本发明涉及液晶显示技术领域，特别是一种加工过程中带有光致变色薄膜带的显示基板以及利用该显示基板进行检测曝光异常的方法。
背景技术
平板显示技术是21世纪全球新兴高新技术之一，在众多新型平板显示技术中，工艺最为成熟，应用最为广泛的当属薄膜晶体管液晶显示(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，tft-lcd)。tft-lcd工作原理是在电场作用下，内部液晶分子会发生排列上的变化。液晶分子结构的变化从而影响通过其的光线变化，继而通过偏光片的作用可以表现为明暗的变化，再配合彩色滤光片(colorfilter，cf)，人们就可以实现通过对电场的控制最终控制光线的灰度和亮度变化，从而达到显示图像的目的。在tft-lcd器件中，为了提高响应速度，需要液晶分子在电极界面处整齐排列并形成一定的预倾角，因此在生产过程中需要对tft和cf基板表面的配向膜进行配向作业。目前主要配向技术分为摩擦配向和光配向，其中光配向技术主要使用紫外光对光敏感度高、稳定性好的配向材料进行光照配向。相比于摩擦配向技术，光配向具有非接触、无污染、无静电、可实现多畴配向等优点，因此得到广泛的应用。
紫外光垂直配向技术(uv2a)是一种典型的光配向技术，其原理是在光配向过程中，配向膜中的聚合高分子通过偏振紫外光照射后，由于高分子中趋光单体的存在，会使聚合高分子向光照方向偏移，从而形成液晶分子取向的角度。为了使液晶面板达到广视角的显示效果，uv2a工艺中需要使用拼接掩膜板对tft或cf基板表面的子像素进行两次或多次双向照射。目前生产工艺中，为实现双向曝光，uv2a制程使用一半透光和一半遮光设计的掩膜板进行曝光作业，为保证曝光精度，需使用多块小型掩膜板进行拼接曝光。当所有子像素完成一次曝光配向后，基板旋转180度再对所有子像素未曝光区域进行反方向的曝光配向。
在正常曝光生产过程中，因照度不均，掩膜板刮透，掩膜板拼接偏移，机台漏光，追踪偏移等多种不确定因素的存在，会导致批量曝光mura(曝光脏污问题)。在uv2a制程没有发现异常的情况下，曝光mura只能到点灯甚至模组制程才能检出，此时前制程已累积产出很多不良基板。因曝光mura不可逆的原因，不良基板只能降等甚至报废，造成巨大的生产浪费。目前生产工艺中并没有在曝光配向制程中直接检测曝光异常的方法。
技术实现要素：
为了解决上述问题，本发明提供了一种带有光致变色薄膜带的显示基板以及使用该显示基板实现检测曝光异常的方法，通过对光致变色薄膜带在配向曝光之后的成像情况检测判断曝光异常，可以在配向曝光制程中直接检测曝光异常，防止出现批量曝光异常，同时可以防止曝光异常的产品后流导致其他材料浪费，节约了生产成本。
一种显示基板：包括：矩阵排列的多个图案化曝光区以及位于在图案化曝光区外的第一间隔区和第二间隔区，还包括位于第一间隔区内的光致变色薄膜带；所述第一间隔区位于第一方向排列且位于相邻的图案化曝光区之间，所述第二间隔区位于第二方向排列且位于相邻的图案化曝光区之间，第一方向和第二方向相互垂直。
优选的，所述光致变色薄膜带包括无机紫外光致变色材料。
优选的，所述无机紫外光致变色材料为过渡金属氧化物或稀土配合物。
优选的，所述光致变色薄膜带包括有机紫外光致变色材料。
优选的，所述有机紫外光致变色材料为螺吡喃类材料、俘精酸酐类材料或丙烯酸酯类材料。
优选的，所述光致变色薄膜带长度不小于所有图案化曝光区沿第一方向排列的长度，所述光致变色薄膜带的宽度不小于一个显示面板的像素区域的宽度。
本发明还公开了一种使用上述显示基板实现检测曝光异常的方法，包括以下步骤：
步骤s1：在显示基板的第一间隔区内涂布光致变色材料形成光致变色薄膜带；
步骤s2：沿第一曝光方向对显示基板的一半像素区域进行第一次曝光处理，光致变色薄膜带变为等间距的无色或有色间隔条纹；
步骤s3：对曝光后的显示基板进行第一次抽检；
步骤s41：若步骤s3中第一次抽检出现异常，则进行停机调试，查找异常原因并进行相关异常处理；
步骤s42：若步骤s3中的第一次抽检未出现异常，则对光致变色薄膜带进行复原处理；
步骤s5：将基板旋转180°，沿与第一曝光方向相反的方向对显示基板的另一半像素区域进行第二次曝光处理；
步骤s6：对曝光后的显示基板进行第二次抽检；
步骤s71：若步骤s6中第二次抽检出现异常，则进行停机调试，查找异常原因并进行相关异常处理；
步骤s72：若步骤s6中的第二次抽检未出现异常，将基板进行排出，进入下一制程。
优选的，所述步骤s3中的第一次抽检频率与步骤s6第二次抽检频率相同，即第一次抽检和第二次抽检的显示基板相同。
优选的，所述步骤s3第一次抽检和步骤s6第二次抽检进一步的包括：使用ccd扫描光致变色薄膜带，通过图像识别技术检测光致变色薄膜带的变色条纹是否等距以及是否有异常变色条纹。
优选的，所述步骤s3第一次抽检和步骤s6第二次抽检进一步的包括：使用ccd扫描光致变色薄膜带，通过图像识别技术检测光致变色薄膜带的变色条纹是否等距以及是否有异常变色条纹。
优选的，所述图像识别技术进一步的包括灰阶识别技术和图像对比技术。
优选的，所述步骤s42光致变色带复原处理方式包括加热处理或另一波长光照处理。
与现有技术相比，本发明的显示基板通过在图案化曝光区之间的间隔区设置光致变色薄膜带，在曝光过后对光致变色薄膜带进行检测，实现对显示基板曝光效果的检测，及时控制曝光质量，防止出现批量曝光不良，同时防止曝光不良的产品继续后流造成其他材料的浪费。
附图说明
图1为本发明的检测曝光异常的方法流程图；
图2为本发明显示基板结构示意图；
图3为本发明的步骤s1显示基板示意图；
图4为本发明的步骤s2显示基板示意图；
图5为本发明的步骤s42显示基板示意图；
图6为本发明的步骤s5显示基板示意图；
附图标记列表：1-显示基板，2-第一间隔区，3-光致变色薄膜带，4-图案化曝光区，5-第二间隔区。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
实施例一：
图2为本发明的显示基板结构示意图，如图2所示，一种显示基板1包括：矩阵排列的多个图案化曝光区4、位于个图案化曝光区4外的第一间隔区2和第二间隔区5、以及位于第一间隔区2内的光致变色薄膜带3，第一间隔区2位于沿第一方向排列且位于相邻的图案化曝光区4之间，第二间隔区5位于沿第二方向排列且位于相邻的图案化曝光区4之间，第一方向和第二方向相互垂直。
所述光致变色薄膜带3的长度不小于位于所有图案化曝光区4沿第一方向排列的长度，保证光致变色薄膜带3能够检测到图案化曝光区4的每一段，所述光致变色薄膜带3的宽度不小于一个像素区域的宽度，方便抽检的图像识别，光致变色薄膜带3会根据不同曝光量显示不同的颜色，因为光配向中采用的是紫外光进行配向，因此光致变色薄膜带3采用无机紫外光致变色材料和有机紫外光致变色材料。
本发明还公开了一种所述显示基板检测曝光异常的方法，如图1所示，包括以下步骤：
步骤s1：在显示基板的第一间隔区内涂布光致变色材料形成光致变色薄膜带3，如图3所示；
步骤s2：沿第一曝光方向(如图3所示的箭头方向)对显示基板的一半像素区域进行第一次曝光处理，光致变色薄膜带3变为等间距的无色或有色间隔条纹，如图4所示；
步骤s3：对曝光后的显示基板进行第一次抽检；
步骤s41：若步骤s3中第一次抽检出现异常，则进行停机调试，查找异常原因并进行相关异常处理；
步骤s42：若步骤s3中的第一次抽检未出现异常，则对光致变色薄膜带进行复原处理，如图5所示；
步骤s5：将基板旋转180°，沿与第一曝光方向相反的方向对显示基板的另一半像素区域进行第二次曝光处理，如图6所示；
步骤s6：对曝光后的显示基板进行第二次抽检；
步骤s71：若步骤s6中第二次抽检出现异常，则进行停机调试，查找异常原因并进行相关异常处理；
步骤s72：若步骤s6中的第二次抽检未出现异常，将基板进行排出，进入下一制程。
优选的，所述步骤s3中的第一次抽检频率与步骤s6第二次抽检频率相同，即第一次抽检和第二次抽检的显示基板相同。第一次抽检和第二次抽检的显示基板相同，可以保证显示基板两次配向皆不出现异常，防止一次出现异常而一次不出现异常导致的漏检问题。
优选的，所述步骤s3第一次抽检和步骤s6第二次抽检进一步的包括：使用ccd扫描光致变色薄膜带，通过图像识别技术检测光致变色薄膜带的变色条纹是否等距以及是否有异常变色条纹。
优选的，所述图像识别技术进一步的包括灰阶识别技术和图像对比技术。通过灰阶识别，读取光致变色薄膜带的图案数据，并且通过图像对比技术将识别的的图案与标准图案进行对比，检测相应的异常情况。
优选的，所述步骤s42光致变色带复原处理方式包括加热处理或另一波长光照处理。
需要说明的是，本发明所述的检测曝光异常的方法还可以适用于双向多次曝光的制程，除了最后一次抽检不需要对光致变色薄膜带进行复原操作，其他抽检完成后都需要对光致变色薄膜带进行复原操作。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换(如数量、形状、位置等)，这些等同变换均属于本发明的保护范围。