专利名称：用于形成具有粗糙表面的发光二极管的光学对准方法
技术领域：
本发明一般涉及光刻术中的光学对准，并且尤其涉及当制造有粗糙表面的发光二 极管(LED)时进行光学对准的方法。
背景技术：
LED被用于各种照明应用(如全色显示器、灯、交通灯等等)，并且随着LED技术的 改进和LED成本的降低而不断找到更多的应用。LED是用光刻技术制造的，光刻技术包含使用对准方法以对准LED结构的相邻层。 许多LED包含粗糙的上表面，表面粗糙度可与由LED产生的光的波长相比较。该粗糙表面 能使若不是粗糙表面时被全内反射拦截的光离开LED结构，从而增加LED的光输出。虽然该粗糙表面改进LED的光输出，但它也干扰对准成像。光刻术要求在已有层 与后续层之间精确的对准。对准通常是用基于对准结构或叫“对准标记”的模式识别技术 实施的。在较佳的情况中，如在美国专利No. 5，621，813中所描述的，分别与晶片及十字线 (掩模)关联的晶片及十字线对准标记的像由机器视觉系统(MVQ捕获。通常，可见波长光 被用于对准成像。对准标记像被显示以便操作员能够检验相对的对准。对准标记的相对位 置被用于调整晶片与光刻系统的十字线的相对位置，直到它们的对准被建立为止。遗憾的是，LED的粗糙表面散射成像光并使被用来实现对准的MVS像(或衍射信 号)的质量恶化。因此，当用光刻技术制造、当这些LED有干扰对准标记成像的变粗糙的表 面时，需要用于进行对准的改进的方法。
发明内容
本发明一方面是一种当光刻制造LED时进行晶片对准的方法。该方法包含在晶片 上形成至少一个晶片对准标记。该方法还包含在晶片对准标记上或上方形成粗糙晶片表 面，该粗糙表面有均方根(冊幻表面粗糙度os。该方法还包含以具有波长λ A的对准光照 射该至少一个晶片对准标记，该波长λ Α是在从约2 σ s到8 σ s的范围内。该方法还包含用 从该至少一个晶片对准标记反射的对准光，形成并检测该至少一个晶片对准标记的像。该 方法还再包含把被检测的像与对准参考进行比较以建立晶片对准。本发明另一方面是一种当光刻制造LED时对准晶片的方法。该方法包含在晶片上 形成至少一个具有RMS表面粗糙度％的变粗糙的对准标记。该方法还包含以具有波长λΑ 的对准光使至少一个变粗糙的晶片对准标记成像，该波长λ Α是在从约2 ο s到8 σ s的范围 内。该方法还包含把检测的像与对准参考进行比较以建立晶片对准。本发明另一方面是一种在具有关联的LED波长λ LED及LED结构的LED上形成至 少一个电接触的方法。该方法包含在LED结构的上表面上形成晶片对准标记。该方法还包 含使包含晶片对准标记的LED结构上表面变粗糙，从而形成变粗糙的晶片对准标记，该上 表面和变粗糙的晶片对准标记具有表面粗糙度。该方法另外包含以具有波长λΑ的对准 光使至少一个变粗糙的晶片对准标记成像，该波长λ Α是如下至少之一 a)在从约2 ο s到约8 σ s的范围内；b)在从约1 μ m到约2 μ m的范围内；和c)在从2 λ LED到约8 λ LED的范围 内。该方法还包含把被检测的像与对准参考进行比较以建立晶片对准，并在LED结构的上 表面上形成至少一个电接触。本发明另外的特征及优点将在下面的详细描述中阐明，且对本领域熟练技术人员 从该描述部分地是容易明白的或经过实践这里描述的包含下面的详细描述、权利要求书以 及附图的本发明而被认识。应当理解，前面的一般描述及下面的详细描述两者给出的本发明的实施例，都旨 在提供概述和框架，以便了解本发明如在它的权利要求书所要求的性质和特征。所包含的 附图在于提供对本发明的进一步了解，并被本说明书引用和构成本说明书的一部分。附图 示出本发明的各个实施例，并与该描述一起用以解释本发明的原理和操作。
图IA是基于氮化镓(GaN)的LED例子的示意断面图，并示出在p_GaN层上的粗糙 上表面，光是通过该层离开的；图IB是该LED结构一部分的近视图，表明在p_GaN层顶上的透明导电层，该透明 导电层也有可与下面层相比较的粗糙度的表面；图IC除透明导电层的顶表面是平的之外，与图IB类似；图2是用于形成LED的光刻系统例子的示意图，且该系统包含通过透镜式 (through-the-lens,TTL)光学对准系统例子，该通过透镜式光学对准系统适合于实现按照 本发明方法的光学对准；图3是晶片例子的平面图，以近视插图表明曝光场例子，还示出完全的和精细的 晶片对准标记；图4A是十字线对准标记例子的平面图；图4B是晶片对准标记例子的平面图；图4C是十字线与晶片对准标记重叠像例子的平面图，其中该两个标记由于十字 线与晶片未对准而不重合；图4D与图4C类似，但表明的例子是由于十字线与晶片对准，十字线和对准标记的 像是正好重叠的；图5A是晶片顶部的示意断面图，表明有对准标记在其中形成的LED结构的粗糙表 面，表明为何在现有技术的对准方法中，对准光被散射，所以当进行晶片对准时剩下的反射 光不足以形成晶片对准标记像；和图5B与图5A类似，但表明本发明对准方法中的对准光波长有强的反射光分量，足 以形成晶片对准标记的像并适合进行晶片对准。
具体实施例方式现在详细参考本发明的当前优选实施例，实施例的各例子在附图中示出。只要 可能，相同的或类似的参考数字和符号在全部图中被用于指相同的或类似的部分。术语 “在...上方”和“在...下面”是便于描述的相对术语，并不企图作严格的限制。图IA是基于氮化镓(GaN) LED结构的LED 10例子的示意断面图。Ga基LED例子在美国专利No. 6，455，877和7，259，399及7，436，001中描述，本文引用这些专利以供参 考。本发明不限于( 基LED，而是针对使用晶片基制造工艺形成的任何类型的LED，其中， 粗糙表面之上或之下的晶片对准标记必须被成像以实现晶片对准。这里“晶片”是指用于 支持LED 10的制造的任何基底。在某些情形中，术语“晶片”是指基底加上在形成LED时 添加到基底上的另外的处理层。包括少于完整工作LED的LED 10的各部分，一般统称“LED 结构”。LED 10包含有表面22的基底20。用于基底20的材料例子包含蓝宝石、SiC、GaN Si等等。被放置在基底20顶上的是GaN多层结构30，它包含η掺杂的GaN层(“n-GaN 层”)40和有表面52的ρ掺杂的GaN层(“p_GaN层”)50。该n_GaN层40和ρ-GaN层50 把激活层60夹在当中，以n-GaN层邻接基底20。在其他( 基LED的实施例中，GaN多层结 构30被颠倒，使ρ-GaN层50邻接基底20。激活层60例如包括多量子阱(MQW)结构，诸如 无掺杂的fe^nN/GaN超晶格。GaN多层结构30由此定义p-η结。基底表面22上包含有图 形的反射层70。有于有图形的反射层70的节距例子在约3微米到约6微米之间。在实施例例子中，透明导电层(TCL) 76被形成在GaN多层结构30的顶上(例如， 通过涂敷整个晶片)，如在图IB的近视图中所示，该图表明LED结构的上部。注意，来自下 面p-GaN层50的表面52的表面粗糙度如何出现在TCL表面78上。图IC与图IB类似，但表明TCL表面78是平的。下面的讨论为易于图解及解释， 所参照的LED 10例子不包含TCL 76，虽然它也能够包含TCL。再次参考图1A，LED 10还包含形成在GaN多层结构30中的倾斜部分80，这里该 倾斜部分包含倾斜表面82。倾斜部分80形成n-GaN层40的暴露表面42，该暴露表面42 起支承两个电接触90之一即η接触90η的凸台作用。η接触材料例子包含Ti/Au、Ni/Au、 Ti/Al或它们的组合。另一个电接触90是ρ接触90p，它被布置在p-GaN表面52上。ρ接 触材料例子包含Ni/Au和Cr/Au。距离Dl例子是约4微米，而距离D2例子是约1. 4微米。 LED 10例子通常是ImmX Imm见方并被设计成发射波长λ LED的光。在LED 10实施例例子中，表面42、52和82构成粗糙表面92各部分。粗糙表面92 如在下面更详细的讨论，例如可以用等离子蚀刻整个晶片形成。在此，“粗糙”或“变粗糙的” 被理解成随机地或准随机地被赋予某种结构到一定程度，以致它干扰晶片对准标记的光学 成像。用等离子蚀刻形成在粗糙表面92上的表面特征的高度例子约500nm，它非常接近大 部分现有技术MVS对准工具中使用的520nm成像波长。在一个实施例例子中，粗糙表面92 有均方根(RMS)粗糙度σ s，该粗糙度σ s为了优化LED的光输出，由LED输出波长λ LED确 定。在一个例子中，该RMS粗糙度ο s大致是支承粗糙表面92的层中LED波长λ LED的0. 5 到1.0倍，而该层有折射率η。因此，在一个实施例例子中，该RMS表面粗糙度Os在从约 0. 5 λ LED/n到约λ LED/n的范围内，这里η是介质例如p-GaN层50的折射率，对p-GaN层50， η在约470nm波长上约为2. 5。在另一个实施例例子中，RMS表面粗糙度σ s是在约λ ./η 到约之间。注意，在TCL 76被使用的情形下，该层或者能够被直接变粗糙(例如经由前述的 等离子蚀刻)或者能够基本上均勻地被淀积在已有的粗糙表面92顶上使它的表面78也变 粗糙(图1Β)。此时，晶片对准标记可以驻留在最上面(透明)的TCL表面78之下。在此 情况下，TCL表面78也可以是平面的，这样主散射表面是粗糙表面92(图1C)。
光学对准图2是光刻系统100例子的示意图，该系统包含“通过透镜式”光学对准系统150。 光学对准系统例子被公开在美国专利No. 5，402，205和5，621，813中，本文引用这些专利以 供参考。笛卡尔χ-γ-ζ坐标被画出供参考。光刻系统100沿系统轴Al包含照明器106、十字线台110、投影透镜120和可移动 晶片台130。十字线台110支承有表面114的十字线112，表面114有在其上形成的十字图 形115和十字线对准标记116(亦见图4A)。晶片台130支承有上表面134的晶片132(如 基底20)，该上表面134有形成在其上的晶片对准标记136(见图4B)。在一个实施例例子 中，晶片对准标记136可以是衍射式的。在下面的例子中，晶片对准标记136为图解的原因 被假定为非衍射式的。图3是晶片132例子的平面图，该晶片132有用于完全对准(global alignment) 的完全对准标记136G，以及与曝光场EF关联并用于精细对准的精细晶片对准标记136F(见 近视插图)。注意，在所示例子中，晶片对准标记136的两种类型都驻留在曝光场EF之间或 邻近曝光场EF的划线区137中。当来自照明器106的光108照射十字线112和在其上的图形115时，该图形经由投 影透镜120在选择的曝光场之上被成像在晶片表面134上。图形115包含对准图形115W， 用于形成晶片对准标记136。晶片表面134通常用光敏材料诸如光刻胶(未画出)涂敷，这 样，十字线图形115能够被记录并传递至晶片132。晶片132如上所述，通常包含形成LED 10的LED结构的许多不同层。典型的晶片 132被用于形成相对大量(如上千个)的LED，每一装置层以分步重复或扫描方式被形成， 然后一起处理。因此，在对不同曝光场EF使十字线图形115成像在晶片表面134上之前， 十字线图形必须适当地与先前形成的层对准，并且尤其是与先前形成的曝光场对准。这是 通过使用一个或多个晶片对准标记136和对准参考，使晶片132相对于十字线112对准而 实现的，在光学对准系统150中该对准参考是一个或多个十字线对准标记116。再次参考图2，光学对准系统150例子包含沿光轴A2布置的光源152，且该光源发 射波长λ 4的对准光153。光束分束器IM被布置在轴Α2和垂直轴A3之间的交点。透镜 156和折叠反射镜158沿轴A3布置。折叠反射镜158使轴A3折叠以形成平行于光刻系统 轴Al的轴Α4。轴Α4通过十字线112、通过投影透镜120向前并到达晶片132。光学对准系 统150还包含沿轴A3布置的像传感器160，它在透镜156和折叠反射镜158的相反一侧与 光束分束器巧4相邻。像传感器160被电连接到像处理单元164，该像处理单元被构造成处 理被像传感器160捕获的数字像。像处理单元164被电连接到显示器单元170并且还连接 到可移动晶片台130。在光学对准系统150的操作中，来自光源152的对准光153沿轴Α2传播并被光束 分束器IM沿轴A3反射到透镜156。对准光153传播通过透镜156并被折叠反射镜158反 射，以传播通过十字线112和投影透镜120并照射包含晶片对准标记136的晶片表面134 的部分。对准光153的一部分153R被从晶片表面132和晶片对准标记136反射，并往回传 播通过投影透镜和通过十字线112，并且尤其是通过十字线对准标记116。在晶片对准标记 136是衍射式的情形下，来自晶片对准标记的衍射光被收集。投影透镜120与透镜156的组合，用反射光153R在像传感器160上形成晶片对准标记136和十字线对准标记116叠加的像(见图4C)。这里十字线对准标记116是用作为 对准参考。在其它类型的光学对准系统诸如离轴系统中，该对准参考是根据光刻系统各基 准点校准的对准系统光轴。像传感器160产生代表被捕获数字像的电信号Sl并把它发送到像处理单元164。 像处理单元164适合(例如，经由装入计算机可读媒体诸如储存器单元165中的像处理软 件)对被接收的数字像进行像处理。尤其是，像处理单元164适合对叠加的晶片和十字线 对准标记像进行模式识别，以便测量它们的相对位移并产生对应的台控制信号S2，该信号 S2被发送到晶片台130。像处理单元164还把像信号S3发送到显示器单元170以显示叠 加的晶片和十字线对准标记的像。晶片台130响应台控制信号S2而在X、Y平面中(如有必要，为聚焦的目的，还沿Z 方向)移动，直到十字线和晶片对准标记116和136的像被对准(即正好重叠)，指示十字 线112和晶片132的恰当对准。图4C表明十字线和晶片对准标记116和136的重叠像的 例子，其中该两个对准标记像由于未对准而不重合。图4D表明十字线和晶片对准标记116 和136的重叠像例子，其中该两个对准标记像经由像处理单元164和可移动晶片台130的 反馈操作而被对准(即正好重叠)。各个LED 10在晶片132上的位置常常精确到数纳米。诸如光学对准系统150的 对准系统，通常是对少数的前述完全对准标记136G的(通常是3-5个标记)进行识别和定 位。该信息连同通过像处理单元164中的对准算法提供的其他信息，能使该像处理单元计 算笛卡尔坐标系统和每一个别曝光场EF在晶片132上的位置。这种类型的对准系统被称 为增强的完全对准(Enhanced Global Alignment)或EGA。这种方案能够调节坐标系统的 线性校正(即，X及Y中的线性放大项和两个坐标系统之间的旋转角)。如在图5A的示意图中所示，现有技术的光学对准系统和方法，难以使晶片对准标 记136在诸如粗糙表面92的粗糙表面上成像或通过粗糙表面成像，因为入射的对准光153 被瑞利散射所散射，形成散射光153S。这样剩下非常少的残留反射光153R用于形成晶片对 准标记136的像。在瑞利散射中，总的散射功率Ps按Ps a6/ λ 4变化，这里a是散射粒子 的尺寸而λ是入射光的波长。对于LED 10，a的值代表粗糙表面92的粗糙度大小从而对 应于RMS表面粗糙度σ s。σ s的值通常被选择以优化波长λ LED的LED光的光分出，从而不牺牲LED输出的 改进就不能被减小。这样当对准波长λ A与σ s的值相同或接近时，导致形成在粗糙表面92 上或之下的晶片对准标记136基本上是不可见的。这样的晶片对准标记136在下文被称为 “变粗糙的晶片对准标记”并有与粗糙表面92相同或基本上相同的粗糙度。变粗糙的晶片 对准标记136使它如果不是不可能，也是难以把ρ接触90p和η接触90η放置在LED结构 上它们的恰当位置中。本发明认识到，当尝试形成至少一个电接触90时，对准能力的恶化是由瑞利散射 引起的。现在参考图5B的示意图，本发明使用的对准波长λ A减少来自变粗糙的晶片对准 标记136的散射光153S的量，因此有更多的反射光153R。这改善光学对准系统150的对准 能力，用于在粗糙表面92上恰当地形成一个或多个对准的电接触90。对有约250nm到约 500nm的σ s的( 基LED 10例子，通过例如把对准波长λ Α从500nm(500nm是在典型的现 有技术对准波长入4的范围内)增加到1000nm(l μ m)，散射光153S的量被减小16倍。在本发明一个实施例例子中，对准波长入4是在从约Iym和约2μπι范围内。在另一个实施 例例子中，对准波长入4是在从约2os到约8(^范围内。在另一个实施例例子中，对准波 长λ Α是在从约2 λ LED到约8 λ ,ED范围内。被使用的对准波长λ 4落在减小瑞利散射效应和减小分辨变粗糙的晶片对准标记 136的能力之间的平衡点。如果对准波长长，则光学对准系统150的分辨能力被减 小。相反，如果对准波长λΑ太短，瑞利散射的效应不被充分地减小。此外，惯用的像传感器 160(以及透镜156)在小于约2 μ m波长上往往会最佳操作。透镜156被设计成与投影透镜 120 —起工作，以便叠加的十字线和晶片对准标记的像的焦点是在像传感器160上。然而， 在光学对准系统150是离轴对准系统(即没有光路通过投影透镜120)的情形下，透镜156 被设计成成像透镜，它把十字线和晶片对准标记116和136成像在像传感器160上。因此，本发明的方法例子包含光刻形成一个或多个LED 10并包含在晶片上形成 至少一个晶片对准标记136，然后在晶片对准标记上或上方形成粗糙晶片表面，其中该粗糙 表面有RMS表面粗糙度os。该方法还包含以具有波长λ 4的对准光153照射该至少一个 晶片对准标记136，该波长λ Α是在从约2 σ s到约8 σ s的范围内，然后在像传感器160上形 成并检测被照射的晶片对准标记的像。用于形成晶片对准标记像的光，是从该至少一个晶 片对准标记反射的对准光153所形成的反射光153R。该方法然后包含把被检测的该至少一 个晶片对准标记的像与对准参考(如十字线对准标记116)进行比较以建立晶片对准。本发明的另一个方法例子是一种当光刻形成LED 10时当在该LED结构上形成至 少一个电接触90时对准晶片132的方法。该方法包含在晶片132上形成至少一个具有RMS 表面粗糙度的变粗糙的对准标记，然后以具有波长对准光(如被反射的对准光 153R)使该至少一个变粗糙的晶片对准标记成像，该波长λ Α是在从约2 σ s到约8 ο s的范 围内。该方法然后包含把被检测的像与对准参考进行比较以建立晶片对准。该方法然后包 含根据建立的对准在LED上形成至少一个电接触90。在一个例子中，ρ接触90p和η接触 90η两者均被形成。本发明的另一个方法例子包含当光刻形成LED 10时形成至少一个电接触90。该 方法包含在该LED结构的上粗糙表面92上形成晶片对准标记136。该方法然后包含使其上 包含晶片对准标记的LED结构的上表面92变粗糙，从而形成变粗糙的晶片对准标记，该变 粗糙的上表面92和变粗糙的晶片对准标记136具有表面粗糙度os。该方法还包含以具有 波长λ A的对准光使该至少一个变粗糙的晶片对准标记成像，该波长入4是如下至少之一 a)在从约2 σ s到约8 σ s的范围内；b)在从约1 μ m到约2 μ m的范围内；和c)在从约2 λ ■ 到约的范围内。该方法然后包含把检测的像与对准参考进行比较以建立晶片对准， 和在LED结构上表面(如p-GaN层50或在表面78顶上的TCL76)上形成至少一个电接触 90 (如ρ接触90p)。本领域熟练技术人员应当明白，能够对本发明作各种修改和变化而不偏离本发明 的精神和范围。因此可以认为，本发明涵盖本发明的这些修改和变化，只要它们落在所附权 利要求书及其等价叙述的范围内。
权利要求
1.一种当光刻制造发光二极管LED时进行晶片对准的方法，包括 在该晶片上形成至少一个晶片对准标记；在该晶片对准标记上或上方形成粗糙的晶片表面，该粗糙表面有均方根RMS表面粗糙&以具有波长λ Α的对准光照射该至少一个晶片对准标记，该波长λ Α在从约2 σ s到约 8os的范围内；用从该至少一个晶片对准标记反射的对准光，形成并检测该至少一个晶片对准标记的 像；和把被检测的像与对准参考进行比较以建立晶片对准。
2.权利要求1的方法，还包括根据被建立的晶片对准，在该粗糙表面上形成至少一个 电接触。
3.权利要求1的方法，其中os是下列范围至少之一，这里η是粗糙表面在其上形成的 层的折射率i)从约 2 λ LED 到约 8 λ ,ED ； )从约 0. 5 λ LED/n 到约 λ LED/n ；和 iii)从约到约λ_。
4.权利要求1的方法，包含用十字线对准标记作为对准参考，和形成十字线对准标记 像与晶片对准标记像的叠加。
5.权利要求1的方法，其中该对准光波长入4是在从约Iym到约2μπι的范围内。
6.权利要求1的方法，其中形成粗糙表面包括进行该晶片的等离子蚀刻。
7.权利要求1的方法，还包括用多个晶片对准标记进行增强的完全对准。
8.权利要求1的方法，其中该粗糙表面是在如下至少之一上被形成的a)P-GaN层；和 b)在透明导电层上或之下。
9.一种当光刻制造发光二极管LED时对准晶片的方法，包括在晶片上形成至少一个具有均方根RMS表面粗糙度ο s的变粗糙的对准标记； 以具有波长λ A的对准光使该至少一个变粗糙的晶片对准标记成像，该波长λΑ是在从 约20 s到约Sos的范围内；和把检测的像与对准参考进行比较以建立晶片对准。
10.权利要求9的方法，其中该对准参考包含十字线对准标记。
11.权利要求9的方法，还包括用等离子蚀刻形成该至少一个变粗糙的对准标记。
12.权利要求9的方法，其中该变粗糙的对准标记驻留在透明导电层之下。
13.权利要求9的方法，还包括根据已建立的晶片对准在晶片上形成至少一个电接触。
14.权利要求9的方法，其中λ■是将要被该LED发射的光的波长，η是支承该至少一 个变粗糙对准标记的层的折射率，且其中03是如下至少之一 a)在从约λ·/η到约λ· 的范围内，和b)在从约(0. 5) λ LED/n到约λ LED/n的范围内。
15.权利要求9的方法，其中该对准光波长λΑ是是在从约Iym到约2μπι的范围内。
16.权利要求9的方法，其中该已建立的晶片对准包括增强的完全对准。
17.—种在发光二极管LED上形成至少一个电接触的方法，该LED有关联的LED波长 λ·和LED结构，该方法包括在该LED结构的上表面上形成晶片对准标记；使包含该晶片对准标记的LED结构的上表面变粗糙，由此形成变粗糙的晶片对准标 记，该上表面和变粗糙的晶片对准标记有表面粗糙度σ s ；以具有波长λ A的对准光使该至少一个变粗糙的晶片对准标记成像，该波长λΑ是如下 至少之一 a)在从约2 ο s到约8 ο s的范围内；b)在从约1 μ m到约2 μ m的范围内；和c) 在从约2 λ LED到约8 λ LED的范围内；把检测的像与对准参考进行比较以建立晶片对准；和 在LED结构上表面上形成至少一个电接触。
18.权利要求17的方法，其中该LED结构上表面是p-GaN层的上表面，而该至少一个电 接触是P接触。
19.权利要求17的方法，其中使LED结构的上表面变粗糙包含进行等离子蚀刻。
20.权利要求17的方法，其中建立晶片对准包含在检测的像和对准参考上进行模式识 别，并移动该晶片被检测的像与对准参考对准为止。
全文摘要
用于形成具有粗糙表面的发光二极管的光学对准方法。一种当用光刻制造发光二极管LED时对准晶片的方法。该方法包含在晶片上形成至少一个具有均方根RMS表面粗糙度σS的变粗糙的对准标记。该变粗糙的对准标记是由于进行等离子蚀刻使晶片对准标记驻留在其上的LED表面变粗糙而形成的。该方法还包含以具有波长λA的对准光使该至少一个变粗糙的晶片对准标记成像，该波长λA是在从约2σS到8σS的范围内。该方法还包含把检测的像与对准参考进行比较以建立晶片对准。一旦晶片对准被建立，p接触和n接触能够被形成在LED上表面上它们的适当位置中。
文档编号G03F7/20GK102087479SQ20101056708
公开日2011年6月8日 申请日期2010年11月30日 优先权日2009年12月2日
发明者A·M·霍利鲁克, K·盖延, R·赫西赫, W·弗拉克 申请人:超科技公司