一种显示面板的制程和显示面板的制作方法

本发明涉及显示技术领域，更具体的说，涉及一种显示面板的制程和显示面板。

背景技术：

液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(backlightmodule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

在va(verticalalignment)技术的lcd(liquidcrystaldisplay，液晶显示器)中，液晶由加载在彩膜基板和阵列基板之间形成的垂直电场使之转动，从而使液晶形成不同的偏转角度，从而使得上偏光片能透过不同强度的光。在电场加载过程中，彩膜基板上的电场由transferpad(转接区)将信号从阵列基板导入至彩膜基板。通常在面板周边设置一圈第一金属层和第二金属层的网状公共电极走线，在合适的位置设计transferpad(转接区)。transferpad(转接区)位置在第一金属层或者第一金属层和第二金属层之上铺上透明电极层即形成transferpad(转接区)，面板实际工作过程中，由第一金属层传输的公共电极信号在transferpad区域通过第一金属层经过金球最后传到彩膜基板的公共电极，从阵列基板传输至彩膜基板。

其中，在阵列基板侧aa区(可视区)外的框胶(sealant)区域内制作转接区(transferpad)，然后在液晶盒制程阶段进行金球(auball)撒布，以形成像素电极与共用电极之间的电气连接。但是，在框胶和金球涂布的时候，会造成显示异常。

技术实现要素：

有鉴于上述问题，本发明提供一种新型的transferpad设计，使得transferpad区域有更深的沟槽，以提升显示质量的一种显示面板的制程和显示面板。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示面板的制程，包括：

在衬底上覆盖一层金属材料层，形成位于非显示区的第一金属层和位于显示区的公共线；

在第一金属层的上方形成栅极绝缘层，并把所述栅极绝缘层对应转接区的部位蚀刻掉形成栅极绝缘凹陷区；

在所述栅极绝缘层的上方形成第二金属层，并把所述第二金属层对应所述栅极绝缘凹陷区的部位蚀刻掉形成第二金属凹陷区；

在所述第二金属层的上方形成钝化层，并把所述钝化层对应转接区的部位蚀刻掉形成钝化凹陷区，所述钝化凹陷区的宽度宽于第二金属凹陷区的宽度，第二金属层露出的表面为第二金属转接区；

在所述第二金属层的上方形成透明电极层，使得所述透明电极层覆盖所述第二金属转接区，所述透明电极层通过所述第二金属转接区与所述公共线连通，以形成第一基板；

形成设有公共电极的第二基板；

在所述透明电极层的上方设置金球，并使所述金球连通所述第一基板的透明电极层和所述第二基板的公共电极。

可选的，在所述第二金属层的上方形成透明电极层，使得所述透明电极层覆盖所述第二金属转接区，所述透明电极层通过所述第二金属转接区与所述公共线连通的步骤包括：

形成的透明电极层覆盖在所述第一金属层对应所述转接区的上方的表面，以及栅极绝缘层、第二金属层对应第二金属凹陷区的侧壁和第二金属转接区处。

可选的，在所述第二金属层的上方形成透明电极层，使得所述透明电极层覆盖所述第二金属转接区，所述透明电极层通过所述第二金属转接区与所述公共线连通的步骤包括：

把第一金属层对应转接区的部位部分蚀刻掉形成第一金属凹陷区；

形成的透明电极层覆盖在第一金属凹陷区，以及栅极绝缘层、第二金属层对应第二金属凹陷区的侧壁和第二金属转接区处。

可选的，所述第一金属层和所述第一基板的公共线通过同一道制程形成，且相互电连接。

可选的，所述第二金属层和所述第一基板的公共线通过同一道制程形成，且相互电连接。

可选的，所述第一基板的公共线与所述第一金属层或第二金属层通过同一道光罩制成，所述第一金属层和第二金属层通过过孔电连接。

本发明还公开了一种显示面板，包括：

第一基板；

第二基板，和所述第一基板对置；

所述第一基板包括公共线，所述第二基板包括公共电极；

金球，设置在所述显示面板的非显示区，用于导通所述第一基板的公共线和第二基板的公共电极，所述金球设置的位置为转接区；

所述第一基板包括：

衬底；

第一金属层，设置在所述基板上；

栅极绝缘层，设置在所述第一金属层上方，对应转接区镂空，形成栅极绝缘凹陷区；

第二金属层，设置在所述栅极绝缘层上方，所述第二金属层对应栅极绝缘凹陷区的部位镂空，形成第二金属凹陷区；

钝化层，设置在所述第二金属层上方，所述钝化层对应栅极绝缘凹陷区的部位镂空，形成钝化凹陷区，所述钝化凹陷区的宽度大于第二金属层凹陷区的宽度，第二金属层露出的表面为第二金属转接区；

透明电极层，覆盖第二金属转接区，所述透明电极层与所述第一基板的公共线连通；

所述金球设置在所述透明电极层对应所述第二金属凹陷区的位置，连通所述第一基板的透明电极层和所述第二基板的公共电极。

可选的，所述透明电极层覆盖所述第二金属转接区，同时覆盖在所述第一金属层表面、栅极绝缘层以及第二金属层对应第二金属凹陷区一侧的侧壁。

可选的，第一金属凹陷区，位于所述第一金属层对应所述转接区的镂空处；所述透明电极层覆盖第一金属凹陷区，以及栅极绝缘层、第二金属层对应第二金属凹陷区一侧的侧壁和第二金属转接区处。

本发明还公开了一种显示装置，包括上述的显示面板。

在va(verticalalignment)技术的lcd中，液晶由加载在第一基板和第二基板之间形成的垂直电场使之转动，从而使液晶形成不同的偏转角度，从而使得上偏光片能透过不同强度的光。在电场加载过程中，为了使第一基板上的公共线和第二基板的公共电极相互导通，第一基板的密封胶内要设置导电的转接区，以便金球接触上下基板；而不设置金球的位置，则可不设置转接区。在第一基板的转接区，铺设与公共线连通的透明电极层；而在不设置转接区的位置处，则可对公共线镂空成网格状以便对密封胶照光固化，这种方案，在对盒后，金球和密封胶涂布时，金球若被挤压突出转接区，就会造成上下基板导通不好，或盒厚异常，造成显示异常。而本方案中，透明电极层覆盖第二金属转接区，并且透明电极层通过第二金属转接区与公共线连通，而在透明电极层的上方设置金球，使得所述金球连通所述第一基板的透明电极层和第二基板的公共电极，最后实现第一基板的公共线和第二基板的公共电极相互导通。这样由于第二金属转接区加宽了转接区的整体宽度，可以使得涂布的密封胶避免溢出转接区，提高显示质量。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是本发明实施例一种显示面板基本结构的示意图；

图2是图1中a-a’区域放大的示意图；

图3是图1中a-a’区域剖面图的示意图；

图4是本发明实施例一种显示面板的制作流程的示意图；

图5是本发明实施例一种显示面板的结构的示意图(1)；

图6是本发明实施例一种显示面板的结构的示意图(2)；

图7为本发明实施例一种显示面板的结构的示意图(3)；

图8为本发明实施例一种显示装置的结构示意图。

其中，1、显示装置；2、显示面板；10、衬底；20、第一金属层；201、第一金属凹陷区；30、栅极绝缘层；301、栅极绝缘凹陷区；40、第二金属层；401、第二金属凹陷区；50、钝化层；501、钝化凹陷区；60、透明电极层；70、金球；80、第二基板；90、第二金属转接区；91、第一金属转接区；100、显示区；200、非显示区；201、第一连接区；202、转接区；203、第二连接区。

具体实施方式

这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

下面结合附图和较佳的实施例对本发明作进一步说明。

如图1至图8所示，本发明公开了一种显示面板的制程，包括：

在衬底10上覆盖一层金属材料层，形成位于非显示区200的第一金属层20和位于显示区100的公共线；

在第一金属层20的上方形成栅极绝缘层30，并把所述栅极绝缘层30对应转接区202的部位蚀刻掉形成栅极绝缘凹陷区301；

在所述栅极绝缘层30的上方形成第二金属层40，并把所述第二金属层40对应所述栅极绝缘凹陷区301的部位蚀刻掉形成第二金属凹陷区401；

在所述第二金属层40的上方形成钝化层50，并把所述钝化层50对应转接区202的部位蚀刻掉形成钝化凹陷区501，所述钝化凹陷区501的宽度宽于第二金属凹陷区401的宽度，第二金属层40露出的表面为第二金属转接区20290；

在所述第二金属层40的上方形成透明电极层60，使得所述透明电极层60覆盖所述第二金属转接区20290，所述透明电极层60通过所述第二金属转接区20290与所述公共线连通，以形成第一基板；

形成设有公共电极的第二基板80；

在所述透明电极层60的上方设置金球70，并使所述金球70连通所述第一基板的透明电极层60和所述第二基板80的公共电极。

其中，所述第一基板为阵列基板，所述第二基板80为彩膜基板。

在va(verticalalignment)技术的lcd中，液晶由加载在阵列基板和彩膜基板之间形成的垂直电场使之转动，从而使液晶形成不同的偏转角度，从而使得上偏光片能透过不同强度的光。在电场加载过程中，为了使阵列基板上的公共线和彩膜基板的公共电极相互导通，阵列基板的密封胶内要设置导电的转接区202，以便金球70接触上下基板；而不设置金球70的位置，则可不设置转接区202。在阵列基板的转接区202，铺设与公共线连通的透明电极层60；而在不设置转接区202的位置处，则可对公共线镂空成网格状以便对密封胶照光固化，这种方案，在对盒后，金球70和密封胶涂布时，金球70若被挤压突出转接区202，就会造成上下基板导通不好，或盒厚异常，造成显示异常。而本方案中，透明电极层60覆盖第二金属转接区20290，并且透明电极层60通过第二金属转接区20290与公共线连通，而在透明电极层60的上方设置金球70，使得所述金球70连通所述阵列基板的透明电极层60和彩膜基板的公共电极，最后实现阵列基板的公共线和彩膜基板的公共电极相互导通。这样由于第二金属转接区20290加宽了转接区202的整体宽度，可以使得涂布的密封胶避免溢出转接区202，提高显示质量。

其中，衬底10可以为玻璃基板。

本实施例可选的，在所述第二金属层40的上方形成透明电极层60，使得所述透明电极层60覆盖所述第二金属转接区20290，所述透明电极层60通过所述第二金属转接区20290与所述公共线连通的步骤包括：

形成的透明电极层60覆盖在所述第一金属层20对应所述转接区202的上方的表面，以及栅极绝缘层30、第二金属层40对应第二金属凹陷区401的侧壁和第二金属转接区20290处。

本方案中，形成的透明电极层60覆盖在第一金属层20对应转接区202的上方的表面，透明电极层60直接和第一金属层20接触，导电性更好。

作为本发明的另一实施例，参考图4所示，公开了一种显示面板2的制程，包括：

s41：在衬底10上覆盖一层金属材料层，形成位于非显示区200的第一金属层20和位于显示区100的公共线，把第一金属层20对应转接区202的部位部分蚀刻掉形成第一金属凹陷区201；

s42：在第一金属层20的上方形成栅极绝缘层30，并把所述栅极绝缘层30对应转接区202的部位蚀刻掉形成栅极绝缘凹陷区301；

s43：在所述栅极绝缘层30的上方形成第二金属层40，并把所述第二金属层40对应所述栅极绝缘凹陷区301的部位蚀刻掉形成第二金属凹陷区401；

s44：在所述第二金属层40的上方形成钝化层50，并把所述钝化层50对应转接区202的部位蚀刻掉形成钝化凹陷区501，所述钝化凹陷区501的宽度宽于第二金属凹陷区401的宽度，第二金属层40露出的表面为第二金属转接区20290；

s45：在所述第二金属层40的上方形成透明电极层60，形成的所述透明电极层60覆盖在第一金属凹陷区201，以及栅极绝缘层30、第二金属层40对应第二金属凹陷区401的侧壁和第二金属转接区20290处；

s46：所述透明电极层60通过所述第二金属转接区20290与所述公共线连通，以形成第一基板；

s47：形成设有公共电极的第二基板80；

s48：在所述透明电极层60的上方设置金球70，并使所述金球70连通所述第一基板的透明电极层60和所述第二基板80的公共电极。

本方案中，把第一金属层20对应转接区202的部位部分蚀刻形成第一金属凹陷区201，形成的透明电极层60覆盖在第一金属凹陷区201，同时覆盖在栅极绝缘层30、第二金属层40对应第二金属凹陷区401的侧壁以及第二金属转接区20290处，使得转接区202的深度加深，可以使得涂布的密封胶避免溢出转接区202，提高显示质量。

本实施例可选的，所述第一金属层20和所述第一基板的公共线通过同一道制程形成，且相互电连接。

本方案中，第一基板为阵列基板，第一金属层20和阵列基板的公共线通过同一道制程形成，不需要通过打孔将电极进行连接，减少了制程。

本实施例可选的，所述第二金属层40和所述第一基板的公共线通过同一道制程形成，且相互电连接。

本方案中，第一基板为阵列基板，第二金属层40和阵列基板的公共线通过同一道制程形成，不需要通过打孔将电极进行连接，减少了制程。

本实施例可选的，所述第一基板的公共线与所述第一金属层20或第二金属层40通过同一道光罩制成，所述第一金属层20和第二金属层40通过过孔电连接。

本方案中，第一基板为阵列基板，第一金属层20和第二金属层40通过过孔电连接，减少了断线带来的断路的可能；阵列基板的第一公共电极与第一金属层20同层且电连接时，第二金属层40和显示区100的第二金属层40绝缘；阵列基板的第一公共电极与第二金属层40同层且电连接时，第一金属层20和显示区100的第一金属层20绝缘，防止串扰。

作为本发明的另一实施例，参考图5和图6所示，公开了一种显示面板2，包括：

第一基板；

第二基板80，和所述第一基板对置；

所述第一基板包括公共线，所述第二基板80包括公共电极；

金球70，设置在所述显示面板2的非显示区200，用于导通所述第一基板的公共线和第二基板80的公共电极，所述金球70设置的位置为转接区202；

所述第一基板包括：

衬底10；

第一金属层20，设置在所述基板上；

栅极绝缘层30，设置在所述第一金属层20上方，对应转接区202镂空，形成栅极绝缘凹陷区301；

第二金属层40，设置在所述栅极绝缘层30上方，所述第二金属层40对应栅极绝缘凹陷区301的部位镂空，形成第二金属凹陷区401；

钝化层50，设置在所述第二金属层40上方，所述钝化层50对应栅极绝缘凹陷区301的部位镂空，形成钝化凹陷区501，所述钝化凹陷区501的宽度大于第二金属层40凹陷区的宽度，第二金属层40露出的表面为第二金属转接区20290；

透明电极层60，覆盖第二金属转接区20290，所述透明电极层60与所述第一基板的公共线连通；

所述金球70设置在所述透明电极层60对应所述第二金属凹陷区401的位置，连通所述第一基板的透明电极层60和所述第二基板80的公共电极。

在va(verticalalignment)技术的lcd中，液晶由加载在第一基板和第二基板80之间形成的垂直电场使之转动，从而使液晶形成不同的偏转角度，从而使得上偏光片能透过不同强度的光。在电场加载过程中，为了使第一基板上的公共线和第二基板80的公共电极相互导通，第一基板的密封胶内要设置导电的转接区202，以便金球70接触上下基板；而不设置金球70的位置，则可不设置转接区202。在第一基板的转接区202，铺设与公共线连通的透明电极层60；而在不设置转接区202的位置处，则可对公共线镂空成网格状以便对密封胶照光固化，这种方案，在对盒后，金球70和密封胶涂布时，金球70若被挤压突出转接区202，就会造成上下基板导通不好，或盒厚异常，造成显示异常。而本方案中，透明电极层60覆盖第二金属转接区20290，并且透明电极层60通过第二金属转接区20290与公共线连通，而在透明电极层60的上方设置金球70，使得所述金球70连通所述第一基板的透明电极层60和第二基板80的公共电极，最后实现第一基板的公共线和第二基板80的公共电极相互导通。这样由于第二金属转接区20290加宽了转接区202的整体宽度，可以使得涂布的密封胶避免溢出转接区202，提高显示质量。

本实施例可选的，参考图5所示，所述透明电极层60覆盖所述第二金属转接区20290，同时覆盖在所述第一金属层20表面、栅极绝缘层30以及第二金属层40对应第二金属凹陷区401一侧的侧壁。

本方案中，形成的透明电极层60覆盖在第一金属层20对应转接区202的上方的表面，透明电极层60直接和第一金属层20接触，导电性更好。

本实施例可选的，参考图6所示，第一金属凹陷区201，位于所述第一金属层20对应所述转接区202的镂空处；所述透明电极层60覆盖第一金属凹陷区201，以及栅极绝缘层30、第二金属层40对应第二金属凹陷区401一侧的侧壁和第二金属转接区20290处。

本方案中，把第一金属层20对应转接区202的部位部分蚀刻形成第一金属凹陷区201，形成的透明电极层60覆盖在第一金属凹陷区201，同时覆盖在栅极绝缘层30、第二金属层40对应第二金属凹陷区401的侧壁以及第二金属转接区20290处，使得转接区202的深度加深，可以使得涂布的密封胶避免溢出转接区202，提高显示质量。

其中，第一金属层20的厚度一般在或

其中，靠近第一连接区201的第二金属转接区20290的宽度为x1，一般x1的范围为5μm≤x1≤500μm或10μm≤x1≤500μm；靠近第二连接区203的第二金属转接区20290的宽度为x2，一般x2的范围为5μm≤x2≤500μm或10μm≤x1≤500μm。

作为本发明的另一实施例，参考图7所示，公开了一种显示面板2包括：

阵列基板；

彩膜基板，所述阵列基板和所述彩膜基板相对设置；

所述阵列基板包括公共线，所述彩膜基板包括公共电极；

金球70，设置在所述显示面板2的非显示区200，用于导通所述阵列基板的公共线和彩膜基板的公共电极，所述金球70设置的位置为转接区202；

所述阵列基板包括：

衬底10；

第一金属层20，设置在所述基板上，所述第一金属层20对应所述转接区202镂空，形成第一金属凹陷区201；

栅极绝缘层30，设置在所述第一金属层20上方，对应第一金属凹陷区201镂空，形成栅极绝缘凹陷区301，所述栅极绝缘凹陷区301的宽度大于所述第一金属凹陷区201的宽度，所述第一金属层露出的表面为第一金属转接区20291；

第二金属层40，设置在所述栅极绝缘层30上方，所述第二金属层40对应栅极绝缘凹陷区301的部位镂空，形成第二金属凹陷区401；

钝化层50，设置在所述第二金属层40上方，所述钝化层50对应所述第二金属凹陷区401的部位镂空，形成钝化凹陷区501；

透明电极层60，覆盖第一金属凹陷区201和第一金属转接区20291，所述透明电极层60与所述阵列基板的公共线连通；

所述金球70设置在所述透明电极层60对应所述第一金属凹陷区201的位置，连通所述第一基板的透明电极层60和所述第二基板80的公共电极。

本方案中，在制作阵列基板时，在基板上覆盖一层金属材料层，将金属材料层对应转接区202的位置部分蚀刻掉，形成第一金属凹陷区201，在第一金属凹陷区201上方形成透明电极层60，并将透明电极层60与公共线电连接，再在透明电极层60的上方设置金球70，金球70连通阵列基板的公共线和彩膜基板的公共电极，第一金属凹陷区201增加了转接区202的深度，可以使得涂布的金球70和密封胶避免溢出转接区202，提高显示质量。

作为本发明的另一实施例，参考图8所示，公开了一种显示装置1，包括上述的显示面板2。

本发明的面板可以是tn面板(全称为twistednematic，即扭曲向列型面板)、ips面板(in-planeswitching，平面转换)、va面板(multi-domainverticalaignment，多象限垂直配向技术)，当然，也可以是其他类型的面板，适用即可。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。