一种馈通电压补偿电路及其像素电路的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种馈通电压补偿电路及其像素电路。该馈通电压补偿电路包括：一补偿电容，具有一第一端和一第二端，补偿电容的第一端电性耦接至薄膜晶体管的漏极；以及一补偿电压，其一端电性耦接至补偿电容的第二端，另一端电性耦接至一共通电压。补偿电容与补偿电压的乘积等于寄生电容与一电压阈值的乘积，该电压阈值为薄膜晶体管的栅极线高电压与栅极线低电压之间的电压差值。相比于现有技术，本发明的馈通电压补偿电路利用补偿电容与补偿电压的特性，可将寄生电容所造成的馈通电压补偿回来，进而降低液晶面板的画面闪烁现象，提升产品的显示品质。
【专利说明】一种馈通电压补偿电路及其像素电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器，尤其涉及一种用于该薄膜晶体管液晶显示器中的馈通电压补偿电路以及包含该馈通电压补偿电路的像素电路。
【背景技术】
[0002]液晶显示器通常包括上基板、下基板以及夹于该上基板与下基板之间的液晶层。而且，液晶显示器包括多个像素单元，每个像素单元包括像素电极和共通电极，该像素电极与共通电极之间形成有液晶电容，像素电极与共通电极之间的电压称之为像素电压。液晶分子的偏转方向会随着加载在像素电极和共通电极之间的电压改变而改变，从而控制液晶层的光通过率，进而控制液晶显示器的每个像素单元的亮度。
[0003]具体来说，以薄膜晶体管液晶显示器为例，现有的液晶面板制作出多条栅极线和多条源极线以定义各个像素的区域，并据此在各个像素的区域中制作出像素电极。每一像素的等效电路由一薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)、一液晶电容(Clc)、一像素存储电容(Cst)组成，且该像素通过薄膜晶体管的栅极并且经由栅极线电性连接一栅极驱动芯片(Gate Driver 1C)，以及通过薄膜晶体管的源极并且经由源极线电性连接一源极驱动芯片(Source Driver 1C)，薄膜晶体管的漏极电性连接一像素电极、液晶电容和像素存储电容。当栅极驱动芯片通过栅极线驱动薄膜晶体管的栅极导通时，从源极驱动芯片输入的数据电压信号即可经由源极线自薄膜晶体管的源极和漏极传递至液晶电容 和像素存储电容，并由液晶电容和像素存储电容储存其所接收到的电压信号。
[0004]然而，传统的薄膜晶体管液晶面板中也存有若干个寄生电容，例如，栅极/漏极电容(Cgd)。该寄生电容是由于栅极线和像素电极之间有部分投影面积为上下重叠而存在，其与液晶电容、像素存储电容的总和被称为总电容值C，即C = Cgd+Clc+Cst。当栅极驱动芯片将栅极线上的电压升到栅极线高电压(Vgh)之际，源极驱动芯片也将源极线上的电压上升从而开始对像素电极充电。当像素电极的电压上升到预定电压时，栅极线上的电压降到栅极线低电压(Vgl)。此时，栅极线上的压降对像素电极造成耦合效应而使像素电极上的电压亦产生一压降Δνρ。该压降AVp也被称为馈通电压(Feed Through Voltage),其以栅极/漏极电容(Cgd)、液晶电容(Clc)、像素存储电容(Cst)、栅极线高电压(Vgh)与栅极线低电压(Vgl)所表示的数学关系式如下:
[0005]
【权利要求】
1.一种馈通电压补偿电路，适于补偿薄膜晶体管的栅极与漏极间的寄生电容所引起的馈通电压，其特征在于，所述馈通电压补偿电路包括: 一补偿电容，具有一第一端和一第二端，所述补偿电容的第一端电性耦接至薄膜晶体管的漏极；以及 一补偿电压，其一端电性耦接至所述补偿电容的第二端，另一端电性耦接至一共通电压， 其中，所述补偿电容与所述补偿电压的乘积等于所述寄生电容与一电压阈值的乘积，所述电压阈值为所述薄膜晶体管的栅极线高电压与栅极线低电压之间的电压差值。
2.根据权利要求1所述的馈通电压补偿电路，其特征在于，所述栅极线高电压驱动所述薄膜晶体管时，所述补偿电压为零；所述栅极线低电压驱动所述薄膜晶体管时，所述补偿电压开启。
3.根据权利要求1所述的馈通电压补偿电路，其特征在于，该补偿电容的尺寸和形状与该寄生电容的尺寸和形状完全相同。
4.根据权利要求1所述的馈通电压补偿电路，其特征在于，所述补偿电容为第一金属层与第二金属层形成的垂直电容。
5.根据权利要求1所述的馈通电压补偿电路，其特征在于，所述补偿电容为第一金属层与铟锡氧化物层形成的垂直电容。
6.根据权利要求1所述的馈通电压补偿电路，其特征在于，所述补偿电容为第二金属层与铟锡氧化层形成的垂直电容。
7.根据权利要求1所述的馈通电压补偿电路，其特征在于，所述补偿电容为第二金属层形成的横向电容。
8.根据权利要求7所述的馈通电压补偿电路，其特征在于，所述补偿电容为环状的第二金属层所形成的横向电容。
9.一种薄膜晶体管液晶显示器的像素电路，其特征在于，所述像素电路包括: 一薄膜晶体管，具有一第一端、一第二端和一控制端，所述薄膜晶体管的第一端电性耦接至一数据线，所述薄膜晶体管的控制端电性耦接至一栅极线； 一液晶电容，其一端电性耦接至所述薄膜晶体管的第二端，另一端电性耦接至一共通电压； 一存储电容，其一端电性耦接至所述薄膜晶体管的第二端，另一端电性耦接至所述共通电压；以及 一馈通电压补偿电路，包括串联连接的一补偿电容和一补偿电压，所述补偿电路的一端电性耦接至所述薄膜晶体管的第二端，所述补偿电压的一端电性耦接至所述共通电压，其中所述补偿电容与所述补偿电压的乘积等于所述寄生电容与一电压阈值的乘积，所述电压阈值为所述薄膜晶体管的栅极线高电压与栅极线低电压之间的电压差值。
10.根据权利要求9所述的像素电路，其特征在于，所述补偿电容为第一金属层与第二金属层形成的垂直电容、第一金属层与铟锡氧化物层形成的垂直电容、第二金属层与铟锡氧化物层形成的垂直电容、或者环状的第二金属层所形成的横向电容。
【文档编号】G02F1/1368GK103744209SQ201410044916
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2014年2月7日 优先权日:2014年2月7日
【发明者】侯冠州 申请人:友达光电股份有限公司