高速光开关的制作方法

文档序号:2818495阅读:567来源:国知局
专利名称:高速光开关的制作方法
技术领域
本发明涉及光通信技术领域,具体地说是一种实用的高速光开关。
背景技术
半导体光放大器(SOA)的放大原理与半导体激光器的工作原理相同,也是利用能 级间受激跃迁而出现粒子数反转的现象进行光放大。SOA有两种一种是将通常的半导体 激光器当作光放大器使用,称作F-P半导体激光放大器(FPA);另一种是在F-P激光器的两 个端面上涂有抗反射膜,消除两端的反射,以获得宽频带、高输出、低噪声。半导体光放大器(SOA)作为光波段转换开关元件的半导体光放大器,其主要的优 点在于极快的光开关速率,其开关时间内为1ns,对固有光信号损失进行增益补偿。在恶劣 环境条件下可靠性高,集成度高,尺寸小,而且成本会更低。本发明利用半导体光放大器高速响应特性设计了一种实用的高速光开关,使光开 关的响应速度达到ns级的同时,实现多通道的光信号实现数字化的控制。

发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种响应速度达到ns级的光开关。为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案—种高速光开关,其包光耦合器、若干个半导体光放大器(SOA)和控制单元。所述的光耦合用以把输入的激光信号分成若干路;在光开关盒体内的开关印制板 上安装若干只SOA,SOA的输入端分别连接到光耦合器的输出端;MCU的控制线连接到S0A。作为本发明的一种优选方案,所述光耦合器为一只1 XX光耦合器,把传入的光信 号分成X路。作为本发明的一种优选方案,所述控制单元为微处理器(MCU),其至少有X条控制 线,控制线连接SOA控制其通断。作为本发明的一种优选方案,所述元件,利用安装孔位将其金属外壳底座固定在 散热板上,缝隙用导热脂填充,可以起到更好地散热。本发明的有益效果在于本发明利用半导体光放大器高速响应特性设计了一种实 用的高速光开关,使光开关的响应速度达到ns级的同时,实现多通道的光信号实现数字化 的控制。


图1为本发明的示意图。
具体实施例方式下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。请参阅图1,本发明揭示了一种高速光开关,其包括IXX光耦合器1、若干个半导体光放大器(S0A)2和控制单元3。所述的IXX光耦合器把输入的激光信号分成X路;在光 开关盒体内的开关印制板上安装若干只SOA,SOA的输入端分别连接到光耦合器的输出端。所述控制单元为MCU,其引出X条控制线连接到SOAl到SOAX上,高速的控制器通 断。为使半导体光放大器实现光开关功能,要对其施加开关电流脉冲,以使其处于导 通或关闭状态。该开关电流具有两个特点,首先是能够受控制端输入的高速TTL信号的控 制,其脉冲电流变化跟随控制信号变化;其次,开关电流的幅值较大,达IOOmA量级。因此, 在设计驱动电路时,需要选用既适合于高速信号的变化,又能够有较大驱动能力的器件。控 制信号可直接加于驱动电路输入端。考虑到在一个光路中有X个半导体光放大器,同一时 间只有一个导通,另外设置有控制信号接口电路,接收控制信号,并产生X个输出,这X个输 出时序相同,其中一个极性相反。分别用这X个输出信号控制X个半导体光放大器,就可以 保证在控制信号作用下,每次有一个半导体光放大器导通,其它关断。这里本发明的描述和应用是说明性的,并非想将本发明的范围限制在上述实施例 中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的,对于那些本领域的普通技术人员来说实 施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是,在不脱离本发明 的精神或本质特征的情况下,本发明可以以其他形式、结构、布置、比例,以及用其他元件、 材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下,可以对这里所披露的实施例进 行其他变形和改变。
权利要求
一种高速光开关,其包光耦合器、若干个半导体光放大器(SOA)和控制单元;所述的光耦合用以把输入的激光信号分成若干路;在光开关盒体内的开关印制板上安装若干只SOA,SOA的输入端分别连接到光耦合器的输出端;MCU的控制线连接到SOA;所述光耦合器为一只1×X光耦合器,把传入的光信号分成X路。
2.根据权利要求1所述的一种高速光开关,其特征在于所述控制单元为微处理器(MCU),其至少有X条控制线,控制线连接S0A控制其通断。
3.根据权利要求1所述的一种高速光开关,其特征在于所述元件,利用安装孔位将其金属外壳底座固定在散热板上,缝隙用导热脂填充,可以 起到更好地散热。
全文摘要
本发明揭示一种高速光开关,其包光耦合器、若干个半导体光放大器(SOA)所述的光耦合把输入的激光信号分成若干路;在光开关盒体内的开关印制板上安装若干只SOA,SOA的输入端分别连接到光耦合器的输出端;MCU的控制线连接到SOA。本发明使光开关的响应速度达到ns级的同时,实现多通道的光信号实现数字化的控制。
文档编号G02F1/313GK101900921SQ20091005224
公开日2010年12月1日 申请日期2009年5月31日 优先权日2009年5月31日
发明者仝芳轩, 周正仙, 席刚, 杨斌, 皋魏 申请人:上海华魏光纤传感技术有限公司
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