马赫-曾德尔调制器和光学链路的制作方法

技术特征：

1.一种马赫-曾德尔调制器，其特征在于，包括：

第一光学路径，包括第一二极管，所述第一二极管耦合至第一电压信号节点并被配置用于修改通过所述第一光学路径所发送的第一光信号的相位；

第二光学路径，包括第二二极管，所述第二二极管耦合至第二电压信号节点并被配置用于修改通过所述第二光学路径所发送的第二光信号的相位，其中在所述第一电压信号节点上所承载的第一电压信号与在所述第二电压信号节点上所承载的第二电压信号均在反向偏置电压电平和正向偏置电压电平之间变化；

另一二极管，位于所述第一光学路径中并被配置用于将相位偏移引入至所述第一光信号；以及

光学耦合器，耦合至所述第一光学路径和所述第二光学路径。

2.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器，其特征在于，进一步包括驱动电路，所述驱动电路耦合至所述第一电压信号节点和所述第二电压信号节点并被配置用于产生所述第一电压信号和所述第二电压信号，其中所述驱动电路被配置为产生高于0V且低于所述第一二极管和所述第二二极管的阈值电压的所述正向偏置电压电平。

3.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器，其特征在于，所述第一光学路径和所述第二光学路径被设置为使得在缺乏所述第一电压信号和所述第二电压信号时，所述另一二极管在所述第一光信号和所述第二光信号之间仅提供由所述第一光学路径和所述第二光学路径所引入的相位变化。

4.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器，其特征在于，所述第一二极管和所述第二二极管包括高速相位调制(HSPM)二极管，以及所述另一二极管包括P-本征-N相位调制(PINPM)二极管。

5.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器，其特征在于，所述另一二极管被配置为引入在10°和80°之间的相位偏移。

6.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器，其特征在于，所述另一二极管被配置为引入在10°和65°之间的相位偏移。

7.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器，其特征在于，所述第一二极管和所述第二二极管均具有在200μm和1100μm之间的长度。

8.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器，其特征在于，所述另一二极管具有在50μm和400μm之间的长度。

9.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器，其特征在于，进一步包括另一光学耦合器，所述另一光学耦合器耦合至所述第一光学路径和所述第二光学路径，所述第一光学路径和所述第二光学路径在所述另一光学耦合器与所述光学耦合器之间延伸。

10.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器，其特征在于，进一步包括另一光学耦合器，所述另一光学耦合器被配置用于将所述第一光信号提供至所述第一光学路径并将所述第二光信号提供至所述第二光学路径。

11.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器，其特征在于，进一步包括偏置电压产生器，所述偏置电压产生器耦合至所述另一二极管。

12.根据权利要求11所述的马赫-曾德尔调制器，其特征在于，所述偏置电压产生器被配置为产生偏置电压以用于控制由所述另一二极管所引入的所述相位偏移。

13.根据权利要求12所述的马赫-曾德尔调制器，其特征在于，所述偏置电压产生器被配置为基于所述光学耦合器的输出信号产生所述偏置电压。

14.一种光学链路，其特征在于，包括：

根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器；以及

光学通道，所述光学通道耦合至所述光学耦合器的输出端。

15.一种马赫-曾德尔调制器，其特征在于，包括：

第一光学路径；

第二光学路径；

第一二极管，所述第一二极管位于所述第一光学路径中并耦合至第一电压信号节点，其中所述第一二极管被设计为具有第一响应时间；

第二二极管，所述第二二极管位于所述第二光学路径中并耦合至第二电压信号节点，其中所述第二二极管被设计为具有第二响应时间；

第三二极管，所述第三二极管位于所述第一光学路径中并耦合至偏置电压节点，其中所述第三二极管被设计为具有比所述第一响应时间和所述第二响应时间慢的第三响应时间；以及

光学耦合器，所述光学耦合器具有耦合至所述第一光学路径的第一输入端以及耦合至所述第二光学路径的第二输入端。

16.根据权利要求15所述的马赫-曾德尔调制器，其特征在于，在所述第一电压信号节点上承载的第一电压信号和在所述第二电压信号节点上承载的第二电压信号均在反向偏置电压电平和正向偏置电压电平之间变化。

17.根据权利要求15所述的马赫-曾德尔调制器，其特征在于，所述第一二极管和所述第二二极管包括高速相位调制(HSPM)二极管，以及所述第三二极管包括P-本征-N相位调制(PINPM)二极管。

18.根据权利要求15所述的马赫-曾德尔调制器，其特征在于，所述第三二极管被配置为引入在10°和65°之间的相位偏移。

19.根据权利要求15所述的马赫-曾德尔调制器，其特征在于，所述第一二极管和所述第二二极管均具有在200μm和1100μm之间的长度，以及其中所述第三二极管具有在50μm和400μm之间的长度。