100-3a)连接。
在奇数像素500 (奇)中，第一子像素501具有第一薄膜晶体管 601-a，该第一薄膜晶体管601-a的源极端与第一数据线200-Da (在图l 中示为200-la、 200陽2a、 200-3a、 200-4a、 200-5a和200-6a)连接。第 一薄膜晶体管601-a的漏极端与第一液晶电容器Clcl和第一存储电容 器Cstl连接。
偶数像素500 (偶)的第一子像素501包括第一薄膜晶体管(TFT)
601- b、第一液晶电容器Clcl和第一存储电容器Cstl。第一TFT 601-b 被配置为其栅极端与栅极线100-Gb (在图l中示为100-lb和100-2b)连接。
奇数像素500 (奇)的第二子像素502包括第二薄膜晶体管(TFT)
602- a、充电控制晶体管701-a、第二液晶电容器Clc2、第二存储电容器 Cst2和放电(charge down)电容器Cdown。第二TFT 602-a被配置为其 栅极端与栅极线100-Ga (在图l中示为100-la、 100-2a和100-3a)连接。 第二TFT 602-a的源极端与第一数据线200-Da (在图1中示为200-la、 200-2a、 200-3a、 200-4a、 200-5a或200-6a)连接。晶体管602-a的漏极 端与第二液晶电容器Clc2和第二存储电容器Cst2连接。充电控制晶体 管701-a被配置为栅极端与充电控制线300-Ca (在图l中示为300-la和 300-2a)连接。充电控制晶体管701-a的源极端与第二液晶电容器Clc2 连接；其漏极端与放电电容器Cdown连接。
在偶数像素500 (偶)中，第一子像素具有第一薄膜晶体管601-b， 该第一薄膜晶体管601-b的源极端与第二数据线200-Db (在图l中示为 200-lb、 200-2b、 200-3b、 200-4b、 200-5b和200-6b)连接。第一薄膜 晶体管601-b的漏极端与第一液晶电容器Clcl和第一存储电容器Cstl 连接。其栅极电极与栅极线100-Gb (图l中示为100-lb、 100^b和 100-3b)连接。
偶数像素500 (偶)的第二子像素502包括第二TFT602-b、充电控
制晶体管701-b、第二液晶电容器Cl'c2、第二存储电容器Cst2和放电电 容器Cdown。第二TFT602-b被配置为其栅极端与栅极线100-Gb (在图 l中示为100-lb、 100-2b)连接。晶体管602-b的源极端与第二数据线 200-Db(在图l中示为200-lb、200-2b、200-3b、200-4b、200-5b或200-6b) 连接。晶体管602-b的漏极端与第二液晶电容器Clc2和第二存储电容器 Cst2连接。充电控制晶体管701-b被配置为栅极端与充电控制线300-Cb (在图l中示为300-lb和300-2b)连接。充电控制晶体管701-b的源极 端与第二液晶电容器Clc2连接；其漏极端与放电电容器Cdown连接。
虽然没有示出，但是单位像素500还可以包括充电(Charge-up) 电容器Cup。在这种情况下，充电控制晶体管701的漏极端可以与充电 电容器Cup的一个电极连接。充电电容器Cup的另一个电极可以与第一 TFT 601的漏极端连接。
多条栅极线100-la、 100-2a和跳3a、 100-lb、 100陽2b禾口画-3b沿 像素矩阵的行方向上延伸。多条栅极线100-la、 100-2a、 100-3a、 100-lb、 100-2b和100-3b分别与像素矩阵的多个像素行连接。这就是说，栅极 线100-la、 100-2a和100-3a、 100-lb、 100-2b和100-3b之一和与其相对 应的一个像素行连接。如图l所示，多条栅极线100-la、100-2a和100-3a、 100-lb、 100-2b和100-3b中的每一条被设置为穿过单位像素区域。这 就是说，多条栅极线100-la、跳2a、 100-3a、 100-lb、 100-2b和100-3b
与单位像素区域部分重叠，但是，栅极线的设置不局限于此。可选地， 多条栅极线100-la、 100-2a和100-3a、 100-lb、 100-2b和100-3b可以沿
着单位像素区域的外围延伸。
多条第一和第二数据线200-la、 200-2a、 200-3a、 200-4a、 200陽5a、
200-6a、 200-lb、 200匿2b、 200-3b、 200-4b、 200-5b和200-6b沿像素矩 阵的列方向上延伸。多条第一和第二数据线200-la、 200-2a、 200-3a、 200-4a、 200-5a、 200-6a、 200-lb、 200-2b、 200-3b、 200-4b、 200-5b 和200-6b分别与像素矩阵的像素列连接。两条数据线与一个像素列连 接。这就是说，第一数据线200-la、 200-2a、 200-3a、 200-4a、 200-5a 和200-6a之一与一个像素列连接，第二数据线200-lb、 200-2b、 200-3b、 200-4b、 200-5b和200-6b之一也与该一个像素列连接。
由此，即使增加栅极线的数目以提高分辨率，也可以增加为每条 栅极线分配的用于施加栅极导通电压的时间。例如，以下描述分辨率
从1，920X1，080提高到4，096X2，160的情况。为了实现1，920X1,080的分 辨率，需要1，080条栅极线，而为了实现4，096X2，160的分辨率，需要 2，160条栅极线。这两种情况下为显示一个图像帧所分配的时间相同。 以下基于这样的假设来描述这两种情况，即为显示一个图像帧所分配 的时间是例如l秒。在具有1,080条栅极线的显示设备的情况下，对所 有栅极线，g卩l,080条栅极线施加栅极导通电压l秒，相应地，为一条 栅极线分配的用于施加栅极导通电压的时间是1/1，080秒。然而，在具 有2，160条栅极线的显示设备的情况下，对所有2，160条栅极线施加栅 极导通电压l秒，相应地，为一条栅极线分配的用于施加栅极导通电压 的时间是1/2，160秒。这就是说，如果分辨率提高两倍，则为一条栅极 线分配的用于施加栅极导通电压时间减半。
然而，在本示例性实施例中，两条栅极线100-la和100-lb或100-2a 和100-2b与一条栅极连接线110-l或110-2连接，相应地，栅极连接线 110-1和110-2的数目是1，080。因此，可以只向1，080条栅极连接线上施 加栅极导通电压，以便显示一个图像帧。这就是说，在本示例性实施 例中，同时向两条栅极线100-la和100-lb或100-2a和100-2b施加栅极导 通电压，为一条栅极线100-la、 100-lb、 100-2a或100-2b分配的用于施
加栅极导通电压的时间没有减少。
由于同时向彼此相邻的两条栅极线100-la和100-lb或100-2a和
100-2b施加栅极导通电压，分别与两条栅极线100-la和100-lb或 100-2a和100-2b连接的两个像素行同时运行。这就是说，彼此垂直相 邻的两个单位像素中的第一和第二 TFT 601和602被同时导通。若彼 此垂直相邻的两个单位像素中的第一和第二 TFT601和602与相同的 数据线连接，则由于垂直相邻的两个单位像素显示相同的图像而不能 提高分辨率。相应地，在本实施例中，设置在上方单位像素中的第一 和第二 TFT 601和602与第一数据线200-la、 200-2a、 200-3a、 200-4a、 200-5a和200-6a连接，而设置在下方单位像素中的第一和第二 TFT 601禾P 602与第二数据线200-lb、 200-2b、 200-3b、 2004b、 200-5b和200-6b连接。对第一和第二数据线200-la、 200-2a、 200-3a、 200-4a、 200-5a、 200-6a、 200-lb、 200-2b、 200-3b、 200-4b、 200-5b和200-6b
分别施加不同的数据信号，即电荷。由此，垂直相邻的两个单位像素 500可以分别显示不同的图像。
本示例性实施例的显示设备包括充电控制线300-la、 300-2a、 300-lb和300-2b，用于控制单位像素500中的第一和第二子像素501和 502中的电荷量。多条充电控制线300-la、 300-2a、 300-lb和300-2b沿 像素矩阵的行方向上延伸，并与多个像素行连接。多条充电控制线 300-la、 300-2a、 300-lb和300-2b与多条栅极线100-la、簡-2a、跡3a、 100-lb、 100-2b和100-3b电绝缘。
这就是说，每条充电控制线300-la、 300-2a、 300-lb和300-2b与和 像素行连接的栅极线100-la、 100-2a、 100-3a、 100-lb、 100-2b和100-3b 电绝缘，充电控制线300-la、 300-2a、 300-lb和300-2b自身与所述像素 行连接，但每条充电控制线300-la、 300-2a、 300-lb和300-2b与和下一 像素行连接的栅极线100-la、 100-2a、 100-3a、 100-lb、 100-2b和00-3b 电连接。按照这种方式，可以提高显示设备的可见度。向栅极线100-la、 100-2a、 100-3a、 100-lb、 100-2b或100-3b施加栅极导通电压，以在第 一和第二子像素501和502中积累电荷。随后，当向下一像素行中的栅 极线100-la、 100-2a、跳3a、 100-lb、 100-2b或100-3b施加栅极导通 电压时，也向多条充电控制线300-la、 300-2a、 300-lb和300-2b施加栅 极导通电压，从而改变了至少第一和第二子像素501和502之一中的电 荷量。在本示例性实施例中，减小第二子像素中的电荷量以提高可见 度。
在上述描述中，充电控制线300-la、 300-2a、 300-lb或300Jb与下 一像素行中的栅极线连接，使得充电控制线300-la、 300-2a、 300-lb 或300-2b同时接收栅极导通电压。这就是说，在本示例性实施例中， 通过与多条栅极连接线110-1、 110-2和110-3分别连接的多个级单元 (stage unit),向两条栅极线100-la和100-lb、 100-2a和100-2b或100-3a 和100-3b以及充电控制线300-la、 300-2a、 300-lb和300-Zb施加栅极导 通电压。然而，本发明不局限与此。这就是说，充电控制线300-la、 300-2a、 300-lb和300-2b可以与下一像素行中的栅极线100-la、 100-2a、 100-3a、 lOO-lb、 100-2b和100-3b分离，并通过分离的栅极导通电压提 供单元接收栅极导通电压，以改变子像素的电荷量。这就是说，可以 使用分离的级单元向充电控制线300-la、 300-2a、 300-lb和300-2b施加
栅极导通电压。
在本示例性实施例中，两条栅极线100-la和100-lb或100-2a和 100-2b通过一条栅极连接线110-l或110-2彼此连接。类似地，多条充电 控制线300-la、 300-2a、 300-lb和300-2b中，两条充电控制线300-la和 300-2a或300-lb和300-2b通过一条充电连接线310-l或310-2彼此连接。 充电连接线310-l或310-2与下一像素行的栅极连接线110-2和110-3连 接。在这种情况下，栅极连接线110-1与充电连接线310-1在预定的区 域部分重叠，该区域在图1中以"K"表示。因此，栅极连接线110-1、 110-2和110-3与充电连接线310-l和310-2可以形成桥形。这就是说，每 个充电控制线310-l和310-2分别与下一栅极线110-2和110-3连接，如果
它们全部与栅极线一起制造可能导致短路。出于这个原因，在本示例 性实施例中，充电连接线310-l和310-2不与栅极线一起制造，而是制
造为桥线的形状。
以下，参照附图，详细描述根据本示例性实施例的显示设备。
图3是根据该示例性实施例的显示设备的俯视图。图4是沿着图 3中的线A-A的截面视图。图5是沿着图3中的线B-B的截面视图。
参照图3至图5，显示设备包括TFT基底1000作为下基底，面对TFT 基底1000的公共电极基底2000作为上基底，以及设置在TFT基底IOOO 和公共电极基底2000之间的液晶3 0 。
可以在上和下基底的表面上设置对齐层(未示出)，以对齐液晶 分子。液晶30的对齐模式可以是垂直对齐模式，其中液晶30关于上和
下基底垂直对齐，但是对齐模式不局限于此。
TFT基底IOOO包括透明绝缘基底IO。透明绝缘基底10可以包括例
如玻璃或透明塑料。
TFT基底1000包括在绝缘基底10上沿行方向延伸的多条栅极线 100-Ga和100-Gb。多条栅极线100-Ga和100-Gb的一部分向上禾Q/或向下
突出，以形成第一和第二TFT601和602的第一和第二栅极端。栅极线 100-Ga和100-Gb可以具有单层结构或具有两层或更多层的多层结构。 在栅极线100-Ga和100-Gb具有两层或更多层的多层结构的情况下，一 层可以由低电阻材料形成，而其他层可以由与其他材料具有良好接触 特性的材料形成。例如，栅极线100-Ga和100-Gb可以由双层Cr/Al (或 Al合金)或双层A1 (或A1合金)/Mo形成。可选地，栅极线100-Ga和 100-Gb可以由各种金属或导电材料形成。
如图3所示，多条栅极线100-Ga和100-Gb的两条相邻栅极线 100-Ga和100-Gb通过多条栅极连接线中的栅极连接线110-G彼此连 接。栅极连接线U0-G可以由与栅极线100-Ga和100-Gb相同的材料形 成在相同的平面上。要与充电连接线310-C连接的充电焊盘120被设置 在栅极连接线110-G与第一栅极线100-Ga彼此连接的区域。可以在栅 极连接线110-G的末端提供用于与外部电路连接的栅极接触焊盘(未 示出)。
TFT基底1000包括多条充电控制线300-Ca和300-Cb，多条充电控 制线300-Ca和300-Cb沿与多条栅极线100-Ga和100-Gb相同的方向延 伸。充电控制线300-Ca和300-Cb部分地向上和/或向下突出，以形成充 电控制晶体管701的栅极端711。充电控制线300-Ca和300-Cb由与栅极 线100-Ga和100-Gb相同的材料形成在相同的平面上。如图3所示，两 条相邻的充电控制线300-Ca和300-Cb与充电连接线310-C连接。在充电 连接线310-C与两条充电控制线300-Ca和300-Cb之间设置有绝缘钝化 层。因此，充电连接线310-C与两条条充电控制线300-Ca和300-Cb通过 第一和第二充电接触孔321和322连接。充电连接线310-C与充电焊盘 120连接。
此处，TFT基底1000被分为图像显示区域和外围区域，在该图像 显示区域中提供了多个单位像素。充电连接线310-C可以被设置在外围 区域。由此，可以确保用于形成充电连接线310-C的充分的加工余量，
并可以防止图像显示区域与像素电极之间的短路。当然，图像显示区 域中提供了上述栅极线100-Ga和100-Gb。可选地，栅极线100-Ga和
lOO-Gb的一部分可以延伸至外围区域。可以在外围区域提供栅极连接
线110-G。可选地，栅极连接线110-G的一部分可以延伸至图像显示区 域。
TFT基底1000包括与多条栅极线100-Ga和100-Gb交叉的多条第一 和第二数据线200-Da和200-Db。第一和第二数据线200-Da和200-Db被 设置为与像素列的左侧和右侧相邻。第一和第二数据线200-Da和 200-Db部分突出，以形成第一和第二TFT601和602的第一和第二源极 端631和641。第一和第二数据线200-Da和200-Db可以具有单层结构或 具有两层或更多具有不同物理特性的层的多层结构。在第一和第二数 据线200-Da和200-Db具有两层或更多层的多层结构的情况下， 一层可
以由低电阻材料形成，以减小数据信号的延迟或电压降，而其他层可 以由与其他材料具有良好接触特性的材料形成。虽然第一和第二数据 线200-Da和200-Db被示意为具有线形，但不局限于此。这就是说，第 一和第二数据线200-Da和200-Db可以具有弯曲的直线或曲线形状。
TFT基底1000包括多条存储线400，该多条存储线400延伸入第一 和第二数据线200-Da和200-Db之间的区域。这就是说，多条存储线400 与第一和第二数据线200-Da和200-Db平行延伸。存储线400可以由与 第一和第二数据线200-Da和200-Db相同的材料形成在相同的平面上。 存储线400用作第一和第二存储电容器Cstl和Cst2的电极端。如图3所 示，存储线400部分突出，以形成突出部分410。此处，突出部分410 用作放电电容器Cdown的一个电极端。存储线400可以被设置为沿列方
向穿过单位像素的中心区域。沿列方向上设置的多个单位像素中的第 一和第二TFT 601和602被交替设置在存储线400的左侧和右侧。考虑
到如图3所示的相同像素列中的两个单位像素，上方单位像素中的第一 和第二TFT 601和602被设置在存储线400的右侧，而下方单位像素中 的第一和第二TFT 601和602被设置在存储线400的左侧。这是因为， 第一和第二数据线200-Da和200-Db位于像素列的左侧和右侧；两个单 位像素之一与在其左侧的第一数据线200-Da连接；而两个单位像素中 的另一个与在其右侧的第二数据线200-Db连接。
TFT基底1000包括第一和第二像素电极510和520。第一电极510 用作第一液晶电容器Clcl和第一存储电容器Cstl的一个电极端，第二
电极520用作第二液晶电容器Clc2和第二存储电容器Cst2的一个电极 端。第一和第二像素电极510和520由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌 (IZO)之类的透明导电材料形成。第一和第二像素电极510和520设 置在单位像素区域中。第一和第二像素电极510和520由截断部分彼此 分隔开。如图3所示，该截断部分可以具有反V形。第一像素电极510 被设置在单位像素区域的上方，第二像素电极520被设置在单位像素区 域的下方。第一和第二像素电极510和520包括多个域。截断图案或突 出部分用于分割域。第一和第二像素电极510和520可以被设置为关于 存储线400镜像对称。第一和第二像素电极510和520与其下的结构之间 提供绝缘层，所述其下的结构例如是第一和第二TFT601和602、栅极 线1 OO-Ga和1 OO-Gb 、第 一 和第二数据线200-Da和200-Db以及存储线 400。有机层和/或无机层可以被用作绝缘层。在本示例中，使用有机 钝化层530作为绝缘层。可选地，可以在有机钝化层530之下进一步提
供氮化硅层。
在本示例性实施例中，栅极线100-Ga和100-Gb被设置为为沿如图 3所示的行方向上跨过第一和第二像素电极510和520之间的区域，即截 断区域。由于栅极线100-Ga和100-Gb被设置在单位像素区域内，因此， 栅极线100-Ga和100-Gb与第一和第二像素电极510和5M之间的重叠
区域成为均匀的。通过这种配置，可以解决由重叠区域中产生的寄生
电容引起的问题。
TFT基底1000包括第一和第二TFT 601和602，所述第一和第二 TFT 601和602与第一和第二数据线200-Da和200-Db之一以及栅极线 1 OO-Ga和1 OO-Gb之一 连接。
第一TFT 601包括第一栅极端611、第一源极端631和第一漏极端 651。类似地，第二TFT602包括第二栅极端621、第二源极端641和第 二漏极端661。第一TFT 601还包括第一栅极端611上的栅极绝缘层612、 栅极绝缘层612上的有源层613和欧姆接触层614。第二TFT 602还包括 第二栅极端621上的栅极绝缘层622、栅极绝缘层622上的有源层623和 欧姆接触层624。如图3和4所示，第一和第二栅极端611和621被形成为 单体。栅极绝缘层612和622可以包括氮化硅层或氧化硅层。有源层613
和623被设置在第一和第二栅极端611和621上。第一和第二源极端631 和641以弯曲的直线的形式形成在有源层613和623上。这就是说，如图 3所示，第一和第二源极端631和641包括第一至至第三延伸直线、第一 连接线和第二连接线。第一连接线被设置在栅极线100-Ga和100-Gb的 下方，并连接第一和第二延伸直线。第二连接线被设置在栅极线100-Ga 和100-Gb的上方，并连接第二和第三延伸直线。第一连接线与第一数 据线200-Da或第二数据线200-Db连接。第一和第二漏极端651和661分 别从第一和第二像素电极510和520的下方区域延伸至有源层613和623 的上方区域。第一漏极端651延伸至第一和第二延伸直线之间的区域， 以及第二漏极端661延伸至第二和第三延伸直线之间的区域。第一漏极 端651通过第一像素接触孔652与第一像素电极510连接。第二漏极端 661通过第二像素接触孔662与第二像素电极520连接D
虽然未示出，但是，有源层613和623不仅被定位在第一和第二栅 极端611和621之上，也可以被定位在第一和第二漏极端651和661的下 方区域中。有源层613和623也可以被定位在第一和第二数据线200-Da 和200-Db的下方区域中。这就是说，有源层613和623被定位在第一和 第二数据线200-Da和200-Db之下，以及第一和第二数据线200-Da和 200-Db以及有源层613和623具有相同的平面形状。
TFT基底1000包括与充电连接线310-C连接的充电控制晶体管 701。充电控制晶体管701包括与充电连接线310-C和充电控制线 300-Ca和300-Cb连接的栅极端711;设置在栅极端711上的栅极绝缘层 712;设置在栅极端712上的栅极绝缘层712上的有源层713;设置在有 源层713上的源极和漏极端721和731。源极端721通过源极接触空722 与第二像素电极520连接。漏极端731通过漏极接触孔732与充电控制电 极800连接。充电控制电极800被用作放电电容器Cdown的一个电极端。 这就是说，充电控制电极800的一部分与存储线400的突出部分410重 叠。当导通充电控制晶体管701时， 一些积累在第二像素电极520中的 电荷由充电控制晶体管701移动至充电控制电极800中。充电控制电极 800与第一和第二像素电极510和520同时形成。充电控制电极800定位 于截断区域中第二像素电极520的下方，以及充电控制晶体管701位于
与第二像素电极520的截断区域相邻的区域，由此可以使接触连接所需 的互连接的长度最小化，并从而可以抑制孔径比的减小。
此后，公共电极基底2000包括光透射绝缘基底20;光遮挡图案 910;红、绿和蓝色滤色器920;设置在光遮挡图案910和滤色器920上 的涂层930;以及设置在涂层930上的公共电极940。此处，光遮挡图案 910防止相邻单位像素区域之间的光泄漏和光干扰。使用黑矩阵作为光 遮挡图案910。涂层930由有机材料形成。公共电极940由诸如ITO、 IZO 等之类的透明导电材料形成。公共电极940中提供了多个截断图案941， 用于控制域，但是域的控制不局限于此。这就是说，可以采用其他组 件或方式，例如突出部分来控制域。
公共电极940被用作每个第一和第二液晶电容器Clcl和Clc2的一 个电极端。这就是说，在第一液晶电容器Clcl中，第一像素电极510 用作上电极，公共电极940用作下电极，而液晶30用作电介质。类似地， 在第二液晶电容器Clc2中，第二像素电极520用作上电极，公共电极940 用作下电极，而液晶30用作电介质。
TFT基底1000和公共电极基底2000彼此附着，其间插入液晶30，
以制造根据本示例性实施例的显示设备的基板。虽然未示出，但是该 显示设备还可以包括在基板两侧的极化薄膜、背光和光学板/片等等。
在本示例性实施例中，两条栅极线100-Ga和100-Gb通过一条栅极 连接线110-G彼此连接，以及栅极导通电压被施加至栅极连接线 lOO-Ga。按照这种方式，即使在提高分辨率时，也可以防止充电时间 即TFT的栅极导通时间的减少。此外，可以制造单位像素，使其包括 第一和第二子像素以及充电控制器，所述充电控制器根据下一栅极导 通电压驱动，并从而控制第二子像素的电荷量。此处，第一子像素是 表示高等级的主像素，而第二子像素是表示低等级的次像素。由此， 可以改善显示设备的可见度。
以下将详细描述具有上述配置的显示设备的制造方法，尤其集中 描述TFT基底。
图6至8是示意根据示例性实施例的制造TFT基底的方法的示意 图。图9是沿着图6中的线A-A的截面视图，图10是沿着图6中的线B-B的截面视图。图11是沿着图7中的线A-A的截面视图，图12 是沿着图7中的线B-B的截面视图。图13是沿着图8中的线A-A的 截面视图，图14是沿着图8中的线B-B的截面视图。
参照图6、 9和10，在基底10上形成第一导电层。对该第一导电层 进行构图以形成多条栅极线100-Ga和i00-Gb、多条栅极连接线110-G 和充电控制线300-Ca和300-Cb。此时，同时形成第一和第二TFT的栅 极端611和621与充电控制晶体管的栅极端711。
第一导电层可以包括Cr、 MoW、 Cr/Al、 Cu、 Al (Nd)、 Mo/Al、 Mo/Al (Nd)、 Cr/Al (Nd)、 Mo/Al/Mo之一及其组合。但是，第一导电 层不局限于此。这就是说，如上所述，第一导电层可以包括A1、 Nd、 Ag、 Cr、 Ti、 Ta、 Mo之一或其组合，或包括至少一种上述元素的合金。 进一步，第一导电层可以由单层或多层结构形成。具体地，第一导电 层可以是双层或三层，所述双层或三层包括具有良好物理和化学特性 的金属层，例如Cr、 Ti、 Ta和Mo，以及具有低特定电阻系数的金属层， 例如基于Al的金属或基于Ag的金属。在基底的整个表面上形成第一导 电层之后，形成光致抗蚀剂层，此后，使用掩模执行光刻工艺，以形 成光致抗蚀剂掩模图案。使用光致抗蚀剂掩模图案作为蚀刻掩模进行 蚀刻处理。由此，如图6、 9和10所示，形成第一和第二栅极线100-Ga 和100-Gb，并形成连接第一和第二栅极线100-Ga和100-Gb的栅极连接 线110-G。在第一和第二栅极线100-Ga和100-Gb上形成多个栅极端611 和621。形成第一和第二充电控制线300-Ca和300-Cb，并在第一和第二 充电控制线300-Ca和300-Cb形成栅极端711。
参照图7、 11和12，在形成栅极线100-Ga和100-Gb的基底10上，
顺序形成栅极绝缘层612和622、用于有源层的薄膜和用于欧姆接触层
的薄膜。此后，对用于有源层的薄膜和用于欧姆接触层的薄膜进行构 图以形成有源层613、 623和713以及欧姆接触层614和624。
栅极绝缘层612和622可以由包括氧化硅或氮化硅的无机绝缘材 料形成。使用非晶硅层作为用于有源层的薄膜。使用重掺杂n型杂质的 硅化物或非晶硅层作为用于欧姆接触层的薄膜。
随后，在所产生的结构上形成第二导电层，并接着对其进行构图
以形成第一和第二数据线200-Da和200-Db、源极端631、 641和721、 漏极端651、 661和731以及存储线400。第二导电层可以是单层或多层， 可以由Mo、 Al、 Cr、 Ti之一及其组合形成。当然，第二导电层可以由 与用于第一导电层的材料相同的材料来形成。按照这种方式，制造第 一和第二TFT 601和602，每个第一和第二TFT 601和602包括栅极端611 和621、源极端631和641以及漏极端651和661。进一步，制造充电控制 晶体管701，该充电控制晶体管701包括栅极端711、源极端721和漏极 端731。
参照图8、 13和14，在形成第一和第二TFT 601和602以及充电控 制晶体管701的基底10上形成钝化层530。使用光致抗蚀剂掩模图案， 通过蚀刻工艺部分地移除钝化层530，从而形成第一和第二像素接触孔 652和662，该第一和第二像素接触孔652和662暴露出了第一和第二 TFT 601和602的漏极端651和661。形成源极接触孔722以暴露出充电 控制晶体管701的源极端721的一部分，形成漏极接触孔732以暴露出充 电控制晶体管701的漏极731的一部分。形成充电接触孔321和322以暴 露出充电控制线300-Ca和300-Cb的一个末端部分。形成暴露出充电焊 盘120的一部分的接触孔。
在形成接触孔的钝化层530上形成第三导电层。使用光致抗蚀剂
掩模图案(未示出)对该第三导电层进行构图，以形成具有截断图案 的第一和第二像素电极510和520，形成充电控制电极800，并形成充电 连接线310-C。
该第三导电层可以采用包括ITO或IZO的透明导电层。第一像素电 极510通过第一像素接触孔652与第一TFT601的漏极端651连接。第二 像素电极520通过第二像素接触孔662与第二TFT 602的漏极端661连 接，并通过源极接触孔722与充电控制晶体管700的源极端7M连接。充 电控制电极800通过漏极接触孔732与充电控制晶体管700的漏极端731连接。
形成在由栅极连接线110-G彼此连接的两条栅极线100-Ga和 100-Gb之间的充电控制线300-Ca的第一充电控制孔321，通过充电连接 线310-C，与设置在充电控制线300-Ca的下方的充电控制线300-Cb的第
二充电接触孔322连接。充电连接线310-C与下一像素行中的栅极连接 线和/或栅极线的充电焊盘连接。
这样的由第三导电层形成的充电控制线310-C通过第一和第二充 电接触孔321和322与充电连接线310-C下方的充电控制线300-Ca和 300-Cb连接的结构被称为桥线。
通过上述程序，可以制造具有第一和第二子像素、并能够调整第 一和第二子像素中的电荷量的单位像素。进一步，可以同时驱动彼此 垂直相邻的上和下单位像素。
在形成第一和第二像素电极510和520之后，在所产生的结构上形 成第一对齐层(未示出)，从而完成下基底，即TFT基底。
虽然未示出，但是，通过在透明绝缘基底上顺序形成黑矩阵、滤 色器、涂层、突出图案、透明公共电极和第二对齐层(未示出)，准备 好了公共电极基底。此后，TFT基底和公共电极基底彼此附着，其间 插入分隔器(spacer,未示出)。随后，通过在由在TFT基底和公共电
极基底之间的分隔器形成的空间中注入液晶材料来形成液晶层，从而 完成了根据本示例性实施例的LCD。
虽然本示例性实施例的TFT基底通过5片掩模形成，但是，掩模处 理不局限于此。这就是说，可以5片或更多片掩模、或5片或更少片掩 模来形成TFT基底。
本发明不局限与上述的描述，但是，存储线可以与栅极线平行延
伸，设置在单位像素的两侧的第一和第二数据线可以具有不同的线宽
度。参照附图，描述根据另一个示例性实施例的显示设备。在以下描
述的示范性实施例中，将省略在前述示例性实施例中已经解释过的重
复的描述。应注意，以下所描述的示例性实施例也适用于前述示例性
实施例的显示设备。
图15是根据另一个示例性实施例的显示设备的俯视图，以及图
16是沿着图15中的线C-C的截面视图。
参照图15和图16，根据本实施例的显示设备包括与栅极线100-Ga
和100-Gb平行延伸的第一至第三存储线401、 402和403。第一存储线
401穿过第一子像素区域，第二和第三存储线402和403穿过第二子像素
区域。第一存储线401包括与第一像素电极510重叠的第一突出部分。 第二存储线402包括与第二像素电极520重叠的第二突出部分。第三存 储线403包括与充电控制电极800重叠的第三突出部分。通过第一像素 接触孔与第一像素电极510连接的第一TFT 601的漏极端651被设置在 第一突出部分上。因此，根据第一突出部分与第一TFT 601的漏极端 651之间的重叠面积来改变第一存储电容器Cstl的电容。通过第二像素 接触孔与第二像素电极520连接的第二TFT 602的漏极端661被设置在 第二突出部分上。因此，根据第二突出部分与第二TFT 602的漏极端 661之间的重叠面积来改变第二存储电容器Cst2的电容。通过接触孔与 充电控制电极800连接的充电控制晶体管700的漏极端731被设置在第 三突出部分上。因此，根据第三突出部分与放电电容器Cdown的漏极 端731之间的重叠面积来改变放电电容器Cdown的电容。本示例性实施 例的第一至第三存储线401、 402和403与栅极线100-Ga和100-Gb—起 形成。第一至第三存储线401、402和403全部与基底10的一侧区域连接。 在本示例性实施例中，第一和第二数据线200-Da和200-Db与第一 和第二像素电极510和520重叠。第一和第二数据线200-Da和200-Db之 一与第一和第二TFT601和602的源极端631和641连接。使与第一和第 二TFT 601和602的源极端631和641连接的数据线的线宽度比没有连 接源极端631和641的数据线的线宽度更小，从而维持用于传送数据信 号的线与像素电极之间的寄生电容恒定。这就是说，在本示例性实施 例中，通过使单位像素区域中像素电极与用于传送数据信号的线的重 叠面积彼此相等，可以维持寄生电容恒定。如图15所示，由于位于上 方单位像素的左边缘的第一数据线200-Da不具有延伸出的源极端，因 此，其具有与第一数据线200-Da与第一和第二像素电极510和520之间
的重叠面积相对应的寄生电容。然而，位于上方单位像素区域的右边 缘的第二数据线200-Db的一部分延伸出以形成源极端631和634。因
此，第二数据线200-Db具有与源极端631和634与第一和第二像素电极 510和520之间的重叠面积以及第二数据线200-Db与第一和第二像素 电极510和520之间的重叠面积相对应的寄生电容。因此，可以使第二 数据线200-Db的线宽度T2小于第一数据线200-Da的线宽度Tl。此处，
可以使第二数据线200-Db的线宽度T2小于第一数据线200-Da的线宽 度T1，使得通过源极端631和634与第一和第二像素电极510和520之间 的重叠面积来减小寄生电容。可选地，可以使第一数据线200-Da的线 宽度Tl大于第二数据线200-Db的线宽度T2。
类似地，如图15所示，由于位于下方单位像素的右边缘的第二数 据线200-Db不具有延伸出的源极端，因此，其具有与第二数据线 200-Db与第一和第二像素电极510和520之间的重叠面积相对应的寄 生电容。然而，位于下方单位像素区域的左边缘的第一数据线200-Da 的一部分延伸出以形成源极端631和634。因此，第一数据线200-Da具 有与源极端631和634与第一和第二像素电极510和520之间的重叠面积 以及第一数据线200-Da与第一和第二像素电极510和520之间的重叠面 积相对应的寄生电容。因此，可以使第一数据线200-Da的线宽度Tl小 于第二数据线200-Db的线宽度T2。
这就是说，由于单位像素列的第一和第二TFT601和602交替与设 置在单位像素的左侧和右侧的第一和第二数据线200-Da和200-Db连 接，因此第一和第二数据线200-Da和200-Db的线宽度交替变窄。
本发明不局限于上述描述。因此，可以在单位像素区域中单独地 提供像素电极，可以截断TFT的上方区域的像素电极，充电控制线可 以形成在一个像素行与和所述像素行相邻的另一个像素行之间。参照 附图，将描述根据又另一个示例性实施例的显示设备。在以下描述的 示例性实施例中，在前述示例性实施例中已经解释过的重复的描述在 此省略。应注意，针对以下描述的示例性实施例的描述也适用于根据
前述示例性实施例的显示设备。
图17是根据另一个示例性实施例的显示设备的俯视图，图18是 沿着图17中的线C-C的截面视图。
参照图17和18，根据本示例性实施例的显示设备包括TFT 603， 该TFT 603与第 一 和第二数据线200-Da和200-Db之 一 以及栅极线 100-Ga和100-Gb之一连接，以及与TFT 603的漏极端连接的像素电极 550。像素电极550包括暴露出TFT603上的区域的切割槽551。如图17 所示，该切割槽551可以被形成为矩形形状，与TFT 603的形状相同。
当然，切割槽551的形状不局限于矩形形状，因此，切割槽551可以通 过移除设置在TFT 603的源极端671上的像素电极550来形成。如己经 描述过的，依赖于像素电极和传送数据信号的线之间的重叠面积，寄 生电容有所不同。为了解决这种寄生电容差异的问题现象，在本示例 性实施例中，在TFT603上提供了由部分移除像素电极550获得的切割 槽551，使得TFT 603的源极端671与像素电极550不重叠。相应地，可 以使像素电极550与第一和第二数据线200-Da和200-Db之间的重叠面 积彼此相等，从而使像素电极550与第一和第二数据线200-Da和 200-Db之间的寄生电容也彼此相等。
在本示例性实施例中，在彼此垂直相邻的像素电极550之间，即 在沿像素列方向上设置的相邻像素电极的区域中之间形成充电控制线 450。因此，可以防止沿像素列方向上彼此垂直相邻的像素电极550彼 此耦合，也减小了沿像素列方向上彼此垂直相邻的像素电极550之间产 生的寄生电容。充电控制线450与栅极线100-Ga和100-Gb和存储线400 一起形成。充电控制线450与存储线400在基底10的一个边缘区域连接。 因此，充电控制线450将其电压电平维持在地电压电平，地电压电平是 存储线400的电压电平。在其中具有地电压电平的充电控制线450被分 离地设置在两个像素电极550之间的情况下，充电控制线450屏蔽了电 场，从而减小了相邻像素电极550之间的寄生电容。
如上所述，根据本示例性实施例，即使栅极线的数目增加，可以 通过栅极连接线连接至少两条栅极线来确保向栅极线施加栅极导通电 压的充足的时间，以提高分辨率。
此外，在本示例性实施例中，两条充电控制线通过充电连接线连 接，充电连接线与像素矩阵的下一行中的栅极连接线连接，调整第一 和第二子像素中的电荷量，从而改善可见度。
此外，根据本示例性实施例，充电连接线被形成为桥形，因此可 以避免栅极线与充电连接线的短路。
此外，根据本示例性实施例，多条栅极线穿过单位像素的中心区 域，使多条栅极线与像素电极之间的寄生电容均匀。
此外，根据本示例性实施例，通过改变设置在每个单位像素两侧
的数据线的线宽度，或通过配置TFT与像素电极彼此不重叠，可以使 数据线与像素电极之间的寄生电容均匀。
此外，根据本示例性实施例，通过在相邻像素电极之间的区域中 形成充电控制线，可以减小相邻像素电极之间的寄生电容。
本公开提供了一种显示设备，由于通过外部栅极连接线连接一对 栅极线，两个像素行可以被同时充以电荷，因此，所述显示设备能够 确保充足的充电时间并改善分辨率(全HD;1，920X1,080像素或更多)。
本公开也提供了一种显示设备，通过将单位像素分为多个子像 素，对所述子像素充以彼此不同的电荷量，能够改善所述显示设备的 可见度。
虽然所述显示设备参照特定实施例来描述，但是，它不局限于此。 因此，本领域技术人员可以容易地理解，在不背离由所附权利要求所 限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行各种修改和变化。
权利要求
1.一种显示设备，包括设置为矩阵形式的多个单位像素；多条栅极线，分别沿行方向上延伸并与所述单位像素连接；多条第一和第二数据线，分别沿列方向上延伸并与所述单位像素连接；多条充电控制线，分别沿行方向上延伸并与所述单位像素连接；多条栅极连接线，分别与至少两条相邻的栅极线连接；以及多条充电连接线，分别与至少两条相邻的充电控制线连接。
2. 如权利要求l所述的显示设备，其中，在所述多条栅极线上、 所述多条充电控制线上以及所述多条栅极连接线上设置绝缘层，所述 多条充电连接线被设置在所述绝缘层上。
3. 如权利要求2所述的显示设备，其中，所述多条充电连接线由 与所述单位像素中的像素电极相同的材料形成，并通过接触孔与所述 充电控制线连接。
4. 如权利要求l所述的显示设备，其中，在所述多条栅极线上、 所述多条充电控制线上以及所述多条栅极连接线上设置绝缘层，所述 多条栅极连接线被设置在所述绝缘层上。
5. 如权利要求l所述的显示设备，其中，所述多条栅极线穿过单 位像素区域。
6. 如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一和第二数据线 与单位像素区域部分地重叠，并且在一个单位像素区域中，所述第一 和第二数据线中与一个单位像素连接的一条数据线的线宽度比所述第 一或第二数据线中不与所述一个单位像素连接的另一条数据线的线宽 度更小。
7. 如权利要求1所述的显示设备，其中，所述单位像素包括薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管与所述第一和第二数据线之 一以及栅极线连接；以及在所述TFT上的区域中设置的像素电极，所述TFT上的所述像 素电极被移除。
8. 如权利要求1所述的显示设备，其中，所述单位像素包括薄膜 晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极电极、设置在所述栅极电极上的栅 极绝缘层以及设置在所述栅极电极上、数据线下的有源层，所述数据 线和所述有源层具有相同的平面形状。
9. 如权利要求l所述的显示设备，其中，所述单位像素包括第一 和第二子像素；所述栅极线与所述第一和第二子像素电连接；以及所 述充电控制线与所述第一和第二子像素中至少一个电连接。
10. 如权利要求9所述的显示设备，其中，使用不同的电压对所 述第一和第二子像素充电。
11. 如权利要求9所述的显示设备，其中，在沿像素列方向上设 置的所述多个单位像素中，奇数单位像素与所述第一和第二数据线之 一连接，并且偶数单位像素与未与所述奇数单位像素连接的另一条数 据线连接。
12. 如权利要求9所述的显示设备，其中，所述第一子像素包括 第一像素电极；以及第一 TFT，所述第一 TFT被配置为根据所述栅极线的栅极导通电 压，将第一或第二数据线上的信号施加至所述第一像素电极。
13. 如权利要求9所述的显示设备，其中，所述第二子像素包括 第二像素电极；第二 TFT，所述第二 TFT被配置为根据所述栅极线的栅极导通电 压，将第一或第二数据线上的信号施加至所述第二像素电极； 充电控制电极；以及充电控制晶体管，所述充电控制晶体管被配置为根据所述充电控 制线上的栅极导通电压，将所述第二像素电极与所述充电控制电极彼 此电连接。
14. 如权利要求1所述的显示设备，其中，所述充电连接线与至 少一条栅极线或至少一条栅极连接线部分重叠，在向与所述充电连接 线重叠的所述至少一条栅极线或至少一条栅极连接线施加栅极导通电 压之后，向所述充电连接线施加所述栅极导通电压。
15. 如权利要求1所述的显示设备，其中，所述多条充电控制线 和多条栅极线交替设置，所述充电连接线与至少两条连接的充电控制 线相邻设置的栅极线连接。
16. 如权利要求1所述的显示设备，还包括多条存储线，所述多 条存储线在所述多条第一和第二数据线之间的区域中沿行方向延伸。
17. 如权利要求1所述的显示设备，其中，所述单位像素包括第一像素电极、第二像素电极和充电控制电极，所述单位像素还包括第一存储线，穿过所述第一像素电极并沿所述像素行方向上延伸； 第二存储线，穿过所述第二像素电极并沿所述像素行方向上延伸；以及第三存储线，穿过所述充电控制电极并沿所述像素行方向上延伸。
18. 如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一和第二像素 电极包括多个具有弯曲度的域。
19. 如权利要求17所述的显示设备，其中，所述单位像素包括与所述栅极线连接的多个像素电极；以及与所述充电控制线连接的充电控制电极，所述充电控制电极与所 述存储线部分地重叠。
20. 如权利要求1所述的显示设备，其中，所述充电控制线的一 部分向外延伸出所述单位像素，并与所述充电连接线连接。
21. —种显示设备，包括 设置为矩阵形式的多个单位像素；多条栅极线，分别沿行方向上延伸并与所述单位像素连接； 多条第一和第二数据线，分别沿列方向上延伸并与所述单位像素 连接；多条栅极连接线，分别与至少两条相邻的栅极线连接； 与所述单位像素重叠的存储线；以及 多条充电控制线，在两个像素行之间沿行方向延伸。
22. 如权利要求21所述的显示设备，其中，所述多条栅极线穿过单位像素区域。
23. 如权利要求21所述的显示设备，其中，所述单位像素包括 像素电极；其中，所述第一和第二数据线与所述像素电极部分地重叠；以及其中，在一个单位像素区域中，所述第一和第二数据线中与一个 单位像素连接的一条数据线的线宽度比所述第一或第二数据线中不与 所述一个单位像素连接的另一条数据线的线宽度更小。
24. 如权利要求21所述的显示设备，其中，所述单位像素包括 TFT，与所述第一和第二数据线之一以及栅极线连接；以及 像素电极，设置在所述TFT上的区域中，所述TFT上的所述像素电极被移除。
25. 如权利要求21所述的显示设备，其中，所述充电控制线由与 所述栅极线相同的材料形成，并与所述存储线连接。
26. 如权利要求21所述的显示设备，其中，所述单位像素包括与 所述栅极线以及第一和第二数据线之一连接的至少一个TFT。
27. 如权利要求26所述的显示设备，其中，所述单位像素包括薄 膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极电极、设置在所述栅极电极上的 栅极绝缘层以及设置在所述栅极电极上、数据线下的有源层，所述数 据线和所述有源层具有相同的平面形状。
28. 如权利要求21所述的显示设备，其中，奇数像素与所述第一 数据线连接，并且偶数像素与所述第二数据线连接。
29. 如权利要求17所述的显示设备，其中，所述单位像素包括 多个子像素；第一TFT，被配置为与所述多个子像素连接；以及第二TFT，被配置为与所述多个子像素的至少一个连接，以及改变与其连接的子像素的充电电压。
30. 如权利要求21所述的显示设备，其中，所述多个子像素分别 包括像素电极，并且像素电极包括多个具有弯曲度的域。
31. —种驱动显示设备的方法，所述显示设备包括每一个均包括 多个子像素的多个单位像素以及与所述多个单位像素连接的多条栅极 线，其中至少两条或更多栅极线彼此连接，使得通过施加一个栅极导 通信号对所述像素施加数据信号，所述方法包括 施加一个栅极导通电压，以对所述多个子像素施加数据信号；以及施加下一个栅极导通电压，以改变所述多个子像素中的至少一个 子像素的数据信号。
32.如权利要求31所述的方法，其中，在施加所述下一个栅极导通电压时，多个子像素中的至少一个的子像素的数据信号增大或减小。
全文摘要
显示设备及其驱动方法，包括设置为矩阵形式的多个单位像素；多条栅极线，分别沿行方向上延伸并与所述单位像素连接；多条第一和第二数据线，分别沿列方向上延伸并与所述单位像素连接；多条充电控制线，分别沿行方向上延伸并与所述单位像素连接；多条栅极连接线，分别与至少两条相邻的栅极线连接；以及多条充电连接线，分别与至少两条相邻的充电控制线连接。
文档编号G02F1/1362GK101354510SQ20081013003
公开日2009年1月28日 申请日期2008年7月24日 优先权日2007年7月25日
发明者文盛载, 李成荣, 田尚益, 金东奎 申请人:三星电子株式会社