光功率可调的并行传输光组件的制作方法

文档序号:2718644阅读:107来源:国知局
光功率可调的并行传输光组件的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种光功率可调的并行传输光组件,其特征在于,包括电路板、芯片组、光学透镜组、光衰减片以及阵列短光纤带,所述芯片组设于所述电路板上,所述光学透镜组封装于所述芯片组上,所述光衰减片设于所述阵列短光纤带的前端,且所述阵列短光纤带的前端通过所述光学透镜组与所述芯片组相耦合。所述光功率可调的并行传输光组件借助短阵列光纤带的使用,缩短了电信号数据输出的路径,有效补偿了电信号的损耗,提升了电信号的输出质量,增加了数据信号的传输距离;而光衰减片的使用,既可以保证光学组件之间的光路合理转换,又可以实现输出光功率的灵活调节。
【专利说明】光功率可调的并行传输光组件
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种光功率可调的并行传输光组件,应用于光通信【技术领域】。
【背景技术】
[0002]目前,通信界的带宽发展速度,基本上与计算领域的摩尔定律相当,呈现高速的发展趋势。随着服务器虚拟化、云计算的发展,以及视频应用等各种新的应用的普及,加上网络集成的趋势,带来了速度更快且效率更高数据中心网络的更大需求。客户高端光模块产品的需求增长迅速。并行传输光组件/光模块通过采用高密度的多通道设计来实现超高速率、大容量数据的传输,在短距离数据通信方面更具优势。这类组件/模块因其体积更小,功耗更低,同时具有SFP+模块的一些典型特点(例如数字诊断等),受到数据中心市场的青睐。其中,并行传输光组件/光模块通过采用8通道(发送、接收分别占4通道)的设计,可以实现更高的累积传输数据带宽,因此并行传书领域的相关研制技术越来越受到业内的重视。
[0003]目前,实现40G QSFP (四通道SFP接口)端口与4个IOG SFP+端口间的互连也成为热点;如此一来,可以实现高密度IOG和40G聚合以太网应用,提供连接不同层级交换器的更高灵活度,缩短延时,并通过每通道更低的功耗带来更高的连接端口密度。40G QSFP端口与IOG SFP+端口间的互连,对并行传输光组件/光模块的光功率有一定要求,需要符合IOG SR端口协议。SFP+协议要求出光功率小于等于-1dBm ;QSFP+协议要求出光功率小于等于+2.4dBm;那么,如何有效地实现光功率的控制呢?若从软件端对Vcsel (垂直腔面发射激光器)管芯进行针对性的设置,则Vcsel将工作在非最佳状态,会影响产品应用性能;若选择低效芯片,则不能多方面兼容,在QSFP光缆应用时难免出现局限性。
[0004]因此有必要设计一种新型的光功率可调的并行传输光组件,以克服上述问题。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷,提供了一种输出光功率可灵活调节的光功率可调的并行传输光组件。
[0006]本实用新型是这样实现的:
[0007]本实用新型提供一种光功率可调的并行传输光组件,包括电路板、芯片组、光学透镜组、光衰减片以及阵列短光纤带,所述芯片组设于所述电路板上,所述光学透镜组封装于所述芯片组上,所述光衰减片设于所述阵列短光纤带的前端,且所述阵列短光纤带的前端通过所述光学透镜组与所述芯片组相耦合。
[0008]进一步地,所述芯片组包括Vcsel芯片、PD芯片、电路放大LA芯片和Driver芯片。
[0009]进一步地,所述阵列短光纤带具有12个通道,所述光衰减片仅位于对应Vcsel芯片出光面的6个通道或8个通道。
[0010]进一步地,所述芯片组外部设有保护盖板。
[0011]更进一步地,所述电路板上设有芯片组贴片标记。[0012]本实用新型具有以下有益效果:
[0013]所述光功率可调的并行传输光组件中的短阵列光纤带的使用,缩短了电信号数据输出的路径,有效补偿了电信号的损耗,提升了电信号的输出质量,增加了数据信号的传输距离;而光衰减片的使用,既可以保证光学组件之间的光路合理转换,又可以实现输出光功率的灵活调节。所述光功率可调的并行传输光组件可用于QSFP等系列产品中,从而可实现40G QSFP+与IOG SFP+端口互连,使用方便且灵活。
【专利附图】

【附图说明】
[0014]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0015]图1为本实用新型实施例提供的光功率可调的并行传输光组件的立体分解图;
[0016]图2为本实用新型实施例提供的光功率可调的并行传输光组件的立体图。
【具体实施方式】
[0017]下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
[0018]如图1-图2,本实用新型实施例提供一种光功率可调的并行传输光组件,包括电路板1、芯片组2、光学透镜组3、光衰减片5以及阵列短光纤带4。所述芯片组2设于所述电路板I上,在本较佳实施例中,所述电路板I上设有芯片组贴片标记,所述芯片组2贴设于该标记处,从而实现了所述芯片组2的精密贴装。其中,所述芯片组2包括Vcsel芯片、PD芯片、电路放大LA芯片和Driver芯片。所述芯片组2外部设有保护盖板(未图示),用以保护所述芯片组2。
[0019]如图1-图2,所述光学透镜组3封装于所述芯片组2上,所述光衰减片5设于所述阵列短光纤带4的前端,且所述阵列短光纤带4的前端通过所述光学透镜组3与所述芯片组2相耦合。因此,通过所述光学透镜组3的纽带作用,可以使得所述芯片组2和所述阵列短光纤带4之间达到高的耦合指标。而光衰减片5的使用,既可以保证光学组件之间的光路合理转换,又可以实现输出光功率的灵活调节。所述阵列短光纤带4具有12个通道,所述光衰减片5仅位于对应Vcsel芯片出光面的6个通道或8个通道,而不覆盖H)芯片的4个通道。其中,所述光衰减片5可以是玻璃衬底的膜片,也可以是聚合物衬底的膜片;所述光衰减片5厚度、衰减系数以及膜系对应的波段均由具体的需求而决定。
[0020]如图1-图2,组装时,首先将所述光衰减片5贴装于所述阵列短光纤带4的一侧;且所述光衰减片5仅位于对应所述Vcsel芯片出光面的6个通道或8个通道,而不覆盖所述H)芯片的4个通道;其次,将所述芯片组2放置于电路板I上,继而封装所述光学透镜组3,然后将带有所述光衰减片5的所述阵列短光纤带4与所述光学透镜组3对应相应的通道进行耦合,并用胶固定。通过所述光学透镜组3的纽带作用,使得所述芯片组2和所述光纤带之间达到高的耦合指标。所示整体组装完后,如有必要,可在所述芯片组2外围再增加所述保护盖板,形成对所述芯片组2的保护。
[0021]所述光功率可调的并行传输光组件具有以下有益效果:1、短阵列光纤带的使用,缩短了电信号数据输出的路径,有效补偿了电信号的损耗,提升了电信号的输出质量,增加了数据信号的传输距离。
[0022]2、光衰减片的巧妙应用,既保证了光学组件之间的光路合理转换,又实现了输出光功率的灵活调节。
[0023]3、所述光功率可调的并行传输光组件可用于QSFP等系列产品中,从而可实现40GQSFP+与IOG SFP+端口互连,使用方便且灵活。
[0024]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种光功率可调的并行传输光组件,其特征在于,包括电路板、芯片组、光学透镜组、光衰减片以及阵列短光纤带,所述芯片组设于所述电路板上,所述光学透镜组封装于所述芯片组上,所述光衰减片设于所述阵列短光纤带的前端,且所述阵列短光纤带的前端通过所述光学透镜组与所述芯片组相耦合。
2.如权利要求1所述的光功率可调的并行传输光组件,其特征在于:所述芯片组包括Vcsel芯片、PD芯片、电路放大LA芯片和Driver芯片。
3.如权利要求2所述的光功率可调的并行传输光组件,其特征在于:所述阵列短光纤带具有12个通道,所述光衰减片仅位于对应Vcsel芯片出光面的6个通道或8个通道。
4.如权利要求1所述的光功率可调的并行传输光组件,其特征在于:所述芯片组外部设有保护盖板。
5.如权利要求1所述的光功率可调的并行传输光组件,其特征在于:所述电路板上设有芯片组贴片标记。
【文档编号】G02B6/43GK203745694SQ201420111403
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2014年3月12日 优先权日:2014年3月12日
【发明者】张德玲, 曹芳, 杨昌霖, 何明阳, 王雨飞 申请人:武汉电信器件有限公司
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