感光化射线性或感放射线性树脂组合物、感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法、电子器件的制造方法、化合物及树脂与流程

本发明涉及一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物、感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法、电子器件的制造方法、化合物及树脂。
背景技术：
：为了弥补在krf准分子激光(248nm)用抗蚀剂之后由光吸收引起的灵敏度的下降，使用利用到化学增幅的图案形成方法。例如，正型化学增幅法中，首先，曝光部中所含的光产酸剂通过光照射进行分解而产生酸。然后，在曝光后烘烤(peb：postexposurebake)过程等中，通过所产生的酸的催化作用，将感光性组合物中所含的碱不溶性的基团改变为碱可溶性的基团。之后，例如，使用碱溶液进行显影。由此，去除曝光部而获得所需的图案。在上述方法中，作为碱显影液，提出有各种碱显影液。例如，作为该碱显影液，广泛使用2.38质量％tmah(氢氧化四甲铵水溶液)的水系碱显影液。为了半导体元件的微细化，曝光光源的短波长化和投影透镜的高数值孔径(高na(numericalaperture))化有所发展，目前正在开发将具有193nm波长的arf准分子激光作为光源的曝光机。作为进一步提高解析力(日文：解像力)的技术，提倡在投影透镜与试样之间填充高折射率的液体(以下，也称为“液浸液”)的方法(即液浸法)(例如，参阅专利文献1～3)。以往技术文献专利文献专利文献1：日本专利公开2011－002805号公报专利文献2：日本专利公开2012－242800号公报专利文献3：日本特表2013－513827号公报技术实现要素：发明要解决的技术课题近年来，随着提高各种电子设备的生产率的要求，在抗蚀剂图案的形成中也要求以更短的时间形成期望的抗蚀剂图案。因此，作为缩短抗蚀剂图案的形成时间的方法之一，本发明人等对在使用液浸曝光装置的曝光工序中提高扫描速度的情况进行了研究的结果发现，将曝光的扫描速度设为超高速时，很难使液浸液对曝光装置具有高追随性的同时抑制各种缺陷。因此，本发明的目的为，提供一种即使将曝光的扫描速度设为超高速(例如，700mm/秒以上)，也能够使液浸液对曝光装置具有高追随性的同时能够一同减少残渣(日文：スカム)(液浸缺陷)及显影缺陷的感光化射线性或感放射线性树脂组合物、以及使用该感光化射线性或感放射线性树脂组合物的感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。并且，本发明的目的为，提供一种可优选地用于制备感光化射线性或感放射线性树脂组合物的化合物及树脂。用于解决技术课题的手段即，本发明人等发现能够通过以下构成解决上述课题。〔1〕一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其含有树脂(c)，该树脂(c)具有以下述通式(1)所表示的重复单元。[化学式1]上述通式(1)中，z表示卤素原子、以r11och2－所表示的基团或以r12oc(＝o)ch2－所表示的基团。r11及r12分别独立地表示1价取代基。x表示氧原子或硫原子。l表示(n+1)价的连结基团。r表示如下基团，该基团具有通过碱显影液的作用而分解并在碱显影液中的溶解度增大的基团。n表示正整数。当n为2以上时，两个以上的r彼此可以相同，也可以不同。〔2〕如〔1〕所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，以上述通式(1)所表示的重复单元为以下述通式(2)或(3)所表示的重复单元。[化学式2]上述通式(2)中，r2表示吸电子基团。l2表示二价连结基团。x2表示氧原子或硫原子。z2表示卤素原子。上述通式(3)中，r3表示吸电子基团。l3表示二价连结基团。x3表示氧原子或硫原子。z3表示卤素原子。〔3〕如〔1〕所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，以上述通式(1)所表示的重复单元为以下述通式(4)所表示的重复单元。[化学式3]上述通式(4)中，r4表示吸电子基团。r5表示氢原子、烷基或芳基。l4表示二价连结基团。x4表示氧原子或硫原子。m表示0或1。〔4〕如〔1〕所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，以上述通式(1)所表示的重复单元为以下述通式(5)所表示的重复单元。[化学式4]上述通式(5)中，z表示卤素原子、以r11och2－所表示的基团或以r12oc(＝o)ch2－所表示的基团。r11及r12分别独立地表示1价取代基。r6表示吸电子基团。〔5〕如〔1〕至〔4〕中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，在形成感光化射线性或感放射线性膜时，上述感光化射线性或感放射线性膜上的水的后退接触角为75°以上。〔6〕一种感光化射线性或感放射线性膜，其通过〔1〕至〔5〕中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成。〔7〕一种图案形成方法，其具有如下工序：(i)通过〔1〕至〔5〕中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物来形成感光化射线性或感放射线性膜的工序；(ii)对上述感光化射线性或感放射线性膜照射光化射线或放射线的工序；及(iii)对照射过上述光化射线或放射线的感光化射线性或感放射线性膜，使用显影液来进行显影的工序。〔8〕如〔7〕所述的图案形成方法，其中，上述显影液为碱显影液。〔9〕一种电子器件的制造方法，其包含〔7〕或〔8〕所述的图案形成方法。〔10〕一种化合物，其以下述通式(1m)所表示。[化学式5]上述通式(1m)中，z表示卤素原子、以r11och2－所表示的基团或以r12oc(＝o)ch2－所表示的基团。r11及r12分别独立地表示1价取代基。x表示氧原子或硫原子。l表示(n+1)价的连结基团。r表示如下基团，该基团具有通过碱显影液的作用而分解并在碱显影液中的溶解度增大的基团。n表示正整数。当n为2以上时，两个以上的r彼此可以相同，也可以不同。〔11〕一种树脂，其具有以下述通式(1)所表示的重复单元。[化学式6]上述通式(1)中，z表示卤素原子、以r11och2－所表示的基团或以r12oc(＝o)ch2－所表示的基团。r11及r12分别独立地表示1价取代基。x表示氧原子或硫原子。l表示(n+1)价的连结基团。r表示如下基团，该基团具有通过碱显影液的作用而分解并在碱显影液中的溶解度增大的基团。n表示正整数。当n为2以上时，两个以上的r彼此可以相同，也可以不同。发明效果依本发明，能够提供一种即使将曝光的扫描速度设为超高速(例如，700mm/秒以上)，也能够使液浸液对曝光装置具有高追随性的同时能够一同减少残渣(液浸缺陷)及显影缺陷的感光化射线性或感放射线性树脂组合物、以及使用该感光化射线性或感放射线性树脂组合物的感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。并且，依本发明，能够提供一种可优选地用于制备感光化射线性或感放射线性树脂组合物的化合物及树脂。具体实施方式以下对本发明进行详细说明。以下所记载的构成要件的说明有时是基于本发明的代表性实施方式进行的，但本发明并不限定于这种实施方式。本说明书中的基团(原子团)的标记中，未标有取代及未取代的标记不仅包含不具有取代基的基团，而且还包含具有取代基的基团。例如，“烷基”不仅包含不具有取代基的烷基(未取代的烷基)，还包含具有取代基的烷基(取代的烷基)。本说明书中的“光化射线”或“放射线”是指例如汞灯的明线光谱、以准分子激光为代表的远紫外线、极紫外线(euv光)、x射线及电子束(eb)等。并且，本发明中，光是指光化射线或放射线。并且，本说明书中的“曝光”除非另有说明，否则不仅包含利用汞灯的明线光谱及以准分子激光为代表的远紫外线、极紫外线、x射线及euv光等进行的曝光，还包含利用电子束及离子束等粒子束进行的描绘。本说明书中，“～”是以将记载于其前后的数值作为下限值及上限值而包含的含义使用。并且，本说明书中，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯，(甲基)丙烯酸基(日文：(メタ)アクリル)表示丙烯酸基(日文：アクリル)及甲基丙烯酸基(日文：メタクリル)。本说明书中，树脂的重均分子量(mw)、数均分子量(mn)及分散度(mw/mn)被定义为，基于gpc(凝胶渗透色谱(gelpermeationchromatography))装置(tosohcorporation制造的hlc－8120gpc)的gpc测定(溶剂：四氢呋喃，流量(样品注入量)：10μl，色谱柱：tosohcorporation制造的tskgelmultiporehxl－m(×4根)，色谱柱温度：40℃，流速：1.0ml/分钟，检测器：示差折射率(ri)检测器)的聚苯乙烯换算值。[感光化射线性或感放射线性树脂组合物]如上所述，本发明的感光化射线性或感放射性树脂组合物含有树脂(c)，该树脂(c)具有以下述通式(1)所表示的重复单元。[化学式7]上述通式(1)中，z表示卤素原子、以r11och2－所表示的基团或以r12oc(＝o)ch2－所表示的基团。r11及r12分别独立地表示1价取代基。x表示氧原子或硫原子。l表示(n+1)价的连结基团。r表示如下基团，该基团具有通过碱显影液的作用而分解并在碱显影液中的溶解度增大的基团。n表示正整数。当n为2以上时，两个以上的r彼此可以相同，也可以不同。由于采用上述构成，本发明能够对曝光的高速扫描具有较高的液浸液追随性的同时能够一同减少残渣(液浸缺陷)及显影缺陷。其理由虽不明确，但推测如下。首先，在液浸曝光工序中，液浸液需要追随曝光装置(具体而言，为曝光头)高速地在晶片上进行扫描并形成曝光图案的动作而在晶片上移动。因此，动态状态下的液浸液相对于感光化射线性或感放射线性膜的接触角变得重要，认为对感光化射线性或感放射线性膜要求液滴不会残留而追随曝光头的高速扫描的性能。作为与树脂的主链键合的z，树脂(c)具有卤素原子、以r11och2－所表示的基团或以r12oc(＝o)ch2－所表示的基团。此处，当z为卤素原子尤其为氟原子时，树脂(c)自身的疏水性增加，在通过本发明的组合物形成感光化射线性或感放射线性膜时，认为上述感光化射线性或感放射线性膜上的水的后退接触角变得非常大。并且，本发明人等的研究的结果，当z为除氟以外的卤素原子时，虽然理由仍不明确，但也发现能够使感光化射线性或感放射线性膜上的水的后退接触角变得非常大。而且，当z为以r11och2－所表示的基团或以r12oc(＝o)ch2－所表示的基团时，认为通过这些基团与树脂的主链键合，树脂的主链附近的基于侧链的立体障碍变大。由此，由于树脂的主链骨架的刚性增加，通式(1)中，基团r在树脂的无规线团(日文：ランダムコイル)中成为外向存在的倾向，该基团r存在于通过与主链经由连结基团l键合而从主链远离的位置，并且典型地疏水性较高。其结果，树脂(c)自身的疏水性增加，在通过本发明的组合物形成感光化射线性或感放射线性膜时，认为上述感光化射线性或感放射线性膜上的水的后退接触角变得非常大。如上所述，在本发明中，首先，在通过组合物形成感光化射线性或感放射线性膜时，上述感光化射线性或感放射线性膜上的水的后退接触角变得非常大，因此认为即使将曝光的扫描速度设为超高速(例如，700mm/秒以上)，也能够充分获得液浸液对曝光装置的追随性，能够减少残渣(液浸缺陷)。并且，树脂(c)在以通式(1)所表示的重复单元中具有作为如下基团的基团r，该基团具有通过碱显影液的作用而分解并在碱显影液中的溶解度增大的基团。由此，认为由含有树脂(c)的组合物获得的感光化射线性或感放射线性膜如上那样，在曝光前为水的后退接触角较高的状态，并且在曝光显影后成为对碱显影液的溶解度极高的状态，因此能够充分减少显影缺陷。本发明的感光化射线性或感放射线性树脂组合物优选为抗蚀剂组合物，可以为正型抗蚀剂组合物，也可以为负型抗蚀剂组合物，优选正型抗蚀剂组合物。并且，本发明的抗蚀剂组合物可以为碱显影用抗蚀剂组合物，也可以为有机溶剂显影用抗蚀剂组合物，优选碱显影用抗蚀剂组合物。本发明的抗蚀剂组合物典型地为化学增幅型抗蚀剂组合物。以下，对本发明的感光化射线性或感放射线性树脂组合物(还称为“本发明的组合物”。)中所含的成分进行详细说明。＜树脂(a)＞本发明的感光化射线性或感放射线性树脂组合物可以含有通过酸的作用而分解并对碱显影液的溶解度增大的树脂(以下，还称为“酸分解性树脂”或“树脂(a)”。)。酸分解性树脂在树脂的主链或侧链或者主链及侧链这两者上具有通过酸的作用而分解并生成碱可溶性基团的基团(以下，还称为“酸分解性基团”)。树脂(a)优选为不溶或难溶于碱显影液。酸分解性基团优选具有利用通过酸的作用而分解脱离的基团来保护碱可溶性基团的结构。作为碱可溶性基团，可列举酚性羟基、羧基、氟化醇基、磺酸基、磺酰胺基、磺酰基酰亚胺基、(烷基磺酰基)(烷基羰基)亚甲基、(烷基磺酰基)(烷基羰基)酰亚胺基、双(烷基羰基)亚甲基、双(烷基羰基)酰亚胺基、双(烷基磺酰基)亚甲基、双(烷基磺酰基)酰亚胺基、三(烷基羰基)亚甲基、三(烷基磺酰基)亚甲基等。作为优选的碱可溶性基团，可以列举羧基、氟化醇基(优选六氟异丙醇基)、磺酸基。作为酸分解性基团而优选的基团，为以通过酸而脱离的基团取代这些碱可溶性基团的氢原子的基团。作为通过酸而脱离的基团，例如能够列举：－c(r36)(r37)(r38)、－c(r36)(r37)(or39)、－c(r01)(r02)(or39)等。式中，r36～r39各自独立地表示烷基、环烷基、芳基、芳烷基或烯基。r36与r37也可以相互键合而形成环。r01～r02各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基、芳烷基或烯基。作为酸分解性基团，优选为：枯酯基、烯醇酯基、缩醛酯基、叔烷基酯基等。更优选为叔烷基酯基。作为树脂(a)可含有的具有酸分解性基团的重复单元，优选以下述通式(ai)所表示的重复单元。[化学式8]通式(ai)中，xa1表示氢原子、可具有取代基的烷基。t表示单键或二价连结基团。rx1～rx3分别独立地表示烷基(直链或支链)或环烷基(单环或多环)。rx1～rx3中的2个可以键合而形成环烷基(单环或多环)。作为以xa1所表示的可具有取代基的烷基，例如可举出甲基或以－ch2－r11所表示的基团。r11表示卤素原子(氟原子等)、羟基或1价的有机基团，例如可以举出碳原子数5以下的烷基、碳原子数5以下的酰基，优选为碳原子数3以下的烷基，进一步优选为甲基。在一方式中，xa1优选为氢原子、甲基、三氟甲基或羟甲基等。作为t的二价连结基团，可举出亚烷基、－coo－rt－基、－o－rt－基等。式中，rt表示亚烷基或亚环烷基。t优选为单键或－coo－rt－基。rt优选为碳原子数1～5的亚烷基，更优选－ch2－基、－(ch2)2－基、－(ch2)3－基。作为rx1～rx3的烷基，优选甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等碳原子数1～4的烷基。作为rx1～rx3的环烷基，优选环戊基、环己基等单环的环烷基、降冰片基、四环癸基、四环十二烷基、金刚烷基等多环的环烷基。作为rx1～rx3中的2个键合而形成的环烷基，优选环戊基、环己基等单环的环烷基、降冰片基、四环癸基、四环十二烷基、金刚烷基等多环的环烷基。尤其优选为碳原子数5～6的单环的环烷基。rx1～rx3中的2个键合而形成的上述环烷基中，例如，构成环的其中1个亚甲基可以被氧原子等杂原子、或羰基等具有杂原子的基团取代。以通式(ai)所表示的重复单元优选为例如rx1为甲基或乙基，且rx2与rx3键合而形成上述环烷基的方式。上述各基团可以具有取代基，作为取代基，例如可以举出烷基(碳原子数1～4)、卤素原子、羟基、烷氧基(碳原子数1～4)、羧基、烷氧基羰基(碳原子数2～6)等，优选碳原子数8以下。具有酸分解性基团的重复单元的合计的含量相对于树脂(a)中的所有重复单元，优选为20～80mol％，更优选为25～75mol％，进一步优选为30～70mol％。具体而言，能够利用us2012/0135348a1＜0265＞中所揭示的具体例，但本发明并不限定于此。树脂(a)优选例如含有以通式(3)所表示的重复单元作为以通式(ai)所表示的重复单元。[化学式9]通式(3)中，r31表示氢原子或烷基。r32表示甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基或仲丁基。r33表示与键合有r32的碳原子一同形成单环的脂环烃结构所需的原子团。上述脂环烃结构中，构成环的碳原子的一部分可被杂原子或具有杂原子的基团取代。r31的烷基可具有取代基，作为取代基，可以举出氟原子、羟基等。r31优选表示氢原子、甲基、三氟甲基或羟甲基。r32优选为甲基、乙基、正丙基或异丙基，更优选为甲基或乙基。r33与碳原子一同形成的单环的脂环烃结构优选为3～8元环，更优选为5或6元环。在r33与碳原子一同形成的单环的脂环烃结构中，作为可构成环的杂原子，可以举出氧原子、硫原子等，作为具有杂原子的基团，可以举出羰基等。其中，具有杂原子的基团优选不为酯基(酯键)。r33与碳原子一同形成的单环的脂环烃结构优选仅由碳原子及氢原子形成。通式(3)所表示的重复单元优选为下述通式(3’)所表示的重复单元。[化学式10]通式(3’)中，r31及r32与上述通式(3)中的各含义相同。作为具有以通式(3)所表示的结构的重复单元的具体例，可举出下述重复单元，但并不限定于此。[化学式11]具有通式(3)所表示的结构的重复单元的含量相对于树脂(a)中的所有重复单元，优选为20～80mol％，更优选为25～75mol％，进一步优选为30～70mol％。树脂(a)更优选为例如具有以通式(i)所表示的重复单元及以通式(ii)所表示的重复单元的至少任一个作为以通式(ai)所表示的重复单元的树脂。[化学式12]式(i)及(ii)中，r1及r3分别独立地表示氢原子、可具有取代基的甲基或由－ch2－r11表示的基团。r11表示1价的有机基团。r2、r4、r5及r6分别独立地表示烷基或环烷基。r表示与r2所键合的碳原子一同形成脂环结构所需的原子团。r1及r3优选表示氢原子、甲基、三氟甲基或羟甲基。r11中的1价的有机基团的具体例及优选例与以通式(ai)的r11所记载的基团相同。r2中的烷基可以是直链型也可以是支链型，也可具有取代基。r2中的环烷基可以是单环也可以是多环，也可具有取代基。r2优选为烷基，更优选为碳原子数1～10的烷基，进一步优选为碳原子数1～5的烷基，例如可以举出甲基、乙基等。r表示与碳原子一同形成脂环结构所需的原子团。作为r与碳原子一同形成的脂环结构，优选为单环的脂环结构，其碳原子数优选为3～7，更优选为5或6。r3优选为氢原子或甲基，更优选为甲基。r4、r5、r6中的烷基可以是直链型也可以是支链型，也可具有取代基。作为烷基，优选甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等碳原子数1～4的烷基。r4、r5、r6中的环烷基可以是单环也可以是多环，也可具有取代基。作为环烷基，优选环戊基、环己基等单环的环烷基、降冰片基、四环癸基、四环十二烷基、金刚烷基等多环的环烷基。作为上述各基团可具有的取代基，可举出与作为上述通式(ai)中的各基团可具有的取代基而进行前述说明的取代基相同的基团。酸分解性树脂更优选为含有以通式(i)所表示的重复单元及以通式(ii)所表示的重复单元作为以通式(ai)所表示的重复单元的树脂。并且，其他形态中，更优选为含有以通式(i)所表示的重复单元的至少2种作为以通式(ai)所表示的重复单元的树脂。当包含2种以上的通式(i)的重复单元时，优选包含r与碳原子一同形成的脂环结构为单环脂环结构的重复单元、及r与碳原子一同形成的脂环结构为多环脂环结构的重复单元这两者。作为单环脂环结构，优选碳原子数5～8，更优选碳原子数5或6，尤其优选碳原子数5。作为多环脂环结构，优选降冰片基、四环癸基、四环十二烷基、金刚烷基。树脂(a)所含有的具有酸分解性基团的重复单元可以是一种，也可以并用两种以上。当并用时，能够利用us2012/0135348a1＜0287＞中所揭示的具体例，但并不限定于此。在一方式中，树脂(a)优选含有具有环状碳酸酯结构的重复单元。该环状碳酸酯结构为具有如下环的结构，该环包含以－o－c(＝o)－o－所表示的键作为构成环的原子群。包含以－o－c(＝o)－o－所表示的键作为构成环的原子群的环，优选为5～7元环，最优选为5元环。该种环也可以与其他环稠合而形成稠环。树脂(a)优选含有具有内酯结构或磺内酯(环状磺酸酯)结构的重复单元。作为内酯基或磺内酯基，只要具有内酯结构或磺内酯结构，则能够使用任一种基团，优选为5～7元环的内酯结构或磺内酯结构，优选为在5～7元环的内酯结构或磺内酯结构上以形成双环结构、螺环结构的形式缩环有其他环结构。更优选含有us2012/0135348a1＜0318＞中所揭示的以通式(lc1－1)～(lc1－17)及以下述通式(sl1－1)及(sl1－2)中的任一者所表示的具有内酯结构或磺内酯结构的重复单元。并且，内酯结构或磺内酯结构可以直接键合在主链上。作为优选的内酯结构或磺内酯结构为(lc1－1)、(lc1－4)、(lc1－5)、(lc1－8)，更优选为(lc1－4)。通过使用特定的内酯结构或磺内酯结构，lwr、显影缺陷变得良好。[化学式13]上述通式(sl1－1)及(sl1－2)中，rb2表示取代基。n2表示0～4的整数。作为优选的取代基(rb2)，可举出碳原子数1～8的烷基、碳原子数4～7的环烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数2～8的烷氧基羰基、羧基、卤素原子、羟基、氰基及酸分解性基团等。n2为2以上时，存在的两个以上的取代基(rb2)可相同，也可不同，并且存在的两个以上的取代基(rb2)彼此可键合而形成环。树脂(a)优选含有下述通式(iii)所表示的具有内酯结构或磺内酯结构的重复单元。[化学式14]式(iii)中，a表示酯键(由－coo－表示的基团)或酰胺键(由－conh－表示的基团)。关于r0，存在两个以上时，分别独立地表示亚烷基、亚环烷基或其组合。关于z，存在两个以上时，分别独立地表示单键、醚键、酯键、酰胺键、氨基甲酸酯键[化学式15](以所表示的基团)、或脲键[化学式16](以所表示的基团)其中，r分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基或芳基。r8表示具有内酯结构或磺内酯结构的1价的有机基团。n是由－r0－z－表示的结构的重复数，表示0～2的整数。r7表示氢原子、卤素原子或烷基。r0的亚烷基、亚环烷基可具有取代基。z优选为醚键、酯键，尤其优选为酯键。r7的烷基优选为碳原子数1～4的烷基，更优选为甲基、乙基，尤其优选为甲基。r0的亚烷基、亚环烷基、r7中的烷基可分别被取代，作为取代基，例如可以举出氟原子、氯原子、溴原子等卤素原子或巯基、羟基、甲氧基、乙氧基、异丙氧基、叔丁氧基、苄氧基等烷氧基、乙酰氧基、丙酰氧基等乙酰氧基。r7优选为氢原子、甲基、三氟甲基、羟甲基。作为r0中的优选的链状亚烷基，优选碳原子数为1～10的链状亚烷基，更优选碳原子数1～5，例如可以举出亚甲基、亚乙基、亚丙基等。作为优选的亚环烷基，为碳原子数3～20的亚环烷基，例如可以举出亚环己基、亚环戊基、亚降冰片基、亚金刚烷基等。为了体现本发明的效果，更优选链状亚烷基，尤其优选亚甲基。由r8表示的具有内酯结构或磺内酯结构的1价的有机基团，只要具有内酯结构或磺内酯结构，则并不受限定，作为具体例，可以举出上述通式(lc1－1)～(lc1－17)、(sl1－1)及(sl1－2)所表示的内酯结构或磺内酯结构，这些之中，尤其优选(lc1－4)所表示的结构。并且，(lc1－1)～(lc1－17)、(sl1－1)及(sl1－2)中的n2更优选为2以下。并且，r8优选为具有未取代的内酯结构或磺内酯结构的1价的有机基团、或具有将甲基、氰基或烷氧基羰基作为取代基而具有的内酯结构或磺内酯结构的1价的有机基团，更优选具有将氰基作为取代基而具有的内酯结构(氰基内酯)或磺内酯结构(氰基磺内酯)的1价的有机基团。通式(iii)中，n优选为1或2。作为具有以通式(iii)所表示的具有内酯结构或磺内酯结构的重复单元的具体例，可举出us2012/0135348a1＜0305＞中所揭示的重复单元，但本发明并不限定于此。作为具有内酯结构或磺内酯结构的重复单元，更优选以下述通式(iii－1)或(iii－1’)所表示的重复单元。[化学式17]通式(iii－1)及(iii－1’)中，r7、a、r0、z及n与上述通式(iii)的含义相同。r7’、a’、r0’、z’及n’分别与上述通式(iii)中的r7、a、r0、z及n的含义相同。当r9存在两个以上时，分别独立地表示烷基、环烷基、烷氧基羰基、氰基、羟基或烷氧基，且具有两个以上时，2个r9也可以键合而形成环。当r9'存在两个以上时，分别独立地表示烷基、环烷基、烷氧基羰基、氰基、羟基或烷氧基，且具有两个以上时，2个r9'也可以键合而形成环。x及x’分别独立地表示亚烷基、氧原子或硫原子。m及m’为取代基数，分别独立地表示0～5的整数。m及m’优选分别独立地表示0或1。作为r9及r9’的烷基，优选碳原子数1～4的烷基，更优选甲基、乙基，最优选甲基。作为环烷基，可举出环丙基、环丁基、环戊基、环己基。作为烷氧基羰基，可举出甲氧基羰基、乙氧基羰基、正丁氧基羰基、叔丁氧基羰基等。作为烷氧基，可举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基等。这些基团也可以具有取代基，作为取代基，可举出羟基、甲氧基、乙氧基等烷氧基、氰基、氟原子等卤素原子。r9及r9’更优选为甲基、氰基或烷氧基羰基，进一步优选氰基。作为x及x’的亚烷基，可举出亚甲基、亚乙基等。x及x’优选为氧原子或亚甲基，进一步优选亚甲基。当m及m’为1以上时，优选至少一个r9及r9’取代于内酯的羰基的α位或β位，尤其优选取代于α位。作为以通式(iii－1)或(iii－1')所表示的具有内酯结构或磺内酯结构的重复单元的具体例，可举出us2012/0135348a1＜0315＞中所揭示的重复单元，但本发明并不限定于此。关于通式(iii)所表示的重复单元的含量，当含有多种时，其合计相对于树脂(a)中的所有重复单元，优选为15～60mol％，更优选为20～60mol％，进一步优选为30～50mol％。树脂(a)除了通式(iii)所表示的重复单位以外，还可含有具有上述内酯结构或磺内酯结构的重复单元。作为具有内酯基或磺内酯基的重复单元的具体例，除了上述举出的具体例以外，还可举出us2012/0135348a1＜0325＞～＜0328＞中所揭示的重复单元，但本发明并不限定于这些。作为上述具体例中尤其优选的重复单元，可举出下述重复单元。通过选择最优选的内酯基或磺内酯基，图案轮廓(日文：パターンプロファイル)、疏密依赖性变得良好。[化学式18]式中，rx表示h、ch3、ch2oh或cf3.)具有内酯基或磺内酯基的重复单元通常存在光学异构体，可使用任一种光学异构体。并且，可单独使用1种光学异构体，也可将多种光学异构体混合使用。在主要使用1种光学异构体的情况下，其光学纯度(ee)优选为90％以上，更优选为95％以上。关于通式(iii)所表示的重复单元以外的具有内酯结构或磺内酯结构的重复单元的含量，当含有多种重复单元时，进行合计而相对于树脂中的所有重复单元，优选为15mol％～60mol％，更优选为20mol％～50mol％，进一步优选为30mol％～50mol％。为了提高本发明的效果，还能够同时使用选自通式(iii)的2种以上的内酯或磺内酯重复单元。当同时使用时，在通式(iii)中，优选从n为1的内酯或磺内酯重复单元选择2种以上来同时使用。树脂(a)优选含有除通式(ai)及(iii)以外的具有羟基或氰基的重复单元。由此，基板密合性、显影液亲和性得到提高。具有羟基或氰基的重复单元优选为具有被羟基或氰基取代的脂环烃结构的重复单元，更优选不具有酸分解性基团。作为被羟基或氰基取代的脂环烃结构中的脂环烃结构，优选金刚烷基、双金刚烷基(日文：ジアマンチル)、降冰片烷基。作为优选的被羟基或氰基取代的脂环烃结构，优选以下述通式所表示的结构。[化学式19]具有羟基或氰基的重复单元的含量相对于树脂(a)中的所有重复单元，优选为5～40mol％，更优选为5～30mol％，进一步优选为10～25mol％。作为具有羟基或氰基的重复单元的具体例，可举出美国公开专利2012/0135348号公报的0340段中所揭示的重复单元，但本发明并不限定于这些。本发明的感光化射线性或感放射线性树脂组合物中所使用的树脂(a)也可以含有具有碱可溶性基团的重复单元。作为碱可溶性基团，可举出羧基、磺酰胺基、磺酰基酰亚胺基、双磺酰基酰亚胺基、α位被吸电子基团取代的脂肪族醇(例如六氟异丙醇基)，更优选含有具有羧基的重复单元。通过含有具有碱可溶性基团的重复单元，增加接触孔用途上的分辨率。作为具有碱可溶性基团的重复单元，优选为，如基于丙烯酸、甲基丙烯酸的重复单元那样的在树脂的主链上直接键合有碱可溶性基团的重复单元、或经由连结基团而在树脂的主链上键合有碱可溶性基团的重复单元、以及在聚合时使用具有碱可溶性基团的聚合引发剂或链转移剂并将其导入至聚合物链的末端中的任何一种，连结基团可具有单环或多环的环状烃结构。尤其优选为基于丙烯酸、甲基丙烯酸的重复单元。具有碱可溶性基团的重复单元的含量相对于树脂(a)中的所有重复单元，优选为0～20mol％，更优选为3～15mol％，进一步优选为5～10mol％。作为具有碱可溶性基团的重复单元的具体例，可举出美国公开专利2012/0135348号公报的0344段中所揭示的重复单元，但本发明并不限定于此。本发明的树脂(a)还能够具有如下重复单元，该重复单元具有不含有极性基(例如，上述碱可溶性基团、羟基、氰基等)的脂环烃结构，且不显示酸分解性。作为该种重复单元，可举出以通式(iv)所表示的重复单元。[化学式20]上述通式(iv)中，r5表示具有至少一个环状结构且不具有极性基的烃基。ra表示氢原子、烷基或－ch2－o－ra2基。式中，ra2表示氢原子、烷基或酰基。ra优选为氢原子、甲基、羟甲基、三氟甲基，尤其优选为氢原子、甲基。r5所具有的环状结构中包含单环式烃基及多环式烃基。作为单环式烃基，例如可举出环戊基、环己基、环庚基、环辛基等碳原子数3～12的环烷基、环己烯基等碳原子数3～12的环烯基。作为优选的单环式烃基，为碳原子数3～7的单环式烃基，可更优选地举出环戊基、环己基。多环式烃基中包含集合环烃基(日文：環集合炭化水素基)、交联环式烃基，作为集合环烃基的一例，包含双环己基、全氢萘基等。作为交联环式烃环，例如可举出蒎烷、冰片烷、降蒎烷、降冰片烷、双环辛烷环(双环[2.2.2]辛烷环、双环[3.2.1]辛烷环等)等2环式烃环、均布雷烷(日文：ホモブレダン)、金刚烷、三环[5.2.1.02,6]癸烷及三环[4.3.1.12,5]十一烷环等3环式烃环、四环[4.4.0.12,5.17,10]十二烷、全氢－1,4－甲桥－5,8－甲桥萘环等4环式烃环等。并且，交联环式烃环中还包含稠环式烃环，例如全氢萘(十氢萘)、全氢蒽、全氢菲、全氢苊、全氢茀、全氢茚、全氢萉环等两个以上的5～8元环烷烃环缩合而得的稠环。作为优选的交联环式烃环，可举出降冰片基、金刚烷基、双环辛烷基、三环[5.2.1.02,6]癸基等。作为更优选的交联环式烃环，可举出降冰片基、金刚烷基。这些脂环式烃基可以具有取代基，作为优选的取代基，可举出卤素原子、烷基、氢原子被取代的羟基、氢原子被取代的氨基等。作为优选的卤素原子，可举出溴原子、氯原子、氟原子，作为优选的烷基，可举出甲基、乙基、丁基、叔丁基。上述烷基可进一步具有取代基，作为可进一步具有的取代基，可举出卤素原子、烷基、氢原子被取代的羟基、氢原子被取代的氨基。作为上述氢原子被取代的基团，例如可举出烷基、环烷基、芳烷基、取代甲基、取代乙基、烷氧基羰基、芳烷氧基羰基。作为优选的烷基，可举出碳原子数1～4的烷基，作为优选的取代甲基，可举出甲氧基甲基、甲氧基硫甲基、苄氧基甲基、叔丁氧基甲基、2－甲氧基乙氧基甲基，作为优选的取代乙基，可举出1－乙氧基乙基、1－甲基－1－甲氧基乙基，作为优选的酰基，可举出甲酰基、乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、戊酰基、新戊酰基等碳原子数1～6的脂肪族酰基，作为烷氧基羰基，可举出碳原子数1～4的烷氧基羰基等。树脂(a)可以含有如下重复单元，也可以不含有该重复单元，该重复单元具有不含有极性基的脂环烃结构且不显示酸分解性，当含有时，该重复单元的含量相对于树脂(a)中的所有重复单元，优选为1～40mol％，更优选为2～20mol％。作为具有不含有极性基的脂环烃结构且不显示酸分解性的重复单元的具体例，可举出美国公开专利2012/0135348号公报的0354段中所揭示的重复单元，但本发明并不限定于这些。除了具有上述重复结构单元以外，本发明的组合物中所使用的树脂(a)还能够具有各种重复结构单元，以实现调节耐干蚀刻性或标准显影液适应性、基板密合性、抗蚀剂轮廓(日文：レジストプロファイル)以及作为抗蚀剂通常所需的特性的解析力、耐热性、灵敏度等目的。作为该种重复结构单元，可举出相当于下述单体的重复结构单元，但并不限定于这些。由此，能够对本发明的组合物中所使用的树脂所要求的性能进行微调整，尤其是如下性能：(1)相对于涂布溶剂的溶解性、(2)制膜性(玻璃化转变温度)、(3)碱显影性、(4)膜的薄化(亲疏水性、碱可溶性基团选择)、(5)未曝光部对基板的密合性、(6)耐干蚀刻性等。作为该种单体，例如可举出选自丙烯酸酯类、甲基丙烯酸酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、烯丙基化合物、乙烯基醚类、乙烯基酯类等中的具有1个加成聚合性不饱和键的化合物等。另外，只要是能够与相当于上述各种重复结构单元的单体共聚的加成聚合性的不饱和化合物，则也可被共聚。本发明的组合物中所使用的树脂(a)中，为了调节抗蚀剂的耐干蚀刻性或标准显影液适应性、基板密合性、抗蚀剂轮廓以及作为抗蚀剂通常所需的性能的解析力、耐热性、灵敏度等，而适当地设定各重复结构单元的含有摩尔比。本发明的组合物用于arf曝光时，从对arf光的透明性的观点考虑，优选本发明的组合物中所使用的树脂(a)实质上不具有芳香族基。更具体而言，树脂(a)的所有重复中，具有芳香族基的重复单元优选为总体的5mol％以下，更优选为3mol％以下，理想的为0mol％，即进一步优选不含有具有芳香族基的重复单元。并且，树脂(a)优选具有单环或多环的脂环烃结构。另外，从与后述的树脂(c)的相容性的观点考虑，树脂(a)优选不含有氟原子及硅原子。作为本发明的组合物中所使用的树脂(a)，优选为，重复单元全部由(甲基)丙烯酸酯系重复单元构成的树脂。该情况下，可以使用重复单元全部为甲基丙烯酸酯系重复单元的树脂、重复单元全部为丙烯酸酯系重复单元的树脂、重复单元全部基于甲基丙烯酸酯系重复单元和丙烯酸酯系重复单元而得的树脂中的任一种，丙烯酸酯系重复单元优选为所有重复单元的50mol％以下。并且，也优选为包含具有酸分解性基团的(甲基)丙烯酸酯系重复单元20～50mol％、具有内酯基的(甲基)丙烯酸酯系重复单元20～50mol％、具有被羟基或氰基取代的脂环烃结构的(甲基)丙烯酸酯系重复单元5～30mol％、以及其他(甲基)丙烯酸酯系重复单元0～20mol％的共聚物。当对本发明的组合物照射krf准分子激光光、电子束、x射线、波长50nm以下的高能量光线(euv等)时，树脂(a)优选还具有羟基苯乙烯系重复单元。进一步优选为具有羟基苯乙烯系重复单元、和被酸分解性基团保护的羟基苯乙烯系重复单元、(甲基)丙烯酸三级烷基酯等酸分解性重复单元。作为羟基苯乙烯系的优选的具有酸分解性基团的重复单元，例如可举出基于叔丁氧基羰氧基苯乙烯、1－烷氧基乙氧基苯乙烯、(甲基)丙烯酸三级烷基酯的重复单元等，更优选为基于2－烷基－2－金刚烷基(甲基)丙烯酸酯及二烷基(1－金刚烷基)甲基(甲基)丙烯酸酯的重复单元。并且，当本发明的组合物为krf曝光用、eb曝光用或euv曝光用时，树脂(a)优选含有具有芳香族烃基的重复单元。〔具有芳香族烃基的重复单元(a)〕作为具有芳香族烃基的重复单元(a)，能够适当地举出具有酚性羟基的重复单元(a1)。〔具有酚性羟基的重复单元(a1)〕本说明书中，酚性羟基是指，芳香族烃基的氢原子被羟基取代而得的基团。该芳香族烃基的芳香环为单环或多环的芳香环，可举出苯环或萘环等。作为具有酚性羟基的重复单元(a1)，例如可举出以下述通式(i)所表示的重复单元。[化学式21]式中，r41、r42及r43分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、卤素原子、氰基或烷氧基羰基。其中，r42也可以与ar4键合而形成环，此时的r42表示单键或亚烷基。x4表示单键、－coo－或－conr64－，r64表示氢原子或烷基。l4分别独立地表示单键或二价连结基团。ar4表示(n+1)价的芳香族烃基，且与r42键合而形成环时表示(n+2)价的芳香族烃基。n表示1～5的整数。使通式(i)的重复单元高极性化的目的中，也优选n为2以上的整数或x4为－coo－或－conr64－。作为通式(i)中的r41、r42、r43的烷基，可优选地举出可具有取代基的甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、己基、2－乙基己基、辛基、十二烷基等碳原子数20以下的烷基，可更优选地举出碳原子数8以下的烷基，可尤其优选地举出碳原子数3以下的烷基。作为通式(i)中的r41、r42、r43的环烷基，可以为单环型，也可以为多环型。可优选地举出可具有取代基的环丙基、环戊基、环己基等碳原子数为3～8个且单环型的环烷基。作为通式(i)中的r41、r42、r43的卤素原子，可举出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子，尤其优选氟原子。作为通式(i)中的r41、r42、r43的烷氧基羰基中所含的烷基，优选与上述r41、r42、r43中的烷基相同的烷基。作为上述各基团中的优选的取代基，例如可举出烷基、环烷基、芳基、氨基、酰胺基、脲基、氨基甲酸酯基、羟基、羧基、卤素原子、烷氧基、硫醚基、酰基、酰氧基、烷氧基羰基、氰基、硝基等，取代基的碳原子数优选为8以下。ar4表示(n+1)价的芳香族烃基。n为1时的二价芳香族烃基可以具有取代基，可举出例如亚苯基、甲代亚苯基、亚萘基、亚蒽基等碳原子数6～18的亚芳基、或例如噻吩、呋喃、吡咯、苯并噻吩、苯并呋喃、苯并吡咯、三嗪、咪唑、苯并咪唑、三唑、噻二唑、噻唑等包含杂环的芳香族烃基而作为优选例。作为n为2以上的整数时的(n+1)价的芳香族烃基的具体例，能够适当地举出从二价芳香族烃基的上述具体例中去除(n－1)个任意的氢原子而得的基团。(n+1)价的芳香族烃基还可以具有取代基。作为上述的烷基、环烷基、烷氧基羰基及(n+1)价的芳香族烃基可具有的取代基，例如可举出以通式(i)中的r41、r42、r43例举的烷基、甲氧基、乙氧基、羟基乙氧基、丙氧基、羟基丙氧基、丁氧基等烷氧基；苯基等芳基；等。作为以x4所表示的－conr64－(r64表示氢原子、烷基)中的r64的烷基，可优选地举出可具有取代基的甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、己基、2－乙基己基、辛基、十二烷基等碳原子数20以下的烷基，可更优选地举出碳原子数8以下的烷基。作为x4，优选为单键、－coo－、－conh－，更优选为单键、－coo－。作为l4的二价连结基团，优选为亚烷基，作为亚烷基，可优选地举出可具有取代基的亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚己基、亚辛基等碳原子数为1～8的基团。作为ar4，更优选可具有取代基的碳原子数6～18的芳香族烃基，尤其优选为苯环基、萘环基、亚联苯环基。以通式(i)所表示的重复单元优选为具备羟基苯乙烯结构。即，ar4优选为苯环基。以下示出树脂(a)所具有的具有酚性羟基的重复单元(a1)的具体例，但本发明并不限定于此。式中，a表示1或2。[化学式22]树脂(a)可以仅具有1种具有酚性羟基的重复单元(a1)，也可以具有2种以上。具有酚性羟基的重复单元(a1)的含量相对于树脂(a)的所有重复单元，优选为10～95mol％，更优选为20～90mol％，进一步优选为30～85mol％。作为具有芳香族烃基的重复单元(a)，能够适当地举出具有酚性羟基被通过酸的作用而分解脱离的脱离基保护的结构(酸分解性基团)的重复单元(a2)。〔具有酚性羟基被通过酸的作用而分解脱离的脱离基保护的结构(酸分解性基团)的重复单元(a2)〕作为通过酸的作用而分解脱离的脱离基，例如可举出以式(y1)～(y4)所表示的基团。式(y1)：－c(rx1)(rx2)(rx3)式(y2)：－c(＝o)oc(rx1)(rx2)(rx3)式(y3)：－c(r36)(r37)(or38)式(y4)：－c(rn)(h)(ar)式(y1)、(y2)中，rx1～rx3分别独立地表示烷基(直链或支链)或环烷基(单环或多环)。其中，当rx1～rx3全部为烷基(直链或支链)时，优选rx1～rx3中至少2个为甲基。更优选为rx1～rx3分别独立地表示直链或支链的烷基的重复单元，进一步优选为rx1～rx3分别独立地表示直链的烷基的重复单元。rx1～rx3中的2个也可以键合而形成单环或多环。作为rx1～rx3的烷基，优选甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等碳原子数1～4的烷基。作为rx1～rx3的环烷基，优选环戊基、环己基等单环的环烷基、降冰片基、四环癸基、四环十二烷基、金刚烷基等多环的环烷基。作为rx1～rx3中的2个键合而形成的环烷基，优选环戊基、环己基等单环的环烷基、降冰片基、四环癸基、四环十二烷基、金刚烷基等多环的环烷基。尤其优选碳原子数5～6的单环的环烷基。rx1～rx3中的2个键合而形成的环烷基中，例如，构成环的亚甲基中的1个也可以被氧原子等杂原子、或羰基等具有杂原子的基团取代。以通式(y1)、(y2)所表示的重复单元优选为例如rx1为甲基或乙基，且rx2与rx3键合而形成上述环烷基的方式。式(y3)中，r36～r38分别独立地表示氢原子或1价的有机基团。r37与r38也可以相互键合而形成环。作为1价的有机基团，可举出烷基、环烷基、芳基、芳烷基及烯基等。也优选r36为氢原子。式(y4)中，ar表示芳香族烃基。rn表示烷基、环烷基或芳基。rn与ar也可以相互键合而形成非芳香族环。ar更优选为芳基。作为重复单元(a2)，优选为具有酚性羟基中的氢原子被以式(y1)～(y4)所表示的基团保护的结构的重复单元。作为重复单元(a2)，优选为以下述通式(aii)所表示的重复单元。[化学式23]通式(aii)中，r61、r62及r63分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、卤素原子、氰基或烷氧基羰基。其中，r62与ar6也可以键合而形成环，此时的r62表示单键或亚烷基。x6表示单键、－coo－或－conr64－。r64表示氢原子或烷基。l6表示单键或亚烷基。ar6表示(n+1)价的芳香族烃基，且与r62键合而形成环时表示(n+2)价的芳香族烃基。y2在n≥2时分别独立地表示氢原子或通过酸的作用而脱离的基团。其中，y2的至少一个表示通过酸的作用而脱离的基团。作为y2的通过酸的作用而脱离的基团，优选为以式(y1)～(y4)中的任一者所表示的基团。n表示1～4的整数。上述各基团也可以具有取代基，作为取代基，例如可以举出烷基(碳原子数1～4)、卤素原子、羟基、烷氧基(碳原子数1～4)、羧基、烷氧基羰基(碳原子数2～6)等，优选碳原子数8以下。[化学式24][化学式25]树脂(a)中的重复单元(a2)可以为1种，也可以并用2种以上。树脂(a)中的重复单元(a2)的含量(含有多种重复单元时，为其合计)相对于上述树脂(a)中的所有重复单元，优选为5mol％以上且80mol％以下，更优选为5mol％以上且75mol％以下，进一步优选为10mol％以上且65mol％以下。另外，本说明书中，具有酸分解性基团和芳香族烃基的重复单元设为既相当于具有酸分解性基团的重复单元，也相当于具有芳香族烃基的重复单元。本发明中的树脂(a)能够按照常规方法(例如，自由基聚合)来合成。具体而言，能够利用us2012/0164573a1＜0126＞～＜0128＞中所揭示的合成法。作为基于gpc法的聚苯乙烯换算值，本发明的树脂(a)的重均分子量优选为1,000～200,000，更优选为2,000～20,000、进一步更优选为3,000～15,000、尤其优选为3,000～11,000。通过将重均分子量设为1,000～200,000，能够防止耐热性或耐干蚀刻性的劣化，并且能够防止显影性劣化或粘度变高而制膜性劣化。使用分散度(分子量分布)通常为1.0～3.0，优选为1.0～2.6，进一步优选为1.0～2.0，尤其优选为1.4～2.0的范围。分子量分布越小，分辨率(日文：解像度)、抗蚀剂形状越优异，并且抗蚀剂图案的侧壁光滑，且粗糙度优异。本发明中，树脂(a)的含量在组合物的总固体成分中，优选为30～99质量％，更优选为55～95质量％。并且，本发明的树脂可以使用1种，也可以并用两个以上。＜光产酸剂＞本发明的组合物典型地含有光产酸剂。光产酸剂相当于通过光化射线或放射线的照射而产生酸的化合物。作为光产酸剂并无特别限定，优选通过光化射线或放射线的照射而产生有机酸的化合物。作为产酸剂，能够适当地选择使用光阳离子聚合的光引发剂、光自由基聚合的光引发剂、色素类的光消色剂、光变色剂、或微抗蚀剂等中所使用的、通过光化射线或放射线的照射而产生酸的公知的化合物及这些混合物，例如可举出日本专利公开2010－061043号公报的＜0039＞～＜0103＞段中所记载的化合物、日本专利公开2013－4820号公报的＜0284＞～＜0389＞段中所记载的化合物等，但本发明并不限定于此。例如，能够列举重氮盐化合物、鏻盐化合物、锍盐化合物、碘鎓盐化合物、酰亚胺磺酸酯、肟磺酸酯、重氮二砜、二砜、邻硝基苄基磺酸酯。作为本发明的组合物所含有的产酸剂，例如能够优选地举出下述通式(3)所表示的通过光化射线或放射线的照射而产生酸的化合物。[化学式26](阴离子)通式(3)中，xf分别独立地表示氟原子、或者经至少一个氟原子所取代的烷基。r4及r5分别独立地表示氢原子、氟原子、烷基或被至少一个氟原子取代的烷基，存在两个以上时的r4、r5可分别相同也可不同。l表示二价的连结基团，存在两个以上时的l可相同也可不同。w表示含有环状结构的有机基团。o表示1～3的整数。p表示0～10的整数。q表示0～10的整数。xf表示氟原子或被至少1个氟原子取代的烷基。该烷基的碳原子数优选为1～10，更优选为1～4。并且，被至少一个氟原子所取代的烷基优选为全氟烷基。xf优选为氟原子或碳原子数1～4的全氟烷基。xf更优选氟原子或cf3。双方的xf尤其优选为氟原子。r4及r5分别独立地表示氢原子、氟原子、烷基或被至少一个氟原子取代的烷基，存在两个以上时的r4、r5可分别相同也可不同。作为r4及r5的烷基可具有取代基，优选为碳原子数1～4的烷基。r4及r5优选为氢原子。被至少一个氟原子所取代的烷基的具体例及优选实施方式与通式(3)中的xf的具体例以及优选实施方式相同。l表示二价的连结基团，存在两个以上时的l可相同也可不同。作为二价的连结基团，例如可以举出－coo－(－c(＝o)－o－)、－oco－、－conh－、－nhco－、－co－、－o－、－s－、－so－、－so2－、亚烷基(优选为碳原子数1～6)、亚环烷基(优选为碳原子数3～10)、亚烯基(优选为碳原子数2～6)或组合这些中的两个以上而成的二价的连结基团等。这些之中，优选－coo－、－oco－、－conh－、－nhco－、－co－、－o－、－so2－、－coo－亚烷基－、－oco－亚烷基－、－conh－亚烷基－或－nhco－亚烷基－，更优选－coo－、－oco－、－conh－、－so2－、－coo－亚烷基－或－oco－亚烷基－。w表示含有环状结构的有机基团。其中，优选为环状的有机基团。作为环状的有机基团，例如可以列举：脂环基、芳基及杂环基。脂环基可以是单环式，也可以是多环式。作为单环式的脂环基，例如可以举出环戊基、环己基及环辛基等单环的环烷基。作为多环式的脂环基，例如可以列举：降冰片基、三环癸基、四环癸基、四环十二烷基、以及金刚烷基等多环的环烷基。其中，从peb(曝光后加热)工序中抑制膜中扩散性及提高meef(maskerrorenhancementfactor：掩模误差增强因子)的观点考虑，优选降冰片基、三环癸烷基、四环癸基、四环十二烷基及金刚烷基等碳原子数7以上的具有大体积结构的脂环基。芳基可以是单环式，也可以是多环式。作为该芳基，例如可以举出苯基、萘基、菲基及蒽基。其中，优选193nm中的光吸光度比较低的萘基。杂环基可以是单环式，也可以是多环式，多环式更能够抑制酸的扩散。并且，杂环基可以具有芳香族性，也可以不具有芳香族性。作为具有芳香族性的杂环，例如可以举出，呋喃环、噻吩环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环及吡啶环。作为不具有芳香族性的杂环，例如可以举出四氢吡喃环、内酯环、磺内酯环及十氢异喹啉环。作为杂环基中的杂环，尤其优选呋喃环、噻吩环、吡啶环或十氢异喹啉环。并且，作为内酯环及磺内酯环的例子，可以举出在前述的树脂中例示的内酯结构及磺内酯结构。上述环状的有机基团也可以具有取代基。作为该取代基，例如可以举出烷基(可以是直链、支链中的任意一种，优选碳原子数1～12)、环烷基(可以是单环、多环、螺环中的任意一种，优选碳原子数3～20)、芳基(优选碳原子数6～14)、羟基、烷氧基、酯基、酰胺基、氨基甲酸酯基、脲基、硫醚基、磺酰胺基及磺酸酯基。另外，构成环状的有机基团的碳(有助于环形成的碳)可以是羰基碳。o表示1～3的整数。p表示0～10的整数。q表示0～10的整数。在一方式中，优选通式(3)中的o为1～3的整数，p为1～10的整数，q为0。xf优选为氟原子，r4及r5优选均为氢原子，w优选为多环式的烃基。o更优选为1或2，进一步优选为1。p更优选为1～3的整数，进一步优选为1或2，尤其优选为1。w更优选为多环的环烷基，进一步优选为金刚烷基或双金刚烷基。(阳离子)通式(3)中，x+表示阳离子。x+只要是阳离子，则并无特别限制，作为优选方式，例如可以列举后述通式(zi)、通式(zii)或通式(ziii)中的阳离子(z－以外的部分)。并且，作为产酸剂的优选的形态，例如可以举出下述通式(zi)、(zii)或(ziii)所表示的化合物。[化学式27]上述通式(zi)中，r201、r202及r203分别独立地表示有机基团。作为r201、r202及r203的有机基团的碳原子数通常为1～30，优选为1～20。并且，r201～r203中的2个可以键合而形成环结构，也可以在环内包含氧原子、硫原子、酯键、酰胺键、羰基。作为由r201～r203中的2个键合而形成的基团，能够列举亚烷基(例如，亚丁基、亚戊基)。z－表示阴离子，优选为表示通式(3)中的阴离子，即，优选为表示下述阴离子。[化学式28]xf、r4、r5、l、w、o、p及q分别与上述通式(3)中的xf、r4、r5、l、w、o、p及q的含义相同。两个以上xf、存在两个以上时的r4、存在两个以上时的r5、存在两个以上时的l可以分别相互相同，也可以不同。通式(3)中的阴离子中，作为除w以外的部分结构的组合，可举出so3－－cf2－ch2－oco－、so3－－cf2－chf－ch2－oco－、so3－－cf2－coo－、so3－－cf2－cf2－ch2－、so3－－cf2－ch(cf3)－oco－作为优选的组合。作为由r201、r202及r203所表示的有机基团，例如可以列举后述的化合物(zi－1)、化合物(zi－2)、化合物(zi－3)及化合物(zi－4)中的对应的基团。另外，也可以是具有两个以上的由通式(zi)所表示的结构的化合物。例如，也可以是具有通式(zi)所表示的化合物的r201～r203中的至少1个、与通式(zi)所表示的另一个化合物的r201～r203中的至少一个经由单键或连结基团键合而成的结构的化合物。作为进一步优选的(zi)成分，能够举出以下说明的化合物(zi－1)、(zi－2)、(zi－3)及(zi－4)。首先，对化合物(zi－1)进行说明。化合物(zi－1)是上述通式(zi)的r201～r203中的至少1个为芳基的芳基锍化合物，即将芳基锍作为阳离子的化合物。芳基锍化合物中，可以是r201～r203的全部为芳基，，也可以是r201～r203的一部分为芳基且剩余部分为烷基或环烷基。作为芳基锍化合物，例如能够举出三芳基锍化合物、二芳基烷基锍化合物、芳基二烷基锍化合物、二芳基环烷基锍化合物、芳基二环烷基锍化合物。作为芳基锍化合物的芳基，优选苯基、萘基，进一步优选为苯基。芳基可以是含有具有氧原子、氮原子、硫原子等的杂环结构的芳基。作为杂环结构，可以举出吡咯残基、呋喃残基、噻吩残基、吲哚残基、苯并呋喃残基、苯并噻吩残基等。芳基锍化合物具有2个以上的芳基时，存在的2个以上的芳基可以相同也可以不同。芳基锍化合物根据需要而具有的烷基或环烷基优选为碳原子数1～15的直链或支链烷基及碳原子数3～15的环烷基，例如能够举出甲基、乙基、丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、环丙基、环丁基、环己基等。r201～r203的芳基、烷基、环烷基也可具有烷基(例如碳原子数1～15)、环烷基(例如碳原子数3～15)、芳基(例如碳原子数6～14)、烷氧基(例如碳原子数1～15)、卤素原子、羟基、苯硫基作为取代基。接着，对化合物(zi－2)进行说明。化合物(zi－2)为式(zi)中的r201～r203分别独立地表示不具有芳香环的有机基团的化合物。其中，芳香环还包含含有杂原子的芳香族环。作为r201～r203的不含有芳香环的有机基团，通常为碳原子数1～30，优选为碳原子数1～20。r201～r203分别独立地优选为烷基、环烷基、烯丙基、乙烯基，进一步优选为直链或支链的2－氧代烷基、2－氧代环烷基、烷氧基羰基甲基，尤其优选为直链或支链2－氧代烷基。作为r201～r203的烷基及环烷基，优选为能够列举碳原子数1～10的直链或支链烷基(例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基)、碳原子数3～10的环烷基(环戊基、环己基、降冰片基)。r201～r203可进一步被卤素原子、烷氧基(例如碳原子数1～5)、羟基、氰基、硝基取代。接着，对化合物(zi－3)进行说明。化合物(zi－3)是指，由以下的通式(zi－3)所表示的化合物，是具有苯甲酰甲基锍盐结构的化合物。[化学式29]通式(zi－3)中，r1c～r5c分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基、环烷基羰基氧基、卤素原子、羟基、硝基、烷硫基或芳硫基。r6c及r7c分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、卤素原子、氰基或芳基。rx及ry分别独立地表示烷基、环烷基、2－氧代烷基、2－氧代环烷基、烷氧基羰基烷基、烯丙基或乙烯基。r1c～r5c中的任意两个以上、r5c与r6c、r6c与r7c、r5c与rx、以及rx与ry也可以分别键合而形成环结构，该环结构也可以含有氧原子、硫原子、酮基、酯键、酰胺键。作为上述环结构，能够举出芳香族或非芳香族的烃环、芳香族或非芳香族的杂环或将这些环组合2个以上而成的多环稠环。作为环结构，能够举出3～10元环，优选为4～8元环，更优选为5或6元环。作为r1c～r5c中的任意2个以上、r6c与r7c、及rx与ry键合而形成的基团，能够举出亚丁基、亚戊基等。作为r5c与r6c、及r5c与rx键合而形成的基团，优选为单键或亚烷基，作为亚烷基，能够举出亚甲基、亚乙基等。zc－表示阴离子，优选为表示通式(3)中的阴离子，具体而言如上所述。作为r1c～r5c的烷氧基羰基中的烷氧基的具体例，与作为上述r1c～r5c的烷氧基的具体例相同。作为r1c～r5c的烷基羰基氧基及烷硫基中的烷基的具体例，与作为上述r1c～r5c的烷基的具体例相同。作为r1c～r5c的环烷基羰基氧基中的环烷基的具体例，与作为上述r1c～r5c的环烷基的具体例相同。作为r1c～r5c的芳氧基及芳硫基中的芳基的具体例，与作为上述r1c～r5c的芳基的具体例相同。作为本发明中的化合物(zi－2)或(zi－3)中的阳离子，能够举出美国专利申请公开第2012/0076996号说明书的＜0036＞段之后所记载的阳离子。接着，对化合物(zi－4)进行说明。化合物(zi－4)由下述通式(zi－4)表示。[化学式30]通式(zi－4)中，r13表示氢原子、氟原子、羟基、烷基、环烷基、烷氧基、烷氧基羰基或具有环烷基的基团。这些基团也可具有取代基。r14在存在两个以上时，分别独立地表示羟基、烷基、环烷基、烷氧基、烷氧基羰基、烷基羰基、烷基磺酰基、环烷基磺酰基或具有环烷基的基团。这些基团也可具有取代基。r15分别独立地表示烷基、环烷基或萘基。这些基团也可具有取代基。2个r15可相互键合而形成环。2个r15相互键合而形成环时，也可在环骨架内含有氧原子、氮原子等杂原子。一形态中，优选2个r15为亚烷基且相互键合而形成环结构。l表示0～2的整数。r表示0～8的整数。z－表示阴离子，优选表示通式(3)中的阴离子，具体而言如上所述。在通式(zi－4)中，作为r13、r14及r15的烷基，优选为直链状或支链状且碳原子数1～10的烷基，优选甲基、乙基、正丁基、叔丁基等。作为本发明中的通式(zi－4)所表示的化合物的阳离子，能够举出日本特开2010－256842号公报的＜0121＞、＜0123＞、＜0124＞段、及日本特开2011－076056号公报的＜0127＞、＜0129＞、＜0130＞段等中记载的阳离子。接着，对通式(zii)、(ziii)进行说明。通式(zii)、(ziii)中，r204～r207分别独立地表示芳基、烷基或环烷基。作为r204～r207的芳基优选为苯基、萘基，进一步优选为苯基。r204～r207的芳基也可以是具有含氧原子、氮原子、硫原子等的杂环结构的芳基。作为具有杂环结构的芳基的骨架，例如能够举出吡咯、呋喃、噻吩、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩等。作为r204～r207中的烷基及环烷基，能够优选列举：碳原子数1～10的直链或支链烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基)、碳原子数3～10的环烷基(环戊基、环己基、降冰片基)。r204～r207的芳基、烷基、环烷基也可以具有取代基。作为r204～r207的芳基、烷基、环烷基可以具有的取代基，例如能够列举：烷基(例如，碳原子数1～15)、环烷基(例如，碳原子数3～15)、芳基(例如，碳原子数6～15)、烷氧基(例如，碳原子数1～15)、卤素原子、羟基、苯硫基等。z－表示阴离子，优选表示通式(3)中的阴离子，具体而言如上所述。产酸剂可以为低分子化合物的形态，也可以为并入聚合物的一部分的形态。并且，也可以并用低分子化合物的形态与并入聚合物的一部分的形态。本发明中，光产酸剂优选为低分子化合物的形态。当产酸剂为低分子化合物的形态时，分子量优选为3000以下，更优选为2000以下，进一步优选为1000以下。当产酸剂为并入聚合物的一部分的形态时，可以并入前述的树脂(a)的一部分，也可以并入与树脂(a)不同的树脂中。产酸剂能够以公知的方法进行合成，例如能够依据日本专利公开2007－161707号公报中记载的方法进行合成。产酸剂能够单独使用1种或组合2种以上来使用。以组合物的总固体成分为基准，产酸剂在组合物中的含量(存在多种时为其合计)优选为0.1质量％～30质量％，更优选为0.5质量％～25质量％，进一步优选为3质量％～20质量％，尤其优选为3质量％～15质量％。在含有上述通式(zi－3)或通式(zi－4)所表示的化合物作为产酸剂时，以组合物的总固体成分为基准，组合物中所含的产酸剂的含量(存在多种时为其合计)优选为5质量％～35质量％，，更优选为7质量％～30质量％。＜树脂(c)＞如上所述，本发明的组合物含有树脂(c)，该树脂(c)具有以下述通式(1)所表示的重复单元。[化学式31]上述通式(1)中，z表示卤素原子、以r11och2－所表示的基团或以r12oc(＝o)ch2－所表示的基团。r11及r12分别独立地表示1价取代基。x表示氧原子或硫原子。l表示(n+1)价的连结基团。r表示如下基团，该基团具有通过碱显影液的作用而分解并在碱显影液中的溶解度增大的基团。n表示正整数。当n为2以上时，两个以上的r彼此可以相同，也可以不同。作为z的卤素原子，例如可举出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子，优选为氟原子。关于作为r11及r12的1价取代基，例如可举出烷基(优选为碳原子数1～4)、环烷基(优选为碳原子数6～10)及芳基(优选为碳原子数6～10)等。并且，关于作为r11及r12的1价取代基，可以进一步具有取代基，作为该种进一步的取代基，可举出烷基(优选为碳原子数1～4)、卤素原子、羟基、烷氧基(优选为碳原子数1～4)及羧基等。关于作为l的连结基团，优选二价或三价连结基团(换言之，优选为n为1或2)，更优选二价连结基团(换言之，优选n为1)。关于作为l的连结基团，优选选自包括脂肪族基、芳香族基及它们的组合的群组中的连结基团。例如，当n为1，作为l的连结基团为二价连结基团时，作为二价脂肪族基，可举出亚烷基、亚烯基、亚炔基或聚亚烷氧基等。其中，优选亚烷基及亚烯基，进一步优选亚烷基。与环状结构相比，优选二价脂肪族基为链状结构，而且与具有支链的链状结构相比，优选直链状结构。二价脂肪族基可以具有取代基，作为取代基的例子，可举出卤素原子(f、cl、br、i等)、羟基、羧基、氨基、氰基、芳基、烷氧基、芳氧基、酰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、酰氧基、单烷氨基、二烷氨基、芳氨基及二芳氨基等。作为二价芳香族基，可举出芳基等。其中，优选亚苯基及亚萘基。二价芳香族基可以具有取代基，除了上述二价脂肪族基中的取代基的例子以外，还可举出烷基。当n为2以上时，作为(n+1)价的连结基团的具体例，可举出从上述的二价连结基团的具体例中去除任意的(n-1)个氢原子而得的基团。作为l的具体例，例如可举出以下连结基团，但并不限于此。[化学式32]-ch2--ch2ch2--ch2ch2ch2--ch2ch2ch2ch2--ch2ch2ch2ch2ch2--ch2ch2ch2ch2ch2ch2-另外，这些连结基团也可以如上述那样进一步具有取代基。优选r为以下述通式(a)所表示的基团。[化学式33]-y-ewg(a)上述通式(a)中，y表示通过碱显影液的作用而分解并在碱显影液中的溶解度增大的基团。ewg表示吸电子基团。作为y，可举出羧酸酯基：-coo-或oco-、酸酐基：-c(o)oc(o)-、酸亚胺基：-nhconh-、羧酸硫酯基：-cos-、碳酸酯基：-oc(o)o-、硫酸酯基：-oso2o-、磺酸酯基：-so2o-，优选为羧酸酯基。本发明中，吸电子基团为以下述式(ew)表示的部分结构。式(ew)中的*表示与通式(a)中的基团y直接连结的键合键。[化学式34]式(ew)中，new为以－c(rew1)(rew2)－所表示的连结基团的重复数，表示0或1的整数。当new为0时表示单键，表示直接键合有yew1。yew1可举出卤素原子、氰基、硝基、后述的以－c(rf1)(rf2)－rf3所表示的卤代(环)烷基、卤代芳基、氧基、羰基、磺酰基、亚磺酰基及它们的组合。(其中，yew1为卤素原子、氰基或硝基时，new为1。)rew1、rew2分别独立地表示任意的取代基，例如表示氢原子、烷基(优选为碳原子数1～8)、环烷基(优选为碳原子数3～10)或芳基(优选为碳原子数6～10)。rew1、rew2及yew1中的至少2个也可以相互连结而形成环。另外，“卤代(环)烷基”是表示，至少一部分被卤化的烷基及环烷基，“卤代芳基”是表示，至少一部分被卤化的芳基。yew1优选为卤素原子、以－c(rf1)(rf2)－rf3所表示的卤代(环)烷基或卤代芳基。其中，rf1表示卤素原子、全卤代烷基、全卤代环烷基或全卤代芳基，更优选为表示氟原子、全氟烷基或全氟环烷基，进一步优选为表示氟原子或三氟甲基。rf2、rf3分别独立地表示氢原子、卤素原子或有机基团，rf2与rf3也可以连结而形成环。作为有机基团，例如表示烷基、环烷基、烷氧基等，这些也可以被卤素原子(优选为氟原子)取代，更优选rf2、rf3为(卤代)烷基或(卤代)环烷基。更优选rf2表示与rf1相同的基团，或者与rf3连结而形成环。作为rf2与rf3连结而形成的环，可举出(卤代)环烷基环等。作为rf1～rf3中的(卤代)烷基，可以为直链、支链中的任意一种，作为直链(卤代)烷基，优选为碳原子数1～30，进一步优选为1～20，例如可举出甲基、乙基、正丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等及它们卤化而得的基团。作为支链(卤代)烷基，优选为碳原子数3～30，进一步优选为3～20，例如可举出异丙基、异丁基、叔丁基、异戊基、叔戊基、异己基、叔己基、异庚基、叔庚基、异辛基、叔辛基、异壬基、叔癸酰基等及这些被卤化而得的基团。优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等碳原子数1～4的基团及这些被卤化而得的基团。作为rf1～rf3中的、或rf2与rf3连结而形成的环中的(卤代)环烷基，可以为单环型，也可以为多环型。在多环型的情况下，(卤代)环烷基也可以为桥式。即，该情况下，(卤代)环烷基也可以具有桥连结构。作为单环型，优选碳原子数3～8的(卤代)环烷基，例如可举出(卤代)环丙基、(卤代)环戊基、(卤代)环己基、(卤代)环丁基、(卤代)环辛基等。作为多环型，可举出具有碳原子数5以上的双环、三环、四环结构等的基团，优选碳原子数6～20的(卤代)环烷基，例如可举出(卤代)金刚烷基、(卤代)降冰片基、(卤代)异冰片基、(卤代)莰基、(卤代)二环戊基、(卤代)α－蒎基(日文：α－ピネル基)、(卤代)三环癸基、(卤代)四环十二烷基、(卤代)雄甾烷基基。作为这些(卤代)环烷基，例如可举出以下式所表示的基团及这些被卤化而得的基团。另外，环烷基中的一部分碳原子也可以被氧原子等杂原子取代。[化学式35]作为上述脂环部分的优选基团，能够列举金刚烷基、降金刚烷基、十氢萘基、三环癸基、四环十二烷基、降冰片基、雪松醇基、环己基、环庚基、环辛基、环癸基、环十二烷基。更优选为金刚烷基、十氢萘基、降冰片基、雪松醇基、环己基、环庚基、环辛基、环癸基、环十二烷基、三环癸基。作为这些脂环部分的取代基，可举出烷基、卤素原子、羟基、烷氧基、羧基、烷氧基羰基。作为烷基，优选为甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基等低级烷基，进一步优选为表示甲基、乙基、丙基、异丙基。作为烷氧基，可优选地举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等碳原子数为1～4的基团。作为烷基及烷氧基可具有的取代基，可举出羟基、卤素原子、烷氧基(优选为碳原子数1～4)等。rf2及rf3中的、或rf2与rf3连结而形成的环中的(卤代)环烷基，可更优选地举出以－c(n)f(2n－2)h所表示的氟环烷基。其中，碳原子数n并无特别限定，优选为5～13的基团，更优选6。作为yew1中的、或rf1中的(全)卤代芳基，可举出以－c(n)f(n－1)所表示的全氟芳基。其中，碳原子数n并无特别限定，优选为5～13的基团，更优选6。作为rew1、rew2及yew1中的至少2个可相互连结而形成的环，可优选地举出环烷基或杂环基。以上说明的构成以上述式(ew)表示的部分结构的各基团及各环可以进一步具有取代基，作为进一步的取代基，可举出羟基、卤素原子(氟、氯、溴、碘)、硝基、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基及叔丁基等烷基、甲氧基、乙氧基、羟基乙氧基、丙氧基、羟基丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基等烷氧基、甲氧基羰基、乙氧基羰基等烷氧基羰基、苄基、苯乙基、枯基等芳烷基、芳烷氧基、甲酰基、乙酰基、丁酰基、苯甲酰基、氰胺基(日文：シアナミル基)、戊酰基等酰基、丁酰基氧基等酰氧基、乙烯基、丙烯基、烯丙基等烯基、乙烯氧基、丙烯氧基、烯丙氧基、丁烯氧基等烯氧基、苯基、萘基等芳基、苯氧基等芳氧基、苯甲酰氧基等芳氧基羰基等。其中，离子性基不包含于上述进一步的取代基中。上述通式(1)中，优选ewg为被选自包括卤素原子、氰基及硝基的群组中的1个以上取代的烷基，更优选被卤素原子取代的烷基(卤代烷基)，进一步优选氟代烷基。被选自包括卤素原子、氰基及硝基的群组中的1个以上取代的烷基的碳原子数优选为1～10，更优选为1～5。更具体而言，优选ewg为以－c(r'1)(r'f1)(r'f2)或－c(r'1)(r'2)(r'f1)所表示的原子团。其中，r'1、r'2分别独立地表示氢原子或未被吸电子基团取代的(优选为未取代的)烷基。r'f1、r'f2分别独立地表示卤素原子、氰基、硝基或全氟烷基。作为r'1及r'2的烷基可以为直链状，也可以为支链状，优选为碳原子数1～6。作为r'f1及r'f2的全氟烷基可以为直链状，也可以为支链状，优选为碳原子数1～6。作为ewg的优选的具体例，可举出－cf3、－c2f5、－c3f7、－c4f9、－cf(cf3)2、－cf(cf3)c2f5、－cf2cf(cf3)2、－c(cf3)3、－c5f11、－c6f13、－c7f15、－c8f17、－ch2cf3、－ch2c2f5、－ch2c3f7、－ch(cf3)2、－ch(cf3)c2f5、－ch2cf(cf3)2、－ch2cn等，其中，优选－cf3、－c2f5、－c3f7、－c4f9、－ch2cf3、－ch2c2f5、－ch2c3f7、－ch(cf3)2、－ch2cn，更优选－ch2cf3、－ch2c2f5、－ch2c3f7、－ch(cf3)2、－ch2cn，进一步优选－ch2c2f5、－ch(cf3)2、－ch2cn，尤其优选－ch2c2f5、－ch(cf3)2。以通式(1)所表示的重复单元优选为以下述通式(2)或(3)所表示的重复单元，从液浸液对曝光装置的高追随性和抑制显影缺陷的观点考虑，更优选以通式(2)所表示的结构。[化学式36]上述通式(2)中，r2表示吸电子基团。l2表示二价连结基团。x2表示氧原子或硫原子。z2表示卤素原子。上述通式(3)中，r3表示吸电子基团。l3表示二价连结基团。x3表示氧原子或硫原子。z3表示卤素原子。关于作为l2及l3的二价连结基团的具体例及优选例，与上述通式(1)的作为二价连结基团的l中进行的说明的基团相同。作为r2及r3的吸电子基团为以上述通式(ew)表示的部分结构，具体例及优选例也如同前述，尤其优选为卤代(环)烷基。另外，上述通式(2)中，l2与r2不会相互键合而形成环，上述通式(3)中，l3与r3不会相互键合而形成环。优选x2及x3为氧原子。优选z2及z3为氟原子或氯原子，更优选氟原子。并且，以通式(1)所表示的重复单元优选为以下述通式(4)所表示的重复单元。[化学式37]上述通式(4)中，r4表示吸电子基团。r5表示氢原子、烷基或芳基。l4表示二价连结基团。x4表示氧原子或硫原子。m表示0或1。关于作为l4的二价连结基团的具体例及优选例，与上述通式(1)的作为二价连结基团的l中进行的说明的基团相同。作为r4的吸电子基团为以上述通式(ew)表示的部分结构，具体例及优选例也如同前述，尤其优选为卤代(环)烷基。另外，上述通式(4)中，l4与r4不会相互键合而形成环。优选x4为氧原子。作为r5的烷基，例如可举出甲基、乙基、丙基、辛基、异丙基、叔丁基、异戊基、2－乙基己基、2－甲基己基及环戊基等。作为r5的芳基，可举出苯基、1－萘基及2－萘基等。r5的烷基及芳基也可以具有取代基。作为取代基的一例，可举出卤素原子(f、cl、br、i)、羟基、羧基、氨基、氰基、芳基、烷氧基、芳氧基、酰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、酰氧基、单烷氨基、二烷氨基、单芳氨基及二芳氨基等。优选r5并非为通过碱显影液的作用而分解的基团。并且，以通式(1)所表示的重复单元也优选为以下述通式(5)所表示的重复单元。[化学式38]上述通式(5)中，z表示卤素原子、以r11och2－所表示的基团或以r12oc(＝o)ch2－所表示的基团。r11及r12分别独立地表示1价取代基。r6表示吸电子基团。作为r6的吸电子基团为以上述通式(ew)表示部分结构，具体例及优选例也如同前述，尤其优选为卤代(环)烷基。关于作为z的、卤素原子、以r11och2－所表示的基团及以r12oc(＝o)ch2－所表示的基团的具体例及优选例，与上述通式(1)中进行的说明的基团相同。以通式(1)所表示的重复单元的含量相对于树脂(c)中的所有重复单元，优选为10～100mol％，更优选为20～100mol％，进一步优选为30～100mol％，最优选为40～100mol％。以下，示出以通式(1)所表示的重复单元的具体例，但本发明并不限定于这些。式中，x表示卤素原子，ph表示苯基。[化学式39][化学式40][化学式41][化学式42][化学式43]优选树脂(c)为疏水性树脂，优选树脂(c)与上述的树脂(优选为树脂(a))不同。树脂(c)优选以偏向存在于界面的方式设计，与表面活性剂不同，无需一定在分子内具有亲水基，可以对均匀混合极性/非极性物质这一点不起作用。从向膜表层偏向存在化的观点考虑，优选树脂(c)具有“氟原子”、“硅原子”及“树脂的侧链部分所含有的ch3部分结构”中的任意1种以上，进一步优选具有2种以上。当树脂(c)包含氟原子和/或硅原子时，树脂(c)中的上述氟原子和/或硅原子可以包含于树脂的主链中，也可以包含于侧链中。树脂(c)包含氟原子时，优选为：具有含有氟原子的烷基、含有氟原子的环烷基或含有氟原子的芳基作为含有氟原子的部分结构的树脂。含有氟原子的烷基(优选为碳原子数1～10，更优选为碳原子数1～4)为至少1个氢原子被氟原子取代的直链或支链烷基，也可还具有除了氟原子以外的取代基。含有氟原子的环烷基及含有氟原子的芳基分别为1个氢原子被氟原子取代的环烷基及具有氟原子的芳基，可以进一步具有氟原子以外的取代基。作为含有氟原子的烷基、含有氟原子的环烷基及含有氟原子的芳基，可优选举出以下述通式(f2)～(f4)所表示的基团，但本发明并不限定于此。[化学式44]通式(f2)～(f4)中，r57～r68分别独立地表示氢原子、氟原子或烷基(直链或支链)。其中，r57～r61中的至少一个、r62～r64中的至少一个及r65～r68中的至少一个分别独立地表示氟原子或至少一个氢原子被氟原子取代的烷基(优选为碳原子数1～4)。优选r57～r61及r65～r67全部为氟原子。优选r62、r63及r68为至少一个氢原子被氟原子取代的烷基(优选为碳原子数1～4)，更优选碳原子数1～4的全氟烷基。r62与r63可以相互连结而形成环。树脂(c)也可含有硅原子。优选为具有烷基甲硅烷基结构(优选为三烷基硅烷基)、或者环状硅氧烷结构作为具有硅原子的部分结构的树脂。作为具有氟原子或硅原子的重复单元的一例，可举出us2012/0251948a1〔0519〕中所例示的重复单元。并且，如上述，树脂(c)还优选为在侧链部分包含ch3部分结构。其中，树脂(c)中的侧链部分所具有的ch3部分结构(以下，还简称为“侧链ch3部分结构”。)包含乙基或丙基等所具有的ch3部分结构。另一方面，直接键合于树脂(c)的主链上的甲基(例如，具有甲基丙烯酸结构的重复单元的α－甲基)因主链的影响而对树脂(c)的表面偏向存在化的贡献较小，因此设为不包含于本发明中的ch3部分结构。更具体而言，在树脂(c)例如包含下述通式(m)所表示的重复单元等、源自具有包含碳－碳双键的聚合性部位的单体的重复单元，且r11～r14为ch3“其本身”的情况下，该ch3不包含于本发明中的侧链部分所具有的ch3部分结构。另一方面，将从c－c主链起经由某种原子而存在的ch3部分结构设为相当于本发明中的ch3部分结构。例如，r11为乙基(ch2ch3)时，设为具有“一个”本发明中的ch3部分结构。[化学式45]上述通式(m)中，r11～r14分别独立地表示侧链部分。作为侧链部分的r11～r14可以列举氢原子、或一价有机基团等。作为关于r11～r14的一价的有机基团，可列举烷基、环烷基、芳基、烷氧基羰基、环烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷基氨基羰基、环烷基氨基羰基及芳基氨基羰基等，这些基团可还具有取代基。树脂(c)优选为具有在侧链部分具有ch3部分结构的重复单元的树脂，作为这种重复单元，更优选为具有下述通式(ii)所表示的重复单元、及下述通式(iii)所表示的重复单元中的至少一种重复单元(x)。以下，对通式(ii)所表示的重复单元进行详细说明。[化学式46]上述通式(ii)中，xb1表示氢原子、烷基、氰基或卤素原子，r2表示具有1个以上的ch3部分结构的、对酸稳定的有机基团。其中，更具体而言，优选对酸稳定的有机基团是不具有酸分解性基团(通过酸的作用而分解并生成羧基等极性基的基团)的有机基团。xb1的烷基优选为碳原子数1～4的烷基，可列举甲基、乙基、丙基、羟基甲基及三氟甲基等，更优选为甲基。xb1优选为氢原子或甲基。作为r2，可列举具有1个以上的ch3部分结构的、烷基、环烷基、烯基、环烯基、芳基及芳烷基。上述环烷基、烯基、环烯基、芳基及芳烷基可还具有烷基作为取代基。r2优选为具有1个以上ch3部分结构的、烷基或经烷基取代的环烷基。关于作为r2的、具有一个以上的ch3部分结构的对酸稳定的有机基团，优选具有2个以上且10个以下的ch3部分结构，更优选具有2个以上且8个以下。以下列举通式(ii)所表示的重复单元的优选具体例。但是，本发明并不限定于此。[化学式47][化学式48]通式(ii)所表示的重复单元优选为对酸稳定的(非酸分解性的)重复单元，具体而言，优选为不具有通过酸的作用而分解并产生极性基的基团的重复单元。以下，对通式(iii)所表示的重复单元进行详细说明。[化学式49]上述通式(iii)中，xb2表示氢原子、烷基、氰基或卤素原子，r3表示具有1个以上的ch3部分结构的、对酸稳定的有机基团，n表示1至5的整数。xb2的烷基优选为碳原子数1～4的烷基，可列举甲基、乙基、丙基、羟基甲基或三氟甲基等，更优选为氢原子。xb2优选为氢原子。r3为对酸稳定的有机基团，因此更具体而言，优选为不具有酸分解性基团的有机基团。作为r3，可以列举具有一个以上ch3部分结构的烷基。关于作为r3的、具有1个以上的ch3部分结构的对酸稳定的有机基团，优选具有1个以上且10个以下的ch3部分结构，更优选具有1个以上且8个以下，进一步优选具有1个以上且4个以下。n表示1至5的整数，更优选表示1～3的整数，进一步优选表示1或2。以下列举通式(iii)所表示的重复单元的优选具体例。但是，本发明并不限定于此。[化学式50]通式(iii)所表示的重复单元优选为对酸稳定的(非酸分解性的)重复单元，具体而言，优选为不具有通过酸的作用而分解并产生极性基的基团的重复单元。树脂(c)在侧链部分包含ch3部分结构，而且尤其是不具有氟原子及硅原子时，相对于树脂(c)的所有重复单元，通式(ii)所表示的重复单元、以及通式(iii)所表示的重复单元中的至少一种重复单元(x)的含量优选为90mol％以上，更优选为95mol％以上。相对于树脂(c)的所有重复单元，含量通常为100mol％以下。相对于树脂(c)的所有重复单元，树脂(c)含有90mol％以上的通式(ii)所表示的重复单元、以及通式(iii)所表示的重复单元中的至少一种重复单元(x)，由此树脂(c)的表面自由能量增加。其结果，树脂(c)难以偏向存在于感光化射线性或感放射线性膜的表面，能够可靠地提高感光化射线性或感放射线性膜对于水的静态/动态接触角，提高液浸液追随性。树脂(c)在(i)包含氟原子和/或硅原子的情况下，且在(ii)在侧链部分包含ch3部分结构的情况下，均可以具有至少一个选自下述(x)、(z)的群组中的基团。(x)碱可溶性基团，(z)通过酸的作用而分解的基团作为(x)碱可溶性基团，可列举酚性羟基、羧酸基、氟化醇基、磺酸基、磺酰胺基、磺酰基酰亚胺基、(烷基磺酰基)(烷基羰基)亚甲基、(烷基磺酰基)(烷基羰基)酰亚胺基、双(烷基羰基)亚甲基、双(烷基羰基)酰亚胺基、双(烷基磺酰基)亚甲基、双(烷基磺酰基)酰亚胺基、三(烷基羰基)亚甲基、三(烷基磺酰基)亚甲基等。作为优选的碱可溶性基团，可举出氟化醇基(优选为六氟异丙醇)、磺酸亚胺基、双(羰基)亚甲基。作为具有碱可溶性基团(x)的重复单元，可举出如基于丙烯酸、甲基丙烯酸的重复单元那样的在树脂的主链上直接键合有碱可溶性基团的重复单元、或经由连结基团而在树脂的主链上键合有碱可溶性基团的重复单元，还能够在聚合时使用具有碱可溶性基团的聚合引发剂或链转移剂并将其导入至聚合物链的末端，任何一种情况均为优选。具有碱可溶性基团(x)的重复单元的含有率相对于树脂(c)中的所有重复单元，优选为1～50mol％，更优选为3～35mol％，进一步优选为5～30mol％。以下示出具有碱可溶性基团(x)的重复单元的具体例，但本发明并不限定于此。具体例中，rx表示h、ch3、ch2oh或cf3。[化学式51]关于树脂(c)中的、具有通过酸的作用而分解的基团(z)的重复单元，可举出与在前述树脂(a)中举出的具有酸分解性基团的重复单元相同的重复单元。作为酸分解性基团，优选为：枯酯基、烯醇酯基、缩醛酯基、叔烷基酯基等。更优选为叔烷基酯基。作为具有酸分解性基团的重复单元，优选为以下述式(cai)所表示的重复单元。[化学式52]通式(cai)中，xa1表示氢原子、甲基或以－ch2－r9所表示的基团。r9表示羟基或1价的有机基团，例如可举出碳原子数5以下的烷基、酰基，优选为碳原子数3以下的烷基，进一步优选为甲基。xa1优选为表示氢原子、甲基、三氟甲基或羟甲基。t表示单键或二价连结基团。rx1～rx3分别独立地表示烷基(直链或支链)或环烷基(单环或多环)。rx1～rx3中的2个也可以键合而形成环烷基(单环或多环)。作为t的二价连结基团，可举出亚烷基、－coo－rt－基、－o－rt－基等。式中，rt表示亚烷基或亚环烷基。优选t为单键或－coo－rt－基。rt优选为碳原子数1～5的亚烷基，更优选为－ch2－基、－(ch2)3－基。作为rx1～rx3的烷基，优选甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等碳原子数1～4的烷基。作为rx1～rx3的环烷基，优选环戊基、环己基等单环的环烷基、降冰片基、四环癸基、四环十二烷基、金刚烷基等多环的环烷基。作为rx1～rx3中的2个键合而形成的环烷基，优选为环戊基、环己基等单环的环烷基、降冰片基、四环癸基、四环十二烷基、金刚烷基等多环的环烷基，优选为碳原子数5～6的单环的环烷基。优选rx1为甲基或乙基，且rx2与rx3键合而形成上述环烷基的方式。上述各基团可以具有取代基，作为取代基，例如可举出烷基(碳原子数1～4)、卤素原子、羟基、烷氧基(碳原子数1～4)、羧基、烷氧基羰基(碳原子数2～6)等，优选碳原子数8以下。树脂(c)中的具有通过酸的作用而分解的基团(z)的重复单元的含有率相对于树脂(c)中的所有重复单元，优选为1～80mol％，更优选为10～80mol％，进一步优选为20～60mol％。通过具有(z)通过酸的作用而分解的基团，能够提高lwr。树脂(c)也可以具有其他重复单元。作为其他重复单元的优选方式，可举出如下。(cy1)具有氟原子和/或硅原子，且对酸稳定，且难溶或不溶于碱显影液的重复单元。(cy2)不具有氟原子、硅原子，且对酸稳定，且难溶或不溶于碱显影液的重复单元。(cy3)具有氟原子和/或硅原子，且具有上述(x)、(z)以外的极性基的重复单元。(cy4)不具有氟原子、硅原子，且具有上述(x)、(z)以外的极性基的重复单元。(cy1)、(cy2)的重复单元中的难溶或不溶于碱显影液是表示：(cy1)、(cy2)不包含碱可溶性基团或通过酸或碱显影液的作用而生成碱可溶性基团的基团(例如，酸分解性基团和极性转换基)。重复单元(cy1)、(cy2)优选为具有不含有极性基的脂环烃结构。以下示出重复单元(cy1)～(cy4)的优选方式。作为重复单元(cy1)、(cy2)，优选为以下述通式(ciii)所表示的重复单元。[化学式53]通式(ciii)中，rc31表示氢原子、可以被氟原子取代的烷基、氰基或－ch2－o－rac2基。式中，rac2表示氢原子、烷基或酰基。rc31优选为氢原子、甲基、羟甲基、三氟甲基，尤其优选为氢原子、甲基。rc32表示具有烷基、环烷基、烯基、环烯基或芳基的基团。这些基团也可以被包含氟原子、硅原子的基团等取代。lc3表示单键或二价连结基团。通式(ciii)中，rc32的烷基优选碳原子数3～20的直链或支链状烷基。环烷基优选碳原子数3～20的环烷基。烯基优选碳原子数3～20的烯基。环烯基优选碳原子数3～20的环烯基。芳基优选为碳原子数6～20的苯基、萘基，这些也可以具有取代基。rc32优选为未取代的烷基或被氟原子取代的烷基。lc3的二价连结基团优选为亚烷基(优选为碳原子数1～5)、氧基、亚苯基、酯键(以－coo－所表示的基团)。作为重复单元(cy1)、(cy2)，优选以下述通式(c4)或(c5)所表示的重复单元。[化学式54]通式(c4)、(c5)中，rc5表示具有至少一个环状结构，且不具有羟基及氰基中的任意者的烃基。rac表示氢原子、可以被氟原子取代的烷基、氰基或－ch2－o－rac2基。式中，rac2表示氢原子、烷基或酰基。rac优选为氢原子、甲基、羟甲基、三氟甲基，尤其优选为氢原子、甲基。rc5所具有的环状结构中包含单环式烃基及多环式烃基。作为单环式烃基，例如可举出碳原子数3～12的环烷基、碳原子数3～12的环烯基。作为优选的单环式烃基，为碳原子数3至7的单环式烃基。多环式烃基中包含集合环烃基、交联环式烃基。作为交联环式烃环，可举出2环式烃环、3环式烃环、4环式烃环等。并且，交联环式烃环中也包含稠环式烃环(例如，缩合有两个以上的5～8元环烷烃环的稠环)。作为优选的交联环式烃环，可举出降冰片基、金刚烷基。这些脂环式烃基也可以具有取代基，作为优选的取代基，可举出卤素原子、烷基、被保护基保护的羟基、被保护基保护的氨基等。作为优选的卤素原子，可举出溴、氯、氟原子，作为优选的烷基，可举出甲基、乙基、丁基、叔丁基。上述烷基可进一步具有取代基，作为可进一步具有的取代基，可举出卤素原子、烷基、被保护基保护的羟基、被保护基保护的氨基。作为保护基，例如可举出烷基、环烷基、芳烷基、取代甲基、取代乙基、烷氧基羰基、芳烷氧基羰基。作为优选的烷基，可举出碳原子数1～4的烷基，作为优选的取代甲基，可举出甲氧基甲基、甲氧基硫甲基、苄氧基甲基、叔丁氧基甲基、2－甲氧基乙氧基甲基，作为优选的取代乙基，可举出1－乙氧基乙基、1－甲基－1－甲氧基乙基，作为优选的酰基，可举出甲酰基、乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、戊酰基、新戊酰基等碳原子数1～6的脂肪族酰基，作为烷氧基羰基可举出碳原子数2～4的烷氧基羰基等。rc6表示烷基、环烷基、烯基、环烯基、烷氧基羰基或烷基羰氧基。这些基团也可以被氟原子、硅原子取代。rc6的烷基优选为碳原子数1～20的直链或支链状烷基。环烷基优选碳原子数3～20的环烷基。烯基优选碳原子数3～20的烯基。环烯基优选碳原子数3～20的环烯基。烷氧基羰基优选为碳原子数2～20的烷氧基羰基。烷基羰氧基优选为碳原子数2～20的烷基羰氧基。n表示0～5的整数。当n为2以上时，两个以上的rc6可以相同，也可以不同。rc6优选为未取代的烷基或被氟原子取代的烷基，尤其优选为三氟甲基、叔丁基。作为(cy1)、(cy2)，也优选为以下述通式(cii－ab)所表示的重复单元。[化学式55]式(cii－ab)中，rc11’及rc12’分别独立地表示氢原子、氰基、卤素原子或烷基。zc’表示包含键合了的2个碳原子(c－c)且用于形成脂环式结构的原子团。并且，上述通式(cii－ab)进一步优选为下述通式(cii－ab1)或通式(cii－ab2)。[化学式56]式(cii－ab1)及(cii－ab2)中，rc13’～rc16’分别独立地表示氢原子、卤素原子、烷基或环烷基。并且，rc13’～rc16’中的至少2个可以键合而形成环。n表示0或1。以下，举出(cy1)、(cy2)的具体例，但本发明并不限定于这些。式中，ra表示h、ch3、ch2oh、cf3或cn。[化学式57][化学式58]作为(cy3)、(cy4)，优选为具有羟基或氰基作为极性基的重复单元。由此提高显影液亲和性。具有羟基或氰基的重复单元优选为具有被羟基或氰基取代的脂环烃结构的重复单元。作为被羟基或氰基取代的脂环烃结构中的脂环烃结构，优选金刚烷基、双金刚烷基、降冰片烷基。作为优选的被羟基或氰基取代的脂环烃结构，可举出单羟基金刚烷基、二羟基金刚烷基、单羟基双金刚烷基、二羟基金刚烷基、被氰基取代的降冰片基等。作为具有上述原子团的重复单元，可举出以下述通式(caiia)～(caiid)所表示的重复单元。[化学式59]通式(caiia)～(caiid)中，r1c表示氢原子、甲基、三氟甲基或羟甲基。r2c～r4c分别独立地表示氢原子、羟基或氰基。其中，r2c～r4c中的至少一个表示羟基或氰基。优选为r2c～r4c中的1个或2个为羟基且其余为氢原子。通式(caiia)中，进一步优选为r2c～r4c中的2个为羟基且其余氢原子。以下，举出以(cy3)、(cy4)所表示的重复单元的具体例，但本发明并不限定于这些。[化学式60]以(cy1)～(cy4)所表示的重复单元的含有率相对于树脂(c)中的所有重复单元，优选为5～40mol％，更优选为5～30mol％、进一步优选为10～25mol％。树脂(c)也可以具有两个以上的以(cy1)～(cy4)所表示的重复单元。包含氟原子的重复单元在树脂(c)所含的所有重复单元中，优选为10～100mol％，更优选为30～100mol％。并且，包含硅原子的重复单元在树脂(c)所含的所有重复单元中，优选为10～100mol％，更优选为20～100mol％。另一方面，尤其是树脂(c)在侧链部分包含ch3部分结构的情况下，也优选树脂(c)实质上不含有氟原子及硅原子的形态。并且，树脂(c)优选实质上仅由如下重复单元所构成，所述重复单元仅由选自碳原子、氧原子、氢原子、氮原子及硫原子中的原子构成。树脂(c)的标准聚苯乙烯换算的重均分子量优选为1,000～100,000，更优选为1,000～50,000，进一步更优选为2,000～25,000。以感光化射线或感放射线树脂组合物的总固体成分为基准，感光化射线或感放射线树脂组合物中的树脂(c)的含量优选为0.01～10质量％，更优选为0.1～10质量％，进一步优选为0.1～9质量％，尤其优选为0.5～8质量％。另外，树脂(c)可以单独使用1种，也可以并用2种以上。当并用2种以上的树脂(c)时，优选合计含量在上述范围内。在形成感光化射线性或感放射线性膜时，感光化射线性或感放射线性膜上的水的后退接触角(温度：23℃、相对湿度：45％)优选为75°以上，更优选为80°以上，进一步优选为85°以上。例如，即使将曝光时的扫描速度设为800mm/s的情况下，也能够通过将后退接触角设为85°以上而充分地减少液浸缺陷。该种水的后退接触角例如能够通过将树脂(c)的含量设定在上述范围内来优选地实现。关于树脂(c)，金属等杂质当然少，并且残留单体、低聚物成分优选为0～10质量％，更优选为0～5质量％，进一步更优选为0～1质量％。由此，可获得没有液体中异物或灵敏度等经时变化的抗蚀剂。并且，从分辨率、抗蚀剂形状、抗蚀剂图案的侧壁、粗糙度等观点考虑，分子量分布(mw/mn、还称为分散度)优选在1～3的范围，更优选1～2的范围。存在于由含有树脂(c)的组合物获得的感光化射线性或感放射线性膜的最表面的树脂(c)的比例(表面被覆率)高时，即使在液浸曝光后残留有液滴时，也能够抑制液滴渗透至感光化射线性或感放射线性膜。其结果，能够减少液浸缺陷，因此表面被覆率越高越优选。作为感光化射线性或感放射线性膜的树脂(c)的表面被覆率，优选为50％以上，更优选为70％以上，进一步优选为90％以上，最优选为100％。作为由含有树脂(c)的组合物获得的感光化射线性或感放射线性膜的表面被覆率的计算方法，可举出如下方法。(表面被覆率)＝(cosθr－cosθo)/(cosθa－cosθo)其中，θr为由含有树脂(c)的组合物获得的感光化射线性或感放射线性膜与水的静止接触角，θa为仅由树脂(c)获得的膜与水的静止接触角，θo为由不含有树脂(c)且除树脂(c)以外的成分与上述含有树脂(c)的组合物相同的组合物获得的感光化射线性或感放射线性膜与水的静止接触角。并且，由含有树脂(c)的组合物获得的感光化射线性或感放射线性膜，是在曝光前的树脂(c)的表面被覆率高、且水的后退接触角高的状态，并且在曝光显影后水的静止接触角低，这会减少显影缺陷，因此优选。感光化射线性或感放射线性膜与曝光显影后的水的静止接触角(测定条件温度：23℃、相对湿度：45％)优选为70°以下，更优选为65°以下，进一步优选为60°以下。表1～表3中示出树脂(c)的具体例。下表中，重复单元的组成比表示摩尔比。并且，关于下述表中记载的组成中的重复单元，将在之后进行说明(tms表示三甲基甲硅烷基)。表中，pd表示树脂的分散度(mw/mn)。[表1][表2]树脂组成(组成比)mwpdp-81p-11/p-61(90/10)80001.6p-82p-43/p-60(90/10)90001.4p-83p-14/p-56(80/20)110001.4p-84p-29/p-63(98/2)120001.6p-85p-52/p-56(90/10)120001.6p-86p-3(100)120001.6p-87p-26(100)150001.6p-88p-33(100)100001.6p-89p-33/p-73(90/10)90001.6p-90p-52(100)90001.6p-91p-52/p-57(50/50)110001.6p-92p-59(100)120001.6p-93p-8/p-63(98/2)100001.5p-94p-24(100)90001.6p-95p-1/p-65(98/2)90001.6p-96p-24/p-70(50/50)110001.4p-97p-32(100)120001.6p-98p-32/p-69(90/10)120001.6p-99p-53(100)115001.6p-100p-53/p-66(80/20)120001.6p-101p-13/p-66(80/20)90001.6p-102p-34(100)90001.6p-103p-39(100)110001.6p-104p-22(100)85001.6p-105p-46/p-66(90/10)110001.4p-106p-58(100)120001.6p-107p-58/p-68(98/2)90001.5p-108p-10/p-68(90/10)70001.6p-109p-6(100)80001.4p-110p-49(100)80001.6p-111p-49/p-63(90/10)70001.4p-112p-49/p-60(98/2)120001.6p-113p-58/p-75(80/20)150001.6p-114p-59/p-66(90/10)100001.6p-115p-28/p-62(80/20)90001.6p-116p-7(100)140001.6p-117p-21/p-72(80/20)75001.6p-118p-2/p-40(90/10)80001.6p-119p-35(100)90001.6[表3]树脂组成(组成比)mwpdp-120p-49/p-76(90/10)100001.6p-121p-49/p-60/p-87(90/8/2)90001.6p-122p-59/p-81(80/20)90001.6p-123p-58/p-81(91/9)110001.6p-124p-8/p-85(83/17)130001.6p-125p-22/p-84(90/10)80001.6p-126p-2/p-77(90/10)90001.4p-127p-15/p-80(95/5)90001.6p-128p-2(100)70001.5p-129p-31/p-70/p-79(80/18/2)120001.6p-130p-55/p-69/p-63(90/5/5)115001.6p-131p-56/p-83(80/20)150001.6p-132p-37/p-82(81/19)85001.6p-133p-50/p-75/p-76(80/15/5)65001.5p-134p-10/p-86(94/6)70001.6p-135p-17/p-79(89/11)110001.6p-136p-25/p-87(92/8)85001.4p-137p-54/p-82(82/18)90001.6p-138p-42/p-76(80/20)100001.6p-139p-16/p-62/p-77(88/10/2)110001.6p-140p-23/p-85(90/10)120001.6p-141p-20/p-80(90/10)110001.6p-142p-32/p-82(89/11)90001.6p-143p-5/p-84(83/17)90001.6p-144p-3/p-86(90/10)110001.5p-145p-44/p-71/p-80(91/7/2)100001.6p-146p-1/p-84(85/15)90001.6p-147p-33/p-76(70/30)90001.4p-148p-30/p-79(82/18)110001.6p-149p-57/p-78(78/22)90001.6p-150p-57/p-84(88/12)90001.6p-151p-19/p-83(88/12)110001.6p-152p-55/p-77/p-78(90/5/5)85001.6p-153p-38/p-87(80/20)120001.6p-154p-6/p-7/p-84(50/40/10)120001.4p-155p-41/p-83(96/4)150001.6p-156p-40/p-78(80/20)90001.5p-157p-21/p-82(86/14)140001.6p-158p-2/p-81(89/11)85001.6p-159p-9/p-88(70/30)110001.6[化学式61][化学式62][化学式63][化学式64][化学式65][化学式66][化学式67][化学式68]以上，对树脂(c)详细地进行了说明，本发明中，作为可优选地用于制备感光化射线性或感放射线性树脂组合物的化合物、及树脂，还涉及以下述通式(1m)所表示的化合物、及具有以上述通式(1)所表示的重复单元的树脂(c)。[化学式69]上述通式(1m)中，z表示卤素原子、以r11och2－所表示的基团或以r12oc(＝o)ch2－所表示的基团。r11及r12分别独立地表示1价取代基。x表示氧原子或硫原子。l表示(n+1)价的连结基团。r表示如下基团，该基团具有通过碱显影液的作用而分解并在碱显影液中的溶解度增大的基团。n表示正整数。当n为2以上时，两个以上的r彼此可以相同，也可以不同。通式(1m)中的z、x、l、r及n的具体例及优选例，与作为上述通式(1)中的z、x、l、r及n的具体例及优选例而记载的内容相同。以通式(1m)所表示的化合物例如能够通过将下述化合物彼此进行加成来合成。另外，原料中的z、l、r及n的含义分别与以通式(1m)所表示的化合物中的z、l、r及n相同。[化学式70]树脂(c)例如能够通过将以上述那样获得的通式(1m)所表示的化合物作为单体，并按照常规方法(例如，自由基聚合)进行合成来获得。例如，作为一般的合成方法可列举：通过使单体种及引发剂溶解于溶剂中，并进行加热而进行聚合的一次性聚合法；经1～10小时而在加热溶剂中滴加添加单体种与引发剂的溶液的滴加聚合法等，优选为滴加聚合法。作为反应溶剂例如可列举：四氢呋喃、1,4－二噁烷、二异丙醚等醚类；甲基乙基酮、甲基异丁基酮等酮类；乙酸乙酯等酯溶剂；二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、n－甲基吡咯烷酮等酰胺溶剂；后述的丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单甲醚、环己酮等溶解抗蚀剂组合物的溶剂；等。更优选使用与用于抗蚀剂组合物的溶剂相同的溶剂来进行聚合。由此，能够抑制保存时的颗粒的产生。聚合反应优选为在氮、氩等非活性气体气氛下进行。作为聚合引发剂，使用市售的自由基引发剂(偶氮类引发剂、过氧化物等)来引发聚合。作为自由基引发剂优选为偶氮类引发剂，且优选为具有酯基、氰基、羧基的偶氮类引发剂。作为优选的引发剂可列举：偶氮二异丁腈、偶氮双二甲基戊腈、二甲基2,2’－偶氮双(2－甲基丙酸酯)等。根据需要追加或分批添加引发剂，在反应结束之后，投入到溶剂并以粉体或固体回收等方法来回收所希望的聚合物。反应物的浓度为5质量％～50质量％，优选为10质量％～45质量％。反应温度通常为10℃～150℃，优选为30℃～120℃，进一步优选为60～100℃。纯化能够应用以下等通常方法：通过水洗、将适当的溶剂加以组合而去除残留单体或低聚物成分的液液萃取法、仅将特定分子量以下的物质提取去除的超滤等溶液状态下的纯化方法；通过将树脂溶液滴加于劣溶剂中而使树脂在劣溶剂中凝固，由此去除残留单体等的再沉淀法；用劣溶剂清洗过滤分离的树脂浆料等固体状态下的纯化方法。＜疏水性树脂(c’)＞本发明的组合物也可以含有与树脂(c)不同的疏水性树脂(c’)。疏水性树脂(c')只要不具有以上述通式(1)所表示的重复单元，则能够具有作为树脂(c)可具有的重复单元而举出的上述重复单元，这些重复单元的以疏水性树脂(c')的所有重复单元为基准的含量的优选范围，与树脂(c)的上述的范围相同。并且，树脂(c’)的重均分子量、分散度及以本发明的组合物的总固体成分为基准的含量的优选范围，也与树脂(c)的上述的范围相同。＜具有酚性羟基的树脂(e)＞本发明的组合物也可以含有与树脂(c)不同的、具有酚性羟基的树脂(e)。本发明中的酚性羟基是指，用羟基取代芳香环基的氢原子而得的基团。芳香环基的芳香环为单环或多环的芳香环，可举出苯环或萘环等。另外，设为“芳香环”还包含“芳香族杂环”。树脂(e)优选为具有以下述通式(30)所表示的重复单元的树脂。通式(30)[化学式71]上述通式(30)中，r31、r32及r33分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、卤素原子、氰基或烷氧基羰基。r33也可以与ar3键合而形成环，此时的r33表示亚烷基。x3表示单键或二价连结基团。ar3表示(n3+1)价的芳香环基，与r33键合而形成环时表示(n3+2)价的芳香环基。n3表示1～4的整数。ar3表示(n3+1)价的芳香环基。n3为1时的二价芳香环基可以具有取代基，可举出例如亚苯基、甲代亚苯基、亚萘基、亚蒽基等碳原子数6～18的亚芳基、或例如噻吩、呋喃、吡咯、苯并噻吩、苯并呋喃、苯并吡咯、三嗪、咪唑、苯并咪唑、三唑、噻二唑、噻唑等包含杂环的芳香环基作为优选例。作为n3为2以上的整数时的(n3+1)价的芳香环基的具体例，能够适当地举出：从二价芳香环基的上述具体例中去除(n3－1)个任意的氢原子而得的基团。(n3+1)价的芳香环基也可以进一步具有取代基。作为上述的亚烷基及(n3+1)价的芳香环基可具有的取代基，可举出烷基、甲氧基、乙氧基、羟基乙氧基、丙氧基、羟基丙氧基、丁氧基等烷氧基、苯基等芳基。作为x3的二价连结基团，可举出－coo－或－conr64－(r64表示氢原子或烷基)。作为x3，优选为单键、－coo－、－conh－，更优选为单键、－coo－。作为ar3，更优选可具有取代基的碳原子数6～18的芳香环基，尤其优选苯环基、萘环基、亚联苯环基。优选以通式(30)所表示的重复单元具备羟基苯乙烯结构。即，优选ar3为苯环基。n3表示1～4的整数，优选表示1或2，更优选表示1。＜酸扩散控制剂＞优选本发明的组合物含有酸扩散控制剂。酸扩散控制剂是作为捕获曝光时从产酸剂等产生的酸，并抑制因多余的产生酸而引起的未曝光部中的酸分解性树脂的反应的猝灭剂来发挥作用的物质。作为酸扩散控制剂，可以使用：碱性化合物、具有氮原子且具有通过酸的作用而脱离的基团的低分子化合物、通过光化射线或放射线的照射而碱性降低或消失的碱性化合物、或相对于产酸剂成为相对弱酸的鎓盐。作为碱性化合物，能够优选地列举具有下述式(a)～式(e)所表示的结构的化合物。[化学式72]通式(a)及(e)中，r200、r201及r202可以相同也可以不同，表示氢原子、烷基(优选碳原子数为1～20)、环烷基(优选碳原子数3～20)或芳基(碳原子数6～20)，其中，r201与r202可以彼此键合而形成环。r203、r204、r205及r206可以相同，也可以不同，表示碳原子数1个～20个的烷基。关于上述烷基，作为具有取代基的烷基，优选碳原子数1～20的氨基烷基、碳原子数1～20的羟基烷基、或者碳原子数1～20的氰基烷基。这些通式(a)及通式(e)中的烷基更优选为未取代。作为优选的化合物，能够列举胍、氨基吡咯烷、吡唑、吡唑啉、哌嗪、氨基吗啉、氨基烷基吗啉、哌啶等，作为更优选的化合物能够列举：具有咪唑结构、二氮杂双环结构、氢氧化鎓结构、羧酸鎓结构、三烷基胺结构、苯胺结构或吡啶结构的化合物、具有羟基和/或醚键的烷基胺衍生物、具有羟基和/或醚键的苯胺衍生物等。作为优选的化合物的具体例，可举出us2012/0219913a1＜0379＞中所例示的化合物。作为优选的碱性化合物，能够进一步举出：具有苯氧基的胺化合物、具有苯氧基的铵盐化合物、具有磺酸酯基的胺化合物及具有磺酸酯基的铵盐化合物。这些碱性化合物可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。本发明的组合物可以含有碱性化合物，也可以不含有碱性化合物，当含有碱性化合物时，以组合物的固体成分为基准，碱性化合物的含有率通常为0.001～10质量％，优选为0.01～5质量％。产酸剂与碱性化合物在组合物中的使用比例优选为产酸剂/碱性化合物(摩尔比)＝2.5～300，更优选为5.0～200，进一步优选为7.0～150。具有氮原子且具有通过酸的作用而脱离的基团的低分子化合物(以下，还称为“化合物(d)”。)优选为在氮原子上具有通过酸的作用而脱离的基团的胺衍生物。作为通过酸的作用而脱离的基团，优选为缩醛基、碳酸酯基、氨基甲酸酯基、叔酯基、叔羟基、半缩醛胺醚基(日文：ヘミアミナールエーテル基)，尤其优选为氨基甲酸酯基、半缩醛胺醚基。化合物(d)的分子量优选为100～1000，更优选为100～700，尤其优选为100～500。化合物(d)可具有在氮原子上具有保护基的氨基甲酸酯基。作为构成氨基甲酸酯基的保护基，能够由下述通式(d－1)表示。[化学式73]通式(d－1)中，rb各自独立地表示氢原子、烷基(优选为碳原子数1～10)、环烷基(优选为碳原子数3～30)、芳基(优选为碳原子数3～30)、芳烷基(优选为碳原子数1～10)或烷氧基烷基(优选为碳原子数1～10)。rb可以彼此连结而形成环。rb所表示的烷基、环烷基、芳基、芳烷基可以经羟基、氰基、氨基、吡咯烷子基、哌啶子基、吗啉基、桥氧基等官能团、烷氧基、卤素原子取代。关于rb所表示的烷氧基烷基也同样。作为rb，优选为直链状或支链状的烷基、环烷基、芳基。更优选为直链状或支链状烷基、环烷基。作为2个rb相互连结而形成的环，可举出脂环式烃基、芳香族烃基、杂环式烃基或其衍生物等。作为以通式(d－1)所表示的基团的具体结构，可举出us2012/0135348a1＜0466＞中所揭示的结构，但并不限定此。化合物(d)尤其优选具有下述通式(6)所表示的结构的化合物。[化学式74]在通式(6)中，ra表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或芳烷基。当l为2时，2个ra可以相同，也可以不同，2个ra可以彼此连结并与式中的氮原子一同形成杂环。杂环中可含有除了式中的氮原子以外的杂原子。rb的含义与上述通式(d－1)中的rb相同，且优选例也相同。l表示0～2的整数，m表示1～3的整数，满足l+m＝3。在通式(6)中，作为ra的烷基、环烷基、芳基、芳烷基可以由如下的基团取代，该基团与作为可以取代作为rb的烷基、环烷基、芳基、芳烷基的基团而前述的基团相同。作为上述ra的烷基、环烷基、芳基及芳烷基(这些烷基、环烷基、芳基及芳烷基可以由上述基团取代)的具体例，可举出与关于rb而前述的具体例相同的基团。作为本发明中的尤其优选的化合物(d)的具体例，能够举出us2012/0135348a1＜0475＞中所公开的化合物，但并不限定于此。通式(6)所表示的化合物能够根据日本特开2007－298569号公报、日本特开2009－199021号公报等来合成。在本发明中，在氮原子上具有通过酸的作用而脱离的基团的低分子化合物(d)能够单独使用1种，或者混合使用2种以上。以组合物的总固体成分为基准，本发明的组合物中的化合物(d)的含量优选为0.001～20质量％，更优选为0.001～10质量％，进一步优选为0.01～5质量％。以下示出本发明中的化合物(d)的具体例，但本发明并不限定于此。[化学式75][化学式76]通过光化射线或放射线的照射而碱性降低或消失的碱性化合物(以下，还称为“化合物(pa)”。)为：具有质子受体性官能团，且通过光化射线或放射线的照射而分解，从而质子受体性降低、消失，或从质子受体性变化为酸性的化合物。所谓质子受体性官能团是具有能够与质子静电性地相互作用的基团或者电子的官能团，例如是指具有环状聚醚等大环结构的官能团、或含有具有无助于π共轭的非共用电子对的氮原子的官能团。所谓具有无助于π共轭的非共用电子对的氮原子，例如是具有下述式所示的部分结构的氮原子。[化学式77]未共用电子对作为质子受体性官能团的优选的部分结构，例如能够列举冠醚、氮杂冠醚、伯～叔胺、吡啶、咪唑、吡嗪结构等。化合物(pa)通过光化射线或放射线的照射而分解，并产生质子受体性降低、消失、或者由质子受体性变化为酸性的化合物。在此，所谓质子受体性的降低、消失、或者由质子受体性变化向酸性的变化是指，在质子受体性官能团上加成质子而引起的质子受体性的变化，具体而言，是指由具有质子受体性官能团的化合物(pa)及质子生成质子加成物时，其化学平衡中的平衡常数减少。质子受体性能够通过进行ph测定来确认。在本发明中，通过光化射线或放射线的照射，化合物(pa)分解而产生的化合物的酸解离常数pka优选为满足pka＜－1，更优选为－13＜pka＜－1，进一步优选为－13＜pka＜－3。在本发明中，所谓酸解离常数pka表示水溶液中的酸解离常数pka，例如，记载于化学便览(ii)(修订4版，1993年，日本化学会编，maruzeninc.)中，该值越低，表示酸强度越大。具体而言，水溶液中的酸解离常数pka能够通过使用无限稀释水溶液，测定25℃下的酸解离常数来实际测得，并且，也能够使用下述软件包1，通过计算来求出基于哈米特的取代基常数及公知文献值的数据库的值。本说明书中记载的pka的值全部表示使用该软件包通过计算来求出的值。软件包1：advancedchemistrydevelopment(acd/labs)softwarev8.14forsolaris(1994－2007acd/labs)。化合物(pa)产生例如下述通式(pa－1)所表示的化合物来作为通过光化射线或放射线的照射而分解并产生的上述质子加成物。通式(pa－1)所表示的化合物为，具有质子受体性官能团和酸性基团，从而与化合物(pa)相比质子受体性降低、消失、或由质子受体性变化为酸性的化合物。[化学式78]q-a-(x)n-b-r(pa-1)通式(pa－1)中，q表示－so3h、－co2h或－w1nhw2rf。其中，rf表示烷基(优选为碳原子数1～20)、环烷基(优选为碳原子数3～20)或芳基(优选为碳原子数6～30)，w1及w2分别独立地表示－so2－或－co－。a表示单键或二价连结基团。x表示－so2－或－co－。n表示0或1。b表示单键、氧原子或－n(rx)ry－。在此，rx表示氢原子或一价的有机基团，ry表示单键或二价的有机基团。rx可以与ry键合而形成环，也可与r键合而形成环。r表示具有质子受体性官能团的一价的有机基团。对通式(pa－1)进一步进行详细说明。作为a中的二价连结基团，优选为具有至少一个氟原子的亚烷基，更优选为全氟亚乙基、全氟亚丙基、全氟亚丁基等全氟亚烷基。作为rx中的一价的有机基团，例如可举出烷基、环烷基、芳基、芳烷基、烯基等，这些基团可以进一步具有取代基。作为rx中的烷基，优选为碳原子数1～20的直链烷基及支链烷基，在烷基链中可以具有氧原子、硫原子、氮原子。作为rx中的环烷基，优选为碳原子数3～20的单环或多环的环烷基，在环内可以具有氧原子、硫原子、氮原子。作为rx中的芳基，优选可举出碳原子数6～14的芳基，例如可举出苯基及萘基等。作为rx中的芳烷基，优选可举出碳原子数7～20的芳烷基，例如可举出苄基及苯乙基等。rx中的烯基优选碳原子数是3～20，例如可举出乙烯基、烯丙基及苯乙烯基等。作为ry中的二价有机基团，优选能够举出亚烷基。作为rx与ry可以彼此键合而形成的环结构，可举出含有氮原子的5～10元的环。r中的质子受体性官能团如上所述。作为具有该种结构的有机基团，优选为碳原子数4～30的有机基团，可举出烷基、环烷基、芳基、芳烷基、烯基等。r中的质子受体性官能团或包含铵基的烷基、环烷基、芳基、芳烷基、烯基中的烷基等，与作为上述rx而举出的烷基等相同。当b为-n(rx)ry-时，优选为r与rx相互键合而形成环。形成环的碳原子数优选为4～20，可以为单环式，也可以为多环式，也可以在环内包含氧原子、硫原子、氮原子。作为单环式结构，可举出含有氮原子的4～8元环等。作为多环式结构，可举出包含2个或3个以上的单环式结构的组合的结构。作为以q表示的-w1nhw2rf中的rf，优选为碳原子数1～6的全氟烷基。并且，作为w1及w2，优选至少一者为-s02-。优选化合物(pa)为离子性化合物。质子受体性官能团可以包含于阴离子部、阳离子部中的任意者中，优选包含于阴离子部位。作为化合物(pa)，可优选地举出以下述通式(4)～(6)所表示的化合物。[化学式79]rf-w2-n--w1-a-(x)n-b-r[c]+(4)r-so3-[c]+(5)r-co2-[c]+(6)通式(4)～(6)中，a、x、n、b、r、rf、w1及w2与通式(pa-1)中的各含义相同。c+表示抗衡阳离子。作为抗衡阳离子，优选鎓阳离子。更详细而言，可举出在产酸剂中作为通式(zi)中的s+(r201)(r202)(r203)而进行说明的鋶阳离子、作为通式(zii)中的i+(r204)(r205)而进行说明的碘鎓阳离子来作为优选例。作为化合物(pa)的具体例，可举出us2011/0269072a1＜0280＞中所例示的化合物。并且，在本发明中，也能够适当地选择产生通式(pa－1)所表示的化合物的化合物以外的化合物(pa)。例如，也可使用为离子性化合物且在阳离子部具有质子受体部位的化合物。更具体而言，可列举下述通式(7)所表示的化合物等。[化学式80]式中，a表示硫原子或碘原子。m表示1或2，n表示1或2。其中，a为硫原子时，m+n＝3，a为碘原子时，m+n＝2。r表示芳基。rn表示被质子受体性官能团取代的芳基。x－表示抗衡阴离子。作为x－的具体例，可举出与前述的产酸剂的阴离子相同的阴离子。作为r及rn的芳基的具体例，优选列举苯基。作为rn所具有的质子受体性官能团的具体例，与前述式(pa－1)中说明的质子受体性官能团相同。以下，作为在阳离子部具有质子受体部位的离子性化合物的具体例，可举出us2011/0269072a1＜0291＞中所例示的化合物。另外，该种化合物例如能够以日本专利公开2007－230913号公报及日本专利公开2009－122623号公报等中记载的方法为参考进行合成。化合物(pa)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。以组合物的总固体成分为基准，化合物(pa)的含量优选为0.1～10质量％，更优选为1～8质量％。本发明的组合物中，能够将相对于产酸剂相对成为弱酸的鎓盐用作酸扩散控制剂。当混合使用产酸剂、和产生相对于由产酸剂生成的酸而言相对为弱酸的酸的鎓盐时，若通过光化射线或放射线的照射而由产酸剂产生的酸与未反应的具有弱酸根阴离子的鎓盐碰撞，则通过盐交换释放弱酸而生成具有强酸阴离子的鎓盐。在该过程中强酸被交换成催化能力更低的弱酸，因此在表观上酸失活而能够控制酸扩散。作为相对于产酸剂而相对成为弱酸的鎓盐，优选以下述通式(d1－1)～(d1－3)所表示的化合物。[化学式81]式中，r51为可具有取代基的烃基，z2c为可具有取代基的碳原子数1～30的烃基(其中，设为与s相邻的碳上氟原子未被取代)，r52为有机基团，y3为直链状、支链状或环状的亚烷基或亚芳基，rf为含有氟原子的烃基，m+分别独立地为鋶或碘鎓阳离子。作为表示为m+的鋶阳离子或碘鎓阳离子的优选例，可举出以通式(zi)所例示的鋶阳离子及以通式(zii)所例示的碘鎓阳离子。作为以通式(d1－1)所表示的化合物的阴离子部的优选例，可举出日本专利公开2012－242799号公报的〔0198〕段中所例示的结构。作为以通式(d1－2)所表示的化合物的阴离子部的优选例，可举出日本专利公开2012－242799号公报的〔0201〕段中所例示的结构。作为以通式(d1－3)所表示的化合物的阴离子部的优选例，可举出日本专利公开2012－242799号公报的〔0209〕段及〔0210〕段中所例示的结构。相对于产酸剂而相对成为弱酸的鎓盐也可以为：(c)在同一分子内具有阳离子部位和阴离子部位、且阳离子部位与阴离子部位通过共价键连结的化合物(以下，还称为“化合物(ca)”。)。作为化合物(ca)优选以下述通式(c－1)～(c－3)中的任一个所表示的化合物。[化学式82]通式(c－1)～(c－3)中，r1、r2、r3表示碳原子数1以上的取代基。l1表示连结阳离子部位与阴离子部位的二价连结基团或单键。－x－表示选自－coo－、－so3－、－so2－、－n－－r4的阴离子部位。r4表示在与相邻的n原子的连结部位具有羰基：－c(＝o)－、磺酰基：－s(＝o)2－、亚磺酰基：－s(＝o)－的一价取代基。r1、r2、r3、r4、l1可以相互键合而形成环结构。并且，(c－3)中，可以结合r1～r3中的2个而与n原子形成双键。作为r1～r3中的碳原子数1以上的取代基，可举出烷基、环烷基、芳基、烷氧基羰基、环烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷氨基羰基、环烷基氨基羰基、芳基氨基羰基等。优选为烷基、环烷基、芳基。作为二价连结基团的l1，可举出直链或支链状亚烷基、亚环烷基、亚芳基、羰基、醚键、酯键、酰胺键、氨基甲酸酯键、脲键及组合2种以上这些而得的基团等。l1更优选为亚烷基、亚芳基、醚键、酯键及组合2种以上这些而得的基团。作为以通式(c－1)所示的化合物的优选例，可举出日本专利公开2013－006827号公报的〔0037〕～〔0039〕段及日本专利公开2013－008020号公报的〔0027〕～〔0029〕段中所例示的化合物。作为以通式(c－2)所表示的化合物的优选例，可举出日本专利公开2012－189977号公报的〔0012〕～〔0013〕段中所例示的化合物。作为以通式(c－3)所表示的化合物的优选例，可举出日本专利公开2012－252124号公报的〔0029〕～〔0031〕段中所例示的化合物。以组合物的固体成分为基准，相对于产酸剂而相为对成弱酸的鎓盐的含量优选为0.5～10.0质量％，更优选为0.5～8.0质量％，进一步优选为1.0～8.0质量％。本发明的组合物能够从上述酸扩散控制剂中选择1种或两种以上而含有。＜通过酸的作用而相对于碱显影液的溶解速度降低的化合物(f)＞本发明的组合物也可以含有通过酸的作用而相对于碱显影液的溶解速度降低的化合物(f)。化合物(f)可以为高分子化合物，也可以为低分子化合物。从反应性、显影性的观点考虑，化合物(f)优选为酚衍生物。作为低分子化合物，能够适当地举出将上述具有酚性羟基的树脂(e)进行交联的化合物(以下，还称为“交联剂”)。此处，能够有效地使用公知的交联剂。交联剂例如为具有可以将具有酚性羟基的树脂(e)交联的交联性基的化合物，优选为具有2个以上的羟甲基、烷氧基甲基、酰氧基甲基或烷氧基甲醚基作为交联性基的化合物、或环氧化合物。进一步优选为，可举出：烷氧基甲基化、酰氧基甲基化三聚氰胺化合物；烷氧基甲基化、酰氧基甲基化脲化合物；羟甲基化或烷氧基甲基化酚化合物；及烷氧基甲醚化酚化合物等。并且，作为化合物，也能够援用日本专利公开2013－064998号公报＜0196＞～＜0200＞(所对应的美国专利公报2014/0178634号说明书的＜0271＞～＜0277＞)段的环氧化合物、日本专利公开2013－258332号公报＜0065＞段所述的氧杂环丁烷化合物，这些内容被编入本说明书中。优选交联剂具有以下述通式(1)所表示的结构。[化学式83]通式(1)中，r1～r6分别独立地表示氢原子、碳原子数1～50的有机基团、或者、与通式(3)中的l所表示的连结基团或单键的键合位置。其中，r2～r6中的至少一个为以通式(2)所表示的结构。通式(2)中，r7表示氢原子或碳原子数1～30的有机基团，*表示r2～r6中的任一个的键合位置。通式(3)中，l表示连结基团或单键，*表示r1～r6中的任一个的键合位置，k表示2～5的整数。当交联剂为以通式(1)所表示的化合物时，r1～r6分别独立地表示氢原子或碳原子数1～50的有机基团。作为碳原子数1～50的有机基团，例如可举出烷基、环烷基或芳基、或这些基团被如下基团连结而成的基团，所述基团包含亚烷基、亚芳基、羧酸酯键、碳酸酯键、醚键、硫醚键、磺基、磺酸基、氨基甲酸酯键、脲键或它们的组合。并且，r2～r6中的至少一个为以通式(2)所表示的结构。作为以通式(2)中的r7所表示的碳原子数1～30的有机基团，可举出与上述的以r1～r6所表示的有机基团相同的具体例。优选在1个分子中具有2个以上以通式(2)所表示的结构。＜溶剂＞本发明的组合物通常含有溶剂。作为能够在制备组合物时使用的溶剂，例如可举出亚烷基二醇单烷基醚羧酸酯、亚烷基二醇单烷基醚、乳酸烷基酯、烷氧基丙酸烷基酯、环状内酯(优选为碳原子数4～10)、可具有环的单酮化合物(优选为碳原子数4～10)、碳酸亚烷基酯、烷氧基乙酸烷基酯及丙酮酸烷基酯等有机溶剂。作为这些溶剂的具体例，可举出美国专利申请公开2008/0187860号说明书<0441>～<0455>中记载的溶剂。本发明中，也可使用将结构中含有羟基的溶剂与不含羟基的溶剂混合而成的混合溶剂作为有机溶剂。作为含有羟基的溶剂及不含有羟基的溶剂，可适当地选择前述的例示化合物，作为含有羟基的溶剂，优选亚烷基二醇单烷基醚或乳酸烷基酯等，更优选丙二醇单甲醚(pgme，别名1－甲氧基－2－丙醇)、2－羟基异丁酸甲酯或乳酸乙酯。并且，作为不含有羟基的溶剂，优选亚烷基二醇单烷基醚乙酸酯、烷氧基丙酸烷基酯、可含有环的单酮化合物、环状内酯或乙酸烷基酯等，这些之中，更优选丙二醇单甲醚乙酸酯(pgmea，别名1－甲氧基－2－乙酰氧基丙烷)、乙氧基丙酸乙酯、2－庚酮、γ－丁内酯、环己酮或乙酸丁酯，进一步优选丙二醇单甲醚乙酸酯、γ－丁内酯、乙氧基丙酸乙酯或2－庚酮。含有羟基的溶剂与不含羟基的溶剂的混合比(质量比)为1/99～99/1，优选为10/90～90/10，进一步优选为20/80～60/40。从涂布均匀性的观点考虑，尤其优选含有50质量％以上的不含羟基的溶剂的混合溶剂。溶剂优选为含有丙二醇单甲醚乙酸酯，优选为丙二醇单甲醚乙酸酯单独溶剂、或含有丙二醇单甲醚乙酸酯的两种以上的混合溶剂。＜其他添加剂＞(表面活性剂)本发明的组合物可以进一步含有表面活性剂，也可以不含有表面活性剂，当含有表面活性剂时，优选氟系和/或硅系表面活性剂(氟系表面活性剂、硅系表面活性剂或具有氟原子和硅原子这两者的表面活性剂)。本发明的组合物含有表面活性剂，由此在使用250nm以下、尤其使用220nm以下的曝光光源时，能够以良好的灵敏度及分辨率赋予密合性及显影缺陷较少的抗蚀剂图案。作为氟系和/或硅系表面活性剂，可举出美国专利申请公开第2008/0248425号说明书的＜0276＞段中记载的表面活性剂。并且，在本发明中，还可以使用美国专利申请公开第2008/0248425号说明书的＜0280＞段中记载的除氟系和/或硅系表面活性剂以外的其他表面活性剂。这些表面活性剂可以单独使用，并且也可以组合几种来使用。当本发明的组合物含有表面活性剂时，表面活性剂的使用量相对于组合物的总固体成分，优选为0.0001～2质量％，更优选为0.0005～1质量％。另一方面，通过将表面活性剂的添加量相对于组合物的总量(除了溶剂)设为10ppm以下，从而疏水性树脂的表面偏向存在性增加，由此，能够使感光化射线性或感放射线性膜的表面更具疏水性，从而能够提高液浸曝光时的水追随性。(羧酸鎓盐)本发明的组合物可以含有羧酸鎓盐，也可以不含有羧酸鎓盐。该种羧酸鎓盐可举出美国专利申请公开2008/0187860号说明书＜0605＞～＜0606＞中记载的羧酸鎓盐。这些羧酸鎓盐能够通过使氢氧化锍、氢氧化碘、氢氧化铵和羧酸在适当的溶剂中与氧化银反应而合成。当本发明的组合物含有羧酸鎓盐时，其含量相对于组合物的总固体成分，通常为0.1～20质量％，优选为0.5～10质量％，进一步优选为1～7质量％。(其他添加剂)本发明的组合物根据需要可以进一步含有酸增殖剂、染料、增塑剂、光敏剂、光吸收剂、碱可溶性树脂、溶解抑制剂或促进对显影液的溶解性的化合物(例如，分子量1000以下的酚化合物、具有羧基的脂环族或脂肪族化合物)等。关于这种分子量为1000以下的酚化合物，本领域人员例如能够参考日本特开平4－122938号公报、日本特开平2－028531号公报、美国专利第4,916,210号说明书、或欧洲专利第219294号说明书等中所记载的方法而轻松地合成。作为具有羧基的脂环族或脂肪族化合物的具体例，可举出胆酸、脱氧胆酸或石胆酸等具有类固醇结构的羧酸衍生物、金刚烷羧酸衍生物、金刚烷二羧酸、环己烷羧酸或环己烷二羧酸等。＜制备方法＞从提高解析力的观点考虑，优选将本发明的组合物设为膜厚90nm以下(优选为85nm以下)的感光化射线性或感放射线性膜。将组合物中的固体成分浓度设定在适当的范围而具有适度的粘度，从而提高涂布性或制膜性，由此能够设为该种膜厚。本发明中的组合物的固体成分浓度通常为1.0～10质量％，优选为2.0～5.7质量％，进一步优选为2.0～5.3质量％。通过将固体成分浓度设为上述范围，能够将抗蚀剂溶液均匀地涂布在基板上，进而能够形成lwr更加优异的抗蚀剂图案。其理由虽不明确，认为可能由于：通过将固体成分浓度设为10质量％以下，优选为5.7质量％以下，从而抑制原材料尤其光产酸剂在抗蚀剂溶液中的凝聚，其结果能够形成均匀的感光化射线性或感放射线性膜。固体成分浓度是指，除了溶剂以外的其他抗蚀剂成分的质量相对于组合物的总质量的质量百分比。关于本发明的组合物，将上述成分溶解于规定的有机溶剂(优选为上述混合溶剂)并进行过滤器过滤之后，涂布于规定的支撑体(基板)而使用。优选用于过滤器过滤的过滤器是孔径尺寸为0.1μm以下(更优选为0.05μm以下，进一步优选为0.03μm以下)的聚四氟乙烯制、聚乙烯制、或尼龙制的过滤器。在进行过滤器过滤时，例如像日本专利公开2002－062667号公报那样，可以进行循环性过滤、或者串联或并联连接多种过滤器而进行过滤。并且，也可以对组合物进行多次过滤。另外，也可在过滤器过滤的前后，对组合物进行脱气处理等。＜用途＞本发明的组合物涉及一种通过光化射线或放射线的照射进行反应而性质发生变化的感光化射线性或感放射线性树脂组合物。更详细而言，本发明涉及ic等半导体制造工序、液晶或热敏头等电路基板的制造、压印用模具结构体的制作、以及其他感光加工工序、平版印刷板或酸固化性组合物所使用的感光化射线性或感放射线性树脂组合物。〔图案形成方法〕本发明还涉及使用上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物的图案形成方法。以下，对本发明的图案形成方法进行说明。并且，与图案形成方法的说明一同，也对本发明的感光化射线性或感放射线性膜(典型地为抗蚀剂膜)进行说明。本发明的图案形成方法具有如下工序：(i)通过上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成感光化射线性或感放射线性膜的工序；(ii)对上述感光化射线性或感放射线性膜照射光化射线或放射线的工序(曝光工序)；及(iii)对照射有上述光化射线或放射线的感光化射线性或感放射线性膜，使用显影液来进行显影的工序。本发明的图案形成方法只要包括上述(i)～(iii)的工序，则并无特别限定，可以进一步具有下述工序。本发明的图案形成方法中，(ii)曝光工序中的曝光方法优选为液浸曝光。本发明的图案形成方法中，优选在(ii)曝光工序之前包含(iv)前加热工序。本发明的图案形成方法中，优选在(ii)曝光工序之后包含(v)曝光后加热工序。本发明的图案形成方法可以包含两次以上的(ii)曝光工序。本发明的图案形成方法中，可以包含两次以上的(iv)前加热工序。本发明的图案形成方法中，可以包含两次以上的(v)曝光后加热工序。本发明中的感光化射线性或感放射线性膜是由上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成的膜，更具体而言，优选为通过在基板上涂布上述组合物而形成的膜。本发明的图案形成方法中，上述(i)感光化射线性或感放射线性膜形成工序、(ii)曝光工序及(iii)显影工序能够通过通常已知的方法来进行。并且，根据需要，可以在感光化射线性或感放射线性膜与基板之间形成防反射膜。作为防反射膜，能够适当地使用公知的有机系或无机系防反射膜。基板并无特别限定，可以使用除了在ic等半导体的制造工序、或者液晶或热敏头等电路基板的制造工序以外，还在其他光加工的光刻工序等中通常所使用的基板，作为其具体例，可举出硅、sio2或sin等无机基板、或sog(旋涂玻璃(spinonglass))等涂布系无机基板等。如上所述，本发明的图案形成方法中，也优选在(i)感光化射线性或感放射线性膜形成工序之后且在(ii)曝光工序之前包含(iv)前加热工序(pb；prebake(预烘烤))。并且，也优选在(ii)曝光工序之后且在(iii)显影工序之前包含(v)曝光后加热工序(peb；postexposurebake(曝光后烘烤))。通过如上所述的烘烤来促进曝光部的反应，并改善灵敏度和/或图案轮廓。在pb及peb中，优选加热温度均为70～130℃，更优选80～120℃。pb及peb中，优选加热时间均为30～300秒，更优选30～180秒，进一步优选30～90秒。加热能够通过通常的曝光机及显影机所具备的机构来进行，也可以使用加热板等来进行。用于曝光装置的光源波长并无限制，可举出红外光、可见光、紫外光、远紫外光、极紫外光、x射线或电子束等，优选为250nm以下，更优选为220nm以下，进一步优选为1～200nm的波长的远紫外光，具体而言，为krf准分子激光(248nm)、arf准分子激光(193nm)、f2准分子激光(157nm)、x射线、euv(13nm)或电子束等，优选krf准分子激光、arf准分子激光、euv或电子束，更优选arf准分子激光。本发明的图案形成方法中，能够在(ii)曝光工序中适用液浸曝光方法。液浸曝光方法可以与相移法或变形照明法等超解析技术进行组合。液浸曝光能够按照例如日本专利公开2013－242397号公报的＜0594＞～＜0601＞段中所记载的方法来进行。(iii)显影工序中，可以为碱显影液，也可以为包含有机溶剂的显影液(以下，还称为有机系显影液)，优选使用碱显影液。作为碱显影液，通常使用以氢氧化四甲铵为代表的季铵盐，除此以外，还可以使用无机碱、伯胺～叔胺、醇胺、环状胺等碱水溶液。具体而言，作为碱显影液，例如，能够使用：氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、硅酸钠、偏硅酸钠、氨水等无机碱类；乙胺、正丙胺等伯胺类；二乙胺、二正丁胺等仲胺类；三乙胺、甲基二乙胺等叔胺类；二甲基乙醇胺、三乙醇胺等醇胺类；四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵等季铵盐；吡咯、哌啶等环状胺类；等碱性水溶液。这些中，优选使用四乙基氢氧化铵的水溶液。而且，也可以向上述碱显影液添加适当量的醇类、表面活性剂。碱显影液的碱浓度通常为0.1～20质量％。碱显影液的ph通常为10.0～15.0。使用碱显影液进行显影的时间通常为10～300秒。碱显影液的碱浓度(及ph)及显影时间能够根据所形成的图案适当调整。作为有机系显影液，可以使用酮类溶剂、酯类溶剂、醇类溶剂、酰胺类溶剂或醚类溶剂等极性溶剂或者烃类溶剂。作为酮类溶剂，例如能够列举：1－辛酮、2－辛酮、1－壬酮、2－壬酮、丙酮、2－庚酮(甲基戊基酮)、4－庚酮、1－己酮、2－己酮、二异丁基酮、环己酮、甲基环己酮、苯基丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、乙酰丙酮、丙酮基丙酮、紫罗兰酮、二丙酮醇、乙酰基甲醇、苯乙酮、甲基萘基酮、异佛尔酮或碳酸丙烯酯等。作为酯类溶剂，例如可举出：乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸异丙酯、乙酸戊酯(日文：酢酸ペンチル)、乙酸异戊酯、乙酸戊酯(日文：酢酸アミル)、丙二醇单甲醚乙酸酯、乙二醇单乙醚乙酸酯、二乙二醇单丁醚乙酸酯、二乙二醇单乙醚乙酸酯、乙基－3－乙氧基丙酸酯、3－甲氧基丁基乙酸酯、3－甲基－3－甲氧基丁基乙酸酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯、丁酸丁酯、2－羟基异丁酸甲酯、乙酸异戊酯、异丁酸异丁酯、丙酸丁酯等。作为醇类溶剂，例如可举出：甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、仲丁醇、叔丁醇、异丁醇、正己醇、正庚醇、正辛醇、正癸醇等醇；乙二醇、二乙二醇、三乙二醇等二醇类溶剂；乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、丙二醇单乙醚、二乙二醇单甲醚、三乙二醇单乙醚或甲氧基甲基丁醇等二醇醚类溶剂；等。作为醚类溶剂，除了上述乙二醇醚类溶剂以外，例如可以列举二恶烷或四氢呋喃等。作为酰胺类溶剂，例如可以使用n－甲基－2－吡咯啶酮、n,n－二甲基乙酰胺、n,n－二甲基甲酰胺、六甲基磷酰三胺或1,3－二甲基－2－咪唑啉酮等。作为烃类溶剂，例如，可以列举甲苯或二甲苯等芳香族烃类溶剂；或者戊烷、己烷、辛烷或癸烷等脂肪族烃类溶剂；等。另外，作为烃类溶剂的脂肪族烃类溶剂中，也可以为相同碳原子数且不同结构的化合物的混合物。例如，使用癸烷作为脂肪族烃类溶剂时，作为相同碳原子数且不同结构的化合物的2－甲基壬烷、2,2－二甲基辛烷、4－乙基辛烷、异辛烷等也可以包含于脂肪族烃类溶剂中。并且，上述相同碳原子数且不同结构的化合物可以仅包含1种，也可以如上述那样包含两种以上。上述溶剂可以混合两种以上，也可以与上述以外的溶剂或水混合来使用。然而，为了充分发挥本发明的效果，作为显影液整体的含水率优选小于10质量％，更优选实质上不含水分。即，相对于显影液的总量，有机溶剂相对于有机系显影液的使用量优选为90质量％以上且100质量％以下，更优选为95质量％以上且100质量％以下。尤其，优选有机系显影液是含有选自包括酮类溶剂、酯类溶剂、醇类溶剂、酰胺类溶剂及醚类溶剂的群组中的至少一种有机溶剂的显影液。有机系显影液的蒸气压在20℃下优选5kpa以下，更优选3kpa以下，进一步优选2kpa以下。通过将有机系显影液的蒸气压设为5kpa以下，显影液在基板上或显影杯内的蒸发得到抑制，晶片面内的温度均匀性提高，作为结果，晶片面内的尺寸均匀性变得良好。根据需要能够向有机系显影液添加适当量的表面活性剂。作为表面活性剂，并无特别限定，例如，能够使用离子性或非离子性氟类和/或硅类表面活性剂等。作为这些氟和/或硅类表面活性剂，例如能够列举日本特开昭62－036663号公报、日本特开昭61－226746号公报、日本特开昭61－226745号公报、日本特开昭62－170950号公报、日本特开昭63－034540号公报、日本特开平7－230165号公报、日本特开平8－062834号公报、日本特开平9－054432号公报、日本特开平9－005988号公报、美国专利第5405720号说明书、美国专利第5360692号说明书、美国专利第5529881号说明书、美国专利第5296330号说明书、美国专利第5436098号说明书、美国专利第5576143号说明书、美国专利第5294511号说明书或美国专利第5824451号说明书中所记载的表面活性剂，优选非离子性表面活性剂。作为非离子性表面活性剂，并无特别限定，更优选使用氟类表面活性剂或硅类表面活性剂。相对于显影液的总量，表面活性剂的使用量通常为0.001～5质量％，优选0.005～2质量％，更优选0.01～0.5质量％。有机系显影液可以含有碱性化合物。作为碱性化合物，例如可举出胺化合物、含酰胺基的化合物、脲化合物或含氮杂环化合物等。并且，作为碱性化合物，也可举出：利用作为酸扩散控制剂而前述的可含有组合物的碱性化合物来进行了说明的化合物。作为显影方法，例如，能够适用：在装满显影液的槽中将基板浸渍一定时间的方法(液浸法)；通过表面张力在基板表面堆积显影液并静止一定时间来进行显影的方法(积液法(日文：パドル法))；对基板表面喷雾显影液的方法(喷雾法)；或在以定速旋转的基板上，以定速对显影液吐出喷嘴进行扫描的同时持续吐出显影液的方法(动态分配法)等。另外，关于所喷射的显影液的喷射压力的优选范围及调整显影液的喷射压力的方法等并无特别限定，例如可以使用日本专利公开2013－242397号公报的＜0631＞～＜0636＞段中记载的范围及方法。本发明的图案形成方法中，也可以将使用包含有机溶剂的显影液来进行显影的工序(有机溶剂显影工序)和使用碱水溶液进行显影的工序(碱显影工序)组合使用。由此，能够形成更微细的图案。本发明中，通过有机溶剂显影工序去除曝光强度较弱的部分，进而通过进行碱显影工序还去除曝光强度较强的部分。如此，通过进行两次以上显影的多重显影工艺，能够仅使中等的曝光强度的区域不溶解而进行图案形成，因此能够形成比通常更微细的图案(与日本特开2008－292975号公报的＜0077＞相同的机理)。优选在(iii)显影工序之后(当具有(v)曝光后加热工序时，在(v)曝光后加热工序之后)包含使用冲洗液进行清洗的工序(冲洗工序)。作为在使用显影液来进行显影的工序之后的冲洗工序中使用的冲洗液，也可以使用纯水并适量添加表面活性剂来使用。在该情况下，在显影处理或冲洗处理之后，能够进行通过超临界流体去除粘附在图案上的显影液或冲洗液的处理。而且，在冲洗处理或基于超临界流体的处理之后，为了去除残留在图案中的水分而能够进行加热处理。作为在使用包含有机溶剂的显影液来进行显影的工序之后的冲洗工序中使用的冲洗液，只要不溶解抗蚀剂图案，则并无特别限定，可以使用包含一般有机溶剂的溶液。作为冲洗液，更优选使用含有选自包括烃类溶剂、酮类溶剂、酯类溶剂、醇类溶剂、酰胺类溶剂及醚类溶剂的群组中的至少一种有机溶剂的冲洗液。作为烃类溶剂、酮类溶剂、酯类溶剂、醇类溶剂、酰胺类溶剂及醚类溶剂的具体例，可举出与包含有机溶剂的显影液中所说明的溶剂相同的溶剂。在使用包含有机溶剂的显影液来进行显影的工序之后，更优选为进行使用含有选自包括酮类溶剂、酯类溶剂、醇类溶剂、酰胺类溶剂及烃类溶剂的群组中的至少一种有机溶剂的冲洗液来进行清洗的工序，进一步优选为进行使用含有醇类溶剂或酯类溶剂的冲洗液来进行清洗的工序，尤其优选为进行使用含有一价醇的冲洗液来进行清洗的工序，最优选为进行使用含有碳原子数5以上的一价醇的冲洗液来进行清洗的工序。其中，作为在冲洗工序中所使用的一价醇，可举出直链状、支链状或环状的一价醇。具体而言，可举出：1－丁醇、2－丁醇、3－甲基－1－丁醇、叔丁醇、1－戊醇、2－戊醇、1－己醇、4－甲基－2－戊醇、1－庚醇、1－辛醇、2－己醇、环戊醇、2－庚醇、2－辛醇、3－己醇、3－庚醇、3－辛醇、4－辛醇或甲基异丁基甲醇。作为碳原子数5以上的一价醇，可举出：1－己醇、2－己醇、4－甲基－2－戊醇、1－戊醇、3－甲基－1－丁醇或甲基异丁基甲醇等。作为含有烃类溶剂的冲洗液，优选碳原子数6～30的烃化合物，更优选碳原子数8～30的烃化合物，进一步优选碳原子数8～30的烃化合物，尤其优选碳原子数10～30的烃化合物。其中，通过使用包含癸烷和/或十一烷的冲洗液，能够抑制图案崩坏。当作为冲洗液使用酯类溶剂时，除了酯类溶剂(1种或2种以上)以外，还可以使用乙二醇醚类溶剂。作为这种情况下的具体例，可以列举将酯类溶剂(优选为乙酸丁酯)用作主成分，且将乙二醇醚类溶剂(优选为丙二醇单甲醚(pgme))用作副成分。由此，能够抑制残渣缺陷。各成分可以混合两种以上，也可以与上述以外的有机溶剂混合来使用。冲洗液中的含水率优选为10质量％以下，更优选为5质量％以下，进一步优选为3质量％以下。通过将含水率设为10质量％以下，能够得到良好的显影特性。在使用包含有机溶剂的显影液来进行显影的工序之后所使用的冲洗液的蒸气压，优选在20℃下为0.05kpa以上且5kpa以下，更优选0.1kpa以上且5kpa以下，进一步优选0.12kpa以上且3kpa以下。通过将冲洗液的蒸气压设为0.05kpa以上且5kpa以下，晶片面内的温度均匀性得到提高，而且因冲洗液的浸透引起的膨润得到抑制，从而晶片面内的尺寸均匀性得到改善。冲洗液中也能够添加适当量的表面活性剂来使用。冲洗工序中，使用上述含有有机溶剂的冲洗液，对进行了使用含有有机溶剂的显影液的显影的晶片进行清洗处理。清洗处理的方法并无特别限定，例如能够适用如下方法：在以定速旋转的基板上持续喷射冲洗液的方法(旋转涂布法)、在装满冲洗液的槽中将基板浸渍一定时间的方法(液浸法)、或对基板表面喷雾冲洗液的方法(喷涂法)等。其中，优选利用旋转涂布方法进行清洗处理，清洗后使基板以2000rpm～4000rpm的转速旋转，从而从基板上去除冲洗液。并且，还优选在冲洗工序之后包含加热工序(postbake)。通过烘烤去除残留在图案之间及图案内部的显影液及冲洗液。冲洗工序之后的加热工序通常在40～160℃，优选70～95℃下，通常进行10秒钟～3分钟，优选进行30秒～90秒钟。本发明的感光化射线性或感放射线性树脂组合物及本发明的图案形成方法中所使用的各种材料(例如，抗蚀剂溶剂、显影液、冲洗液、防反射膜形成用组合物、或顶涂层形成用组合物等)优选不含金属等杂质。作为这些材料中所含的杂质的含量优选1ppm以下，更优选100ppt以下，进一步优选10ppt以下，尤其优选实质上不包含的情况(测定装置的检测极限以下的情况)。作为从上述各种材料去除金属等杂质的方法，例如能够举出使用过滤器的过滤。作为过滤器孔径，优选孔径尺寸为10nm以下，更优选5nm以下，进一步优选3nm以下。作为过滤器的材质，优选聚四氟乙烯制、聚乙烯制或尼龙制的过滤器。过滤器也可使用预先用有机溶剂进行清洗的过滤器。在过滤器过滤工序中，可以串联或并联连接两种以上的过滤器来使用。使用两种以上的过滤器时，可以组合使用孔径和/或材质不同的过滤器。并且，可以对各种材料进行两种以上过滤，两种以上过滤的工序也可以是循环过滤工序。并且，作为减少上述各种材料中所含的金属等杂质的方法，能够列举下述的方法：作为构成各种材料的原料而选择金属含量较少的原料；对构成各种材料的原料进行过滤器过滤；或以teflon(注册商标)对装置内进行内衬等，从而在尽可能抑制污染的条件下进行蒸馏等。对构成各种材料的原料进行的过滤器过滤中的优选条件，与上述的条件相同。除了过滤器过滤之外，也可以通过吸附材料去除杂质，也可以组合使用过滤器过滤及吸附材料。作为吸附材料，能够使用公知的吸附材料，例如能够使用硅胶或沸石等无机类吸附材料或者活性碳等有机类吸附材料。可以对通过本发明的图案形成方法形成的图案，应用改善图案的表面粗糙度的方法。作为改善图案的表面粗糙度的方法，例如，可以举出国际公开第2014/002808号中所公开的通过含有氢的气体的等离子体对抗蚀剂图案进行处理的方法。除此以外，还可以应用如日本特开2004－235468号公报、美国专利申请公开第2010/0020297号说明书、日本特开2009－019969号公报、proc.ofspievol.832883280n－1“euvresistcuringtechniqueforlwrreductionandetchselectivityenhancement”中所记载的公知的方法。本发明的图案形成方法也能够用于dsa(directedself－assembly：定向自组装)中的引导图案形成(例如，参考acsnanovol.4no.8page4815－4823)。并且，通过上述方法形成的抗蚀剂图案例如能够用作日本特开平3－270227号公报及日本特开2013－164509号公报中公开的间隔物工艺的芯材(芯)。〔电子器件的制造方法〕并且，本发明还涉及包含上述本发明的图案形成方法的电子器件的制造方法。通过本发明的电子器件的制造方法制造的电子器件，是适当地搭载于电气电子设备(例如，家电、oa(办公自动化(officeautomation))相关设备、媒体相关设备、光学用设备及通信设备等)中的电子器件。实施例以下基于实施例对本发明进一步进行详细说明。以下实施例所示的材料、使用量、比例、处理内容、处理步骤等只要不脱离本发明的宗旨，则能够进行适当变更。从而，本发明的范围不应由以下所示的实施例进行限定性解释。＜合成例1：化合物m1－1的合成＞(化合物(i)的合成)将13.9g三氟乙醇(1)溶解于250g脱水二氯甲烷中并冷却至0℃。在0℃下加入二异丙基乙胺13.3g，接着滴加了25.0g溴乙酸溴化物(2)。在氮气氛下，将滴加后的溶液在25℃下搅拌了2小时。加入100g水而使反应停止后，用100g水清洗了5次有机层。将所得的有机层的浓缩液减压蒸馏，从而获得了6.55g化合物(i)。(化合物m1－1的合成)将5.85g的α－氯丙烯酸(3)溶解于80.0g乙腈中，还加入了二异丙基乙胺5.33g。进一步向其中加入1.00g化合物(i)之后，将溶液在60℃下搅拌了1小时。加入50.0g水而使反应停止后，用100g水清洗了3次有机层。通过柱层析纯化浓缩液从而获得了2.21g化合物(m1－1)。(1h－nmr(cdcl3)：δppm5.88－5.76(1h,m),5.50－5.46(1h,m),4.95(2h,s),4.85－4.70(2h,s))[化学式84]＜合成例2：化合物m1－2的合成＞(化合物(ii)的合成)将12.8g六氟异丙醇(4)溶解于200g脱水二氯甲烷中并冷却至0℃。在0℃下加入吡啶6.93g，接着滴加了20.0g溴乙酸溴化物(2)。在氮气氛下，将滴加后的溶液在25℃下搅拌了1小时。加入100g水而使反应停止后，用100g水清洗了5次有机层。将清洗后的有机层进行浓缩，从而获得了15.6g化合物(ii)的粗产物。(化合物m1－2的合成)将8.00g的α－氟丙烯酸钠(5)溶解于71.4g乙腈中，进一步向其中加入了3.45g四丁基溴化铵。接着加入19.6g化合物(ii)之后，在65℃下搅拌了1小时。加入50.0g水而使反应停止后，用100g水清洗了3次有机层。将所得的有机层的浓缩液进行减压蒸馏，从而获得了13.1g化合物(m1－2)。(1h－nmr(cdcl3)：δppm5.88－5.76(2h,m),5.50－5.46(1h,m),4.95(2h,s))[化学式85]＜合成例3：树脂p－59的合成＞将1.47g化合物(m1－1)和0.03g聚合引发剂v－601(wakopurechemicalindustries，ltd.制造)溶解于2.33g环己酮中。向反应容器中加入0.44g环己酮，在氮气氛下，向85℃溶液中花费4小时进行滴加。花费2小时对反应溶液进行加热搅拌后，将其自然冷却至室温。将自然冷却后的溶液滴加到30g甲醇/水＝9/1(质量比)中，使聚合物沉淀并进行过滤。使用6g甲醇/水＝9/1(质量比)对过滤后的固体进行了喷淋洗涤(日文：かけ洗い)。之后，将清洗后的固体减压干燥，从而获得了0.89g树脂(p－59)。[化学式86]以与树脂(p－59)的合成相同的方式，合成了上述树脂(p－1)～(p－158)。以相同的方式合成了以下所示的树脂(p’－1)～(p’－6)。树脂(p－1)～(p－158)的结构、组成比(摩尔比)、重均分子量及分散度如上述。树脂(p’－1)～(p’－6)的结构、组成比(摩尔比)、重均分子量及分散度如下述。[化学式87]＜合成例4：树脂(1)的合成＞在氮气流下，将8.6g的环己酮加入至三口烧瓶中，并将其加热至80℃。向其中花费6小时滴加了如下溶液，该溶液是将2－异丙基－2－金刚烷基甲基丙烯酸酯(日文：2－アダマンチルイソプロピルメタクリレート)9.8g、二羟基金刚烷基甲基丙烯酸酯4.4g及降冰片烷内酯甲基丙烯酸酯8.9g、与相对单体为8mol％的聚合引发剂v－601(wakopurechemicalindustries，ltd.制造)溶解于环己酮79g中而得的溶液。滴加结束后，进而在80℃下使其反应两小时。将反应液自然冷却后，花费20分钟滴加于己烷800m/乙酸乙酯200ml的混合液中，并滤取了析出的粉体。接着，使粉体干燥从而获得了19g树脂(1)。所得到的树脂(1)的重均分子量以标准聚苯乙烯换算为8800，分散度(mw/mn)为1.9。以与树脂(1)的合成相同的方式，合成了以下所示的其他树脂(a)。下述表4中示出各树脂中的重复单元的摩尔比率(结构式中从左至右的顺序)、重均分子量(mw)、分散度(mw/mn)。[化学式88][化学式89][化学式90][表4]树脂(a)组成(摩尔比率)mwmw/mn150/10/4088001.9240/20/4070001.6340/10/35/5/10100001.7440/10/40/10110001.8540/15/20/2585001.6610/40/25/25120001.8750/20/3065001.6840/10/5080001.7925/25/5090001.81050/10/40110001.81150/10/4080001.71240/10/40/1070001.71320/15/35/30100001.71445/10/35/1085001.71550/40/10100001.61610/40/40/1090001.81755/10/35120001.81840/15/20/2590001.71940/15/30/1575001.62040/15/4580001.62140/40/10/1095001.82235/15/25/25100001.72320/15/45/2080001.62425/35/15/2590001.82510/30/10/30/20100001.72620/10/40/30105001.6[表5]树脂(a)组成(摩尔比率)mwmw/mn2750/50100001.72840/6090001.62940/60110001.53030/70120001.53145/55100001.63240/60140001.73350/50120001.63440/6085001.63535/6590001.73650/50110001.63720/20/6080001.53825/25/50100001.83925/30/25/2090001.64020/35/20/2585001.6〔实施例1-a～75-a、比较例1-a’～4-a’(arf液浸曝光)〕(1)抗蚀剂组合物的制备及涂布将有机防反射膜形成用组合物arc29sr(brewerscience,inc.制造)涂布于硅晶片上，在205℃下烘烤60秒，从而形成了膜厚98nm的防反射膜。将下述表6～8所示的抗蚀剂组合物涂布于防反射膜上，在100℃(其中，关于实施例60-a～75-a，是下表9中记载的温度)花费60秒进行烘烤，从而形成了膜厚90nm的抗蚀剂膜。抗蚀剂组合物是通过制备固体成分浓度为4质量％的溶液，并用具有0.05μm孔径尺寸的聚乙烯过滤器过滤该溶液而获得。以下述表6～8中记载的含量(用以组合物的总固体成分为基准的质量％来表示)使用了树脂(c)及树脂(c’)。(2)arf曝光及显影使用arf准分子激光液浸扫描器(asml公司制；xt1700i，na1.20，c-quad，外西格玛(日文：アウタ一シグマ)0.730，内西格玛(日文：イソナ一シグマ)0.630，xy偏向)，并通过线宽75nm的1∶1线与空间(日文：ライソアソドスペ一ス)图案的6％半色调掩模进行了曝光。使用了超纯水作为液浸液。之后，在120℃(其中，关于实施例60－a～75－a，是下表9中记载的温度)下加热60秒后，用氢氧化四甲铵水溶液(2.38质量％)进行30秒显影，并用纯水冲洗后进行旋转干燥，从而获得了抗蚀剂图案。(3)抗蚀剂图案的评价使用扫描型电子显微镜(hitachi，ltd.制造的s－9220)，对所得的抗蚀剂图案的残渣、显影缺陷及后退接触角(rca)进行了评价。将结果示于下表6～8。〔残渣(液浸缺陷)〕使用扫描型电子显微镜(hitachi，ltd.制造的s－9220)观察了线宽75nm的抗蚀剂图案中的显影残渣(残渣)。在将曝光的扫描速度设为550mm/s的情况及设为700mm/s的情况下，基于下述评价基准进行了残渣的评价。a：完全看不到残渣。b：在极限解析力附近的线宽上看到残渣。c：在比极限分辨率宽的线宽上看到残渣。d：几乎遍及整个区域看到残渣。〔显影缺陷〕在硅晶片(12英寸口径)上，对如上述那样形成的图案(曝光的扫描速度设为700mm/s)使用缺陷检查装置kla2360(kla－tencorjapanltd.制造)测定了显影缺陷数。测定是通过将缺陷检查装置的像素尺寸设定为0.16μm，又将阈值设定为20，并且以随机模式进行。检测了根据通过比较影像与像素单位的重叠产生的差异而提取的显影缺陷，从而算出每单位面积的显影缺陷数(个/cm2)。另外，1英寸为0.0254m。将显影缺陷数小于0.5的图案设为a、0.5以上且小于0.7的图案设为b、0.7以上且小于1.0的图案设为c、1.0以上的图案设为d。显示出显影缺陷数越小，性能越良好。〔后退接触角(rca)〕将所制备的抗蚀剂组合物涂布于硅晶片(8英寸口径)上，在120℃下烘烤60秒，从而形成了膜厚120nm的抗蚀剂膜。通过接触角测定装置(kyowainterfacescienceco.，ltd.制造)的扩展－收缩法，测定了抗蚀剂膜上的水滴的后退接触角。将初始液滴尺寸35μl，以6μl/秒的速度吸引5秒，并将吸引中的动态接触角稳定的值设为后退接触角。测定环境为23℃下相对湿度45％。显示出该后退接触角的数值越大，水对于高速扫描速度的追随性越高。[表6][表7][表8][表9]表6～8中的光产酸剂、酸扩散控制剂(碱性化合物等)、表面活性剂及溶剂如下述。〔光产酸剂〕[化学式91][化学式92]〔酸扩散控制剂(碱性化合物等)〕[化学式93][化学式94][化学式95]〔表面活性剂〕w－1：megafacef176(dainipponinkandchemicals，inc.制造，氟系)w－2：megafacer08(dainipponinkandchemicals，inc.制造，氟及硅系)w－3：聚硅氧烷聚合物kp－341(shin－etsuchemicalco.，ltd.制造，硅类)w－4：troysols－366(troychemicalindustriesinc.制造)w－5：pf656(omnovasolutionsinc.制造，氟类)w－6：pf6320(omnovasolutionsinc.制造，氟类)〔溶剂〕sl－1：环己酮sl－2：丙二醇单甲醚乙酸酯(pgmea：1－甲氧基－2－乙酰氧基丙烷)sl－3：乳酸乙酯sl－4：丙二醇单甲醚(pgme：1－甲氧基－2－丙醇)sl－5：γ－丁内酯sl－6：碳酸丙烯酯从表6～8的结果可知，使用含有树脂(c)的组合物的实施例与使用不含有树脂(c)的组合物的比较例相比，液浸液对曝光装置具有高追随性，并且残渣(液浸缺陷)及显影缺陷的性能评价优异。使用含有树脂(c)的组合物的实施例中的液浸液的追随性，不仅在曝光的扫描速度为高速(550mm/s)时良好，而且在曝光的扫描速度为超高速(700mm/s)时也良好。〔实施例1－b～6－b、比较例1－b’～2－b’(eb曝光)〕(1)抗蚀剂组合物的制备及涂布作为支撑体准备了蒸镀有氧化cr的6英寸硅晶片(实施了用于通常的空白掩膜版(日文：フォトマスクブランクス)的遮蔽膜处理)。将表10所示的成分溶解于溶剂中，并用具有0.04μm孔径的聚四氟乙烯过滤器对该溶液进行过滤而制备了抗蚀剂溶液。在上述6英寸晶片上，使用tokyoelectronlimited制造的旋转涂布机mark8将抗蚀剂溶液进行涂布，在110℃下在加热板上干燥90秒，从而获得了膜厚50nm的抗蚀剂膜。即，获得了抗蚀剂涂布掩膜板。1英寸为25.4mm。(2)eb曝光及显影对该抗蚀剂膜使用电子束描绘装置(elionixinc.制造；els－7500、加速电压50kev)进行了图案照射。将照射后的抗蚀剂膜，在110℃下在加热板上加热90秒，并在2.38质量％氢氧化四甲铵(tmah)水溶液中浸渍了60秒。接着，将抗蚀剂膜用水冲洗30秒后进行干燥，从而获得了抗蚀剂图案。(3)抗蚀剂图案的评价使用扫描型电子显微镜(hitachi，ltd.制造的s－9220)，对所得的抗蚀剂图案的残渣进行了评价。将结果示于下表10。〔残渣〕将对线宽50nm的1:1线与空间的抗蚀剂图案进行解析时的曝光量作为灵敏度，在上述灵敏度中的孤立空间(线:空间＝100:1)的解析力评价中，对残渣如下进行了评价。a：完全看不到残渣。b：在极限解析力附近的线宽上看到残渣。c：在比极限分辨率宽的线宽上看到残渣。[表10]表10中的树脂(e)、化合物(f)、酸扩散控制剂(碱性化合物等)如下述。以摩尔比示出以下树脂的各重复单元的组成比。〔树脂(e)〕[化学式96]〔化合物(f)〕[化学式97]〔酸扩散控制剂(碱性化合物等)〕[化学式98]根据表10，使用含有树脂(c)的组合物的实施例与使用不含有树脂(c)的组合物的比较例相比，能够减少残渣。〔实施例1－c～5－c、比较例1－c’～2－c’(euv曝光)〕(1)抗蚀剂组合物的制备及涂布在进行了hmds(六甲基二硅氮烷)处理的硅晶片上，将所得的各抗蚀剂组合物进行涂布，在120℃下烘烤60秒，从而获得了膜厚50nm的抗蚀剂膜。(2)euv曝光及显影对该抗蚀剂膜使用euv曝光装置(asml公司制造；nxe3300、透镜数值孔径na0.33、dipole照明、σ＝0.902/0.671)进行了图案照射。将照射后的抗蚀剂膜在100℃下在加热板上加热60秒，并在2.38质量％氢氧化四甲铵(tmah)水溶液中浸渍了60秒。接着，将抗蚀剂膜用水冲洗30秒后进行干燥，从而获得了线宽20nm的抗蚀剂图案。(3)抗蚀剂图案的评价使用扫描型电子显微镜(hitachi，ltd.制造的cg－4100)对所得的抗蚀剂图案的残渣进行了评价。将结果示于下表11。〔残渣〕将对线宽20nm的1:1线与空间的抗蚀剂图案进行解析时的曝光量作为灵敏度，在上述灵敏度中的线(线:空间＝1:1)的解析力评价中，对残渣如下进行了评价。a：完全看不到残渣。b：在极限解析力附近的线宽上看到残渣。c：在比极限分辨率宽的线宽上看到残渣。[表11]表11中的树脂(e)、碱性化合物如下所述。以摩尔比示出以下树脂的各重复单元的组成比。〔树脂(e)〕[化学式99]〔碱性化合物〕[化学式100]通过表11，使用含有树脂(c)的组合物的实施例与使用不含有树脂(c)的组合物的比较例相比，能够减少残渣。当前第1页12