黑色矩阵光罩、黑色矩阵制作方法及显示面板与流程

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种黑色矩阵光罩、黑色矩阵制作方法及显示面板。

背景技术：

TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)面板的生产制作是一个复杂的过程，在生产的过程中会出现各种缺陷。有些缺陷在制作的过程中就可以检测出其位置所在，并进行修复。有些缺陷是在制作完成之后，由人工检查看到缺陷，并进行修复。通常对于出现的缺陷都需要进行裂片解析，找到缺陷产生的原因，并进行改善，以提高产能和良率。通常在面板的四周会将扫描线和数据线进行对应的编号(如图1所示)，这种方式需要先找到对应线的编号，然后沿着走线找到缺陷的像素，但对于大尺寸面板查找面板内的像素缺陷时，仍然面临着查找与定位不方便的问题。

技术实现要素：

发明主要解决的技术问题是提供一种黑色矩阵光罩、黑色矩阵制作方法及显示面板，以在面板内对像素编号，进而方便快速查找与定位缺陷。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种黑色矩阵光罩，所述黑色矩阵光罩包括多个不透光区域及位于多个不透光区域之间的透光区域，在所述透光区域上且位于所述不透光区域周边设置有像素编号，以标识像素位置。

其中，所述不透光区域对应基板上的显示区域，所述透光区域对应所述基板上的非显示区域，所述像素编号由像素对应的扫描线编号及数据线编号组成。

其中，所述像素编号为不透光的数字。

其中，所述黑色矩阵光罩为矩形，所述每一不透光区域为矩形。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种应用上述的黑色矩阵光罩制备黑色矩阵的方法，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板上涂布黑色矩阵材料层；

使用所述黑色矩阵光罩对基板上的黑色矩阵材料层进行曝光；

对曝光后的黑色矩阵材料层进行显影；

对显影后的黑色矩阵材料层进行烘烤，以在所述基板上形成具有像素编号的黑色矩阵。

其中，所述“使用所述黑色矩阵光罩对基板上的黑色矩阵材料层进行曝光”的步骤包括：通过黑色矩阵光罩将涂布有黑色矩阵薄膜层的基板的非显示区域进行曝光以形成曝光区域且在所述曝光区域上有遮光区域，遮光区域显影后形成像素编号，将涂布有所述黑色矩阵薄膜层的基板的显示区域进行遮光以形成遮光区域。

其中，在所述基板的显示区域形成有薄膜晶体管阵列和电极结构；或者在所述基板的显示区域形成有彩色树脂结构。

其中，所述像素编号在所述基板的黑色矩阵上且位于显示区域的周边。

其中，在所述基板的黑色矩阵上对应于存储电容的位置设置所述像素编号。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板的黑色矩阵按照上述的黑色矩阵制作方法进行制备。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明采用在黑色矩阵光罩上设置像素编号，通过UV曝光的方式将所述黑色矩阵光罩上的像素编号蚀刻在所述基板的黑色矩阵上，以此实现在面板内即可根据所述像素编号快速查找到对应的扫描线及数据线，也可根据所述像素编号快速找到对应像素，进而快速定位缺陷位置。

附图说明

图1是现有显示面板四周的编号示意图；

图2是本发明的黑色矩阵制作方法流程图；

图3是本发明的阵列基板的示意图；

图4是本发明的黑色矩阵光罩的示意图；

图5是本发明的阵列基板的黑色矩阵制作完成后的示意图；

图6是本发明的显示面板的结构示意图。

具体实施方式

请参阅图2，是本发明的黑色矩阵制作方法流程图。所述制作方法包括以下步骤：

步骤S1：提供一基板10。

需要说明的是，如图3所示，所述基板10上包括单个面板或多个面板的情形都适用本发明实施例的黑色矩阵的制作方法，只是对应基板上包括多个面板的情形下，所述基板10包括多个显示区域12和位于多个显示区域12之间的非显示区域13。在本实施例中，所述基板10上的显示区域为12个。本发明实施例所述的基板10可以为玻璃基板、塑料基板、石英基板等各种适用于制作阵列基板和彩膜基板的材料。在本实施例中，所述基板10为阵列基板，在其他实施例中，所述基板10也可为彩膜基板。

其中，所述基板10为完成制作的基板，具体地，所述完成制作的基板具体为：在所述基板10的显示区域12形成有薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)阵列和电极结构；或者在所述基板10的显示区域12形成有彩色树脂结构。所述形成有薄膜晶体管阵列和电极结构是针对阵列基板的制作而言的，即在制作阵列基板的基板上形成薄膜晶体管阵列和电极等结构；所述形成有彩色树脂结构是针对彩膜(CF，Color Filter)基板的制作而言的，即在制作彩膜基板的基板上形成彩色树脂和黑矩阵等结构；所述完成制作的基板还可以是彩膜集成于阵列基板，即在制作阵列基板的基板上形成薄膜晶体管阵列和电极等结构，且将制作彩膜的彩色树脂和黑矩阵等结构集成于所述阵列基板。总之，本发明实施例所述完成制作的基板是指已完成在制作配向膜前的各种必要工序的基板。

已完成制作的阵列基板上应已完成栅极、漏极、像素电极、公共电极布线、以及绝缘保护层的制作。另外，已完成制作的IPS模式阵列基板需两层透明电极层，一层为像素电极，一层为公共电极；已完成制作的IPS模式阵列基板只需一层透明电极层作为像素电极层。与现有技术相同，此处不再赘述。

已完成制作的彩膜基板上应已完成色阻层(Color Resin)、黑矩阵层(Black Matrix)、保护层(Over Coat层)和隔垫物(Photo Spacer)、公共电极层(TN、VA等垂直电场模式需要)的制作，与现有技术相同，此处不再赘述。

已完成制作的Color Filter on Array基板：其阵列基板除包括极、漏极、像素电极、公共电极、绝缘保护层，还包括色阻层(Color Resin)、黑矩阵层(Black Matrix)，彩膜基板上只包含保护层(Over Coat层)和隔垫物(Photo Spacer)、公共电极层(TN、VA等垂直电场模式需要)。

步骤S2：在所述基板10上涂布黑色矩阵材料层。

需要说明的是，本实施例中采用的黑色矩阵材料及其涂布黑色矩阵材料层的方式与现有技术相同，在此不再赘述。

步骤S3：使用黑色矩阵光罩20对基板10上的黑色矩阵材料层进行曝光。

其中，如图4所示，所述黑色矩阵光罩20包括多个不透光区域21及位于多个不透光区域之间的透光区域22，所述黑色矩阵光罩20上的每一不透光区域21对应所述基板10上的每一显示区域12，所述黑色矩阵光罩20上的透光区域22对应所述基板10上的非显示区域13。所述黑色矩阵光罩20上的不透光区域21为12个且与所述基板10上的显示区域12一一对应。在所述黑色透光区域22上且位于所述不透光区域21周边设置有像素编号23，以标识像素位置。所述像素编号23由像素对应的扫描线编号及数据线编号组成，如扫描线编号为G2表示所指向的本条扫描线为第2条扫描线，数据编号为D2表示所指向的本条数据线为第2条数据线，如此，在面板内即可根据所述像素编号快速查找到对应的扫描线及数据线，同时也可根据所述像素编号快速找到对应像素。

其中，所述像素编号为透光的镂空数字，设置在所述黑色透光区域22上且位于所述不透光区域21的右上方，以对应于所述基板10上的存储电容的位置，在其他实施例中，所述像素编号也可根据需要设置在其他位置。所述黑色矩阵光罩20为矩形，所述每一不透光区域21为矩形。

具体的，所述黑色矩阵材料为负光阻。通过黑色矩阵光罩20对涂布有所述黑色矩阵材料层的基板10的非显示区域13进行紫外光照射进行曝光，黑色矩阵光罩20的图案要求能使紫外光(UV光)照射在所述基板10的非显示区域13的对应位置，即所述非显示区域13的位置为曝光区域，而显示区域12和待形成像素编号的区域被所述黑色矩阵光罩20遮挡，以形成遮光区域且在所述遮光区域上形成像素编号23。

步骤S4：对曝光后的黑色矩阵材料层进行显影。

具体的，如图5所示，可以通过显影去除显示区域12的黑色矩阵材料，显影液可以采用氢氧化钾KOH显影液等。显示区域12的黑色矩阵材料在显影时，会被去除，同时非显示区域13上的像素编号23的不透光数字处的黑色矩阵材料在显影时也被去除，以将像素编号数字蚀刻在非显示区域13的黑色矩阵上，非显示区域13的其他透光区域的黑色矩阵材料会被保留。

其中，所述像素编号23形成在所述基板10的黑色矩阵14上且位于显示区域12的周边，在本实施例中，所述像素编号23形成在所述基本10的显示区域12的右上方，且对应于所述基板10上的存储电容的位置，在其他实施例中，也可以根据需要将所述像素编号设置在其他位置。

步骤S5：对显影后的黑色矩阵材料层进行烘烤，以在所述基板10上形成具有像素编号的黑色矩阵14。

其中，将基板10和黑色矩阵材料层进行烘烤包括：1、预烤；2、后烤，以在基板10上形成固化的黑色矩阵材料层。

本发明采用在黑色矩阵光罩上设置像素编号，通过UV曝光的方式将所述黑色矩阵光罩上的像素编号蚀刻在所述基板的黑色矩阵上，以此实现在面板内即可根据所述像素编号快速查找到对应的扫描线及数据线，也可根据所述像素编号快速找到对应像素，进而快速定位缺陷位置，该方法不会增加成本且不影响面板的正常显示。

请参阅图6，是本发明的显示面板的结构示意图。所述显示面板30包括上述黑色矩阵制作方法制作的基板10，具体为：将上述基板10经过切割后形成的每一面板应用于所述显示面板中作为阵列基板或者彩膜基板，所述显示面板的其他器件与现有技术相同，在此不再赘述。

以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。