专利名称：完成小线距的导线制作方法
完成小线距的导线制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种光刻方法，特别是有关于一种完成小线距的导线制作方法。背景技术：
一般来说，在液晶面板的金属线路制作过程中，会于玻璃基板上透过溅镀形成一金属层，再涂布光阻于所述金属层上，光阻经过曝光显影工艺后形成图案化的光阻层，再透过蚀刻工艺移除未被光阻层覆盖的金属层部分，最后移除图案化的光阻层后即可形成所需的金属线路。利用光刻技术可以对光阻曝光出不同线路图案，但当线路图案的线与线之间的线距(line-to-line space)较小时，光阻会因为光透过率较低的关系而没有获得足够曝光。 经过显影工艺之后，如图1所示，原本应被去除的特定光阻部份仍有残留，而导致光阻层 900的区块仍连接在一起，使得底下金属层910在光刻后无法形成所需线路图案。因此，线路图案的有效线距往往受限于曝光机的曝光精度。然而，在特定的液晶显示装置的产品设计中，线路图案有时需要采用较小的线距， 以提高产品的性能，例如，液晶的光穿透率。目前，液晶面板所采用的8. 5代曝光机的最小曝光精度都受限于曝光机解析力(约3微米左右)，而无法制造线距小于曝光机解析力的产
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ΡΠ O故，有必要提供一种完成小线距的导线制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容有鉴于现有技术的缺点，本发明的主要目的在于提供一种完成小线距的导线制作方法，其在光罩曝光及显影工艺之后增加光阻的灰化步骤，以去除受限于曝光精度而未能在显影工艺中被完整去除的光阻。为达成本发明的前述目的，本发明提供一种完成小线距的导线制作方法，导线制作方法包含下列步骤Sl 提供一导体层；S2 涂布一光阻层于所述导体层上；S3 对所述光阻层进行曝光显影处理；S4 对所述光阻层进行灰化处理，以去除对应曝光区域的残留光阻而图案化所述光阻层；以及S5 对所述导体层进行蚀刻处理并去除所述图案化光阻层，以形成导线。在本发明的一实施例中，步骤S3进一步包含下列步骤通过光罩对所述光阻层进行局部曝光；以及对所述光阻层进行显影处理，以初步去除所述光阻层对应曝光区域的部份。在本发明的一实施例中，所述光罩具有宽度小于曝光机解析力的隙缝。在本发明的一实施例中，所述导体层为铟锡氧化层或是金属层。
在本发明的一实施例中，所述灰化处理是利用加热或激光照射的方式使光阻层碳化挥发以去除所述残留光阻。本发明主要是在光罩曝光及显影工艺之后增加对光阻的灰化处理，以去除受限于曝光精度而未能在显影工艺中被完整去除的光阻，以在有限曝光精度的曝光显影设备下， 于基板上制作出线距更小的导线。
图1是现有液晶面板的金属线路制作过程中因曝光精度有限而导致显影后光阻残留的示意图。图2A 2E是本发明完成小线距的导线制作方法一较佳实施例的制造示意图。图3是本发明完成小线距的导线制作方法一较佳实施例的流程图。
具体实施方式
为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本发明较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。再者，本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、 「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。请参考图3并同时配合图2A 2E所示，其中图3是本发明完成小线距的导线制作方法一较佳实施例的流程图，图2A 2E是本发明完成小线距的导线制作方法一较佳实施例的流程示意图，本发明的完成小线距的导线制作方法包含有下列步骤Sl 提供一导体层100 ；(如图2A所示)S2 涂布一光阻层110于所述导体层100上；S3 对所述光阻层110进行曝光显影处理，其中如图2A所示，所述步骤可通过一图案化的光罩2对所述光阻层110进行局部曝光；接着对所述光阻层110进行显影处理，以初步去除所述光阻层110对应曝光区域的部份；如图2B所示，当图2A的光罩2供光线穿过的细缝的宽度d小于曝光机解析力(例如3微米)时，显影后的光阻层110’对应曝光区域的位置将仍有光阻残留；S4 对所述光阻层110’进行灰化处理，以去除对应曝光区域的残留光阻而图案化所述光阻层；如图2C所示，经过灰化处理，对应曝光区域的残留光阻已被移除而形成预定所需的图案化光阻层110”;本步骤所述的灰化处理是利用加热或激光照射的方式使光阻层碳化挥发来达到去除所述残留光阻的目的；S5 对所述导体层100进行蚀刻处理并去除所述图案化光阻层110”，以形成导线。 如图2D所示，通过蚀刻处理以除去暴露的导体层100部份，而对应图案化所述导体层100 ； 最后，如图2E所示，去除掉所述图案化光阻层110”，即形成所需的导线图案100’。步骤S3所使用的光罩2优选是具有宽度小于曝光机解析力的隙缝。再者，所述导体层100优选为铟锡氧化层或是金属层，但不在此限。由上述说明可知，相较于现有导线制作方法受限于曝光精度而无法制作更小线距的布线图案，本发明的导线制作方法在曝光显影步骤之后进一步通过灰化处理来移除受限于曝光精度而未能在显影工艺中被完整去除的光阻，以进一步于基板上制作出线距更小的导线。因此，本发明完成小线距导线制作方法在曝光设备的精度有限的情况下，仍能制作符合微小线距需求的导线图案。 本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。 必需指出的是，已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地，包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包括于本发明的范围内。
权利要求
1.一种完成小线距的导线制作方法，其特征在于所述导线制作方法包含下列步骤51提供一导体层；52涂布一光阻层于所述导体层上；53对所述光阻层进行曝光显影处理；54对所述光阻层进行灰化处理，以去除对应曝光区域的残留光阻而图案化所述光阻层；以及55对所述导体层进行蚀刻处理并去除所述图案化光阻层，以形成导线。
2.如权利要求1所述的完成小线距的导线制作方法，其特征在于 步骤S3进一步包含下列步骤通过光罩对所述光阻层进行局部曝光；以及对所述光阻层进行显影处理，以初步去除所述光阻层对应曝光区域的部份。
3.如权利要求1所述的完成小线距的导线制作方法，其特征在于 所述光罩具有宽度小于曝光机解析力的隙缝。
4.如权利要求1所述的完成小线距的导线制作方法，其特征在于 所述导体层为铟锡氧化层或是金属层。
5.如权利要求1所述的完成小线距的导线制作方法，其特征在于所述灰化处理是利用加热或激光照射的方式使光阻层碳化挥发以去除所述残留光阻。
全文摘要
本发明公开一种完成小线距导线制作方法。所述导线制作方法是先于导体层上涂布光阻，经过曝光显影后，进一步通过灰化处理来完全移除光阻对应曝光区域的部份，再进行导体层的蚀刻步骤，以形成所需导线。本发明所提供的方法可在有限曝光精度的曝光显影设备下，于基板上制作出符合微小线距需求的导线图案。
文档编号G03F7/42GK102402138SQ201110369499
公开日2012年4月4日 申请日期2011年11月18日 优先权日2011年11月18日
发明者薛景峰, 许哲豪 申请人:深圳市华星光电技术有限公司