本发明涉及一种半导体工艺设备，具体涉及一种光刻胶洗边装置。
背景技术：
现有技术中的光刻胶洗边装置，只能清洗一片光刻胶曝光后的晶圆，而造成产能降低，不利于大规模去除晶圆边缘的未曝光的光刻胶，而对于具有多个夹具的洗边装置，当夹具的固定件经过清洗液喷头。固定件遮挡一部分晶圆边缘，而造成晶圆边缘的清洗不完全，导致晶圆边缘的光刻图形的不准确，而造成刻蚀图形的不准确。
技术实现要素：
基于解决上述问题，本发明提供了一种光刻胶洗边装置，用于清洗曝光后显影后，未曝光光刻胶的去除，其特征在于，该洗边装置包括：晶圆夹具组件，所述晶圆夹具组件具有三个晶圆夹具，三个晶圆夹具具有多个晶圆固定槽，所述多个晶圆通过所述晶圆固定槽将晶圆固定在夹具上；底盘，所述底盘包括上表面和下表面，所述底盘上表面具有安装夹具的固定件，所述下表面中心具有沿铅直线为旋转轴的旋转组件，所述旋转组件带动底盘转动；清洗液喷头组件，所述清洗液喷头组件设置夹具组件的外侧，喷头组件包括多个喷头，所述喷头的个数与晶圆的个数相同，所述喷头喷出清洗液的方向与铅直旋转轴具有一定倾斜角；转动测量部件，用于测量底盘带动晶圆旋转的转速以及夹具旋转时的位置；流速调节装置，用于调节喷头的流速；控制装置，所述控制装置根据测量部件测量晶圆的转速，以及夹具的位置，调整喷嘴的流速，当夹具的位置与喷头重合时，提高喷嘴的清洗液的流速，将未曝光的光刻胶充分冲洗。
根据本发明的实施例，所述喷头还沿水平方向具与水平方向具有倾斜角度，该角度为锐角。
根据本发明的实施例，所述测量装置光学测量装置，包括激光器、光探测器，分别沿夹具的径向设置在夹具的两侧。
根据本发明的实施例，所述光学测量装置将测量的光信号转变为电信号，将所述电信号作为增加流速的开关信号。
根据本发明的实施例，所述喷头为二液体喷头，所述二流体喷头包括中心的液体喷出口和中心外围的气体喷出口。
根据本发明的实施例，所述流速调节装置还包括控制增加流速时间的部件，通过该部件控制增加流速时的时间。
根据本发明的实施例，所述测量装置还测量夹具的旋转速度。
本发明的优点如下：
（1）能够同时进行多片晶圆的清洗，具有较高的产能；
（2）能够将被遮挡的晶圆边缘进行清洗，提高清洗效果。
附图说明
图1为光刻胶洗边装置；
图2为光刻胶洗边装置测量控制装置框图。
具体实施方式
实施例
如图1所示的一种光刻胶洗边装置，用于清洗曝光后显影后，未曝光光刻胶的去除，其特征在于，该洗边装置包括：晶圆夹具组件，所述晶圆夹具组件具有三个晶圆夹具1，三个晶圆夹具具有多个晶圆固定卡件2，所述多个晶圆w通过所述晶圆固定卡件2将晶圆w固定在夹具上；底盘（未示出），所述底盘包括上表面和下表面，所述底盘上表面具有安装夹具的固定件6，所述下表面中心具有沿铅直线为旋转轴的旋转组件4，所述旋转组件带动底盘转动；清洗液喷头组件，所述清洗液喷头组件设置夹具组件的外侧，喷头组件包括多个喷头3，所述喷头的个数与晶圆的个数相同，所述喷头喷出清洗液的方向与铅直旋转轴具有一定倾斜角；喷头还沿水平方向具与水平方向具有倾斜角度，该角度为锐角；转动测量部件，包括激光器4、光探测器5，分别沿夹具的径向设置在夹具的两侧，用于测量底盘带动晶圆旋转的转速以及夹具旋转时的位置；流速调整装置，用于调整喷头的流速；控制装置，所述控制装置根据测量部件测量晶圆的转速，以及夹具的位置，调整喷嘴的流速，当夹具的位置与喷嘴重合时，提高喷嘴的清洗液的流速，将未曝光的光刻胶充分冲洗。
其中，所述调整喷头流速的过程，如图2所示，测量部件包括激光器4、光探测器5，激光器4发出的光照射到光探测器5，当激光器4发出的光被晶圆固定卡件2或夹具固定件6遮挡住时，光探测器将测量的光信号变成电信号，得到电信号，所述电信号为周期性的脉冲信号，其包括下降沿或上升沿，通过将其展宽作为增加流速的开关信号，通过增加流速来提高光刻胶的清洗效果。述流速调节装置还包括控制增加流速时间的部件，通过该部件控制增加流速时的时间，即控制脉冲信号展宽的量，达到控制增加流速时的时间，并通过测量转速来控制展宽时间的量。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。