本发明属于立体显示技术领域，具体涉及3d偏光膜及偏光led的制备技术。
背景技术
偏振式立体显示是一种利用光线有“振动方向”的原理以实现原始图像的分解以及立体成像的3d显示方法，其主要是通过在显示装置上相邻行设置左旋和右旋的偏振膜，从而向观看者输送两幅偏振方向不同的两幅画面，而当画面经过偏振眼镜时，由于偏振式眼镜的每只镜片只能接受一个偏振方向的画面，这样人的左右眼就能接收两组画面，再经过大脑合成立体影像。
目前，传统的偏振式led立体显示屏安装的偏光膜,一般采用左右旋光不一致的条状结构或小块的偏振膜进行粘贴，如中国专利“基于片偏振膜的偏振型led立体显示装置及制作方法”，公开号为cn201410010856，公开日为2014年4月2日。然而，这种方法采用左右旋光偏光片拼接的方式，拼缝误差不受控制，容易产生累计误差，串扰区间大，贴合后的产品表面平整度差，而且产品表面的反射率高，用户体验不佳。
技术实现要素：
本发明目的是为了解决传统偏光膜制作方法拼缝累计误差大、串扰区间大，制成的产品存在平整度差、反射率高的问题，提供了一种低反射率3d偏光膜及其制备方法、低反射率偏光led及其制备方法。
本发明提供一种低反射率3d偏光膜的制备方法，该方法包括以下步骤：
步骤一、在ag防眩玻璃的非ag面制作黑色遮光层，然后在ag防眩玻璃上设置m×n透孔阵列，形成图案化ag防眩玻璃；
步骤二、1/2波长相位差补偿膜贴附在ag防眩玻璃层的非ag面，即黑色遮光层面；
步骤三、对附在ag防眩玻璃层上的1/2波长相位差补偿膜切割，形成图案化结构；
步骤四、所得图案化结构中的无效区域进行剥离；
步骤五、向剥离处理后的图案化结构的表面进行填充，形成平坦化层；
步骤六、将偏光片与平坦化层或ag防眩玻璃的黑色遮光层对位贴合，制备出低反射率的3d偏振膜。
优选地，步骤五中，所述填充为采用胶水进行填充。
优选地，步骤六中，所述偏光片为左旋偏光片和/或右旋偏光片。
进一步的，本发明提供了一种低反射率偏光led的制备方法，该方法包括上述低反射率3d偏光膜的制备方法的步骤及步骤七，
步骤七、在3d偏光膜的图案化ag防眩玻璃、偏光片或led模块上施以点胶，将3d偏光膜与led模块对位贴合，制备出低反射率偏光led；
所述点胶与图案化ag防眩玻璃的透孔阵列、led模块的发光子像素的排列一致。
优选地，在与led模块对位贴合前，先将3d偏光膜裁切为与led模块相同尺寸。
进一步的，本发明提供了低反射率3d偏光膜，所述低反射率3d偏光膜包括：图案化ag防眩玻璃101、平坦化层102、填充层103、1/2波片104和圆偏振片105；
1/2波片104和填充层103为相同条形结构，且交错设置于圆偏振片105和平坦化层102之间；
图案化ag防眩玻璃101的非ag面具有黑色遮光层，且设置有m×n透孔阵列，图案化ag防眩玻璃101粘贴于平坦化层102上或圆偏振片105上，且图案化ag防眩玻璃101的非ag面与二者粘贴。
优选地，平坦化层102和填充层103均采用pc膜通过uv胶水填充而成。
进一步的，本发明提供一种低反射率偏光led，所述低反射率偏光led包括：3d偏光膜和led模块106；所述3d偏光膜包括图案化ag防眩玻璃101、平坦化层102、填充层103、1/2波片104和圆偏振片105；
1/2波片104和填充层103为相同条形结构，且交错设置于圆偏振片105和平坦化层102之间；
图案化ag防眩玻璃101的非ag面具有黑色遮光层，且设置有m×n透孔阵列，图案化ag防眩玻璃101粘贴于平坦化层102上或圆偏振片105上，且图案化ag防眩玻璃101的ag面与二者粘贴；
将3d偏光膜与led模块106对位贴合，led模块106设置在圆偏振片105侧或与圆偏振片105邻近的图案化ag防眩玻璃101侧；
图案化ag防眩玻璃101的透孔阵列与led模块106的发光子像素的排列一致。
本发明的有益效果：
(1)本发明方法适用于低反射率3d偏光膜、低反射率偏光led的制作；
同时，本发明方法中，通过片状贴合大大提高生产和贴合效率，而通过对厚度仅几十微米的相位延迟膜的冲切，也实现了小间距p2.5以下的3d偏光膜的精确制备，其结构解决了无法膜与膜拼接难以实现的难点，且没有拼缝误差；
进一步的，本发明方法中，通过填平工艺大大弥补了产品表面平整度差的缺陷。
(2)本发明制备方法不仅极大的提高了生产效率，同时能够实现高品质、小间距的led3d偏光膜以及偏光led的生产和制备。
(3)ag玻璃做的遮光图形降低了反射率且封装工艺简单，适合量产，同时减少了led发光字像素间的相邻隔行或者隔列间的串扰问题，通过测试串扰度可以下降60％，实际串扰度<1％。
附图说明
图1是步骤一的流程示意图；
图2是步骤二的流程示意图；
图3是步骤三的流程示意图；
图4是步骤四的流程示意图；
图5是步骤五的流程示意图；
图6是步骤六的流程示意图；
图7是切割为与led模块相同尺寸的低反射率偏光膜的结构示意图；
图8是3d偏光膜的分层结构示意图；
图9是另一实施例的3d偏光膜的分层结构示意图；
图10是步骤七的流程示意图；
图11是低反射率偏光led的分层结构示意图；
图12是另一实施例的低反射率偏光led的分层结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
有鉴于偏振膜存在着制备方法工艺步骤繁杂，产品误差大，且难以实现小间距led显示设备的制造等现实问题，本发明特提供了一种新的3d偏光膜的制备方法，具体的，结合附图，对本发明制备方法介绍如下：
步骤一、在ag防眩玻璃的非ag面制作黑色遮光层，然后在ag防眩玻璃上设置m×n透孔阵列，形成图案化ag防眩玻璃；
参见图1，此步骤中，所述的图案化图形包括遮光区和透光区，透光区即m×n透孔阵列与led模块的发光子像素阵列，一个透孔对应一个发光子像素；遮光区与led遮光罩保持一致，led模块有pcb板、led发光子像素及led遮光罩组成。
非ag面制作黑色遮光层，该黑色遮光图案化图形可以采用铬层等有机层，能减少亮度损失、降低反射率。
步骤二、1/2波长相位差补偿膜贴附在ag防眩玻璃层的非ag面，即黑色遮光层面；
请参考图2，此步骤中，是将1/2波长相位差补偿膜贴附于切割基底膜之上，从而形成的1/2波长相位差补偿膜-切割基底膜的双层结构；
而切割基底膜的使用，不仅能够起到切割缓冲的功效，同时也能够使得产品3d偏光膜的底面更为平整，而这也有利于降低3d偏光膜表面的反射率，提高实用过程中3d显示的效果。
步骤三、对附在ag防眩玻璃层上的1/2波长相位差补偿膜切割，形成图案化结构；
请参考图3，此步骤中，是优选将附有切割基底膜的1/2波长相位差补偿膜进行等间距切割，切割的方法则可以选用冲切、激光切割，或者刀裁切；
其中，最上端和最下端切割线的右端/左端较中间的切割线而言稍长，同时所有切割线的另一端则保持平齐，从而可以通过进一步的剥离形成仅有左端/右端与外框相连的间隔条状结构。
该图案化结构的厚度为≤0.05mm；
步骤四、所得图案化结构中的无效区域进行剥离；
请参考图4，此步骤中，则是将1/2波长相位差补偿膜多余的部分进行剥离，从而形成仅有一端(左端/右端)与外框相连的间隔条状结构。
步骤五、向剥离处理后的图案化结构的表面进行填充，形成平坦化层；
请参考图5，此步骤中，优选的是以胶水对剥离处理后的图案化结构的表面进行填充，以将凹凸区域填平，形成平坦化层；本发明的填平工艺，也有效的弥补了传统产品表面平整度大的缺陷，能够更加高效的生产高品质、小间距的3d偏光膜，特别是用于led、oled显示器的3d偏光膜。
而填充的胶水不仅覆盖被剥离的区域，同时也覆盖了未被处理的区域，从而得到平坦化层(胶水层)-1/2波长相位差补偿膜层-切割基底膜的三层结构(对于被剥离的区域而言，由于1/2波长相位差补偿膜已被剥离。
具体的，此步骤中，可以首先将胶水粗略的覆盖于图案化结构的表面，然后采用刮平、压平的方法，使得胶水层平整，形成填充凹凸区域、同时还能够覆盖其他未处理区域的平坦化层；
或者，也可以采用喷涂的方式，将胶水均匀的喷涂于图案化结构的表面，并使得不仅能够将凹凸区域填充，同时也能够覆盖未处理的区域，形成平坦化结构层。
步骤六、将偏光片与平坦化层或ag防眩玻璃的黑色遮光层对位贴合，制备出低反射率的3d偏振膜。
参见图6、图8和图9，此步骤中将3d偏光膜与图案化ag防眩玻璃对位贴合，3d偏光膜的1/2波片条形区、填充区间隙排列与图案化ag防眩玻璃的遮光区、透光区间隙排列保持一致。
而由如上的制备方法步骤可知，本发明方法是采用相位差膜与偏光膜贴合以形成3d偏光膜的方法，相较于传统的左右偏光片交替切割拼接而言，本发明所提供的方法仅进行了一次冲切，而且通过片状贴合，也避免了传统拼缝贴合所带来的复杂操作，大大提高了生产和贴合效率；
同时，由于无需进行不同偏光膜间的拼接，因而可以减少至少一半的拼缝误差。
进一步的，本发明提供制备低反射率偏光led的方法，该方法包括所述的低反射率3d偏光膜的制备方法的步骤及步骤七，
步骤七、在3d偏光膜的图案化ag防眩玻璃、偏光片或led模块上施以点胶，将3d偏光膜与led模块对位贴合，制备出低反射率偏光led；
所述点胶与图案化ag防眩玻璃的透孔阵列、led模块的发光子像素的排列一致。
参见图7，在与led模块对位贴合前，先将3d偏光膜裁切为与led模块相同尺寸。将填充胶水所形成的薄膜进行冲切，并进一步将多余的边框部分切除，以形成图案化的相位差膜(patternretarder)。
然后再参见图10～图12，此步骤中在对位贴合好后的产品上形成点阵胶，所述的点阵胶图形与led发光子像素排列一致，根据对位贴合的方式不同，分两种贴合方式，一种方式参见图12，在ag防眩玻璃上形成点阵胶，然后通过压合平台直接与led模块进行对位贴合，另一种方式参见图11是在偏光片上形成点阵胶，然后与led模块对位贴合。所述的在对位贴合好后的产品上形成点阵胶，可以通过涂布或者丝网及点胶的方式来实现。这种贴合方式，对位精度高，表面平整性高，而且pc膜表面做过防眩处理或者ag玻璃也做相应处理。贴合方式简单，并且不会产生溢胶，压合后的溢胶自动流平到led遮光罩上，形成互补面。
实施例1
请参考图1-6所示流程，本实施例所提供的3d偏光膜的制备方法如下：
步骤一、在ag防眩玻璃的非ag面制作黑色遮光层，然后在ag防眩玻璃上设置m×n透孔阵列，形成图案化ag防眩玻璃；
步骤二、1/2波长相位差补偿膜贴附在ag防眩玻璃层的非ag面，即黑色遮光层面；
步骤三、对附在ag防眩玻璃层上的1/2波长相位差补偿膜切割，形成图案化结构；
步骤四、所得图案化结构中的无效区域进行剥离；
步骤五、向剥离处理后的图案化结构的表面进行填充，形成平坦化层；
步骤六、将偏光片与平坦化层对位贴合，即得到实施例1的3d偏光膜，其厚度为0.15mm。
实施例2
请参考图1-6所示流程，本实施例所提供的3d偏光膜的制备方法如下：
步骤一、在ag防眩玻璃的非ag面制作黑色遮光层，然后在ag防眩玻璃上设置m×n透孔阵列，形成图案化ag防眩玻璃；
步骤二、1/2波长相位差补偿膜贴附在ag防眩玻璃层的非ag面，即黑色遮光层面；
步骤三、对附在ag防眩玻璃层上的1/2波长相位差补偿膜切割，形成图案化结构；
步骤四、所得图案化结构中的无效区域进行剥离；
步骤五、向剥离处理后的图案化结构的表面进行填充，形成平坦化层；
步骤六、将偏光片与ag防眩玻璃的黑色遮光层对位贴合，即得到实施例2的3d偏光膜，其厚度为0.20mm。
进一步的，将实施例2所制得的3d偏光膜贴附于oled液晶单元的表面，从而可以得到实施例2的3d显示装置。
实施例3
请参考图1-6所示流程，本实施例所提供的3d偏光膜的制备方法如下：
步骤一、在ag防眩玻璃的非ag面制作黑色遮光层，然后在ag防眩玻璃上设置m×n透孔阵列，形成图案化ag防眩玻璃；
步骤二、1/2波长相位差补偿膜贴附在ag防眩玻璃层的非ag面，即黑色遮光层面；
步骤三、对附在ag防眩玻璃层上的1/2波长相位差补偿膜切割，形成图案化结构；
步骤四、所得图案化结构中的无效区域进行剥离；
步骤五、向剥离处理后的图案化结构的表面进行填充，形成平坦化层；
步骤六、将偏光片与平坦化层对位贴合，，即得到实施例3的3d偏光膜，其厚度为0.25mm。
实施例4
请参考图1-6所示流程，本实施例所提供的3d偏光膜的制备方法如下：
步骤一、在ag防眩玻璃的非ag面制作黑色遮光层，然后在ag防眩玻璃上设置m×n透孔阵列，形成图案化ag防眩玻璃；
步骤二、1/2波长相位差补偿膜贴附在ag防眩玻璃层的非ag面，即黑色遮光层面；
步骤三、对附在ag防眩玻璃层上的1/2波长相位差补偿膜切割，形成图案化结构；
步骤四、所得图案化结构中的无效区域进行剥离；
步骤五、向剥离处理后的图案化结构的表面进行填充，形成平坦化层；
步骤六、将偏光片与ag防眩玻璃的黑色遮光层对位贴合，即得到实施例4的3d偏光膜，其厚度为0.25mm。
针对目前市场上空白的p2.5以下小间距led偏光3d膜，利用该发明技术完成p1.25间距尺寸240mm*240mm的led3d偏关膜制作，在480mm*480mm的led灯箱下测试其3d效果，其效果到达偏光3d显示的要求。
进一步，在上述3d偏光膜实施例的基础上，对位贴合图案化ag防眩玻璃后制作出低反射率3d偏光膜。
再进一步，在低反射率3d偏光膜的基础上，将其与led模块对位贴合后制作出低反射率偏光led。
同时，本发明还提供了包含由上述方法所制备的3d偏光膜的3d显示装置，优选的，该3d显示装置为led或者oled3d显示装置；
而该显示装置则可以通过将如上的3d偏光膜贴合于用于图像显示的液晶单元上，从而得到3d显示装置。
进一步的，本发明也提供了一种3d显示系统，该系统中不仅包含了上述3d显示装置，同时也包含了与之配合使用的偏光眼镜等图像接收装置，观看者可以通过图像接收装置进行3d观看；
而该偏光眼镜则包括左眼用偏光图像镜和右眼用偏光图像镜；同时，偏光眼镜还可以包含与3d显示装置的图像显示同步的相关快门系统，从而在观看的同时实现摄录。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。