专利名称：用于依序侧向结晶技术的掩膜及激光结晶方法
技术领域：
本发明涉及一种多晶硅薄膜制备工艺中所使用的掩膜，特别是涉及一种 以依序侧向结晶技术产生一结晶边界分散的多晶硅薄膜的掩膜及利用此掩膜 的激光结晶方法。
背景技术：
薄膜晶体管(Thin film transistor; TFT )已广泛应用在主动式液
晶显示器的驱动上，其中根据薄膜晶体管使用的硅薄膜材料通常有非晶硅 (amorphous—silicon)与多晶鞋(poly—silicon)两禾中类型。
在液晶显示器的制造中，多晶硅材料具有许多优于非晶硅材料的特性。 多晶硅具有较大的晶粒(grain),使得电子在多晶硅中容易自由移动，所以多 晶硅的电子迁移率(mobility)高于非晶硅。以多晶硅制作的薄膜晶体管，其 反应时间比非晶硅薄膜晶体管快。在相同分辨率的液晶显示器中，使用多晶 硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)所占用的基板面积可以比使用非晶硅薄膜晶体 管所占用的基板面积小，而提高液晶面板的开口率。在相同的亮度下，使用 多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器(poly-Si TFT LCD)可以采用低瓦数的背光
源，达到低耗电量的要求。
目前在St及上制作多晶硅薄膜大多利用低温多晶硅制备工艺(Low Te即erature Poly-Silicon, LTPS)。低温多晶硅制备工艺是以准分子激光(Excimer Laser) 作为热源。当激光照射(irradiate)于具有非晶硅薄膜的基板上，非晶硅薄膜 吸收准分子激光的能量而转变成为多晶硅薄膜。依序侧向结晶(Sequential Lateral Solidification, SLS)技术为一 种利用准分子激光退火所开发出的多晶硅形成技术。利用激光透过掩膜产生 特定形状的激光，第一道激光先结晶出侧向成长的晶粒后第二道激光照射区 域与第一道结晶区域重叠一部份，通过照射非晶硅区域，第二道激光所照射 区域的硅薄膜开始熔融后会以第一道结晶多晶硅薄膜为晶种成长出长柱状的 结晶颗粒。
请参考图1A，其为一使用依序侧向结晶方法制造多晶硅薄膜的侧面剖 视简图。如图1A所示， 一非晶硅薄膜ll通过化学气相沉积(CVD)或溅射镀膜 法(sputtering)形成于一基板10上。 一掩膜2形成于非晶硅薄膜11的上方。掩 膜2包含多个长条形透光区21及多个长条形遮光区22 (如图1B所示)。 一激光 光源会根据平行于透光区21及遮光区22长条形图案短轴的方向平行步进对非 晶硅薄膜ll进行扫瞄，以在非晶硅薄膜ll上步进照射不同的区域以逐步得到 侧向生长的多晶硅图案。
请参考图1C，其为通过掩膜2所得到的多晶硅图案结构示意图。由掩膜2 所得到的多晶硅晶粒边界(grain boundary) lll会垂直于晶粒成长的方向。 TFT的电性在电流沟道平行于晶粒边界时较佳，若电流沟道垂直于晶粒边界时 由于得越过晶粒边界，因此电性较差。制造LTPS TFT时，布线(Layout)的 设计通常不会只有一个方向，但是在SLS工艺中，则会因为上述理由而遭遇到因 具有不同电流沟道方向的TFT，电性有不同均匀性(Uniformity)的问题。
因此，如何解决SLS工艺过程中所遭遇到结晶方向所影响的TFT电性不均 匀的问题，为相关业者努力的方向之一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种多晶硅薄膜的掩膜，以应用于依序侧向结晶 技术，而产生一结晶边界分散的多晶硅薄膜。
本发明的另一目的在于提供一种应用于依序侧向结晶技术的掩膜，可制 作出至少两种晶粒方向的多晶硅图案。
8本发明提供一种应用于依序侧向结晶技术的掩膜，具有复数个平行配 置的重复图案，该图案包括
一第一单元，由四个矩形相连接而构成，其中该四个矩形依照方位分 别为左上角矩形、左下角矩形、右上角矩形、右下角矩形，并且该左上角 矩形的左侧边位于该所述左下角矩形的左侧边的右方，其中所述第一单元 的所述左上角矩形与所述右下角矩形为遮光区，且所述右上角矩形与所述
左下角矩形为透光区；以及
一第二单元，位于所述第一单元的右侧且紧邻该第一单元，所述第二单 元由四个矩形相连接而构成，其中该所述四个矩形依照方位分别为左上角矩 形、左下角矩形、右上角矩形、右下角矩形，并且所述左上角矩形的左侧边 位于所述左下角矩形的左侧边的右方，其中所述第二单元的左上角矩形与右
下角矩形为透光区，且所述第二单元的右上角矩形与左下角矩形为遮光区； 其中，所述第一单元的右上角矩形的右边紧接着所述第二单元的左上角矩形 的左边，且该第一单元的右下角矩形的右边紧接着所述第二单元的左下角矩 形的左边。
本发明还提供一种一种激光结晶的方法，包括提供一基板，包括有一 非结晶硅薄膜；
提供一掩膜，包括 复数个平行配置的重复图案，具有
一第一单元，由四个矩形相连接而构成，其中该四个矩形依照方位分别 为左上角矩形、左下角矩形、右上角矩形、右下角矩形，并且所述左上角矩 形的左侧边位于所述左下角矩形的左侧边的右方，其中所述第一单元的所述 左上角矩形与所述右下角矩形为遮光区，且所述右上角矩形与所述左下角矩 形为透光区；以及
一第二单元，位于所述第一单元的右侧且紧邻该第一单元，所述第二单 元由四个矩形相连接而构成，其中所述四个矩形依照方位分别为左上角矩形、左下角矩形、右上角矩形、右下角矩形，并且所述左上角矩形的左侧边位于 所述左下角矩形的左侧边的右方，其中所述第二单元的左上角矩形与右下角 矩形为透光区，且该所述二单元的右上角矩形与左下角矩形为遮光区；
其中，所述第一单元的右上角矩形的右边紧接着所述第二单元的左上角 矩形的左边，且该第一单元的右下角矩形的右边紧接着所述第二单元的左下 角矩形的左边；
利用所述掩膜，使所述激光经由所述平行配置的图案，对该非结晶硅薄 膜进行第一次激光退火处理；以及
使所述掩膜与所述基板沿平行方向相对移动一距离，并利用该掩膜，再 次使所述激光经由所述平行配置的图案，进行第二次激光退火处理。
本发明还提供一种应用于依序侧向结晶技术的掩膜，包括复数个平行 配置的重复图案，该所述图案由一第一单元以及一第二单元所构成，所述第 二单元位于所述第一单元的右侧且紧邻所述第一单元；
所述第一、第二单元分别由四个等边三角形相连接而构成，其中所述四 个等边三角形依排列由下至上为一第一正立三角形、 一第一倒立三角形、一 第二正立三角形、 一第二倒立三角形构成，且所述第一倒立三角形的左侧边 相接所述第一正立三角形右侧边，所述第二正立三角形的下边连接于所述第 一倒立三角形上边，所述第二倒立三角形的右侧边相接所述第二正立三角形 左侧边；
其中所述第一单元的第一倒立三角形与第二倒立三角形为遮光区，且所 述第一单元的第一正立三角形与第二正立三角形为透光区，且所述第二单元 的第一倒立三角形与第二倒立三角形为透光区，且所述第二单元的第一正立 三角形与第二正立三角形为遮光区。
本发明还提供一种激光结晶的方法，包括提供一基板，包括有一非结 晶硅薄膜；
提供一掩膜，包括复数个平行配置的重复图案，具有
复数个平行配置的重复图案，所述图案由一第一单元以及一第二单元所
构成，所述第二单元位于所述第一单元的右侧且紧邻该第一单元；
所述第一、第二单元分别由四个等边三角形相连接而构成，其中所述四个等边三角形依排列由下至上为一第一正立三角形、 一第一倒立三角形、一第二正立三角形、 一第二倒立三角形构成，且所述第一倒立三角形的左侧边相接所述第一正立三角形右侧边，所述第二正立三角形的下边连接于所述第 倒立三角形上边，所述第二倒立三角形的右侧边相接所述第二正立三角形左侧边；
其中所述第一单元的第一倒立三角形与第二倒立三角形为遮光区，且所述第一单元的第一正立三角形与第二正立三角形为透光区；
其中所述第二单元的第一倒立三角形与第二倒立三角形为透光区，且所述第二单元的第一正立三角形与第二正立三角形为遮光区；
利用所述掩膜，使所述激光经由所述平行配置的图案，对该非结晶硅薄膜进行第一次激光退火处理；以及
使所述掩膜与所述基板沿平行方向相对移动一距离，并利用所述掩膜，再次使所述激光经由所述平行配置的图案，进行第二次激光退火处理。
本发明还提供一种应用于依序侧向结晶的掩膜，包括
复数个平行配置的重复图案，具有二条长轴对称线与一短轴中心线，其中所述重复图案具有一第一单元与一第二单元，且所述第一单元以所述二条长轴对称线镜面对称于所述第二单元；
其中所述第一单元由四个矩形相连接而构成，所述四个矩形依照方位分别为左上角矩形、左下角矩形、右上角矩形、右下角矩形，并且所述左上角矩形的左侧边位于所述左下角矩形的左侧边的右方，其中所述第一单元的所述左上角矩形与所述右下角矩形为遮光区，且所述右上角矩形与所述左下角矩形为透光区；
11形以一条所述长轴对称线镜面对称于所述第二单元，而所述左下角矩形与所述右下角矩形则以另一条所述长轴对称线镜面对称于该第二单元。
本发明还提供一种激光结晶的方法，包括提供一基板，包括有一非结晶硅薄膜；提供一掩膜，包括复数个平行配置的重复图案，具有二个长轴对称线；--短轴中心线；
一第一单元以及一与第一单元镜面对称于该图案的第二单元；
其中，所述第一单元，由四个矩形相连接而构成，其中所述四个矩形依照方位分别为左上角矩形、左下角矩形、右上角矩形、右下角矩形，并且所述左上角矩形的左侧边位于所述左下角矩形的左侧边的右方，其中所述第一单元的所述左上角矩形与所述右下角矩形为遮光区，且所述右上角矩形与所述左F角矩形为透光区；
利用所述掩膜，使所述激光经由所述平行配置的图案，对所述非结晶硅薄膜进行第一次雷射退火处理；以及
使所述掩膜与所述基板沿平行于所述短轴方向相对移动共1/2短轴的距离，并利用所述掩膜，再次使所述激光经由所述平行配置的图案，进行第二次激光退火处理。
应用本发明所揭露的掩膜于SLS技术中，由于掩膜上的图案图形对称的概念，可制作至少两种晶粒方向的多晶硅图案。另外，利用控制掩膜上的多个遮光区及透光区图案面积大小，可以得到完美的晶粒边界。
所述多个遮光区的面积小于或等于所述多个透光区的面积。
图1A为一使用依序侧向结晶方法制造多晶硅薄膜的侧面剖视简图；图1B为图1A中所使用的掩膜正面示意图1C为通过图1B中的掩膜所得到的多晶硅图案结构示意图；图2为本发明一较佳实施例的掩膜俯视示意图3为应用本发明所揭露的掩膜于SLS技术中以形成多晶硅层的流程示意图；图4A显示上述图3的步骤S304经过掩膜3进行完二次激光结晶工艺后，非
晶硅薄膜上所呈现的多晶硅图案；
图4B为利用掩膜3所形成的多晶硅图案而配置的薄膜晶体管沟道(TFT
channel)示意图5A为本发明所揭露的另一较佳实施例掩膜4的部分俯视示意图；图5B显示上述图3的步骤S304经过掩膜4进行完二次激光结晶工艺后，非
晶硅薄膜上所呈现的多晶硅图案；
图6A为本发明所揭露的另一较佳实施例掩膜4的部分俯视示意图6B显示上述图3的步骤S304经过掩膜4进行完二次激光结晶工艺后，非
晶硅薄膜上所呈现的多晶硅图案。
fe要元件符号说明
10基板11非晶硅薄膜
2掩膜21长条形透光区
22长条形遮光区m晶粒边界
3掩膜31重复图案
311长轴对称线312短轴
313第一单元314第二单元
313a透光区313b遮光区
314a透光区314b遮光区
4掩膜41重复图案
411长轴对称线412短轴
413第一单元414第二单元413a414a5
511513513a514a
透光区透光区
长轴对称线第一单元透光区透光区
413b
414b
51
512
514
513b
514b
遮光区遮光区
短轴
第二单元
遮光区
遮光区
具体实施例方式
下面参照
本发明的较佳实施例。
本发明揭露一种应用于依序侧向结晶技术(SLS)的掩膜，用以产生一结晶边界分散的多晶硅薄膜。关于本发明所述的掩膜，现配合图式及以下数个具体实施例进行详述。
请参考图2，其为本发明一较佳实施例的掩膜俯视示意图。图2中的掩膜3包括多个平行配置的重复图案(pattern)31，所述平行配置的重复图案31彼此间隔一特定距离。每一重复图案31具有一长轴对称线311与一短轴312。上述每一重复图案31由至少一第一单元313以及与第一单元镜面对称于所述图案长轴对称线311的第二单元314所构成。其中，第一、第二单元分别具有多个透光区313a、 314a以及遮光区313b、 314b。
本发明的掩膜是用于在如图1A中所述及的依序侧向结晶技术中，达成产生一结晶边界分散的多晶硅薄膜的目的。其中请参考图3，其为应用本发明所揭露的掩膜于SLS技术中以形成一多晶硅层的流程示意图，至少包括
步骤S301:首先提供一基板，该基板上包括有多个非结晶硅区域。
步骤S302:提供一掩膜，该掩膜包括多个平行配置的重复图案(pattern),具有一长轴对称线与一短轴，所述重复图案由一第一单元以及与第一单元镜面对称于所述图案的长轴对称线的第二单元所构成，其中第一、第二单元分别具有多个透光区以及遮光区，并且所述第一、第二单元位于所述短轴两侧的透光区分布不相同。
步骤S303:利用所述掩膜，使一激光束经过所述平行配置的图案，对基板上其中之一非结晶硅区域进行第一次激光退火处理，所述激光照射的图案
包括透光区以及遮光；
步骤S304:使掩膜与基板沿平行于所述短轴方向相对移动，移动总距离不大于短轴距离的1/2，并再次使激光利用所述掩膜经由这些平行配置的图
案，进行第二次激光退火处理，其中改变掩膜以及基板相对位置的方法包含
移动掩膜或移动基板，视操作机台的情况而变通；
步骤S305:对基板上其它非结晶硅区域重复上述步骤S303 S304进行激光退火处理。
由所述掩膜3及图3中的制备工艺所制造出来的多晶硅薄膜，如图4A所示。图4A为显示上述步骤304进行完二次激光结晶工艺后，非晶硅薄膜上所呈现的多晶硅图案。由于掩膜3上的第一单元与第二单元恰为一镜面对称图形，因此两次激光退火操作后会出现如图4A所示的不规则晶粒的多晶硅图案。通过本发明所揭露的掩膜，可以成长出不规则方向的结晶薄膜，配合双栅极薄膜晶体管得到均匀且良好的电性。请参考图4B，其为利用掩膜3所形成的多晶硅图案而配置的薄膜晶体管沟道(TFT channel)示意图。
本发明所揭露的掩膜，应用于依序侧向结晶技术以得到一结晶边界分散的多晶硅薄膜，并不限制掩膜上所使用的图案形状。只要图案设计可同时能够制作出至少两种方向，形状设计符合本发明的镜面对称的原则，皆可以套用于本发明的掩膜图案中。
请参考图5A，其为本发明所揭露的另一较佳实施例掩膜4的部分俯视示意图。如同上述掩膜3，掩膜4包括多个平行配置的重复图案(pattern)41，这些平行配置的重复图案41彼此间隔一特定距离。掩膜4的每一重复图案41同样包含至少一第一单元413以及与第一单元镜面对称于所述图案的第二单元414所构成。其中，第一、第二单元分别具有多个透光区413a、 414a以及遮光区413b、 414b。与掩膜3不同的是，重复图案41具有二个长轴对称线411与一短轴412。因此，第一单元413以及第二单元414的镜面对称是指其内部两个次单元相对于两长轴对称线的个别对称。将上述掩膜4沿着短轴412单方向经过图3的侧向结晶工艺后，会得到如图五B所示的多晶硅图案。
上述二个实施例的遮光区及透光区都是以矩形例示掩膜图案，只是为了说明同样是矩形图案，只要是符合镜面对称的条件，不论在重复图案内部的排列方式为何，皆在本发明的范畴内。下面另举一较佳实施例，说明本发明在掩膜图案上的可变化性。
请参考图6A，其为本发明所揭露的另一较佳实施例掩膜5的部分俯视示意图。等同于上述其它实施例的设计概念，掩膜5的每一重复图案51同样包含至少一第一单元513以及与第一单元镜面对称于所述图案的第二单元514所构成。重复图案51具有二个长轴对称线511与一短轴512。如同上述的掩膜4，第一单元513以及第二单元514的镜面对称是指其内部两个次单元相对于两长轴对称线511的个别对称。本实施例中的多个遮光区513a及多个透光区514b的形状为三角形，通过规则且镜面对称的排列，掩膜5经过图3的侧向结晶工艺后，会得到如图5B所示的多晶硅图案。
本发明所设计的掩膜图案是通过类似图形对称的概念，设计出不同的遮光区域及透光区域。值得一提的是，为了使多晶硅图案晶粒边界多向化的同时，还要晶粒成长匀称完美，本发明的掩膜图案有着大小设计上的巧思，亦即，遮光区域的面积不大于透光区域的面积，较佳实施例为遮光区域的面积小于透光区域的面积。这是为了在第一次激光结晶工艺及第二次激光结晶工艺中基板相对于掩膜位置的移动时，造成激光照射透光区域的重复。由于遮光区的边界为非晶硅熔融时较低温的区域，因此会较快速结晶以致造成晶粒结晶不良的机率提高，因此激光照射透光区域的重复将局部区域再度熔融以达到晶粒边界成长更为完美的目的。
本发明所揭露的应用SLS技术中的掩膜，与现有技术相互比较时，更具备下列特性及优点
1. 利用掩膜上的图案图形对称的概念，设计出可制作至少两种晶粒方向 的多晶硅图案。
2. 利用控制掩膜上的多个遮光区及透光区图案面积大小，以得到完美的 晶粒边界。
本发明不但在技术思想上创新，并与现有方法相比具有上述有益效果。 上列详细说明是针对本发明较佳实施例的具体说明，但上述实施例并非
用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施或变
更，均应包含在本发明的保护范围中。
权利要求
1.一种应用于依序侧向结晶技术的掩膜，其特征在于，具有复数个平行配置的重复图案，该图案包括一第一单元，由四个矩形相连接而构成，其中该四个矩形依照方位分别为左上角矩形、左下角矩形、右上角矩形、右下角矩形，并且该左上角矩形的左侧边位于该所述左下角矩形的左侧边的右方，其中所述第一单元的所述左上角矩形与所述右下角矩形为遮光区，且所述右上角矩形与所述左下角矩形为透光区；以及一第二单元，位于所述第一单元的右侧且紧邻该第一单元，所述第二单元由四个矩形相连接而构成，其中该所述四个矩形依照方位分别为左上角矩形、左下角矩形、右上角矩形、右下角矩形，并且所述左上角矩形的左侧边位于所述左下角矩形的左侧边的右方，其中所述第二单元的左上角矩形与右下角矩形为透光区，且所述第二单元的右上角矩形与左下角矩形为遮光区；其中，所述第一单元的右上角矩形的右边紧接着所述第二单元的左上角矩形的左边，且该第一单元的右下角矩形的右边紧接着所述第二单元的左下角矩形的左边。
2. 根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于，所述平行配置的重复图案 彼此间隔一特定距离。
3. —种激光结晶的方法，其特征在于包括 提供一基板，包括有一非结晶硅薄膜； 提供一掩膜，包括 复数个平行配置的重复图案，具有一第一单元，由四个矩形相连接而构成，其中该四个矩形依照方位分别 为左上角矩形、左下角矩形、右上角矩形、右下角矩形，并且所述左上角矩 形的左侧边位于所述左下角矩形的左侧边的右方，其中所述第一单元的所述 左上角矩形与所述右下角矩形为遮光区，且所述右上角矩形与所述左下角矩形为透光区；以及一第二单元，位于所述第一单元的右侧且紧邻该第一单元，所述第二单 元由四个矩形相连接而构成，其中所述四个矩形依照方位分别为左上角矩形、 左下角矩形、右上角矩形、右下角矩形，并且所述左上角矩形的左侧边位于 所述左下角矩形的左侧边的右方，其中所述第二单元的左上角矩形与右下角 矩形为透光区，且该所述二单元的右上角矩形与左下角矩形为遮光区；其中，所述第一单元的右上角矩形的右边紧接着所述第二单元的左上角 矩形的左边，且该第一单元的右下角矩形的右边紧接着所述第二单元的左下 角矩形的左边；利用所述掩膜，使所述激光经由所述平行配置的图案，对该非结晶硅薄 膜进行第一次激光退火处理；以及使所述掩膜与所述基板沿平行方向相对移动一距离，并利用该掩膜，再 次使所述激光经由所述平行配置的图案，进行第二次激光退火处理。
4. 一种应用于依序侧向结晶技术的掩膜，其特征在于包括复数个平行配置的重复图案，该所述图案由一第一单元以及一第二单元 所构成，所述第二单元位于所述第一单元的右侧且紧邻所述第一单元；所述第一、第二单元分别由四个等边三角形相连接而构成，其中所述四 个等边三角形依排列由下至上为一第一正立三角形、 一第一倒立三角形、一 第二正立三角形、 一第二倒立三角形构成，且所述第一倒立三角形的左侧边 相接所述第一正立三角形右侧边，所述第二正立三角形的下边连接于所述第 一倒立三角形上边，所述第二倒立三角形的右侧边相接所述第二正立三角形 左侧边；其中所述第一单元的第一倒立三角形与第二倒立三角形为遮光区，且所 述第一单元的第一正立三角形与第二正立三角形为透光区，且所述第二单元 的第一倒立三角形与第二倒'立三角形为透光区，且所述第二单元的第一正立 二角形与第二正立三角形为遮光区。
5. 根据权利要求4所述的掩膜，其特征在于，所述平行配置的重复图案 彼此间隔一特定距离。
6. —种激光结晶的方法，其特征在于包括 提供一基板，包括有一非结晶硅薄膜； 提供一掩膜，包括 复数个平行配置的重复图案，具有复数个平行配置的重复图案，所述图案由一第一单元以及一第二单元所 构成，所述第二单元位于所述第一单元的右侧且紧邻该第一单元；所述第一、第二单元分别由四个等边三角形相连接而构成，其中所述四 个等边三角形依排列由下至上为一第一正立三角形、 一第一倒立三角形、一 第二正立三角形、 一第二倒立三角形构成，且所述第一倒立三角形的左侧边 相接所述第一正立三角形右侧边，所述第二正立三角形的下边连接于所述第 一倒立三角形上边，所述第二倒立三角形的右侧边相接所述第二正立三角形 左侧边；其中所述第一单元的第一倒立三角形与第二倒立三角形为遮光区，且所 述第一单元的第一正立三角形与第二正立三角形为透光区；其中所述第二单元的第一倒立三角形与第二倒立三角形为透光区，且所 述第二单元的第一正立三角形与第二正立三角形为遮光区；利用所述掩膜，使所述激光经由所述平行配置的图案，对该非结晶硅薄 膜进行第一次激光退火处理；以及使所述掩膜与所述基板沿平行方向相对移动一距离，并利用所述掩膜， 再次使所述激光经由所述平行配置的图案，进行第二次激光退火处理。
7. —种应用于依序侧向结晶的掩膜，其特征在于包括 复数个平行配置的重复图案，具有二条长轴对称线与一短轴中心线，其中所述重复图案具有一第一单元与一第二单元，且所述第一单元以所述二条 长轴对称线镜面对称于所述第二单元；其中所述第一单元由四个矩形相连接而构成，所述四个矩形依照方位分 别为左上角矩形、左下角矩形、右上角矩形、右下角矩形，并且所述左上角 矩形的左侧边位于所述左下角矩形的左侧边的右方，其中所述第一单元的所 述左上角矩形与所述右下角矩形为遮光区，且所述右上角矩形与所述左下角 矩形为透光区；其中，所述左上角矩形与所述右上角矩形以一条所述长轴对称线镜面对 称于所述第二单元，而所述左下角矩形与所述右下角矩形则以另一条所述长 轴对称线镜面对称于该第二单元。
8. 根据权利要求7所述的掩膜，其特征在于所述掩膜与该基板沿平行所 述短轴方向相对移动的距离等于1/2所述短轴距离。
9. 根据权利要求7所述的掩膜，其特征在于所述掩膜与该基板沿平行所 述短轴方向相对移动的距离小于1/2所述短轴距离。
10. 根据权利要求7所述的掩膜，其特征在于所述平行配置的重复图案彼 此间隔一特定距离。
11. 一种激光结晶的方法，其特征在于包括 提供一基板，包括有一非结晶硅薄膜； 提供一掩膜，包括 复数个平行配置的重复图案，具有 二个长轴对称线；一短轴中心线；一第一单元以及一与第一单元镜面对称于该图案的第二单元； 其中，所述第一单元，由四个矩形相连接而构成，其中所述四个矩形依 照方位分别为左上角矩形、左下角矩形、右上角矩形、右下角矩形，并且所 述左上角矩形的左侧边位于所述左下角矩形的左侧边的右方，其中所述第一 单元的所述左上角矩形与所述右下角矩形为遮光区，且所述右上角矩形与所 述左下角矩形为透光区；利用所述掩膜，使所述激光经由所述平行配置的图案，对所述非结晶硅 薄膜进行第一次雷射退火处理；以及使所述掩膜与所述基板沿平行于所述短轴方向相对移动共1/2短轴的距 离，并利用所述掩膜，再次使所述激光经由所述平行配置的图案，进行第二 次激光退火处理。
全文摘要
本发明揭露一种应用于依序侧向结晶技术的掩膜及激光结晶的方法，所述掩膜包括多个平行配置的重复图案，该重复图案包括相邻的矩形或者等边三角形，所述矩形或者三角形为遮光或者透光图案，应用本发明所揭露的掩膜于SLS技术中，由于掩膜上的图案图形对称的概念，可制作至少两种晶粒方向的多晶硅图案。另外，利用控制掩膜上的多个遮光区及透光区图案面积大小，可以得到完美的晶粒边界。
文档编号G02F1/13GK101655645SQ20091016896
公开日2010年2月24日 申请日期2005年8月30日 优先权日2005年8月30日
发明者张志雄, 张茂益 申请人:友达光电股份有限公司