专利名称：光刻设备和方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻设备和方法。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或更多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。光刻术被广泛认为是制造集成电路(IC)和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻术形成的特征的尺寸变得越来越小，对于实现微型的将要制造的IC或其他器件和/或结构来说，光刻术正变成更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式⑴所示:
权利要求
1.一种光刻设备，包括:辐射源，配置成产生辐射束；支撑件，配置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束；腔，定位在辐射源和支撑件之间，所述腔包含配置成反射辐射束的至少一个光学部件，所述腔配置成允许来自辐射源的辐射从其中通过；隔膜，限定所述腔的一部分，所述隔膜配置成允许辐射束通过隔膜，并阻止污染物颗粒通过隔膜；和颗粒捕获结构，配置成允许气体沿间接路径从腔的内部流至腔的外部，颗粒捕获结构的间接路径配置成基本上阻止污染物颗粒从腔的内部到达腔的外部。
2.如权利要求1所述的光刻设备，其中间接路径是蜿蜒的路径。
3.如权利要求2所述光刻设备，其中蜿蜒的路径是来回交替行进的。
4.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中颗粒捕获结构包括间隔开的第一壁部件和第二壁部件，多个板从间隔开的第一壁部件和第二壁部件中的每一个延伸，相邻的板彼此间隔分开，相邻的板中的一个从第一壁部件延伸并且相邻的板中的另一个从第二壁部件延伸，使得板形成相互交叉的交叠结构。
5.如权利要求4所述的光刻设备，其中隔膜连接至第一壁部件。
6.如权利要求4或5所述的光刻设备,其中第一和第二壁部件中每一个包括开口，所述开口配置成允许辐射束通过。
7.如权利要求4-6中任一项所述的光刻设备，其中板是平坦的或弯曲的。
8.如权利要求1所述的光刻设备，其中颗粒捕获结构包括海绵状材料，所述海绵状材料配置成不能透过污染物颗粒而允许气体流过。
9.如前述权利要求任一项所述的光刻设备，其中隔膜包括选自由下列材料构成的组中的至少一种材料:错、硅、钥、二硅化钥、钇、铷、锶、铌、钌以及石墨烯。
10.如权利要求9所述的光刻设备，其中隔膜由石墨烯或石墨烯衍生物形成。
11.如前述权利要求任一项所述的光刻设备，其中隔膜和颗粒捕获结构是光刻设备的源收集器模块或照射系统的一部分。
12.—种光刻方法，包括步骤:广生福射束；引导辐射束通过包含反射辐射束的至少一个光学部件的腔，所述辐射束被引导朝向图案形成装置，所述腔包括隔膜；当辐射束从腔通过隔膜并朝向图案形成装置传递时用隔膜阻止污染物颗粒通过；使气体从腔的内部沿间接路径通过颗粒捕获结构流至腔的外部，所述间接路径基本上阻止污染物颗粒从腔的内部到达腔的外部；用图案形成装置将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束；和使用投影系统将图案化的辐射束投影到衬底上。
13.根据权利要求12所述的方法，其中间接路径是蜿蜒的路径。
14.根据权利要求13所述的方法， 其中蜿蜒的路径是来回交替行进的。
15.根据权利要求12-14中任一项所述的方法，其中颗粒捕获结构包括间隔开的第一和第二壁部件，多个板从间隔开的第一和第二壁部件中的每一个延伸，相邻的板彼此间隔分开，邻近的板中的一个从第一壁部件延伸并且相邻的板中的另一个从第二壁部件延伸，使得板形成相互交叉的交叠结构。
16.根据权利要求15所述的方法，其中隔膜连接至第一壁部件。
17.根据权利要求15或16所述的方法，其中第一和第二壁部件中每一个包括开口，所述开口配置成允许辐射束通过。
18.根据权利要求15-17中任一项所述的方法，其中板是平坦的或弯曲的。
19.根据权利要求12所述的方法，其中颗粒捕获结构包括配置成不能透过污染物颗粒而允许气体流过的海绵状材料。
20.根据权利要求12-19中任一项所述的方法，其中隔膜包括选自由下列材料构成的组中的至少一种材料:锆、硅、钥、二硅化钥、钇、铷、锶、铌、钌以及石墨烯或石墨烯衍生物。
21.根据权利要求20所述的方法，其中隔膜由石墨烯或石墨烯衍生物形成。
22.根据权利要求12-21中任一项所述的方法，其中隔膜和颗粒捕获结构是光刻设备的源收集器模块或照射系统的一部分。
23.—种光刻设备,包括:辐射源，配置成产生辐射束；和支撑件，配置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束；其中所述支撑件设 置有包括石墨烯层的表膜。
24.一种光谱纯度滤光片，包括栅格，所述栅格配置成阻止或减少红外辐射通过，其中所述栅格覆盖有阻止氧气通过到栅格的石墨烯。
25.一种多层反射镜，包括第一材料和第二材料的交替层，其中石墨烯设置在交替层之间。
全文摘要
一种光刻设备，包括辐射源，配置成产生辐射束；和支撑件，配置成支撑图案形成装置。所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束。腔定位在辐射源和图案形成装置之间。所述腔包含配置成反射辐射束的至少一个光学部件，所述腔配置成允许来自辐射源的辐射通过其中。隔膜(44)配置成允许辐射束通过并阻止污染物颗粒(54)通过隔膜的管道。颗粒捕获结构(52)配置成允许气体沿间接路径从腔内部流至腔外部。间接路径配置成基本上阻止污染物颗粒(58)从腔内部到达腔外部。
文档编号G03F1/24GK103080840SQ201180031217
公开日2013年5月1日 申请日期2011年3月17日 优先权日2010年6月25日
发明者A·亚库宁, V·班尼恩, E·鲁普斯特拉, H·范德斯库特, L·史蒂文斯, M·范卡朋 申请人:Asml荷兰有限公司