防静电掩膜版原材及防静电掩膜版的制作方法

本实用新型实施例涉及光罩技术领域，尤其涉及一种防静电掩膜版原材及防静电掩膜版。

背景技术：

在LCD、OLED或半导体制作等过程中，都需要使用掩膜版作为一种图形转移的载体。但是，在使用掩膜版过程中，不断接触、摩擦或者环境的因素，掩膜版的金属铬膜上会产生一些静电现象，而玻璃本身是不导电的，无法将这些静电随时导走，这些静电会慢慢累积，达到一定电压差值时就会在相邻的金属线路上放电，严重时就会将图形线路击伤，造成掩膜版铬膜图形有残缺，严重的会造成报废，尤其在高精度精细线路图形中静电现象更加频繁和严重，使得掩膜版的使用寿命大大缩短，其结果就会导致掩膜版不得不重新制作，致使成本的上升，更重要的是不可预知的静电报废会使产线停工，生产延期，造成工厂很多不可估量的损失。

技术实现要素：

本实用新型实施例要解决的技术问题在于，提供一种防静电掩膜版原材，用于制作具有防静电能力的掩膜版成品。

本实用新型实施例进一步所要解决的技术问题在于，提供一种防静电掩膜版，使掩膜版铬膜图形能有效避免静电的伤害。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例首先提供如下技术方案：一种防静电掩膜版原材，包括玻璃基板，所述玻璃基板上依次逐层镀膜形成的导电金属膜和铬膜，所述铬膜外表面还均匀涂布有光刻胶。

进一步地，所述导电金属膜是透光率大于80%的透明的导电金属薄膜。

进一步地，所述导电金属膜是不与铬膜刻蚀处理时所采用的刻蚀剂起化学反应的导电金属膜。

第二方面，本实用新型实施例进一步提供如下技术方案：一种防静电掩膜版，包括玻璃基板，所述玻璃基板上依次逐层镀膜形成的导电金属膜和铬膜，所述铬膜经刻蚀处理形成铬膜图形。

进一步地，所述导电金属膜是透光率大于80%的透明的导电金属薄膜。

进一步地，所述导电金属膜是不与铬膜刻蚀处理时所采用的刻蚀剂起化学反应的导电金属膜。

实用新型实用新型采用上述技术方案后，本实用新型实施例至少具有如下有益效果：本实用新型实施例提供的掩膜板原材通过在玻璃基板和铬膜之间设置导电金属膜，最终制得的掩膜版也带有所述导电金属膜，从而在使用所述掩膜版时，可以及时有效地导出掩膜版使用过程中因接触、摩擦等因素在铬膜图形上产生的静电，使掩膜版铬膜图形有效避免静电的伤害，延长掩膜版的使用寿命，节约成本。

附图说明

图1是本实用新型掩膜版原材的结构示意图。

图2是本实用新型掩膜版的结构示意图。

图3是本实用新型掩膜版原材制造方法流程示意图。

图4是本实用新型掩膜版制造方法流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本申请作进一步详细说明。应当理解，以下的示意性实施例及说明仅用来解释本申请，并不作为对本申请的限定，而且，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。

如图1所示，本实用新型实施例首先提供一种防静电掩膜版原材，包括玻璃基板1、在玻璃基板1上依次逐层镀膜形成的导电金属膜2和铬膜3，以及均匀涂布于所述铬膜3外表面的光刻胶4。

本实施例通过在玻璃基板1和铬膜3之间镀膜形成导电金属膜2，可以及时有效地导出掩膜版使用过程中因接触、摩擦等因素在铬膜图形上产生的静电，使掩膜版铬膜图形有效避免静电的伤害，延长掩膜版的使用寿命，节约成本。

在一个实施例中，所述导电金属膜2是一层透明的导电金属薄膜，透光率大于80%，通过采用透明的导电金属薄膜，在采用所述防静电掩膜版通过光蚀刻技术将铬膜图形复制到产品基板上时，不影响铬膜图形的复制转移。

在另一个实施例中，所述导电金属膜2是不与对铬膜3进行刻蚀处理以形成铬膜图形时所采用的刻蚀剂起化学反应的导电金属膜。在具体实施时，所述刻蚀剂通常采用硝酸铈铵溶液等刻蚀剂，而所述导电金属膜2可以采用氧化铟锡、氧化锌、铝、银或铌中的一种。通过采用不与刻蚀剂起化学反应的导电金属膜2，在经过刻蚀处理后，导电金属膜2也能原封不动的被保留下来。

在具体实施时，所述导电金属膜2厚度优选为10-100nm，有效的控制导电金属膜2厚度，即可以保证导电金属膜2的导电性、透光率，又可以节约材料成本；所述铬膜3厚度优选为80-110nm，所述光刻胶4厚度优选为500-1000nm。

如图2所示，本实用新型实施例还提供一种防静电掩膜版，是以上述防静电掩膜版原材为基础加工而得，具体包括玻璃基板1、在玻璃基板1上依次逐层镀膜形成的导电金属膜2和铬膜3，所述铬膜3经刻蚀处理形成铬膜图形。

本实施例通过在玻璃基板1和铬膜3之间镀膜形成导电金属膜2，可以及时有效地导出掩膜版使用过程中因接触、摩擦等因素在铬膜图形上产生的静电，使掩膜版铬膜图形有效避免静电的伤害，延长掩膜版的使用寿命，节约成本。

在一个实施例中，所述导电金属膜2是一层透明的导电金属薄膜，透光率大于80%，通过采用透明的导电金属薄膜，在采用所述防静电掩膜版通过光蚀刻技术将铬膜图形复制到产品基板上时，不影响铬膜图形的复制转移。

在另一个实施例中，所述导电金属膜2是不与对铬膜3进行刻蚀处理以形成铬膜图形时所采用的刻蚀剂起化学反应的导电金属膜。在具体实施时，所述刻蚀剂通常采用硝酸铈铵溶液等刻蚀剂，而所述导电金属膜2可以采用氧化铟锡、氧化锌、铝、银或铌中的一种。通过采用不与刻蚀剂起化学反应的导电金属膜2，在经过刻蚀处理后，导电金属膜2也能原封不动的被保留下来。

在具体实施时，所述导电金属膜2厚度优选为10-100nm，有效的控制导电金属膜2厚度，即可以保证导电金属膜2的导电性、透光率，又可以节约材料成本；所述铬膜3厚度优选为80-110nm。

如图3所示，上述防静电掩膜版原材是通过以下方法制备而得的：

步骤a，在真空环境内对玻璃基板1进行镀膜，形成导电金属膜2；

步骤b，在真空环境内在所述导电金属膜2表面镀膜，形成铬膜3；

步骤c，涂光刻胶4并固化处理。

在真空环境下镀膜可以避免各膜层中产生气泡，采用溅射法可以保证导电金属膜2和铬膜3厚度均匀一致。

在在一个实施例中，进行步骤a来镀导电金属膜2时，可在真空环境的镀膜机内采用溅射法在玻璃基板1的表面镀膜形成导电金属膜2，可选地，所述导电金属膜2的厚度为10-100nm。

而在一个实施例中，步骤b中形成的所述铬膜3厚度可选为80-110nm。

在一个实施例中，进行步骤c时，采用涂胶机将光刻胶4均匀的涂布在铬膜3上，涂胶机的旋转速度为500-2000转/分钟，然后移入烘箱中以95℃-100℃的温度烘烤50-60分钟，即可固化所述光刻胶4，所述光刻胶4厚度优选为500-1000nm。

如图4所示，上述防静电掩膜版，是在上述防静电掩膜版原材制备方法基础上进一步处理而实现的：

步骤a，在真空环境内对玻璃基板1进行镀膜，形成导电金属膜2；

步骤b，在真空环境内在所述导电金属膜2表面镀膜，形成铬膜3；

步骤c，涂光刻胶4并固化处理；

步骤d，对光刻胶4进行曝光使光刻胶形成预定的感光图形，再进行显影处理，溶解剥离感光部分的光刻胶4；

步骤e，实施刻蚀处理，蚀除无光刻胶4保护的铬膜3，形成铬膜图形；

步骤f，去除铬膜3表面的光刻胶4。

在真空环境下镀膜可以避免各膜层中产生气泡，采用溅射法可以保证导电金属膜2和铬膜3厚度均匀一致。

在在一个实施例中，进行步骤a来镀导电金属膜2时，可在真空环境的镀膜机内采用溅射法在玻璃基板1的表面镀膜形成导电金属膜2，可选地，所述导电金属膜2的厚度为10-100nm。

而在一个实施例中，步骤b中形成的所述铬膜3厚度可选为80-110nm。

在一个实施例中，进行步骤c时，采用涂胶机将光刻胶4均匀的涂布在铬膜3上，涂胶机的旋转速度为500-2000转/分钟，然后移入烘箱中以95℃-100℃的温度烘烤50-60分钟，即可固化所述光刻胶4，所述光刻胶4厚度优选为500-1000nm。

防静电掩膜版原材通过光刻机的曝光作用，将所需的图形直接写到光刻胶4上，显影处理时，在显影剂作用下，感光部分的光刻胶4就会被溶解剥离掉，从而，在刻蚀处理时，通过刻蚀剂的作用，失去光刻胶4保护的金属铬膜3就会被反应掉，有光刻胶4覆盖的金属铬膜3会保留下来，导电金属膜2是不与刻蚀剂起化学反应的金属材料，经过光刻机曝光和刻蚀剂化学反应后，导电金属膜2也能原封不动的被保留下来，当然，如果所述导电金属膜采用可与刻蚀剂反应的金属材料时，在进行刻蚀时，导电金属膜也会形成与铬膜图形相一致的图形，此时导电金属膜与铬膜图形仍电连接而仍能起到防静电的作用。通过强碱溶液把剩下的光刻胶4全部溶解掉，经过上述曝光和制程后，玻璃基板1上就只剩下所需的导电金属膜2和铬膜图形。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同范围限定。