一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法，具体内容为：通过在数据线上覆盖透明导电膜，可将数据线上的毛刺或分层包裹住，当在数据线上施加电压时可减小不同像素电极上的电压差异。
【专利说明】一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法。
【背景技术】
[0002]随着薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)技术的成熟，TFT液晶显示器(Liquid Crystal Display,IXD)已成为主流的平板显示器。其中，液晶显示器中阵列基板的结构直接影响着显示质量。
[0003]如图1所示为现有的阵列基板的示意图，其中，像素电极11与源极12电连接。如图2所示为图1中的阵列基板沿B-B’的剖视图。
[0004]现有阵列基板的数据线13在其形成过程中可能存在有毛刺和分层等现象，该些现象的存在，将导致当在数据线13上施加电压时，数据线13和源极12之间会产生不均匀的电场，由此可能导致不同像素电极上的电压差异较大，反映到实际的显示效果上可能会导致TFT LCD出现斑点(Mura)。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法。
[0006]一种阵列基板，所述阵列基板包括:
[0007]数据线，所述数据线形成于基板上；
[0008]透明导电膜，所述透明导电膜覆盖所述数据线上。
[0009]采用上述结构，透明导电膜可将数据线上的毛刺或者分层包裹住，当在数据线上施加电压时可避免出现不同像素电极上的电压差异较大的问题。
[0010]可选地，所述透明导电膜直接覆盖在所述数据线之上。
[0011]由于透明导电膜可以直接覆盖在数据线上，因此透明导电膜与数据线之间可以没有绝缘层，从而在达到透明导电膜覆盖数据线的效果的同时，简化了阵列基板的结构。
[0012]所述阵列基板中的薄膜晶体管形成于所述基板上；其中，所述薄膜晶体管包括源极、漏极，所述漏极与所述数据线电连接；所述阵列基板中的像素电极形成于所述基板上；其中，所述像素电极覆盖在所述源极之上，所述像素电极与所述源极电连接。
[0013]可选地，所述透明导电膜与所述像素电极为相同材料。
[0014]所述透明导电膜、所述像素电极材料均为透明导电材料，且所述透明导电膜与所述像素电极位于同一层。
[0015]所述透明导电膜和所述像素电极的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
[0016]一种显示面板，包括上述阵列基板。
[0017]—种显示装置,包括上述显示面板。
[0018]一种阵列基板的制造方法，包括:在一基板上形成金属层；图案化所述金属层以形成数据线、源极和漏极，其中所述漏极与所述数据线电连接；在所述金属层上形成透明导电层；图案化所述透明导电层以形成像素电极和直接覆盖在所述数据线上的透明导电膜。
[0019]采用上述方案，将透明导电膜直接覆盖在数据线上，可将数据线包裹住，当在数据线上施加电压时，可减小数据线上的毛刺、分层对像素电极上的电压的影响，从而避免出现不同像素电极上的电压差异较大的问题。
[0020]可选地，所述像素电极覆盖在所述源极之上，所述像素电极与所述源极电连接。
[0021]另需说明的，由于在本领域中源极、漏极的区分没有严格的界限，故在本发明中源极、漏极两者是可以互换的。在文中采用将源极、漏极分开表述，只是为了表述清楚。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]图1为【背景技术】中的阵列基板的示意图；
[0023]图2为图1中的阵列基板沿B-B’的剖视图；
[0024]图3为本发明实施例一中的阵列基板的示意图；
[0025]图4为图3中的阵列基板沿A-A’的剖视图；
[0026]图5为本发明实施例二中的阵列基板的制造方法的流程示意图；
[0027]图6a为本发明实施例二中经过步骤102处理后所形成的阵列基板的示意图；
[0028]图6b为6a中的阵列基板沿A_A’的剖视图；
[0029]图7a为本发明实施例二中经过步骤104处理后所形成的阵列基板的示意图；
[0030]图7b为7a中的阵列基板沿A_A’的剖视图；
[0031]图8a为本发明实施例二中经过步骤105处理后所形成的阵列基板的示意图；
[0032]图8b为8a中的阵列基板沿A_A’的剖视图；
[0033]图9a为本发明实施例二中经过步骤106处理后所形成的阵列基板的示意图；
[0034]图9b为9a中的阵列基板沿A_A’的剖视图。
【具体实施方式】
[0035]本发明实施例的方案通过在数据线上覆盖透明导电膜，可将数据线上的毛刺或分层包裹住，当在数据线上施加电压时可减小不同像素电极上的电压差异。
[0036]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做详细的说明。
[0037]在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的【具体实施方式】的限制。
[0038]实施例一:
[0039]本发明实施例提供一种阵列基板，包括基板、形成在该基板上的数据线、覆盖该数据线的透明导电膜、形成在该基板上的至少一个薄膜晶体管以及形成在该基板上的像素电极。其中，薄膜晶体管包括源极和漏极，漏极与数据线电连接。可选地，像素电极覆盖在源极之上并与源极电连接，透明导电膜直接覆盖在数据线之上，上述基板可以但不限于为玻璃基板。
[0040]需要说明的是，本发明实施例中的透明导电膜可覆盖数据线，也可部分覆盖数据线，本发明并不对此做限定。[0041]如图3(其他器件未示出)所示，为本发明实施例一提供的一种阵列基板的示意图。该阵列基板包括由虚线所表示的数据线1、覆盖数据线I的透明导电膜2、漏极3、源极4和像素电极5。其中，数据线I与漏极3电连接、像素电极5局部覆盖在源极4之上(即源极4的一部分被像素电极5覆盖)并与源极4电连接。
[0042]如图4(其他器件未示出)所示为图3中的阵列基板沿A-A’的剖视图，包括基板6、形成在基板6上的数据线1、形成在基板6上的源极4、覆盖数据线I的透明导电膜2、形成在基板6上以及覆盖源极4的像素电极5。其中，透明导电膜2与像素电极5的材料相同、均为透明导电材料，且透明导电膜2与像素电极5位于同一层。具体地，透明导电膜2与像素电极5的材料均可以为氧化铟锡或氧化铟锌。
[0043]另外，需要说明的是，基板6上还包括扫描线和有源层，以及层与层之间的绝缘层或钝化层，由于不是本实施的重点所在，故在实施例中省略描述，图3、图4中也未示出。
[0044]本发明实施例还提供了一种显示面板，包括阵列基板，该阵列基板的具体结构与上述图3和图4中的阵列基板的结构相同，在此不再赘述。
[0045]本发明实施例还提供了 一种显示装置，包括上述显示面板。
[0046]本发明实施例中阵列基板的数据线被透明导电膜覆盖，数据线上的毛刺或分层可被透明导电膜包裹住，当在数据线上施加电压时可减小不同像素电极上的电压差异。
[0047]实施例二:
[0048]下面对如图3和图4所示的阵列基板的制作方法做具体介绍。
[0049]如图5所示，为本发明实施例二提供的一种阵列基板的制造方法的流程示意图，包括以下步骤:
[0050]步骤101:在基板6上形成金属层。
[0051]其中，基板6可以但不限于为玻璃基板。可选地，在基板6上形成金属层之前，可在基板6上先形成扫描线和有源层，以及层与层之间的绝缘层或钝化层，再在有源层上形成金属层，当然有源层与金属层之间，可有钝化层或绝缘层，本发明实施例的方案并不对此做限定。
[0052]本步骤101与现有技术中在玻璃基板上形成金属层的实现过程相同，在此不过多介绍。
[0053]步骤102:图案化金属层以形成数据线1、漏极3和源极4。
[0054]在步骤102中可采用构图工艺形成数据线1、漏极3和源极4。如图6a所示为经过步骤102处理后所形成的阵列基板的示意图，如图6b所示为6a中的阵列基板沿A-A’的剖视图。其中图6a中，漏极3与数据线I电连接。
[0055]步骤103:在金属层上形成透明导电层。
[0056]步骤104:图案化透明导电层以形成像素电极5和直接覆盖在数据线I之上的透明导电膜2。
[0057]在步骤104中可采用构图工艺形成像素电极5和透明导电膜2。如图7a所示为经过步骤104处理后所形成的阵列基板的示意图，如图7b所示为7a中的阵列基板沿A-A’的剖视图。从图7a中可以看出，像素电极5局部覆盖在源极4之上并与源极4电连接。
[0058]步骤105:在透明导电层上形成钝化层7。
[0059]如图8a, 8b所示为经过步骤105处理后所形成的阵列基板的示意图，如图8b所示为8a中的阵列基板沿A-A’的剖视图。
[0060]步骤106:在钝化层7上形成公共电极8。
[0061]如图9a所示为经过步骤106处理后所形成的阵列基板的示意图，如图9b所示为9a中的阵列基板沿A-A’的剖视图。
[0062]本实施例中，透明导电膜2与像素电极5的材料相同、均为透明导电材料。具体地，透明导电膜2与像素电极5的材料可以为氧化铟锡或氧化铟锌。
[0063]本发明实施例还提供了一种显示面板的制造方法，包括上述阵列基板的制造方法。
[0064]本发明实施例还提供了一种显示装置的制造方法，包括上述显示面板的制造方法。
[0065]本发明实施例的方案通过在数据线上覆盖透明导电膜，可将数据线上的毛刺包裹住，当在数据线上施加电压时可减小不同像素电极上的电压差异。
[0066]尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
[0067]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括: 数据线，所述数据线形成于基板上； 透明导电膜，所述透明导电膜覆盖所述数据线上。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电膜直接覆盖在所述数据线之上。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述阵列基板中的薄膜晶体管形成于所述基板上；其中，所述薄膜晶体管包括源极、漏极，所述漏极与所述数据线电连接； 所述阵列基板中的像素电极形成于所述基板上；其中，所述像素电极覆盖在所述源极之上，所述像素电极与所述源极电连接。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电膜与所述像素电极为相同材料。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电膜、所述像素电极材料均为透明导电材料，且所述透明导电膜与所述像素电极位于同一层。
6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电膜和所述像素电极的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
7.—种显示面板，其特征在于，包括权利要求1?6任一所述的阵列基板。
8.—种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的显示面板。
9.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括: 在一基板上形成金属层； 图案化所述金属层以形成数据线、源极和漏极，其中所述漏极与所述数据线电连接； 在所述金属层上形成透明导电层； 图案化所述透明导电层以形成像素电极和直接覆盖在所述数据线上的透明导电膜。
10.如权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述像素电极覆盖在所述源极之上，所述像素电极与所述源极电连接。
【文档编号】G02F1/1343GK103913874SQ201310393652
【公开日】2014年7月9日 申请日期:2013年9月2日 优先权日:2013年9月2日
【发明者】姜祥卫 申请人:上海中航光电子有限公司, 天马微电子股份有限公司