显示基板及其对位标记的制作方法、显示面板和显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，具体为显示基板及其对位标记的制作方法、显示面板和显示装置。

背景技术：

随着全球信息社会的兴起增加了对各种显示装置的需求。因此，对各种平面显示装置的研究和开发投入了很大的努力，如液晶显示装置、等离子显示装置、场致发光显示装置以及真空荧光显示装置。而液晶显示装置因其功耗小、成本低、无辐射和易操作等特点，已越来越多的走进人们的生活、工作中，并广泛应用于各个领域，如家庭、公共场所、办公场所及个人电子相关产品等。

在显示装置的阵列(array)工艺过程中，申请人发现，在湿法刻蚀(wetetch)过程中，由于存在过刻的情况，使得在基板上所刻图案(pattern)的尺寸(criticaldimension；cd)比实际所需要的尺寸大，很容易降低图案的均一性，进一步降低显示装置的显示效果。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明提供显示基板及其对位标记的制作方法、显示面板和显示装置，能够解决现有技术中存在的由于过刻而导致图案的均一性较差的问题。

为了解决上述问题，本申请实施例主要提供如下技术方案：

在第一方面中，本申请实施例公开了一种显示基板，包括：

基底，所述基底包括显示区域和周边区域，所述基底在所述周边区域需要设置对位标记的位置处设置有凹陷部；

对位膜层，位于所述基底的周边区域，在所述凹陷部对应位置处断开，且所述对位膜层的图案与对位标记图案相同。

在第二方面中，本申请实施例公开了一种显示面板，包括：第一方面所述的显示基板。

在第三方面中，本申请实施例公开了一种显示装置，包括：第二方面所述的显示面板。

在第四方面中，本申请实施例公开了一种显示基板对位标记的制作方法，包括：

提供基底，所述基底包括显示区域和周边区域；

采用构图工艺在所述基底周边区域需要形成所述对位标记的位置处制作凹陷部；

在制作有所述凹陷部的基底上制作对位膜层，并在所述对位膜层上涂覆光刻胶；

采用构图工艺去除所述凹陷部底部区域对应位置处的光刻胶，暴露出对位膜层；

采用构图工艺去除暴露出的对位膜层，并去除剩余的光刻胶，形成对位标记图案。

借由上述技术方案，本申请实施例提供的技术方案至少具有下列优点：

由于本申请实施例的基底在周边区域需要设置对位标记的位置处设置有凹陷部，使得在基底上形成对位膜层时，对位膜层能够形成在凹陷部的侧壁上。当采用湿法刻蚀的方式使得对位膜层在凹陷部对应位置处断开时，而湿法刻蚀存在过刻的情况，本申请实施例发生过刻时，即使过刻的程度与现有技术相同，由于过刻能够沿凹陷部的侧壁的方向上进行，因此，在刻蚀对位膜层后，实际对位膜层的图案的尺寸与对位标记图案的标准尺寸相类似，不会导致对位标记图案无法对位的问题，从而有效的避免了由于过刻而导致图案的均一性较差的问题，进一步增强了相关显示装置的显示效果。

上述说明仅是本申请实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请实施例的具体实施方式。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请实施例的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为传统显示基板在对电极层进行湿刻后的结构示意图，其中，示出了在过刻后的图案尺寸与实际需要的图案尺寸之间的差异；

图2为本申请实施例提供的凹陷部在显示基板中的位置的示意图；

图3为由本申请实施例提供的制作方法制作的显示基板，其中，示出了在过刻后的临界尺寸与实际需要的临界尺寸之间的差异；

图4为本申请实施例的显示基板的制作方法的流程图；

图5为在衬底基板上设置膜层后的结构示意图；

图6为对图5中的基板进行半色调工艺后形成的凹陷部的结构示意图；

图7为在图6中的基板上涂覆金属层后的结构示意图；

图8为在图7中的基板上露出部分金属层的结构示意图；

图9为对图8中的基板的金属层进行刻蚀后的结构示意图；

图10为去除图9中的光刻胶后的结构示意图。

附图标记介绍如下：

1-衬底基板；2-有机层；3-对位膜层；4-光刻胶；5-对位膜层的图案的正常尺寸；6-对位膜层的图案的实际尺寸；7-凹陷部；8-半阶掩膜板。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

图1示出了传统显示基板在对电极层进行湿法刻蚀后的结构示意图，其中，示出了在过刻后的图案尺寸与实际需要的图案尺寸之间的差异。如图1所示，显示基板包括具有衬底基板1和有机层2的基底，有机层2设置在衬底基板1上，在有机层2上依次涂覆有对位膜层3以及光刻胶4，图1中仅示出了基底周边区域需要设置对位标记的位置处的结构。

如图1所示，在通过构图工艺按照预设尺寸去除预设位置处的光刻胶后，进一步采用湿法刻蚀去除暴露出的对位膜层3时，而湿法刻蚀时难以控制过刻的程度，导致过刻的尺寸远远超过正常的尺寸，从而导致图案的均一性较差的问题。

具体地，如图1所示，采用湿法刻蚀去除暴露出的对位膜层3后，需要形成的图案的正常尺寸为附图标记5位置处标记的尺寸，而在实际刻蚀过程中，由于刻蚀时间过长或者其他原因，很容易产出过刻的情况，例如，当在对位膜层3上发生过刻时，此时形成的实际图案的尺寸为附图标记6位置处标记的尺寸，从图1中可以看到，实际图案的尺寸大于需要形成的图案的正常尺寸，如实际图案的尺寸大于需要形成的图案的正常尺寸2微米，即左右两侧各1微米。

实际图案的尺寸大于需要形成的图案的正常尺寸的情况也称像素位置精度(ppa)发胖，ppa发胖会导致对位标记图案无法对位的问题，进而会严重影响显示面板的显示效果。

因此，需要一种新的显示面板，用于解决现有技术中由于在湿法刻蚀时产生的过刻，导致对位标记图案无法对位，从而导致图案的均一性较差的技术问题。

在第一方面，图2和图3示出了本申请实施例提供的显示基板，如图2和图3所示，该显示基板包括：基底和对位膜层3。该基底包括显示区域和周边区域，图3中仅示出了基底周边区域需要设置对位标记的位置处的结构，基底在周边区域需要设置对位标记的位置处设置有凹陷部7。在本申请实施例中，基底包括衬底基板1和有机层2。对位膜层3位于基底的周边区域(即，设置在有机层2上)，对位膜层3在凹陷部对应位置处断开，且对位膜层3的图案与对位标记图案相同。

由于本申请实施例的基底在周边区域需要设置对位标记的位置处设置有凹陷部，使得在基底上形成对位膜层时，对位膜层能够形成在凹陷部的侧壁上。当采用湿法刻蚀的方式使得对位膜层在凹陷部对应位置处断开时，而湿法刻蚀存在过刻的情况，本申请实施例发生过刻时，即使过刻的程度与现有技术相同，由于过刻能够在凹陷部的侧壁(即，大致垂直于水平表面)上进行，而并非像现有技术中的那样沿膜层的水平方向进行。如图3所示，在刻蚀对位膜层后，对位膜层的图案的正常尺寸5(即对位标记图案的标准尺寸)与实际在对位膜层上所刻蚀出的图案的实际尺寸6大致相同，避免了由于过刻沿膜层的水平方向延伸而导致图案的均一性较差的问题，提升了图案整体的一致性，进一步增强了相关显示装置的显示效果。

图2中提供了四张基底，它们分别是基底a_q、b_q、c_q和d_q，而本申请实施例中的凹陷部就设置在基底a_q、b_q、c_q和d_q的四个角的位置处。

可选地，由于对位膜层上所需图案的正常尺寸5与实际在对位膜层上所刻蚀出的图案的实际尺寸6大致相同，因此，在一个优选实施例中，凹陷部7的宽度的最大值可以与对位标记图案的尺寸相等，如：凹陷部的截面呈倒梯形时，倒梯形较长的一条底边的尺寸与对位标记图案的尺寸相等。

可选地，本申请实施例的显示基板为有机电致发光显示基板，具体地，本申请实施例的显示基板为有机发光二极管(organiclight-emittingdiode,oled)显示基板，此时，本申请实施例中的凹陷部设置在有机电致发光显示基板周边区域需要设置对位标记的位置处。

可选地，在本申请实施例中，当显示基板为有机电致发光显示基板时，对位膜层可以与有机电致发光显示基板的阳极位于同一层。具体地，基底包括衬底基板1和有机层2，衬底基板1可以为玻璃基板，有机层2可以与像素限定层同层制作，在有机层2上沉积一层金属层，然后通过构图工艺同层制作出对位膜层的图案和阳极。

具体地，在同层制作时，首先沉积一层金属层，之后在金属层上涂覆光刻胶，采用半阶掩膜板对所述光刻胶进行曝光，所述半阶掩膜板的部分透光区域对应凹陷部的位置，半阶掩膜板的不透光区对应对位膜层的图案的区域和阳极的区域，完全透光区域对应其它图案的区域。然后刻蚀去除完全透光区域对应的金属层，之后去除部分透光区域对应的光刻胶，采用湿法刻蚀去除暴露出的金属层，最后去除光刻胶，形成阳极和对位膜层的图案。

可选地，针对于本申请实施例中的凹陷部7，其截面可以呈倒梯形，且深度为但是，对于本领域技术人员而言，针对产品的实际需求，凹陷部7还可以设置成其他合适的形状和深度。

下面简单的说明一下本申请实施例的可行性，第一，本申请实施例中对位标记图案的位置处各膜层无其它图案设计，凹陷部的结构不会影响其它图案设计。第二，对位标记图案只起对位作用，无需考虑该位置处其它膜层是否会出现断层。

基于同一发明构思，在第二方面，本申请实施例公开了一种显示面板，其包括：在第一方面中的显示基板。

基于同一发明构思，在第三方面，本申请实施例公开了一种显示装置，其包括：在第二方面中的显示面板。

基于同一发明构思，在第四方面，如图4所示，本申请实施例公开了一种显示基板对位标记的制作方法，其包括：

s101：提供基底，基底包括显示区域和周边区域。

s102：采用构图工艺在基底周边区域需要形成对位标记的位置处制作凹陷部。

需要说明的是，本申请实施例的基底包括衬底基板和设置在其上的有机层，而凹陷部是采用半阶掩膜版直接在有机层上制作而成。但是，对于本领域技术人员而言，还可以采用普通掩膜版制作该凹陷部，并且基底也可以仅包括衬底基板，直接在衬底基板上制作凹陷部。

s103：在制作有凹陷部的基底上制作对位膜层，并在对位膜层上涂覆光刻胶。

s104：采用构图工艺去除凹陷部底部区域对应位置处的光刻胶，暴露出对位膜层。

s105：采用构图工艺去除暴露出的对位膜层，并去除剩余的光刻胶，形成对位标记图案。

由于本申请实施例的基底在周边区域需要形成对位标记的位置处制作有凹陷部，使得在形成对位膜层时，对位膜层能够形成在凹陷部的侧壁上。当采用湿法刻蚀的方式去除暴露出的对位膜层时，湿法刻蚀存在过刻的情况，本申请实施例发生过刻时，即使过刻的程度与现有技术相同，由于过刻在凹陷部的侧壁(即，大致垂直于水平表面)上进行，而并非像现有技术中的那样沿膜层的水平方向，因此，在刻蚀对位膜层后，形成的对位标记图案的实际尺寸与对位标记图案的标准尺寸大致相同，避免了由于过刻沿膜层的水平方向延伸进行而导致图案的均一性较差的问题，提升了图案整体的一致性，进一步增强了相关显示装置的显示效果。

在上述s104中的采用构图工艺去除凹陷部底部区域对应位置处的光刻胶，包括：

采用半阶掩膜板对光刻胶进行曝光，半阶掩膜板的部分透光区域对应凹陷部底部区域，半阶掩膜板的不透光区对应对位标记的图案的区域；采用灰化或剥离的方式去除半阶掩膜板的部分透光区域对应位置处的光刻胶。

在上述s105中的采用构图工艺去除暴露出的对位膜层，包括：

采用湿法刻蚀去除暴露出的对位膜层。

可选地，在一个实施例中，当显示基板为有机电致发光显示基板时，对位标记图案与有机电致发光显示基板的阳极同层制作。

以下通过图5至图10详细说明本申请实施例的显示基板对位标记的制作方法：

如图5所示，在衬底基板1上设置有有机层2，作为本申请实施例的基底，并采用半阶掩膜板8对有机层2进行曝光处理，图中仅示出了基底周边区域需要形成对位标记的位置处的结构，其它位置处不涉及本申请的改进点，这里不再赘述，半阶掩膜板8的部分透光区域对应需要形成凹陷部的区域，半阶掩膜板的不透光区对应后续需要形成对位标记图案的区域，去除半阶掩膜板8的部分透光区域下方的有机层2，从而在有机层2上形成本申请实施例所提供的凹陷部7，如图6所示。

接着，如图7所示，在有机层2的上方制作对位膜层3，具体地，在有机层2的上方沉积一层金属层。

进一步地，在对位膜层3上涂覆光刻胶4，在本申请实施例中，利用构图工艺去除凹陷部7的底部区域对应位置处的光刻胶，使得凹陷部7的底部区域对应位置处的对位膜层3暴露在外，如图8所示。

具体地，采用半阶掩膜板对光刻胶4进行曝光，半阶掩膜板的部分透光区域对应凹陷部底部区域，半阶掩膜板的不透光区对应对位标记的图案的区域；采用灰化的方式去除半阶掩膜板的部分透光区域对应位置处的光刻胶。

如图9所示，采用例如湿法刻蚀去除暴露在外的对位膜层3。在湿法刻蚀过程中，当发生过刻时，过刻能够沿凹陷部的侧壁的方向上进行，而并非像现有技术中的那样沿膜层的水平方向上(例如图1)，这样，能够降低ppa发胖导致的对位标记图案无法对位的问题。

最后，去除剩余的光刻胶，形成对位标记图案，如图10所示。

应用本申请实施例所获得的有益效果包括：

由于本申请实施例的基底在周边区域需要设置对位标记的位置处设置有凹陷部，使得在基底上形成对位膜层时，对位膜层能够形成在凹陷部的侧壁上。当采用湿法刻蚀的方式使得对位膜层在凹陷部对应位置处断开时，而湿法刻蚀存在过刻的情况，本申请实施例发生过刻时，由于过刻能够沿凹陷部的侧壁的方向上进行，而并非像现有技术中的那样沿膜层的水平方向进行，因此，即使本申请实施例过刻的程度与现有技术相同，在刻蚀对位膜层后，实际对位膜层的图案的尺寸与对位标记图案的标准尺寸相类似，不会导致对位标记图案无法对位的问题，从而有效的避免了由于过刻而导致图案的均一性较差的问题，提升了图案整体的一致性，进一步增强了相关显示装置的显示效果。

以上所述仅是本发明的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。