专利名称：用于将euvl掩模电气耦接至支撑夹盘的导电元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及通过电子束或离子束成像设备的极紫外光刻术(extreme ultraviolet lithography;EUVL)掩模检查。
背景技术：
EUVL掩模将在用于制造纳米级别的半导体器件的下一代光刻工艺中使用。较短EUV波长13.5nm实现产生比当今用513nm光刻术产生的可能元件更小的元件。光刻术工艺可包括将被光致抗蚀剂涂覆的硅晶片曝光于13.5nm波长辐射，所述13.5nm波长辐射自EUVL掩模的图案转移区域反射。将位于掩模的图案形成区域的顶表面上的图案去放大并转移至硅晶片上方的光致抗蚀剂层上。在这种曝光之后，光刻术工艺继续进行。移除显影的光致抗蚀剂，并且通过蚀刻或沉积在硅上形成图案。EUVL掩模还包括可围绕图案转移区域的外围区域。图1图示EUVL掩模，所述EUVL掩模由非导电层12 (诸如，玻璃层)和上部部分构建，所述上部部分可包括以下的组合:(a)将EUV光向基板反射的反射层14和(b)吸收层
16。这一上部部分为导电的并在整个掩模上延伸，且尤其在掩模的整个图案转移区域上延伸。图1还包括表示EUVL辐射的箭头8，所述EUVL辐射被引导至掩模上并自掩模反射。EUVL掩模定位于夹盘50上。夹盘50可电气耦接(通过电缆59)至已知电势(诸如，接地)的预定位置。必须在EUVL掩模的制造工艺和使用工艺期间检查EUVL掩模。掩模顶部上的缺陷或掩埋于多层堆叠中(在未被吸收层覆盖的区域上)的缺陷将在曝光的硅晶片上造成重复的缺陷。
发明内容
可提供一种用于将极紫外(EUVL)掩模耦接至夹盘的耦接模块，所述耦接模块可包含:上部部分，所述上部部分界定孔隙；至少一个掩模接触元件；夹盘接触元件；和中间元件，所述中间元件可连接于所述掩模接触元件与所述上部部分之间。孔隙的形状和尺寸可对应于EUVL掩模的图案转移区域的形状和尺寸。耦接模块可经成形并经确定尺寸，使得一旦至少一个掩模接触元件接触EUVL掩模的上部部分，那么夹盘接触元件接触支撑EUVL掩模的夹盘。当EUVL掩模可与耦接模块对准而定位于夹盘上时，耦接模块在EUVL掩模的上部部分与夹盘之间提供至少一个导电路径。当EUVL掩模可定位于夹盘上时，耦接模块可遮挡EUVL掩模的边缘。至少一个掩模接触元件可包含弹簧。上部部分与中间元件的底部末端之间的高度差可小于EUVL掩模的高度。掩模接触元件定位成在图案转移区域外部的位置处接触EUVL掩模。一旦耦接模块可放置于EUVL掩模上，那么孔隙曝露出图案转移区域。中间元件可经成形以围绕EUVL掩模。中间元件可经成形以在耦接模块放置于EUVL掩模上时接触EUVL掩模的至少一个侧壁。耦接模块可围绕EUVL掩模的中心对称。耦接模块可由不锈钢制成。或者，耦接模块的导电元件可由不锈钢制成。至少一个导电路径可通过非导电耦接模块的导电涂层形成。至少一个导电路径可包含多个导电路径。至少一个掩模接触元件可经布置以在耦接模块放置于EUVL掩模上时松散地接触夹盘。耦接模块包含彼此隔离的多个耦接模块导电部分，其中不同耦接模块导电部分耦接至不同掩模接触元件，其中每一掩模接触元件将耦接模块导电部分电气耦接至EUVL掩模。可提供一种用于检查极紫外(EUVL)掩模的方法。所述方法可包括:将EUVL掩模和耦接模块放置于夹盘上，其中所述耦接模块电气耦接EUVL掩模的上部部分和夹盘；和通过带电粒子束扫描EUVL掩模的图案转移区域的至少一部分，所述带电粒子束通过由耦接模块的上部部分界定的孔隙，同时夹盘、耦接模块和带电粒子束位于真空腔室中。
将参照附图仅以举例的方式描述本发明的进一步细节、方面和实施例。在附图中，相似的元件符号用以标识相似的或功能上类似的元件。为简单且清晰之目的而图示图中元件，并且图中元件未必按比例绘制。图1为现有技术EUVL掩模和夹盘的侧视图。图2图示根据本发明的实施例的夹盘、EUVL掩模和耦接模块；图3图示根据本发明的另一实施例的夹盘、EUVL掩模和耦接模块；图4图示根据本发明的又一实施例的夹盘、EUVL掩模和耦接模块；图5图示根据本发明的另一实施例的夹盘、EUVL掩模和耦接模块；图6图示根据本发明的又一实施例的夹盘、EUVL掩模和耦接模块；图7为根据本发明的另一实施例的耦接模块的俯视图；图8和图9图示根据本发明的实施例，将耦接模块放置于EUVL掩模上和将EUVL掩模和耦接模块放置于夹盘上的工艺中的两个阶段；图10至图12图示根据本发明的实施例的夹盘、EUVL掩模和耦接模块；图13图示根据本发明的实施例的EUVL掩模和耦接模块；图14包括根据本发明的实施例的EUVL掩模和耦接模块的俯视图，并且还包括根据本发明的实施例的耦接模块的横截面视图；图15为根据本发明的实施例的EUVL掩模、测量装置、电压供应器和耦接模块的俯视图；图16为根据本发明的实施例的EUVL掩模、夹盘和耦接模块的俯视图；图17为根据本发明的实施例的EUVL掩模和耦接模块的俯视图；图18为根据本发明的实施例的方法的流程图；图19为根据本发明的实施例的方法的流程图；和图20至图25图示根据本发明的各种实施例的EUVL掩模和耦接模块。
具体实施例方式在本说明书的结论部分中特定指出并清楚地主张被视为本发明的主题。然而，在结合附图阅读时，参考以下详细描述可更好地理解关于操作的组织和方法两者的发明，以及本发明的目标、特征和优点。在以下详细描述中，阐述众多特定细节以提供对本发明的透彻理解。然而，本领域的技术人员将理解，可在不具有这些特定细节的情况下实践本发明。在其它情况下，并未详细描述熟知的方法、程序和组件，以免混淆了本发明。各示耦接模块的上部部分为平坦表面。应注意，上部部分可为上表面或具有任何其它形状。当EUVL掩模定位于夹盘上并与耦接模块对准时，耦接模块为具有导电部分的模块，所述导电部分预期为EUVL掩模与夹盘之间导电路径的一部分。导电模块可为导电框架但可具有其它形式或形状。可用不同成像技术检查EUVL掩模10的上部部分(顶层，包括层16和层14)，所述成像技术可包括通过电子束(e-beam)或离子束成像技术进行的EUVL掩模检查。在真空腔室内部执行通过电子束或离子束进行的检查。EUVL掩模10插入至真空腔室(未图示)中，并且EUVL掩模10定位于夹盘50上，夹盘50可位于平台的顶部上，所述平台诸如(但不限于)XY平台。在检查期间，在电子束或离子束下方平移EUVL掩模10 (沿X方向和/或Y方向移动)。如上文所提及，EUVL掩模10的上部部分由导电层(14和16)制成，所述导电层位于非导电层12的顶部上。后者可相对较厚(约6mm)并且可由石英板制成。用带电粒子束扫描EUVL掩模10可能造成电荷聚集。为了消除EUVL掩模检查期间的电荷聚集(电荷聚集可能造成损伤)，EUVL掩模的上部部分应电气耦接至夹盘50，因为夹盘50导电。夹盘50 (尤其是夹盘底座)可连接至所需要的电势。例如，夹盘50可接地。可提供耦接模块，所述耦接模块使在如下检查期间EUVL掩模的上部部分能够电连接至夹盘。耦接模块可在EUVL掩模搬运工艺期间放置于EUVL掩模上方。耦接模块可自上方打开(所述耦接模块可界定孔隙，所述孔隙曝露EUVL掩模10的图案转移区域11)，但耦接模块在可位于图案转移区域外部(诸如，在EUVL掩模的外围区域中)的多个(例如，2、3、4或更多个)点处接触EUVL掩模10。耦接模块可作为EUVL掩模总成的一部分平移至检查工具上。机器人(或其它转移单元)可载送EUVL掩模和耦接模块(一起载送或者分开载送)、可将EUVL掩模定位于真空腔室内、可将EUVL放置于夹盘上、并可将耦接模块放置于EUVL掩模和夹盘上。耦接模块可由导电材料制成、可包括导电材料和绝缘材料或可由导电涂层涂覆。EUVL掩模和框架的搬运机器人臂可在机器人臂至检查工具的路线上载送EUVL掩模。应注意，已知装载或卸载EUVL掩模中的各个步骤并且不需要任何进一步解释。这些步骤可包括:通过机器人臂打开EUVL掩模盒(其中，于检查工艺和/或光刻术工艺之间EUVL掩模定位在EUVL掩模盒中)、抽取EUVL掩模并且甚至(在需要时)将所述EUVL掩模反向使得所述EUVL掩模的面倒置等。机器人臂可借助于垂直移动，S卩，将EUVL掩模向上移动至耦接模块中，来执行耦接模块的自对准定位。耦接模块可最初位于底座的顶部上(真空腔室的外部)。机器人臂随后可通过臂和EUVL掩模的垂直移动来升起耦接模块。耦接模块可自对准至EUVL掩模(例如，通过与EUVL掩模的侧壁的轻微接触)。可缓慢地执行垂直移动，以减少摩擦和摩擦产生的分子污染。在垂直移动结束时，耦接模块定位于EUVL掩模表面的顶部上，从而接触各个点。机器人臂可最终将具有附接的耦接模块的EUVL掩模放置于EUVL掩模检查工具夹盘上。夹盘可定位于真空腔室中，所述真空腔室可具有开口(所述开口未图示)。这种状况可使机器人臂能够在开口内移动，直至EUVL掩模接触夹盘为止。随后，EUVL掩模向下移动更远(通过机器人臂)并被抽取出来。装载工艺图示于图8和图9中。当检查工作完成时，机器人臂返回并升起EUVL掩模和耦接模块。可在反向步骤序列中自EUVL掩模卸载耦接模块。可将耦接模块留在夹盘的底座上，并且机器人臂继续将EUVL掩模返回至所述EUVL掩模的盒中。耦接模块可为便携式并可通过标准EUVL掩模搬运机器人臂装载于EUVL掩模上。耦接模块和EUVL掩模根据本发明的实施例，耦接模块以松散的方式接触夹盘-所述耦接模块可通过附接至所述耦接模块的弹簧(或其它弹性元件)连接。弹簧略微地收缩，此举使电接触能够发生，但防止耦接模块通过弹簧力升起且因此失去所述耦接模块与EUVL掩模表面的接触。弹簧可位于接近EUVL掩模处(并且甚至接触所述EUVL掩模)或可与EUVL掩模略微地间隔开(并且甚至远离EUVL掩模放置)。如果是后者情况(远距离位置)，那么弹簧可使电势电弧(如果有)远离EUVL掩模本身形成，从而减少污染。耦接模块可由具有导电涂层或导线的非导电材料制成，以实现接触仅在耦接模块上的特定点之间产生。这种特征实现监控耦接模块支脚与EUVL掩模的顶表面之间接触的品质。根据本发明的实施例，可提供耦接模块，且耦接模块可包括界定孔隙的上部部分、掩模接触元件、夹盘接触元件和中间元件，所述中间元件可连接于所述掩模接触元件与所述上部部分之间。孔隙的形状和尺寸对应于极紫外(EUVL)掩模的图案转移区域的形状和尺寸。耦接模块可经成形并经确定尺寸，使得一旦掩模接触元件接触EUVL掩模的上部部分，那么掩模夹盘接触元件接触支撑所述掩模的夹盘。当EUVL掩模可定位于夹盘上时，耦接模块可在EUVL掩模的上部部分与夹盘之间提供至少一个导电路径。图2至图6图示EUVL掩模10、夹盘50和耦接模块20的各个元件(12、14和16)。耦接模块20将上部部分(尤其层14和另外或替代的层16)电气耦接至夹盘50。图2至图6图示形成于耦接模块20的上部部分21处的孔隙22。孔隙22的边缘通过两个间隔开的虚线25图示于这一横截面视图中。图2、图5和图6图示掩模接触元件，所述掩模接触元件包括弹簧24。弹簧24可包括在外壳29中或以各种其它方式连接至中间元件23。图2和图5将弹簧24图示为位于中间元件23下方并十分接近于EUVL掩模10的外部侧壁17，而图6将弹簧24图示为比中间元件23更远离EUVL掩模10。图5图示EUVL掩模10的外部侧壁17与中间元件23的壁之间的间隔物27。图6图示外壳29的组合，外壳29部分地围绕弹簧24，弹簧24松散地接触夹盘50。图3将弹簧24图示为连接于中间元件23的两个部分23(1)和23⑵之间，使得中间元件23的下部部分23(1)(而并非弹簧24)接触夹盘50。图2至图4和图6图示两个尖峰形掩模接触元件26，而图5图示多于两个尖峰形掩模接触元件26。图13至图15图示三个掩模接触元件26 (I)、26 (2)和26 (3)。图4图示本发明的实施例，其中上部部分21与中间元件23的底部末端23(4)之间的高度差可小于EUVL掩模10的高度。图7为耦接模块20的俯视图，图示孔隙22比EUVL掩模的图案转移区域11略微更大。掩模接触元件26 (I)至26 (3)定位成在未包括在图案转移区域中的位置处接触EUVL掩模。图10至图12图示根据本发明的实施例的夹盘50、EUVL掩模10和耦接模块20。参照图10，夹盘50具有圆形形状，并且夹盘50的尺寸应适应夹盘50预期支撑的晶片的尺寸。例如，300mm晶片(S卩，直径为300毫米的圆形晶片)可通过圆形夹盘支撑，所述圆形夹盘的直径可为至少300mm。EUVL掩模10远小于夹盘50，并且EUVL掩模10可具有矩形形状(但可使用夹盘和掩模的其它形状)。EUVL掩模10可包括被外围区域12围绕的图案转移区域11，外围区域12不用于将图案转移至晶片上。图10图示耦接模块20的孔隙22的(内部)边缘25、EUVL掩模10的外部边缘15和耦接模块20的外部边缘28。夹盘50通常不是完全平坦的。夹盘50通常包括各种夹盘元件(例如，真空孔隙、管、固持元件或其它间隔或突起)，所述各种夹盘元件可位于夹盘的各个位置处。这些各种夹盘元件在10图中表示为58并且图示(仅为了解释方便起见)为位于夹盘50的右上部分处。当夹盘50充电至高电压(例如，数千伏特)时，这些夹盘元件58 (以及EUVL掩模10的边缘)可有助于电弧、火花等的形成。根据本发明的各种实施例，耦接模块20可覆盖这些元件(或这些元件中的至少一些元件)并减少不当的电气或静电现象发生的机会。
图11至图15图示耦接模块20，耦接模块20遮挡整个夹盘50或者夹盘50的大部分。这种遮挡减少不规则性或可辅助形成不必要的电气或静电现象的其它夹盘元件58。在图11中，耦接模块20几乎与夹盘50 —样大，并且耦接模块20具有圆形形状。在图12中，耦接模块20具有与夹盘50的尺寸相同的尺寸。图13图示根据本发明的实施例的EUVL掩模10和耦接模块20。图13图示耦接模块20，耦接模块20可与整个夹盘50—样大并具有三个掩模接触元件 26(1) ,26(2)和 26(3)。第一掩模接触元件26(1)接触EUVL掩模10的外围区域12的右上边缘。第二掩模接触元件26 (2)接触EUVL掩模10的外围区域12的右下边缘。第三掩模接触元件26 (3)接触EUVL掩模10的外围区域12的左下边缘。掩模接触元件26 (I)-26 (3)中的每一者在耦接模块20与掩模10之间提供导电路径。电气测试和击穿氧化层图14包括:(a)根据本发明的实施例的EUVL掩模10和耦接模块20的俯视图；和(b)根据本发明的实施例的耦接模块20的横截面视图(沿着虚线70截取)。图14将耦接模块20图示为包括彼此隔离的两个耦接模块导电部分20(1)和20(2)。图17将耦接模块20图示为包括彼此隔离的三个耦接模块导电部分20(1) ,20(2)和20(3)。这三个耦接模块导电部分中的每一者电气耦接至掩模接触元件26(1)-26(3)中的不同掩模接触元件。可通过在这些耦接模块导电部分之间放置绝缘材料或通过在耦接模块导电部分之间形成缝隙(诸如，缝隙20(0))，来实现不同耦接模块导电部分之间的隔离。图14的横截面视图将耦接模块20的上部部分22图示为包括下层22(1)，下层22(1)由绝缘材料制成。下层22(1)支撑耦接模块导电部分20 (I)和耦接模块导电部分20(2)，同时维持耦接模块导电部分20 (I)与耦接模块导电部分20⑵之间的缝隙20 (O)。第一耦接模块导电部分20 (I)接触第一掩模接触元件26 (I)，而第二耦接模块导电部分20 (2)接触第二掩模接触元件26 (2)和第三掩模接触元件26 (3)。第一耦接模块导电部分20(1)和第二耦接模块导电部分20(2)可通过EUVL掩模10—通过第一掩模接触元件26 (I)、第二掩模接触元件26 (2)和第三掩模接触元件26 (3)彼此短路。换句话说，如果第一掩模接触元件至第三掩模接触元件26 (I)-26 (3)电气耦接至EUVL掩模10，那么第一掩模接触元件至第三掩模接触元件26 (I) -26 (3)可形成第一耦接模块导电部分20(1)与第二稱接模块导电部分20 (2)之间导电路径的一部分。例如，如果第一掩模接触元件26(1)不接触EUVL掩模10或出于任何其它原因未电气耦接至EUVL掩模10，那么第一耦接模块导电部分20 (I)和第二耦接模块导电部分20(2)可保持彼此隔离。因此,对第一稱接模块导电部分20 (I)与第二稱接模块导电部分20 (2)之间I禹接的评估可指示第一掩模接触元件至第三掩模接触元件26(1)-26(3)是否适当地接触EUVL掩模10。因此，第一耦接模块导电部分20(1)和第二耦接模块导电部分20 (2)可电气耦接至测量装置(诸如，图15的测量装置71)的不同端子，所述测量装置诸如，欧姆计、伏特计、安培计等。应注意，这些测量可基于以下假定:第一耦接模块导电部分20(1)和第二耦接模块导电部分20 (2)未通过夹盘50短路一并且这种状况可通过将第一耦接模块导电部分20(1)和第二耦接模块导电部分20 (2)耦接至夹盘50的电气隔离元件来实现。图16图示夹盘50的两个相互隔尚兀件51和52,两个相互隔尚兀件51和52电气I禹接(分别通过导体81和导体82)至第一耦接模块导电部分20(1)和第二耦接模块导电部分20(2)。EUVL掩模10的导电部分可被氧化，使得不当的氧化层可形成于EUVL掩模10的上部部分处。这一氧化层为不导电的，并且这一氧化层可防止当掩模接触元件26(1)-26(3)接触EUVL掩模10时，在掩模接触元件26(1)-26(3)之间形成导电路径。这种状况防止第一耦接模块导电部分20 (I)和第二耦接模块导电部分20 (2)通过EUVL掩模10电气耦接至彼此。当测量装置71可检测到这些问题时，电压供应器10可通过产生电压脉冲(或其它电信号)来帮助解决这些问题，所述电压脉冲可足够高以去除氧化层或至少去除被掩模接触元件26(1)-26(3)接触的位置处的氧化层。测量装置70和电压供应器80可参与包括以下一或更多个重复的工艺:(a)评估第一耦接模块导电部分20(1)和第二耦接模块导电部分20(2)是否电气耦接至彼此(可等效于确定是否存在氧化层)；和(b)通过电压供应器80施加电压信号以击穿氧化层一如果确定存在这一氧化层。如果一个重复失败，那么可在下一个重复之前改变将要在下一个重复期间供应的信号(例如，增加电压)。非限制性值的范围可在数伏特至数百伏特之间，例如，介于3V与400V之间。图18图示根据本发明的实施例的方法100。方法100可用于检查极紫外(EUVL)掩模。方法100可以阶段110开始，阶段110为将EUVL掩模和耦接模块放置于夹盘上。耦接模块可为上文所提及的耦接模块中的任何耦接模块。耦接模块电气耦接EUVL掩模的上部部分和夹盘。阶段110后面可接着阶段120，阶段120为通过带电粒子束扫描EUVL掩模的图案转移区域的至少一部分，所述带电粒子束通过由耦接模块的上部部分界定的孔隙，同时夹盘、耦接模块和带电粒子束位于真空腔室中。耦接模块可为上文所提及的耦接模块中的任何耦接模块。方法可包括装载耦接模块和EUVL掩模和此外自真空腔室卸载耦接模块和EUVL掩模的任何阶段。为解释简单起见，图18未图示将EUVL掩模和耦接模块放置于真空腔室中和自真空腔室移除耦接模块和掩模的阶段。图19图示根据本发明的实施例，用于改善形成于掩模接触元件与EUVL掩模之间的电气路径的电导率的方法200。方法200可以阶段210开始，阶段210为将EUVL掩模放置于夹盘上和以允许耦接模块的多个掩模接触元件在多个位置处接触EUVL掩模的方式定位耦接模块。耦接模块包括多个耦接模块导电部分，所述多个耦接模块导电部分相互隔离并电气耦接至多个掩模接触元件。多个耦接模块导电部分电气耦接至夹盘的相互隔离的不同元件。
阶段210后面可接着阶段220，阶段220为评估应通过EUVL掩模彼此短路的一对耦接模块导电部分(属于上述多个耦接模块导电部分)是否未彼此短路。当氧化层隔离所述一对耦接模块导电部分时，发生不短路的状况。或者，耦接模块导电部分可通过高电阻路径耦接至彼此，所述高电阻路径可通过部分形成氧化层而形成。如果确定应彼此短路的所有耦接模块导电部分彼此短路，那么方法200可结束(通过结束阶段260来图示)。如果确定应通过EUVL掩模彼此短路的一对耦接模块导电部分未彼此短路，那么阶段220后面应接着阶段230，阶段230为通过电压供应器将电压信号施加于这对耦接模块导电部分之间。阶段230后面可接着阶段240，阶段240为评估应通过EUVL掩模彼此短路的所述一对耦接模块导电部分是否未彼此短路。如果确定应彼此短路的所述对耦接模块导电部分彼此短路，那么方法200可结束(通过结束阶段260来图示)。图20至图25图示根据本发明的各种实施例的EUVL掩模和耦接模块。根据本发明的实施例，EUVL掩模可通过掩模固持器支撑，所述掩模固持器具有掩模盖103和掩模支撑元件101。掩模支撑模块101可被视为夹盘的一部分或视为耦接模块20的一部分。图20提供根据本发明的实施例的EUVL掩模102和耦接模块的等角视图，所述耦接模块包括掩模盖103和掩模支撑模块101。图21图示根据本发明的实施例的掩模支撑模块101和EUVL掩模102。图22和图23图示根据本发明的各种实施例的掩模支撑模块101。图24和图25图示根据本发明的各种实施例的掩模盖103的俯视图和仰视图。参照图21，掩模支撑模块101包括具有弹簧固持器105的掩模对准弹簧104、三个掩模边界106、对准弹簧手柄凸轮107、两个电气接触弹簧108和109和四个掩模盖支撑件112。掩模支撑模块101可由绝缘陶瓷制成，所述绝缘陶瓷例如，具有导电涂层(例如，硬铬)的氧化铝。前掩模表面具有通过电介质间隔分隔的两个涂层区域110和111。这种状况允许将接触弹簧108和接触弹簧109连接至不同电势用于电导率测试和电气切换程序(Electrical Zapping Procedure)。对准弹簧104可对EUVL掩模的角楔作用，从而推动掩模与三个掩模边界106接合，因此执行掩模对准。 手柄凸轮107经设计用于自对准弹簧104手动释放EUVL掩模102。自动释放通过特殊装置(未图示)来执行。为掩模盖103提供额外支撑件需要四个掩模盖支撑件112，所述额外支撑件增加掩模盖固有频率。图22为掩模支撑模块101的等角视图。EUVL掩模102可位于底座固持器101的三个凸出部分113、114和115上。三个凸出部分113、114和115被导电涂层(例如，硬铬)涂覆并通过允许掩模接触的掩模区域与EUVL掩模102接触。固持器底座101的背侧图示于图23中，其中整个表面划分成三个区域。第一区域为大的导电涂层区域117 ;第二区域为小的导电涂层区域116，并且第三区域为绝缘体区域，所述绝缘体区域分隔两个导电区域116和117。导电区域116连接至接触弹簧108，并且导电弹簧109连接至导电区域117。这种状况允许执行电导率测试和切换(zapping)程序。图24为根据本发明的各种实施例的掩模盖103的前侧的等角视图，并且图25提供根据本发明的各种实施例的掩模盖103的背侧的等角视图。四个孔118、119、120和121旨在用于在EUVL掩模102的前侧上安装和拆卸掩模盖103。所述步骤通过特殊机构(未图示)来执行。盖103由绝缘材料(例如，氧化铝陶瓷)制成并在除前侧上的表面122和背侧上的表面131外的整个表面上具有导电涂层(例如，硬铬)。参照图25，导电表面和隔离表面的这种配置允许执行电导率测试和掩模切换程序。在掩模盖103的背侧表面上，存在四个狭槽凹处127、128、129和130，所述四个狭槽凹处旨在用于与四个掩模盖支撑件112互动，掩模盖支撑件112增加当掩模盖103安装于EUVL掩模102上时的掩模盖103固有频率。掩模盖103的中心部分上的方形凹处126旨在用于在EUVL掩模102上安装盖。掩模盖103通过三个突出的小表面123、124和125与EUVL掩模102接触。从电气接触的角度，突出表面125为表面132的组成部分，并且两个突出表面123和124为掩模盖103的背侧的剩余涂层部分133的组成部分。当掩模盖103安装于EUVL掩模102上并且EUVL掩模102安装于掩模底座111 (参见图20)上时，接触弹簧108具有与表面132的电气接触，并且接触弹簧109具有与表面133的电气接触。这种配置允许执行电导率测试和掩模切换程序。三个突出表面123、124和125的定向取决于EUVL掩模102的前表面上容许机械接触的区域的定向。如果确定应通过EUVL掩模彼此短路的所述一对耦接模块导电部分未彼此短路(尽管执行了阶段230)，那么阶段240后面可接着阶段230或后面可接着阶段250，阶段250为改变将要在阶段230期间施加的信号。阶段250后面可接着阶段230。阶段250可包括改变将要在下一个重复期间供应的信号(例如，增加电压)。非限制性值的范围可在数伏特至数百伏特之间，例如，介于3V与400V之间。尽管本文已图示并描述本发明的某些特征，但本领域的一般技术人员现在应想出许多修改、替代、变化和等效物。因此，应理解，所附的权利要求书旨在涵盖属于本发明的真实精神内的所有这些修改和变化。
权利要求
1.一种用于将极紫外(EUVL)掩模耦接至夹盘的耦接模块，所述耦接模块包含: 上部部分，所述上部部分界定孔隙； 至少一个掩模接触元件； 夹盘接触元件；和 中间元件，所述中间元件连接于所述掩模接触元件与所述上部部分之间； 其中所述孔隙的形状和尺寸对应于所述EUVL掩模的图案转移区域的形状和尺寸； 其中所述耦接模块经成形并经确定尺寸，使得一旦所述至少一个掩模接触元件接触所述EUVL掩模的上部部分，那么所述夹盘接触元件接触支撑所述EUVL掩模的夹盘；和 其中当所述EUVL掩模与所述耦接模块对准而定位于所述夹盘上时，所述耦接模块在所述EUVL掩模的所述上部部分与所述夹盘之间提供至少一个导电路径。
2.如权利要求1所述的耦接模块，其中当所述EUVL掩模定位于所述夹盘上时，所述耦接模块遮挡所述EUVL掩模的边缘。
3.如权利要求1所述的耦接模块，其中至少一个掩模接触元件包含弹簧。
4.如权利要求1所述的耦接模块，其中所述上部部分与所述中间元件的底部末端之间的高度差小于所述EUVL掩模的高度。
5.如权利要求1所述的耦接模块，其中所述掩模接触元件定位成在所述图案转移区域外部的位置处接触所述EUVL掩模。
6.如权利要求1所述的耦接模块，其中一旦所述耦接模块放置于所述EUVL掩模上，那么所述孔隙曝露所述图案转移区域。
7.如权利要求1所述的耦接模块，其中所述中间元件经成形以围绕所述EUVL掩模。
8.如权利要求1所述的耦接模块，其中所述中间元件经成形以在所述耦接模块放置于所述EUVL掩模上时接触所述EUVL掩模的至少一个侧壁。
9.如权利要求1所述的耦接模块，其中所述耦接模块围绕所述EUVL掩模的中心对称。
10.如权利要求1所述的耦接模块，其中所述耦接模块由不锈钢制成。
11.如权利要求1所述的耦接模块，其中所述至少一个导电路径由非导电耦接模块的导电涂层形成。
12.如权利要求1所述的耦接模块，其中所述至少一个导电路径包含多个导电路径。
13.如权利要求1所述的耦接模块，其中至少一个掩模接触元件经布置以在所述耦接模块放置于所述EUVL掩模上时松散地接触所述夹盘。
14.如权利要求1所述的耦接模块，其中所述耦接模块包含彼此隔离的多个耦接模块导电部分；其中不同耦接模块导电部分耦接至不同掩模接触元件；并且其中每一掩模接触元件将耦接模块导电部分电气耦接至所述EUVL掩模。
15.—种用于检查极紫外(EUVL)掩模的方法,所述方法包含: 将EUVL掩模和耦接模块放置于夹盘上，其中所述耦接模块电气耦接所述EUVL掩模的上部部分和所述夹盘；和 通过带电粒子束扫描所述EUVL掩模的图案转移区域的至少一部分，所述带电粒子束通过由所述耦接模块的上部部分界定的孔隙，同时所述夹盘、所述耦接模块和带电粒子束位于真空腔室中。
全文摘要
一种耦接模块可包括上部部分，所述上部部分界定孔隙；掩模接触元件；夹盘接触元件；和中间元件，所述中间元件连接于所述掩模接触元件与所述上部部分之间。孔隙的形状和尺寸可对应于极紫外(EUVL)掩模的图案转移区域的形状和尺寸。耦接模块可经成形并经确定尺寸，使得一旦掩模接触元件接触EUVL掩模的上部部分，那么夹盘接触元件接触支撑所述掩模的夹盘。当EUVL掩模定位于夹盘上时，耦接模块可在EUVL掩模的上部部分与夹盘之间进一步提供至少一个导电路径。
文档编号G03F1/22GK103105725SQ20121037579
公开日2013年5月15日 申请日期2012年9月27日 优先权日2011年9月27日
发明者I·克里夫玆, I·阿夫内里, Y·尤塞尔, N·本-戴维, I·霍尔克曼, I·耶尔, Y·巴松 申请人:应用材料以色列公司