专利名称：多层反射镜和光刻设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及多层反射镜和包括这样的多层反射镜的光刻设备。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例 如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在所述情形中，可以将可选地称为掩模 或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案 转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行 的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。已广泛地承认光刻术是IC和其它的器件和/或结构制造中的关键步骤之一。然 而，随着使用光刻术制造的特征的尺寸不断变小，光刻术正在成为使微型的IC或其它器件 和/或结构能够被制造的更为关键的因素。光刻设备典型地包括被配置成调节辐射束的照射系统；被构造成保持图案形成 装置(大多数情况下是掩模版或掩模)的支撑结构，所述图案形成装置能够在其横截面中 将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束；被构造以保持衬底的衬底台；和被配置成将图 案化的辐射束投影到衬底的目标部分上的投影系统。通过如等式(1)中所示出的分辨率的瑞利准则来给出图案印刷的极限的理论估 计
权利要求
1.一种多层反射镜，所述多层反射镜被构造且被布置以反射具有在2-8nm范围内的波 长的辐射，所述多层反射镜具有交替层，所述交替层包括第一层和第二层，所述第一层和第 二层是从由Cr和&层，Cr和C层，C和B4C层，U和B4C层，Th和B4C层，C和B9C层，La和 B9C层，U和B9C层，Th和B9C层，La和B层，C和B层，U和B层，Th和B层，La化合物和B4C 层，U化合物和B4C层，Th化合物和B4C层，La化合物和B9C层，U化合物和B9C层，Th化合 物和B9C层，La化合物和B层，U化合物和B层，以及Th化合物和B层构成的组中选择的。
2.根据权利要求1所述的多层反射镜，其中，所述La化合物是从由LaH2,LaH3, LaF3, LaCl3, LaI3, La2O3, LaSe和LaTe构成的组中选出的化合物。
3.根据权利要求1或2所述的多层反射镜，其中，所述U化合物是从由UF3,UF4, UF5, UCl3, UCl4, UCl5, UI3, UI4, U0, UO2, UO3, U3O8, U2O5，U3O7, U4O9, UTe2, UTe3, UN, U2N3 和 U3N2 构成 的组中选出的化合物。
4.根据权利要求1、2或3所述的多层反射镜，其中，所述Th化合物是从由Th02，ThCl4, ThN, ThF3, ThF4, ThI2, ThI3, ThI4, ThH2，和 ThSe2 构成的组中选 出的化合物。
5.根据前述权利要求中任一项所述的多层反射镜，其中，所述第一层的厚度和所述第 二层的厚度的总和是在3-3. 5nm的范围内。
6.根据前述权利要求中任一项所述的多层反射镜，其中，所述交替层具有周期厚度，所 述周期厚度是第一层或第二层的厚度的约1. 7倍至约2. 5倍之间。
7.根据前述权利要求中任一项所述的多层反射镜，其中，所述多层反射镜被构造且被 布置以反射具有在2. 9-3. 3nm范围内的波长的辐射。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的多层反射镜，其中所述多层反射镜被构造且被布 置以反射具有在4. 1-4. 7nm范围内的波长的辐射。
9.根据权利要求1-6中任一项所述的多层反射镜，其中所述多层反射镜被构造且被布 置以反射具有在6. 2-6. 9nm范围内的波长的辐射。
10.根据前述权利要求中任一项所述的多层反射镜，其中所述多层反射镜是图案形成 装置，所述图案形成装置被构造且被布置以提供在其横截面中具有图案的辐射束。
11.一种投影系统，所述投影系统被配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分 上，所述投影系统包括根据前述权利要求中任一项所述的多层反射镜。
12.一种照射系统，所述照射系统被配置成调节辐射束，所述照射系统包括根据权利要 求1-10中任一项所述的多层反射镜。
13.一种光刻投影设备，所述光刻投影设备被布置成将图案从图案形成装置投影到衬 底上，其中，所述光刻设备包括根据权利要求1-10中任一项所述的多层反射镜。
14.根据权利要求13所述的光刻设备，还包括照射系统，被配置成调节辐射束；支撑结构，被构造成保持图案形成装置，所述图案形成装置能够在其横截面中将图案 赋予所述辐射束，以形成图案化的辐射束；衬底台，被构造以保持衬底；和投影系统，被配置成将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上。
15.一种光刻设备，所述光刻设备包括照射系统，被配置成调节辐射束；支撑结构，被构造成保持图案形成装置，所述图案形成装置能够在其横截面中将图案 赋予所述辐射束，以形成图案化的辐射束；衬底台，被构造以保持衬底；和投影系统，被配置成将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上，其中，所述投影系统是根据权利要求11所述的系统，和/或所述照射系统是根据权利 要求12所述的系统。
16.一种投影系统，所述投影系统被配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分 上，所述投影系统包括多层反射镜，所述多层反射镜被构造且被布置成反射具有在2-8nm 范围内的波长的辐射，所述多层反射镜具有交替层，所述交替层包括第一层和第二层，所述 第一层和第二层是从由Cr和k层，Cr和C层，C和层，U和B4C层，Th和B4C层，C和 B9C层，La和B9C层，U和B9C层，Th和B9C层，La和B层，C和B层，U和B层，Th和B层，La 化合物和B4C层，U化合物和B4C层，Th化合物和B4C层，La化合物和B9C层，U化合物和B9C 层，Th化合物和B9C层，La化合物和B层，U化合物和B层，以及Th化合物和B层构成的组 中选出的。
17.根据权利要求16所述的投影系统，其中所述La化合物是从由LaH2,LaH3, LaF3, LaCl3, LaI3, La2O3, LaSe和LaTe构成的组中选出的化合物。
18.根据权利要求16或17所述的投影系统，其中所述U化合物是从由UF3,UF4, UF5, UCl3, UCl4, UCl5, UI3, UI4, U0, UO2, UO3, U3O8, U2O5，U3O7, U4O9, UTe2, UTe3, UN, U2N3 和 U3N2 构成 的组中选出的化合物。
19.根据权利要求16，17或18所述的投影系统，其中所述Th化合物是从由Th02，ThCl4, ThN, ThF3, ThF4, ThI2, ThI3, ThI4, ThH2 和 ThSe2 构成的组中选出的化合物。
20.一种照射系统，所述照射系统被配置成调节辐射束，所述照射系统包括多层反射 镜，所述多层反射镜被构造且被布置成反射具有在2-8nm范围内的波长的辐射，所述多层 反射镜具有交替层，所述交替层包括第一层和第二层，所述第一和第二层是从由Cr和& 层，Cr禾口 C层，C禾口 B4C层，U禾口 B4C层，Th禾口 B4C层，C禾口 B9C层，La禾口 B9C层，U禾口 B9C层， Th和B9C层，La和B层，C和B层，U和B层，Th和B层，La化合物和B4C层，U化合物和B4C 层， ι化合物和B4C层，La化合物和B9C层，U化合物和B9C层，Th化合物和B9C层，La化合 物和B层，U化合物和B层，以及Th化合物和B层构成的组中选出的。
21.根据权利要求20所述的照射系统，其中所述La化合物是从由LaH2,LaH3, LaF3, LaCl3, LaI3, La2O3, LaSe和LaTe构成的组中选出的化合物。
22.根据权利要求20或21所述的照射系统，其中所述U化合物是由从UF3,UF4, UF5, UCl3, UCl4, UCl5, UI3, UI4, U0, UO2, UO3, U3O8, U2O5，U3O7, U4O9, UTe2, UTe3, UN, U2N3 和 U3N2 构成 的组中选出的化合物。
23.根据权利要求20，21或22所述的照射系统，其中所述Th化合物是从由Th02，ThCl4, ThN, ThF3, ThF4, ThI2, ThI3, ThI4, ThH2 和 ThSe2 构成的组中选出的化合物。
24.一种光刻投影设备，所述光刻投影设备被配置成将图案从图案形成装置投影到衬 底上，其中所述光刻设备包括多层反射镜，所述多层反射镜被构造且被布置以反射具有在 2-8nm范围内的波长的辐射，所述多层反射镜具有交替层，所述交替层包括第一层和第二 层，所述第一和第二层是从Cr和&层，Cr和C层，C和层，U和B4C层，Hi和B4C层，C和B9C层，La和B9C层，U和B9C层，Th和B9C层，La和B层，C和B层，U和B层，Th和B层， La化合物和B4C层，U化合物和B4C层，Th化合物和B4C层，La化合物和B9C层，U化合物和 B9C层，Th化合物和B9C层，La化合物和B层，U化合物和B层，以及Th化合物和B层构成 的组中选出的。
25.根据权利要求M所述的光刻投影设备，其中所述La化合物是从由LaH2,LaH3, LaF3, LaCl3, LaI3, La2O3, LaSe和LaTe构成的组中选出的化合物。
26.根据权利要求M或25所述的光刻投影设备，其中所述U化合物是从由UF3,UF4, UF5, UCl3, UCl4, UCl5, UI3, UI4, U0, UO2, UO3, U3O8, U2O5，U3O7, U4O9, UTe2, UTe3, UN, U2N3 和 U3N2 构成的组中选出的化合物。
27.根据权利要求M、25或沈所述的光刻投影设备，其中所述Th化合物是从由ThO2, ThCl4, ThN, ThF3, ThF4, ThI2, ThI3, ThI4, ThH2 和 ThSe2 构成的组中选出的化合物。
28.一种光刻投影设备，包括照射系统，被配置成调节辐射束；支撑结构，被构造成保持图案形成装置，所述图案形成装置能够在其横截面中将图案 赋予所述辐射束，以形成图案化的辐射束；衬底台，被构造以保持衬底；和投影系统，被配置成将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上，其中，所述照射系统和/或所述投影系统包括多层反射镜，所述多层反射镜被构造且 被布置以反射具有在2-8nm范围内的波长的辐射，所述多层反射镜具有交替层，所述交替 层具有第一层和第二层，所述第一和第二层是从由Cr和&层，Cr和C层，C和层，U和 B4C层，Th和B4C层，C和B9C层，La和B9C层，U和B9C层，Th和B9C层，La和B层，C和B层， U和B层，1 和B层，La化合物和B4C层，U化合物和B4C层，Th化合物和B4C层，La化合物 和B9C层，U化合物和B9C层，Th化合物和B9C层，La化合物和B层，U化合物和B层，以及 Th化合物和B层构成的组中选出的。
29.根据权利要求观所述的光刻投影设备，其中所述La化合物是从由LaH2,LaH3, LaF3, LaCl3, LaI3, La2O3, LaSe和LaTe构成的组中选出的化合物。
30.根据权利要求观或四所述的光刻投影设备，其中所述U化合物是从由UF3,UF4, UF5, UCl3, UCl4, UCl5, UI3, UI4, U0, UO2, UO3, U3O8, U2O5，U3O7, U4O9, UTe2, UTe3, UN, U2N3 和 U3N2 构成的组中选出的化合物。
31.根据权利要求观，四或30所述的光刻投影设备，其中所述Th化合物是从由ThO2, ThCl4, ThN, ThF3, ThF4, ThI2, ThI3, ThI4, ThH2 和 ThSe2 构成的组中选出的化合物。
全文摘要
一种多层反射镜被构造且被布置以反射具有在2-8nm范围内的波长的辐射。所述多层反射镜具有从由Cr和Sc层，Cr和C层，C和B4C层，U和B4C层，Th和B4C层，C和B9C层，La和B9C层，U和B9C层，Th和B9C层，La和B层，C和B层，U和B层，以及Th和B层构成的组中选出的交替层。
文档编号G03F7/20GK102047183SQ200980120621
公开日2011年5月4日 申请日期2009年5月20日 优先权日2008年6月4日
发明者D·格卢什科夫, J·H·J·莫尔斯, L·A·斯基梅诺克, N·N·塞拉斯申科, V·巴内尼 申请人:Asml荷兰有限公司