专利名称：一种红外光学窗口及其制造方法
技术领域：
本发明涉及红外光学器件领域，尤其是涉及ー种红外光学窗ロ及其制造方法。
背景技术：
由于传统红外光学窗ロ材料具有较大反射系数,所以当作为红外光学窗ロ时需要进行表面抗反射处理。通常的增透处理方法是在红外光学窗ロ表面制作亚波长抗反射结构。理论上采用亚波长抗反射结构的红外窗ロ在8 12um波段的最高红外透过率能达到99. 5%，平均透过率达95%以上。但是，虽然采用亚波长结构的窗ロ有很高的红外透过率，但在实际使用过程中会 产生如下问题一，使用环境中的尘埃颗粒容易陷入到结构中，使得抗反射层的折射率发生改变，窗ロ受到污染，并且不能采用普通的擦拭方法清洁红外窗ロ，从而影响窗ロ的红外透过率。ニ，红外窗ロ的亚波长结构尺寸过小，窗ロ在发生意外磕碰的情况下容易使表面结构受到损坏，物理破坏也会改变抗反射层的折射率，影响窗ロ使用寿命甚至导致窗ロ失效。因此需要在窗ロ表面制作一层保护膜来保护结构。红外光学器件一般是采用PECVD (等离子体增强化学气相沉积法)制备DLC (类金刚石镀膜)的方法制作光学保护层。但是由于亚波长结构表面微小不平整的结构，使得气相沉积后的的表面也会不平整，对红外窗ロ的亚波长结构起不到保护作用，所以无法采用这种方法制作亚波长结构的保护层。现有技术中，暂未发现有对于如何保护红外窗ロ的亚波长抗反射结构的相关研究报道。
发明内容
本发明的目的之ー是提供一种能够为红外光学窗口上的抗反射结构提供良好的保护的红外光学窗ロ及其制造方法。本发明实施例公开的技术方案包括
ー种制造红外光学窗ロ的方法，包括提供红外光学窗ロ基片；在所述红外光学窗ロ基片的入射面上形成第一抗反射结构；在所述红外光学窗ロ基片的出射面上形成第二抗反射结构；在形成了所述第一抗反射结构的所述入射面上形成聚合物薄膜保护层。进ー步地，在所述红外光学窗ロ基片的入射面上形成第一抗反射结构包括在所述入射面上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上涂布光刻胶层；在所述光刻胶层上形成于所述第一抗反射结构对应的图形；用所述光刻胶层对所述氮化硅层进行过刻蚀，形成氮化硅掩膜层；去除所述氮化硅掩膜层上的所述光刻胶层；用所述氮化硅掩膜层刻蚀所述入射面，形成第一抗反射结构；去除所述氮化硅掩膜层。进ー步地，在所述红外光学窗ロ基片的出射面上形成第二抗反射结构包括在所述出射面上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上涂布光刻胶层；在所述光刻胶层上形成于所述第二抗反射结构对应的图形；用所述光刻胶层对所述氮化硅层进行过刻蚀，形成氮化硅掩膜层；去除所述氮化硅掩膜层上的所述光刻胶层；用所述氮化硅掩膜层刻蚀所述出射面，形成第二抗反射结构；去除所述氮化硅掩膜层。进ー步地，所述第一抗反射结构和/或所述第二抗反射结构为凸起的圆柱、圆锥、圆台或棱柱。进ー步地，所述第一抗反射结构和/或所述第二抗反射结构为凹入的圆柱形凹槽、圆锥形凹槽、圆台形凹槽或棱柱形凹槽。进ー步地，所述聚合物薄膜保护层由具有高红外光透过率的聚合物材料形成。本发明实施例中还提供了一种红外光学窗ロ，包括红外光学窗ロ基片，其中在所述红外光学窗ロ基片的入射面上形成有第一抗反射结构，在所述红外光学窗ロ基片的出射面上形成有第二抗反射结构；聚合物薄膜保护层，所述聚合物薄膜保护层形成在所述入射面上，所述聚合物薄膜保护层覆盖所述第一抗反射结构。 进ー步地，所述第一抗反射结构和/或所述第二抗反射结构为凸起的圆柱、圆锥、圆台或棱柱。进ー步地，所述第一抗反射结构和/或所述第二抗反射结构为凹入的圆柱形凹槽、圆锥形凹槽、圆台形凹槽或棱柱形凹槽。进ー步地，所述聚合物薄膜保护层由具有高红外光透过率的聚合物材料形成。本发明的实施例中，在入射面的抗反射结构上形成了由具有高红外光透过率的聚合物材料形成的薄膜保护层，该薄膜保护层不存在吸水吸潮现象，机械性能稳定，对工作环境变化不敏感，内应カ小，8 12um波段平均红外透过率达到85%以上，折射率适中，制备方法简单，成本低廉。利用这种结构可保护抗反射结构免受环境污染和物理破坏，有效提高窗ロ可靠性，增加窗ロ的使用寿命。
图I是本发明一个实施例的制造红外光学窗ロ的方法的流程示意 图2是本发明一个实施例的红外光学窗ロ的底视示意 图3是本发明一个实施例的红外光学窗ロ的侧视示意图。
具体实施例方式如图I所示，本发明的实施例中，ー种制造红外光学窗ロ的方法包括步骤10、步骤12、步骤14和步骤16。步骤10 :提供红外光学窗ロ基片。本发明的实施例中，首先提供用于制造红外光学窗ロ的基片，即红外光学窗ロ基片。本发明的实施例中，该基片可以是任何适合于制造红外光学窗ロ的材料制成，比如，硅、锗、蓝宝石、ZnS (硫化锌)、ZnSe (硫化硒)、Chalcogenide Glasses (黑钻)等等。步骤12 :在入射面上形成第一抗反射结构。红外光学窗ロ在使用中，光线从其一面入射并从其另一面出射，因此其具有入射面和出射面。相应地，由于红外光学窗ロ是基于前述的红外光学窗ロ基片制成，因此，该红外光学窗ロ基片的相应面也称为入射面和出射面。
在步骤12中，可以在红外光学窗ロ基片的入射面上形成第一抗反射结构。本发明的实施例中，在红外光学窗ロ基片的入射面上形成第一抗反射结构的步骤可以包括
首先，在该入射面上形成氮化硅层，该氮化硅层可以使用任何适合的方法形成在入射面上，比如气相沉积法，例如等离子体増加化学气相沉积法(PECVD)等等；
然后，在氮化硅层上涂布光刻胶层；
随后，在光刻胶层上形成与第一抗反射结构对应的图形，这里，本发明的实施例中，可以通过非接触式曝光的方法对该光刻胶层进行曝光使掩膜板上的图形(即与第一抗反射结构对应的图形)转移到光刻胶层上然后对该光刻胶层进行显影实现；
其后，使用该光刻胶层对氮化硅层进行过刻蚀，从而形成氮化硅掩膜层，这里，可以使用任何适合的刻蚀方法进行刻蚀，例如，反应离子刻蚀(RIE)等等；
过刻蚀完成后，去除氮化硅掩膜层上的光刻胶层；
然后，用该氮化硅掩膜层刻蚀红外光学窗ロ基片的入射面，从而在入射面上形成第一抗反射结构；
最后，从该红外光学窗ロ的基片上去除该氮化硅掩膜层。这样，即在红外光学窗ロ基片的入射面上形成第一抗反射结构。本发明的实施例中，该可以抗反射结构可以是凸起的结构，例如凸起的圆柱、圆锥、圆台或棱柱等等；也可以是凹入的结构，例如凹入的圆柱形凹槽、圆锥形凹槽、圆台形凹槽或棱柱形凹槽等等。这些凸起或凹入的结构在入射面上既可以随机紧密排列也可以按ー定规律紧密排列，例如，在入射面上排列成ニ维矩阵的形状等等。容易理解，在前述的用光刻胶进行刻蚀以形成这些结构的过程中，在光刻胶上形成对应的图形，并将该图形刻蚀形成在氮化硅掩膜上，使用该氮化硅掩膜即可刻蚀形成特定形状的第一抗反射结构。本文中，称光刻胶上为了形成第一抗反射结构而形成的图形为与第一抗反射结构对应的图形。本实施例中，前述形成第一抗反射结构的各个步骤中还可以包括相应的清洗、烘烤等步骤。各个步骤中的相关參数也可以根据实际情况而具体选择。例如，一个实施例中，形成第一抗反射结构的具体步骤包括
步骤一，硅片(本实施例中红外光学窗ロ基片为硅片)表面处理使用丙酮对双面抛光硅片进行超声波清洗，之后用去离子水冲洗干净，接着用氢氟酸清洗硅片，再用去离子水冲洗，氮气吹干，放入烘箱中烘干，然后冷却至室温。步骤ニ,气相沉积氮化硅采用PECVD的方法对双抛硅片入射面气相沉积氮化硅层；氮化娃层厚度可以为400 500nm (纳米)左右。步骤三，入射面涂胶采用旋转涂胶法对入射面涂布光刻胶；旋涂转速可以为3500 r/min (转/分钟)，涂胶厚度可以为800 1200nm。步骤四，入射面前烘对入射面涂布光刻胶后的硅片进行烘烤；烘烤温度可以为100°c，前烘时间可以为70秒。步骤五，入射面曝光采用非接触式曝光的方法对入射面光刻胶层进行曝光，使得掩膜板上的图形(即与第一抗反射结构对应的图形)转移到光刻胶上；曝光时间可以为500ms (毫秒)。
步骤六，入射面显影使用显影液对曝光后的入射面光刻胶进行显影，显影时间可以为60秒，显影温度可以为25°C ;显影后用去离子水反复冲洗。步骤七，入射面后烘采用烘箱对入射面显影后的硅片进行烘烤；烘烤温度可以为120°C，后烘时间可以为20min (分钟)。步骤八，入射面离子刻蚀氮化硅掩膜采用反应离子刻蚀エ艺(RIE)过刻氮化硅层，生成氮化硅掩膜图形；刻蚀气体可以为三氟甲烷20sCCm (标况毫升每分)，氧气5sCCm(标况晕升姆分)，刻蚀时间可以为5分钟。步骤九，入射面除胶可以采用干法去胶的方法，去胶气体可以为氧气。步骤十，硅片表面再次处理使用丙酮对双面抛光硅片进行超声波清洗，之后用去离子水冲洗干净，接着用氢氟酸清洗硅片，再用去离子水冲洗，氮气吹干，放入烘箱中烘干，冷却至室温。 步骤十一，刻蚀第一抗反射结构用前述形成的氮化硅研磨刻蚀第一抗反射。刻蚀获得的第一抗反射结构如图3所示，该第一抗反射结构2为呈ニ维矩阵排列的四方柱。该ニ维矩阵排列的四方柱高度可以为O. 6 I. 4um (微米)，边长可以为O. 75 3um (微米)，排列周期可以为I. 5 4um (微米)。例如，一个实施例中，该ニ维矩阵排列的正四方柱高度为I. 09um (微米),边长为I. 95um (微米),排列周期为3um (微米)。步骤十一中，刻蚀的エ艺參数可以为采用反应耦合等离子体刻蚀技术(ICP);刻蚀气体为SF6 (六氟化硫)，150 ISOsccm (标况毫升每分)，侧壁保护气体为C4F8 (全氟丁烯XlOOsccm (标况毫升每分)，刻蚀气压为20mTorr (毫托)，上电极刻蚀功率为1800 2000w (瓦)，下电极刻蚀功率为20w (瓦)，刻蚀时间为60秒。步骤十二，去除入射面上的氮化硅掩膜采用HF(氟化氢)稀溶液浸泡基片5分钟，取出用去离子水冲洗干净，烘箱内烘干。这样，即在红外光学窗ロ基片的入射面上形成了具有特定形状的第一抗反射结构。步骤14 :在出射面上形成第二抗反射结构。类似地，在步骤14中，可以在红外光学窗ロ基片的出射面上形成第二抗反射结构。本发明的实施例中，在红外光学窗ロ基片的出射面上形成第二抗反射结构的步骤可以包括
首先，在该出射面上形成氮化硅层，该氮化硅层可以使用任何适合的方法形成在出射面上，比如气相沉积法，例如等离子体増加化学气相沉积法(PECVD)等等。本发明的实施例中，这个在出射面上形成氮化硅层的过程可以与步骤12中在入射面上形成氮化硅层的过程同时进行，以节省时间和成本；
然后，在氮化硅层上涂布光刻胶层；
随后，在光刻胶层上形成与第二抗反射结构对应的图形，这里，本发明的实施例中，可以通过非接触式曝光的方法对该光刻胶层进行曝光使掩膜板上的图形(即与第二抗反射结构对应的图形)转移到光刻胶层上然后对该光刻胶层进行显影实现；
其后，使用该光刻胶层对氮化硅层进行过刻蚀，从而形成氮化硅掩膜层，这里，可以使用任何适合的刻蚀方法进行刻蚀，例如，反应离子刻蚀(RIE)等等；过刻蚀完成后，去除氮化硅掩膜层上的光刻胶层；
然后，用该氮化硅掩膜层刻蚀红外光学窗ロ基片的出射面，从而在出射面上形成第二抗反射结构；
最后，从该红外光学窗ロ的基片上去除该氮化硅掩膜层。这样，即在红外光学窗ロ基片的出射面上形成第二抗反射结构。本发明的实施例中，该可以抗反射结构可以是凸起的结构，例如凸起的圆柱、圆锥、圆台或棱柱等等；也可以是凹入的结构，例如凹入的圆柱形凹槽、圆锥形凹槽、圆台形凹槽或棱柱形凹槽等等。这些凸起或凹入的结构在出射面上既可以随机紧密排列也可以按ー定规律紧密排列，例如，在出射面上排列成ニ维矩阵的形状等等。
容易理解，在前述的用光刻胶进行刻蚀以形成这些结构的过程中，在光刻胶上形成对应的图形，并将该图形刻蚀形成在氮化硅掩膜上，使用该氮化硅掩膜即可刻蚀形成特定形状的第二抗反射结构。本文中，称光刻胶上为了形成第二抗反射结构而形成的图形为与第二抗反射结构对应的图形。本实施例中，前述形成第二抗反射结构的各个步骤中还可以包括相应的清洗、烘烤等步骤。各个步骤中的相关參数也可以根据实际情况而具体选择。例如，一个实施例中，形成第二抗反射结构的具体步骤包括
步骤一，硅片(本实施例中红外光学窗ロ基片为硅片)表面处理使用丙酮对双面抛光硅片进行超声波清洗，之后用去离子水冲洗干净，接着用氢氟酸清洗硅片，再用去离子水冲洗，氮气吹干，放入烘箱中烘干，然后冷却至室温。步骤ニ，气相沉积氮化硅采用PECVD的方法对双抛硅片的出射面气相沉积氮化娃层；氮化娃层厚度可以为400 500nm (纳米)左右。本实施例中，此处的步骤ー和步骤ニ可以与前述的步骤12中的具体实施例的步骤ー和步骤ニ合为一起进行，此时，在步骤ニ中，同时在硅片的两面(入射面和出射面)沉积氮化硅层，以节省时间和成本。步骤三，出射面涂胶采用旋转涂胶法对出射面涂布光刻胶；旋涂转速可以为3500 r/min (转/分钟)，涂胶厚度可以为800 1200nm。步骤四，出射面前烘对出射面涂布光刻胶后的硅片进行烘烤；烘烤温度可以为100°c，前烘时间可以为70秒。步骤五，出射面曝光采用非接触式曝光的方法对出射面光刻胶层进行曝光，使得掩膜板上的图形(即与第二抗反射结构对应的图形)转移到光刻胶上；曝光时间可以为500ms (毫秒)。步骤六，出射面显影使用显影液对曝光后的出射面光刻胶进行显影，显影时间可以为60秒，显影温度可以为25°C ;显影后用去离子水反复冲洗。步骤七，出射面后烘采用烘箱对出射面显影后的硅片进行烘烤；烘烤温度可以为120°C，后烘时间可以为20min (分钟)。步骤八，出射面离子刻蚀氮化硅掩膜采用反应离子刻蚀エ艺(RIE)过刻氮化硅层，生成氮化硅掩膜图形；刻蚀气体可以为三氟甲烷20sCCm (标况毫升每分)，氧气5sCCm(标况晕升姆分)，刻蚀时间可以为5分钟。步骤九，出射面除胶可以采用干法去胶的方法，去胶气体可以为氧气。
步骤十，硅片表面再次处理使用丙酮对双面抛光硅片进行超声波清洗，之后用去离子水冲洗干净，接着用氢氟酸清洗硅片，再用去离子水冲洗，氮气吹干，放入烘箱中烘干，冷却至室温。步骤十一，刻蚀第二抗反射结构用前述形成的氮化硅研磨刻蚀第二抗反射。刻蚀获得的第二抗反射结构如图2和图3所示，该第二抗反射结构3为呈ニ维矩阵排列的四方柱凹槽。该ニ维矩阵排列的四方柱凹槽的深度可以为I 2um (微米)，边长可以为I. 5
2.5um (微米),排列周期可以为2 3um (微米)。例如，一个实施例中，该ニ维矩阵排列的四方柱凹槽的深度为I. 4um (微米),边长为2um (微米),排列周期为2. 5um (微米)。步骤十一中，刻蚀的エ艺參数可以为采用反应耦合等离子体刻蚀技术(ICP);刻蚀气体为SF6 (六氟化硫)，150 ISOsccm (标况毫升每分)，侧壁保护气体为C4F8 (全氟丁烯XlOOsccm (标况毫升每分)，刻蚀气压为20mTorr (毫托)，上电极刻蚀功率为1800 2000w (瓦)，下电极刻蚀功率为20w (瓦)，刻蚀时间为60秒。 步骤十二，去除出射面上的氮化硅掩膜采用HF(氟化氢)稀溶液浸泡基片5分钟，取出用去离子水冲洗干净，烘箱内烘干。这样，即在红外光学窗ロ基片的出射面上形成了具有特定形状的第二抗反射结构。本实施例中，一些步骤(例如、步骤十一和步骤十二)可以与前述的步骤12中的相应步骤(例如、步骤12中的步骤十一和步骤十二)同时完成，即在ー个步骤中实现。步骤16 :在入射面上形成聚合物薄膜保护层。形成了第一抗反射结构和第二抗反射结构之后，在步骤16中，可以在形成了第一抗反射结构的入射层上形成保护层，例如聚合物薄膜保护层。本发明的实施例中，该聚合物薄膜保护层可以是由任何适合的具有高红外光透过率的聚合物材料形成。例如，一个实施例中，该聚合物薄膜保护层可以是聚こ烯薄膜保护层，例如可以通过旋涂的方法在入射面上涂敷聚こ烯薄膜。该聚こ烯薄膜的厚度可以为2 5微米。或者，另ー个实施例中，该聚合物薄膜保护层可以是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜保护层。容易理解，这里也可以是任何适合的聚合物薄膜，只要该聚合物薄膜具有高红外光透过率即可。如图2和图3所示，本发明的实施例中，根据前述实施例的方法制造的红外光学窗ロ包括红外光学窗ロ基片1，其中在红外光学窗ロ基片I的入射面上形成有第一抗反射结构2，在红外光学窗ロ基片I的出射面上形成有第二抗反射结构3 ;还包括聚合物薄膜保护层4，该聚合物薄膜保护层4形成在入射面上，并且该聚合物薄膜保护层4覆盖第一抗反射结构2。相应地，第一抗反射结构2和/或所述第二抗反射结构3可以为凸起的圆柱、圆锥、圆台或棱柱。相应地，第一抗反射结构2和/或所述第二抗反射结构3可以为凹入的圆柱形凹槽、圆锥形凹槽、圆台形凹槽或棱柱形凹槽。一个实施例中，该聚合物薄膜保护层4可以由具有高红外光透过率的聚合物材料形成，例如，由聚こ烯或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)形成。也就是说，该聚合物薄膜保护层4可以是聚こ烯薄膜保护层或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜保护层或者任何其它的具有高红外光透过率的聚合物材料的薄膜保护层。本发明的实施例中，采用双面制作亚波长抗反射结构，很大程度上提升了窗ロ的红外透过率。本发明的实施例中，在入射面的抗反射结构上形成了由具有高红外光透过率的聚合物材料形成的薄膜保护层，该薄膜保护层不存在吸水吸潮现象，机械性能稳定，对工作环境变化不敏感，内应カ小，8 12um波段平均红外透过率达到85%以上，折射率适中，制备方法简单，成本低廉。利用这种结构可保护抗反射结构免受环境污染和物理破坏，有效提高窗ロ可靠性，增加窗ロ的使用寿命。以上通过具体的实施例对本发明进行了说明，但本发明并不限于这些具体的实施例。本领域技术人员应该明白，还可以对本发明做各种修改、等同替换、变化等等，这些变换 只要未背离本发明的精神，都应在本发明的保护范围之内。此外，以上多处所述的“ー个实施例”表示不同的实施例，当然也可以将其全部或部分结合在一个实施例中。
权利要求
1.一种制造红外光学窗口的方法，包括 提供红外光学窗口基片； 在所述红外光学窗口基片的入射面上形成第一抗反射结构； 在所述红外光学窗口基片的出射面上形成第二抗反射结构； 在形成了所述第一抗反射结构的所述入射面上形成聚合物薄膜保护层。
2.如权利要求I所述的方法，其特征在于在所述红外光学窗口基片的入射面上形成第一抗反射结构包括 在所述入射面上形成氮化硅层； 在所述氮化硅层上涂布光刻胶层； 在所述光刻胶层上形成于所述第一抗反射结构对应的图形； 用所述光刻胶层对所述氮化硅层进行过刻蚀，形成氮化硅掩膜层； 去除所述氮化硅掩膜层上的所述光刻胶层； 用所述氮化硅掩膜层刻蚀所述入射面，形成所述第一抗反射结构； 去除所述氮化硅掩膜层。
3.如权利要求I所述的方法，其特征在于在所述红外光学窗口基片的出射面上形成第二抗反射结构包括 在所述出射面上形成氮化硅层； 在所述氮化硅层上涂布光刻胶层； 在所述光刻胶层上形成于所述第二抗反射结构对应的图形； 用所述光刻胶层对所述氮化硅层进行过刻蚀，形成氮化硅掩膜层； 去除所述氮化硅掩膜层上的所述光刻胶层； 用所述氮化硅掩膜层刻蚀所述出射面，形成所述第二抗反射结构； 去除所述氮化硅掩膜层。
4.如权利要求I至3中任意一项所述的方法，其特征在于所述第一抗反射结构和/或所述第二抗反射结构为凸起的圆柱、圆锥、圆台或棱柱。
5.如权利要求I至3中任意一项所述的方法，其特征在于所述第一抗反射结构和/或所述第二抗反射结构为凹入的圆柱形凹槽、圆锥形凹槽、圆台形凹槽或棱柱形凹槽。
6.如权利要求I至3中任意一项所述的方法，其特征在于所述聚合物薄膜保护层由具有高红外光透过率的聚合物材料形成。
7.—种红外光学窗口，包括 红外光学窗口基片，其中在所述红外光学窗口基片的入射面上形成有第一抗反射结构，在所述红外光学窗口基片的出射面上形成有第二抗反射结构； 聚合物薄膜保护层，所述聚合物薄膜保护层形成在所述入射面上，所述聚合物薄膜保护层覆盖所述第一抗反射结构。
8.如权利要求7所述的红外光学窗口，其特征在于所述第一抗反射结构和/或所述第二抗反射结构为凸起的圆柱、圆锥、圆台或棱柱。
9.如权利要求7所述的红外光学窗口，其特征在于所述第一抗反射结构和/或所述第二抗反射结构为凹入的圆柱形凹槽、圆锥形凹槽、圆台形凹槽或棱柱形凹槽。
10.如权利要求7至9中任意一项所述的红外光学窗口，其特征在于所述聚合物薄膜保护层由具有高红外光透过率的聚 合物材料形成。
全文摘要
本发明实施例公开了一种红外光学窗口及其制造方法，包括提供红外光学窗口基片；在入射面上形成第一抗反射结构；在出射面上形成第二抗反射结构；在形成了第一抗反射结构的入射面上形成聚合物薄膜保护层。本发明的实施例中，在入射面的抗反射结构上形成了由具有高红外光透过率的聚合物材料形成的薄膜保护层，该薄膜保护层不存在吸水吸潮现象，机械性能稳定，对工作环境变化不敏感，内应力小，8～12um波段平均红外透过率达到85%以上，折射率适中，制备方法简单，成本低廉。利用这种结构可保护抗反射结构免受环境污染和物理破坏，有效提高窗口可靠性，增加窗口的使用寿命。
文档编号G02B1/11GK102854548SQ20121036164
公开日2013年1月2日 申请日期2012年9月26日 优先权日2012年9月26日
发明者何少伟, 陈鹏杰, 王明星, 胡庆, 徐向东, 李伟 申请人:电子科技大学