微影光掩模的制作方法

本发明实施例关于微影光掩模，更特别关于其叠合标记与其形成方法。

背景技术：

半导体集成电路产业经历了快速发展。集成电路材料和设计的技术进步，使每一代集成电路都比前一代集成电路具有更小和更复杂的电路。然而这些进步增加了加工与制造集成电路的复杂性，为了实现这些进步，需同时发展集成电路的加工与制造。在集成电路的演进中，功能密度(如单位芯片面积中内连线装置的数量)通常随着几何尺寸(即制程所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。

随着半导体装置尺寸不断缩小(比如缩小至小于20纳米(nm)节点)，现有微影技术具有光学限制，导致解析度问题而无法实现所需的微影效能。相比之下，极紫外线微影可达更小的装置尺寸。然而极紫外线微影仍具有一些缺点。举例来说，现有的半导体制程中的微影光掩模，无法采用同时用于微影制程与极紫外线微影的对准标记。

因此，尽管现有的微影系统与方法通常适用于其发展目的，但不能完全满足所有方面的需求。

技术实现要素：

本发明一实施提供的微影光掩模，包括：基板，包含低热膨胀系数材料，且低热膨胀系数材料的热膨胀系数小于或等于掺杂氧化钛的氧化硅；反射结构，位于基板的第一侧上；吸收层，位于反射结构上，其中吸收层包含一或多个第一叠合标记；以及导电层，位于基板的第二侧上，且基板的第一侧与第二侧对向设置，其中导电层包含部份的一或多个第二叠合标记。

附图说明

图1是本发明一些实施例中，微影系统的示意图。

图2是本发明一些实施例中，极紫外线光掩模的剖视图。

图3至12是本发明实施例中，微影光掩模于制程的不同阶段中的剖视图。

图13是本发明实施例中，微影光掩模的平面图。

图14是本发明一些实施例中，微影光掩模的制作方法其流程图。

图15是本发明一些实施例中，石英玻璃的掺质浓度、透光度、与热膨胀系数的关系图。

【符号说明】

10 极紫外线微影系统

12 射线源

14 照明器

16 光掩模站点

18 光掩模

20 投影光学盒

22 光瞳相位调节器

24 投影光瞳面

26 半导体基板

28 基板站点

30 基板

32 导电层

34 多层结构

36 盖层

38 缓冲层

40 吸收层

42、44 一侧

100、200、300 图案化制程

110、112、114、116、312、314 沟槽

150、250 光阻层

210 开口

320、330 横向尺寸

400、405 穿透型叠合标记

420、425 反射型叠合标记

450 基准标记

600 方法

610、620、630、640、650、660、670、680 步骤

800 图表

810、820 线段

具体实施方式

下述内容提供的不同实施例或实例可实施本发明的不同结构。特定构件与排列的实施例用以简化本发明而非局限本发明。举例来说，形成第一构件于第二构件上的叙述包含两者直接接触，或两者的间隔有其他额外构件而非直接接触。此外，本发明的多种例子中可重复标号，但这些重复仅用以简化与清楚说明，不代表不同实施例及/或设置之间具有相同标号的单元之间具有相同的对应关系。

此外，空间性的相对用语如「下方」、「其下」、「较下方」、「上方」、「较上方」、或类似用语可用于简化说明某一元件与另一元件在图示中的相对关系。空间性的相对用语可延伸至以其他方向使用的元件，而非局限于图示方向。元件亦可转动90°或其他角度，因此方向性用语仅用以说明图示中的方向。

极紫外线微影广泛应用的原因在于其可达小半导体装置尺寸。然而极紫外线微影的现有系统与方法可能具有缺点。举例来说，现有极紫外线系统采用的微影光掩模设置为进行极紫外线微影。为确保半导体装置制程中多种层状物之间的准确对准(又称作叠合)，可用叠合标记(或对准标记)量测层状物之间的对准程度。一般而言，非极紫外线微影如光学微影(比如采用193nm的光源)，已采用穿透型的叠合标记作为微影标记。极紫外线微影采用反射式叠合标记。

然而，一些半导体装置的制作与光学微影与极紫外线微影均相关。举例来说，需以光学微影(采用光学微影标记)形成晶片的一些层状物，并需以极紫外线微影(采用极紫外线微影标记)形成晶片的其他层状物。光学微影与极紫外线微影采用叠合标记的种类不同，将难以达到良好的对准或叠合，且可能劣化半导体效能。

为克服上述问题，本发明实施例提供的微影光掩模(与其形成方法)包含穿透型的叠合标记以及反射式的叠合标记。本发明的下述多种实施例将搭配图1至14详述如下。首先，极紫外线微影系统将搭配图1与2说明如下。接着本发明实施例的微影系统及方法将搭配图3至14详述如下。

图1是一些实施例中，极紫外线微影系统10的示意图。极紫外线微影系统10通常也可称作扫描器，其设置以搭配射线源与曝光模式进行微影曝光制程。极紫外线微影系统10设计为以极紫外光或极紫外线曝光光阻层。光阻层为对极紫外光敏感的材料。极紫外线微影系统10采用射线源12产生极紫外光，比如波长介于约1nm至约100nm之间的极紫外光。在一特例中，射线源12产生波长中心为约13.5nm的极紫外光。综上所述，射线源12亦称作极紫外线源。

极紫外线微影系统10亦使用照明器14。在多种实施例中，照明器14包括多种折射光学构件如单一透镜、具有多个透镜(波带片)的透镜系统、或反射光学件(用于极紫外线微影系统)如单一反射镜或或具有多个反射镜的反射镜系统，以将光从射线源12导向光掩模站点16上，特别是将光从射线源12导向固定于光掩模站点16上的光掩模18。在此实施例中，射线源12产生极紫外线波长范围内的光，且照明器14采用反射光学件。在某些实施例中，照明器14包括偶极照明构件。

在一些实施例中，可操作照明器14以设置反射镜，以提供适当的照明至光掩模18。在一例中，可切换照明器14的反射镜，以将极紫外光反射到不同的照明位置。在一些实施例中，在照明器14之前的站点可额外包括其他可切换反射镜，可控制其使照明器14的反射镜将极紫外光导向不同的照明位置。在一些实施例中，将照明器14设置为提供同轴照明至光掩模18。在一例中，采用碟状的照明器14，其部分同调性σ至多为0.3。在一些其他实施例中，将照明器14设置为提供离轴照明至光掩模18。在一例中，照明器14为偶极照明器。在一些实施例中，偶极照明器的部分同调性σ至多为0.3。

极紫外线微影系统10亦包括光掩模站点16，其设置以固定光掩模18。在一些实施例中，光掩模站点16包括静电吸盘(e-吸盘)以固定光掩模18。由于气体分子吸收极紫外光，将用于极紫外光微影图案化的微影系统维持于真空环境中，可避免极紫外线强度损失。在本发明实施例中，用语光掩模、光遮罩、与中间遮罩可交换使用，均用以指示相同物件。

在此实施例中，极紫外线微影系统10为极紫外线的微影系统，且光掩模18为反射光掩模。为了说明，提供光掩模18的一个例示性结构。光掩模18包括基板，其可为合适材料如低热膨胀材料或熔融石英。在多种例子中，低热膨胀材料包括掺杂氧化钛的氧化硅，或具有低热膨胀性的其他适当材料。在一些实施例中，低热膨胀材料包含5重量％至20重量％的氧化钛，且其热膨胀系数小于约1.0×10^-6/℃。举例来说，一些实施例中的低热膨胀材料其掺杂氧化钛的氧化硅，其随着每一℃改变的热膨胀系数小于60ppb。热膨胀系数等于或小于掺杂氧化钛的氧化硅的其他材料，亦可作为低热膨胀系数材料。

光掩模亦可包含沉积在基板上的反射多层。多层包括多个膜对，比如钼-硅(Mo/Si)膜对，即每个膜对中钼层位于硅层之上或之下。在其他实施例中，多层可包括钼-铍(Mo/Be)膜对，或设置以高度反射极紫外光的其他适当材料。

光掩模18可进一步包含盖层如钌，其位于多层上以保护多层。光掩模18可进一步包含吸收层沉积于多层上。图案化吸收层以定义集成电路的层状物。在其他实施例中，可沉积另一反射层于多层上，并图案化此反射层以定义集成电路的层状物，进而形成极紫外线相移光掩模。

微影系统10可包括投影光学模块(或投影光学盒20)，以将光掩模18的图案成像于半导体基板26上。上述半导体基板26固定于极紫外线微影系统10的基板站点28上。在多种实施例中，投影光学盒20具有折射光学件(用于紫外线微影系统)或反射光学件(用于极紫外线微影系统)。投影光学盒20收集来自光掩模18的光，其被绕射成不同的绕射级，并带有定义于光掩模上的图案的影像。投影光学盒20可包括小于1的放大率，此时位于目标(如半导体基板26)上的「影像」的尺寸，小于光掩模上对应「物件」的尺寸。照明器14与投影光学盒20统称为极紫外线微影系统10的光学模块。

微影系统10亦包括光瞳相位调节器22，以调节来自光掩模18的光的光学相位，使光在投影光瞳面24上具有相位分布。光学模块中的一平面，其场分布对应物件(此例为光掩模18)的傅利叶转换。上述平面称作投影光瞳面。光瞳相位调节器22提供的机制，可在投影光瞳面24上调节光的光学相位。在一些实施例中，光瞳相位调节器22包括调整投影光学盒20的反射镜的机制，以用于相位调整。举例来说，投影光学盒20的反射镜为可切换，并可控制以反射极紫外光，进而以投影光学盒20调整光的相位。

在一些实施例中，光瞳相位调整器22采用位于投影光瞳面上的光瞳滤光片。光瞳滤光片自光掩模18中滤除极紫外光的特殊空间频率成分。特别的是，光瞳滤光片是相位光瞳滤波器，其可调节经投影光学盒20的光其相位分布。然而所有的材料均吸收极紫外光，因此限制了相位光瞳滤波器于某些微影系统(如极紫外线微影系统)中的应用。

如前所述，极紫外线微影系统10亦包括基板站点28以固定即将图案化的目标如半导体基板26。在此实施例中，半导体基板26为半导体晶片如硅晶片或其他类型的晶片。在此实施例中，将对射线束(如极紫外光)敏感的光阻层涂布至目标如半导体基板26。整合并操作上述的多种构件，以进行微影曝光制程。极紫外线微影系统10可进一步包括其他模块，或与其他模块整合(或偶接)。

一些实施例将进一步说明光掩模18及其制造方法。在一些实施例中，光掩模制程包括两个步骤：空白光掩模制程和光掩模图案化制程。在制作空白光掩模时，沉积合适的层状物如反射性的多层于适当基板上，以形成空白光掩模。在光掩模图案化制程中，接着图案化空白光掩模以达集成电路的层状物所需的设计。接着以图案化的光掩模将电路图案(如集成电路的层状物的设计)转移至半导体晶片上。经由多种微影制程，可将图案反复转移至多个晶片上。一组光掩模可用于建构完整的集成电路。

在多种实施例中，光掩模18包括合适结构如二元强度光掩模和相移光掩模。在一例中，图案化二元强度光掩模以定义待转移至目标的集成电路图案，其包含吸收区(又称作不透明区)与反射区。不透明区中存在吸收物，且吸收物几乎完全吸收入射光。反射区中移除吸收物，且具有多层绕射入射光。相移光掩模可为衰减式相移光掩模或交替式相移光掩模。在一例中，相移光掩模依据集成电路图案图案化，其包括第一反射层(如反射性多层)和第二反射层。在一些例子中，衰减式相移光掩模其来自吸收物的反射率通常介于2％至15％之间，而交替式相移光掩模其来自吸收物的反射率通常大于50％。

光掩模18的一例如图2所示。此例中的光掩模18为极紫外线光掩模，其包括由低热膨胀材料组成的基板30。低热膨胀材料可包括掺杂氧化钛的氧化硅及/或本技术领域已知的其他低热膨胀材料。在一些实施例中，将导电层32额外设置于低热膨胀材料的基板30其下方的背面上，以达静电吸盘固定的目的。在一例中，导电层32包括氮化铬。在其他实施例中，导电层32亦可为其他合适组成如含钽材料。

极紫外线的光掩模18包括反射性的多层结构34位于低热膨胀材料的基板30上。多层结构34可选择为对特定射线类型/波长具有高反射率。多层结构34包括多个膜对如Mo/Si膜对，比如每个膜对中的钼层位于硅层之上或之下。在其他实施例中，多层结构34可包括Mo/Be膜对，或在极紫外线波长具高度反射且具折射率差异的任何材料。

同样如图2所示，极紫外线的光掩模18亦包含盖层36位于多层结构34上，以避免多层结构34氧化。在一实施例中，盖层36包括厚度介于约4nm至约7nm之间的硅。极紫外线的光掩模18可进一步包含缓冲层38于盖层36上，以作为图案化或修复吸收层时的蚀刻停止层，其将描述如下。缓冲层38的蚀刻特性不同于其上的吸收层。在多个例子中，缓冲层38包括钌化合物如RuB或RuSi、铬、氧化铬、或氮化铬。

极紫外线的光掩模18亦包括吸收层40在缓冲层38上方。在某些实施例中，吸收层40吸收导向光掩模上的极紫外线。在多种实施例中，吸收层的组成可为氮化钽硼、氧化钽硼、铬、镭、或下述金属的合适氧化物、氮化物、或合金：锕、镭、碲、锌、铜、与铝。

图3至11是本发明实施例中，微影光掩模于制作时的多种阶段中的部份剖视图。在一实施例中，微影光掩模可为极紫外线的光掩模18，如图1至2所示。以图3为例，极紫外线的光掩模18包含低热膨胀材料的基板30。导电层32(如氮化铬或含钽材料)自一侧42形成于低热膨胀材料的基板30上。反射多层结构34自一侧44形成于低热膨胀材料的基板30上，且一侧44与一侧42对向。吸收层40形成于反射多层结构34上(在一侧44上)。如下所述，可自一侧44图案化极紫外线的光掩模18以形成反射型的叠合标记，且可自一侧42图案化极紫外线的光掩模18以形成穿透型的标记。应理解的是，极紫外线的光掩模18亦可包含盖层36与缓冲层38如图2所示，但此处不特别叙述盖层36与缓冲层38以简化说明。

如图4所示，进行图案化制程以图案化吸收层40。图案化制程100形成多个沟槽(比如沟槽110、112、114、与116)于吸收层40中。至少一些沟槽110、112、114、与116可作为穿透型的叠合标记以用于极紫外线的光掩模18。

如图5所示，光阻层150形成于图案化的吸收层40上。光阻层150填入沟槽110、112、114、与116。在一些实施例中，光阻层150的形成方法可为旋转涂布制程。

如图6所示，自一侧44对极紫外线的光掩模18进行图案化制程200。图案化制程200包含采用一或多道的曝光、烘烤、显影、与冲洗制程(不必依上述顺序)，形成开口210于光阻层150中。换言之，移除对应开口210的部份光阻层150。开口210的宽度(如第6图中的横向尺寸)需宽到足以露出沟槽112与114，但需窄到能不露出沟槽110与116。

如图7所示，图案化制程200亦包含进行一或多道蚀刻制程(如干蚀刻制程)，使一些沟槽(如沟槽112与114)延伸穿过反射的多层结构34(但未穿过低热膨胀材料的基板30)。在蚀刻制程时，光阻层150的保留部份作为蚀刻遮罩，以保护其下的层状物免于蚀刻。开口210露出的部份吸收层40，亦可在蚀刻制程中保护其下的反射的多层结构34。换言之，蚀刻制程可设置为在吸收层40及反射的多层结构34之间具有足够的蚀刻选择性。在此态样中，可移除反射的多层结构34，且实质上不影响露出的吸收层40。

如图8所示，移除光阻层150，且其移除方法可为光阻灰化制程或光阻剥除制程。移除光阻层150后可露出沟槽110与116。第6图所示的前述制程已露出沟槽112与114。

如图9所示，极紫外线的光掩模18已上下颠倒以利后续说明。光阻层250形成于一侧42上的导电层32上。光阻层250可用以形成导电层32中的沟槽，且这些沟槽可作为极紫外线的光掩模18其反射型叠合标记如下述。

如图10所示，自一侧42对极紫外线的光掩模18进行图案化制程300。图案化制程300包含以一或多道的曝光、烘烤、显影、与冲洗制程(不必依上述顺序)，形成沟槽312与314于光阻层250中。换言之，移除对应沟槽312与314的部份光阻层250。沟槽312对准沟槽112，而沟槽314对准沟槽114。在第10图中，沟槽112垂直对准沟槽312，而沟槽114垂直对准沟槽314。然而这些垂直对准的沟槽112与312(及沟槽114与314)的宽度或或横向尺寸不需相同。举例来说，一些实施例中的沟槽112或114其横向尺寸320，大于沟槽312或314其横向尺寸330。上述横向尺寸设置有利于光学射线穿透，以用于穿透型叠合标记。

如图11所示，图案化制程300亦包含进行一或多道蚀刻制程(如干蚀刻制程)，使沟槽312与314延伸穿过导电层32(但未穿过低热膨胀材料的基板30)。在蚀刻制程中，光阻层250的保留部份作为蚀刻遮罩，以保护其下的层状物免于蚀刻。

如图12所示，移除光阻层250，且其移除方法可为光阻灰化制程或光阻剥除制程。移除光阻层250后，将留下沟槽312与314于导电层32中。在本发明实施例中，沟槽312与314(沿着沟槽112与114)为部份的穿透型叠合标记。举例来说，沟槽312与112合并形成穿透型叠合标记400，而沟槽314与114合并形成另一穿透型叠合标记405。在此例中，低热膨胀材料的基板30实质上透明，因此不阻碍光穿透。如此一来，光可自沟槽312经由低热膨胀材料的基板30穿透至沟槽112，反之亦然。光亦可自沟槽314穿透至沟槽114，反之亦然。如上所述，一些实施例的沟槽112或114其横向尺寸320可大于沟槽312或314其横向尺寸340，使光阻挡最小化。

穿透型叠合标记400与405适用于非极紫外线的微影制程，比如采用193nm光源的光学微影制程。如此一来，极紫外线的光掩模18可作为非极紫外线微影制程中的微影光掩模。与此同时，形成于一侧44上的吸收层40中的沟槽110与116，各自形成反射型叠合标记420与425。反射型叠合标记适用于极紫外线微影制程。在此态样中，穿透型叠合标记400与405以及反射型叠合标记420与425可形成于相同的极紫外线的光掩模18上，且上述两型标记位于极紫外线光掩模的不同侧(如一侧42与另一侧44)上。如此一来，相同的极紫外线的光掩模18可用于非极紫外线微影制程与极紫外线微影制程。

应理解的是，当极紫外线的光掩模18用于进行非极紫外线的微影制程时，其可由夹钳固定而不阻挡穿过沟槽112及114(或沟槽114与314)的射线的光学路径。当极紫外线的光掩模18用于进行极紫外线的微影制程时，其可固定至图1的光掩模站点16(比如经由物理接触导电层32固定极紫外线的光掩模18的静电吸盘)。为确保极紫外线的光掩模18足以固定至极紫外线微影制程中的光掩模站点16，沟槽312与314的横向尺寸330需设置成未超出预定临界值。举例来说，一些实施例中的预定临界值可为5微米，其他实施例中的预定临界值可为10微米，而额外实施例中的预定临界值可为100微米。在多种实施例中，预定临界值可介于5微米至100微米之间。

图13是极紫外线的光掩模18的部份平面图，比如自一侧44观察极紫外线的光掩模18所得的上视图。极紫外线的光掩模18含有基准标记450，其有助于提供或建立参考点或位置以用于对准。此外，例示性的叠合标记如穿透型标记(比如穿透型叠合标记400)与反射型标记(如反射型叠合标记420)如图13所示。如上所述，穿透型叠合标记与反射型叠合标记同时存在于相同的光掩模18上，让光掩模18可用于非极紫外线微影与极紫外线微影。如此一来，在相同光掩模上实施双型标记(如穿透型与反射型标记)，可增加光掩模18的多功能性并简化制程，因为单一光掩模即可用以进行非极紫外线微影制程与极紫外线微影制程。此外，现在可独立地直接确认电子束绘图错位及/或扫描叠合错误。

图14是本发明多种实施例中，进行半导体制程的方法600其流程图。

方法600包含步骤610，其形成反射结构于低热膨胀材料的基板其第一侧上。在一些实施例中，反射结构包含多层结构，其设置为对预定射线波长具有高反射性，比如高于预定临界值的反射性。

方法600包含步骤620，其形成吸收层于反射结构上。

方法600包含步骤630，其形成导电材料于低热膨胀材料的基板其第二侧上，第二侧与第一侧相反。在一些实施例中，导电层包含氮化铬或含钽材料。

方法600包含步骤640，其进行第一图案化制程以形成多个沟槽于吸收层中。

方法600包含步骤650，其进行第二图案化制程使至少一组的第一沟槽延伸穿过反射结构。

方法600包含步骤660，其进行第三图案化制程以形成多个沟槽于导电层中。在一些实施例中，第三图案化制程使每一第二沟槽对准上述至少一组中个别的第一沟槽(延伸穿过反射结构的第一沟槽)。在一些实施例中，第三图案化制程使每一第二沟槽的横向尺寸，大于其对准的每一第一沟槽的横向尺寸。

方法600包含步骤670，其采用至少一些第一沟槽作为极紫外线微影中的叠合标记，以量测叠合程度。在一些实施例中，至少一些第一沟槽作为反射型叠合标记。

方法600包含步骤680，其采用第二沟槽作为非极紫外线微影中的叠合标记，以量测叠合程度。在一些实施例中，第二沟槽作为穿透型叠合标记。

应理解的是，在方法600的步骤610至680之前、之中、或之后可进行额外制程，以完成制作半导体装置。为简化说明，在此不详述这些额外制程。

基于上述内容，应理解本发明实施例与现有方法相较提供多种优点。然而应理解的是，其他实施例可提供额外优点，上述内容不需揭露所有优点，且所有实施例不必具有特定优点。本发明实施例的方法其优点的一为相同的微影光掩模(如极紫外线微影光掩模)上，可形成穿透型叠合标记与反射型叠合标记。如此一来，微影光掩模可用以进行非极紫外线的微影制程(比如采用193nm光源的光学微影)与极紫外线的微影制程，其中穿透型叠合标记用于非极紫外线微影制程，而反射型叠合标记用于极紫外线微影制程。通过上述作法，本发明实施例可达多功能、简化、以及弹性的半导体制程。此外，相同微影光掩模上的两型叠合标记，表示不再需要对准非极紫外线微影光掩模(含有穿透型叠合标记)与另一极紫外线微影光掩模(含有反射型叠合标记)。这将大幅降低半导体制程中潜在的对准或叠合误差，因此改善半导体装置效能。另一方面，上述制程易于实施而不需特殊工具或制程，因此本发明实施例的实施成本不高，即实质上不增加制程成本。

如图15所示，图表800为本发明一实施例的极紫外线光掩模，其石英玻璃中掺质浓度、透光度、与热膨胀系数的相对关系。在更详细的说明中，图表800的X轴为石英玻璃中的掺质浓度，其单位为ppb且为对数尺度。图表800的左侧Y轴为深紫外线的穿透率(％)，其介于0％至100％之间。图表800的右侧Y轴为热膨胀系数，其单位为10-7/K。

图表800包含线段810与820。线段810为石英玻璃中的掺质浓度与深紫外线的透光率之间的关系。线段820为石英玻璃中的掺质浓度与热膨胀系数之间的关系。如线段810所示，深紫外线透光率一开始很高(接近90％)，但随着掺质浓度增加而快速下降。当掺质浓度超过10000ppb后，深紫外线的透光率下降至几乎0。如线段820所示，热膨胀系数开始较高(近似6.0 10-7/K)，且几乎不随着掺质浓度增加而变化。直到掺质浓度达道1,000,000ppb，热膨胀系数才开始下降。当掺质浓度达到约10,000,000ppb之后，热膨胀系数才下降的较快。

本发明一实施例关于微影光掩模。微影光掩模包括基板，其包含低热膨胀系数材料。反射结构位于基板的第一侧上。吸收层位于反射结构上。吸收层包含一或多个第一叠合标记。导电层位于基板的第二侧上，且基板的第一侧与第二侧对向设置。导电层包含部份的一或多个第二叠合标记。上述低热膨胀系数材料的热膨胀系数小于或等于掺杂氧化钛的氧化硅。

在一实施例中，上述微影光掩模的一或多个第一叠合标记包括一或多个第一沟槽，且部份的一或多个第二叠合标记包括一或多个第二沟槽。

在一实施例中，上述微影光掩模的一或多个第一叠合标记包括多个第三沟槽延伸穿过反射结构与吸收层。

在一实施例中，上述微影光掩模的每一第二沟槽对准个别的第三沟槽。

在一实施例中，上述微影光掩模的第二沟槽的横向尺寸不同于其对准的第三沟槽的横向尺寸。

在一实施例中，上述微影光掩模的反射结构设置以对预定射线波长具有反射性，反射性高于预定临界值，且预定临界值介于5微米至100微米之间。

在一实施例中，上述微影光掩模的导电层包含氮化铬或含钽材料。

在一实施例中，上述微影光掩模的第一叠合标记设置以作为极紫外线微影中的叠合标记；以及第二叠合标记设置以作为非紫外线微影中的叠合标记。

在一实施例中，上述微影光掩模的第一叠合标记为反射型标记，而第二叠合标记为穿透型标记。

本发明另一实施例关于微影光掩模的制作方法。进行第一图案化制程，以形成多个第一沟槽于吸收层中，吸收层位于反射结构上，反射结构位于基板的第一侧上，且基板含有低热膨胀材料。进行第二图案化制程，使至少一组的第一沟槽延伸穿过反射结构。进行第三图案化制程，以形成多个第二沟槽于导电层中，导电层位于基板的第二侧上，且基板的第一侧与第二侧反向设置。

在一实施例中，上述微影光掩模的制作方法的第三图案化制程，使每一第二沟槽对准延伸穿过反射结构的个别第一沟槽。

在一实施例中，上述微影光掩模的制作方法的第三图案化制程，使第二沟槽的横向尺寸不同于其对准的第一沟槽的横向尺寸。

在一实施例中，上述微影光掩模的制作方法更包括：采用至少一些第一沟槽作为极紫外线微影中的叠合标记。

在一实施例中，上述微影光掩模的制作方法采用至少一些第一沟槽作为对准标记的步骤，包括采用至少一些第一沟槽作为反射型叠合标记。

在一实施例中，上述微影光掩模的制作方法更包括：采用第二沟槽作为非极紫外线微影中的叠合标记。

在一实施例中，上述微影光掩模的制作方法采用第二沟槽作为叠合标记的步骤，包括采用第二沟槽作为穿透型叠合标记。

在一实施例中，上述微影光掩模的制作方法在进行第一图案化制程之前，更包括：形成反射结构于基板的第一侧上，且反射结构设置以对预定射线波长具有反射性，且反射性高于预定临界值；以及形成导电层于基板的第二侧上，且导电层包含氮化铬或含钽材料。

本发明又一实施例关于微影制程。接收微影光掩模。微影光掩模包括低热膨胀材料的基板；反射结构，位于基板的第一侧上；吸收层，位于反射结构上，其中吸收层具有一或多个第一叠合标记；以及导电层，位于基板的第二侧上，且基板的第一侧与第二侧对向设置，其中导电层包含一或多个第二叠合标记。在极紫外线微影制程中采用第一叠合标记进行叠合测量，或在非极紫外线微影制程中采用第二叠合标记进行叠合测量。

在一实施例中，上述微影制程的第一叠合标记作为反射型叠合标记，且第二叠合标记作为穿透型叠合标记。

在一实施例中，上述微影制程接收的微影光掩模中，第一叠合标记包括一或多个第一沟槽，且第二标记包括一或多个第二沟槽。

上述实施例的特征有利于本技术领域中具有通常知识者理解本发明。本技术领域中具有通常知识者应理解可采用本发明作基础，设计并变化其他制程与结构以完成上述实施例的相同目的及/或相同优点。本技术领域中具有通常知识者亦应理解，这些等效置换并未脱离本发明精神与范畴，并可在未脱离本发明的精神与范畴的前提下进行改变、替换、或更动。